JPS6334282Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は樹脂封止型半導体装置の構造に関する
もので、特に放熱良好にして実装の容易な安価な
半導体装置を提供するものである。

第１図ａ，ｂは従来装置の平面図及び正面断面
図で不導体で熱伝導の良い不導体物（例えばアル
ミナ基板）の両面に導体物 2a ， 2b を印刷
等で形成し、片面に半導体（ダイオード）チツプ
と接続子（電極板）及びリード線（端子）
を半田付けし、単相全波整流接続（ブリツジ）型
半導体装置を構成し、さらにもう一方の面に熱伝
導の良好な金属物（例えば銅板）に導体物 2b
を介して半田付けを行ない、樹脂枠を接着し
封止樹脂（例えばエポキシ樹脂）で封止してい
る。係る従来装置においては (1) 不導体物は高価格であり、金属物に半田
付けする時に広い面積の為、全面完全に半田付
けできず、気泡を抱いて熱伝導を悪くする。

(2) 金属物は、実装時に安定した平面度が必要
であるが、製造時または実装時に図４に示す様
に金属物と放熱フインの間に隙間Ｓを生じ
放熱を悪くする。

(3) 金属物と樹脂枠は接着するが、金属物
の方が樹脂枠に比べて熱膨張係数が大きい
為、温度変化により樹脂枠にクラツクが発生
するなど、密着性に問題がある。

本考案は上記欠点の解消を目的としたもので、
以下本考案を詳細に説明する。第２図は本
考案に適用する半導体回路素体Ａの平面図、正面
図及び電気的等価回路図、第３図ａ，ｂ及びｃ，
ｄは本考案の一実施例装置の夫々回路素体Ａの挿
入前及び挿入後の平面図及び正面断面図で先ず回
路素体Ａは電極金属板４及び接続金属板４′間に
半導体（ダイオード）チツプ３を挟持し、これを
リード端子５と共に半田付等により一体に形成さ
れる。次に熱伝導の良い金属物（例えばアルミニ
ウム）を第３図ｂに示す様な断面凹状形状に加
工したものに、インジエクシヨンモールド方法で
樹脂枠を金型（図示していない）を使用して一
体に成型する。完成した金属物と樹脂枠の一
体ケースに封止樹脂（例えばエポキシ樹脂）を
注入し、その中に回路素体Ａを挿入して樹脂封止
する。

このような構成の本考案装置は金属物には第
３図ｂに示す凹凸部 6a 及び段付き部 6b より
成る溝（へこみ部）６ｃを設けることによつて、
樹脂枠との密着性及び抜け止めを防止する効果
があり、樹脂枠の外側を金属物で被つている
為、樹脂枠に対して熱膨張係数の違いによる影
警はなくなる。回路素体Ａと金属物は、電気的
に絶縁されている必要がある。該素体Ａと金属物
は、絶縁耐圧を一定に保つにはその間隙部分
の樹脂枠と封止樹脂の厚さによつて決まり、
樹脂枠 ７a 部分は、素体Ａを挿入する時のスト
ツパーの役目をなし、安定した間隙部分にな
る。即ち、本案では絶縁枠７の一部７ａは金属体
６の底面角部で該底面より突出する略Ｌ字形状を
有しているために該樹脂枠７ａは上述の如くスト
ツパをなす。このため従来装置の如く不導体物を
設けることが不用となり組立工数が軽減されると
共に装置が安価に構成できる等の大きな利点があ
る。因みに樹脂枠 ７a 部分はインジエクシヨン
モールド成形時に薄くすることは困難であるが、
へこみ部 ６c があることにより、樹脂枠 ７a
を厚くすることができ成形性が非常に良くなる。

また、絶縁耐圧を希望する値に決定する場合間
隙が影響し、樹脂枠 ７a 部分の厚さを可変す
ることによつて可能である。

金属物は断面凹状形をしているため、側面か
らの放熱効果がプラスされ、かつ、製作後は安定
した形状を維持することができるため、実装時に
放熱フインとの間隙Ｓが発生するのを防止する
効果がある。

金属物は、引き抜き（または押し出し）加工
方法で製作することにより、希望する形状のもの
が安価に製作することが可能である。

更に樹脂（絶縁）枠７を金属物（体）の凹部周
縁を跨つて形成することによりケースの周囲に周
縁と回路素体Ａのリード端子との間に所要沿面
距離を形成できる利点がある。以上実施例におい
ては溝６ｃに凹凸部６ａを設ける例について説明
したが、この他金属物６の夫々対向面に設けても
よい。更に回路素体Ａとしてこの他センタータツ
プ型、ダブラー型及び３相全波整流型等にも同様
に実施できることは明らかである。

以上の説明から明らかなように、本考案によれ
ば放熱効果の良好な半導体装置が安価、経済的に
提供できるので実用上の効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂは従来装置の平面図及び正面断面
図、第２図ａ，ｂ，ｃは本考案装置に適用する半
導体回路素体の平面図、正面図及び電気的等価回
路図、第３図ａ，ｂ及びｃ，ｄは本考案の一実施
例装置の回路素体挿入前及び挿入後の平面図及び
正面断面図、第４図は従来装置の説明図である。 図において１は不導体物、２ａ，２ｂは導体
物、３は半導体チツプ、４，４′は電極及び接続
金属板、５はリード端子、６は断面凹状金属体、
６ａは凹凸部、６ｂは段付き部、６ｃは溝（へこ
み部）、６ｄは取付孔、７は絶縁（樹脂）枠、８
は封止樹脂、９，Ｓは間隙、１０はフインであ
る。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 電極金属板上に半導体素子を固着し、これら
   を接続金属板により所要回路に接続してリード
   端子を設けた半導体回路素体をケース内に収容
   して樹脂封止するようにした樹脂封止型半導体
   装置において、前記ケースを断面凹状金属体の
   対向面に接するように一体成形された絶縁枠に
   より構成すると共に前記絶縁枠の一部は該金属
   体の底面角部で該底面より突出する略Ｌ字形状
   を有し、且つ前記絶縁枠のＬ字形状部上に前記
   電極金属板が位置するように前記半導体回路素
   体を挿入するようにしたことを特徴とする樹脂
   封止型半導体装置。 (2) 断面凹状金属体の底面角部に溝を形成し、該
   溝に絶縁枠の一部を埋込むようにしたことを特
   徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の
   樹脂封止型半導体装置。 (3) 絶縁枠を断面凹状金属体の凹部周縁を跨つて
   形成したことを特徴とする実用新案登録請求の
   範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。 (4) 断面凹状金属体の対向面もしくは溝面を凹凸
   状に形成したことを特徴とする実用新案登録請
   求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の樹脂封止型半
   導体装置。