JP3130239B2 - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3130239B2 JP3130239B2 JP07336464A JP33646495A JP3130239B2 JP 3130239 B2 JP3130239 B2 JP 3130239B2 JP 07336464 A JP07336464 A JP 07336464A JP 33646495 A JP33646495 A JP 33646495A JP 3130239 B2 JP3130239 B2 JP 3130239B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal substrate
- resin
- circuit
- circuit board
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明はパワー半導体素子、
制御用集積回路素子等を搭載して大電力を扱う樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法、特に放熱特性を改善
した小型の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に
関するものである。
制御用集積回路素子等を搭載して大電力を扱う樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法、特に放熱特性を改善
した小型の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パワー半導体素子と制御用集積回路素子
とを搭載し、大電力を扱う樹脂封止型半導体装置の代表
例はインテリジェントパワーモジュール（以下、ＩＰＭ
と称す）と呼ばれるものである。ほとんどのＩＰＭは、
金属基板の絶縁膜上に形成した導電性金属膜回路にパワ
ー半導体素子、制御用集積回路素子、その他の電子部品
を搭載し、絶縁材からなるケースに収納したものであっ
た。すなわち図１６に示すように、従来の樹脂封止型半
導体装置は、放熱用の金属基板１上に絶縁膜２を設け、
前記絶縁膜２上の目的とする箇所に導電性金属膜回路３
を設けたもので、その上にパワー半導体素子４や制御用
集積回路素子５を搭載し、金属細線で結線した構造を有
していた。なお、図１６において、外部との接続用に外
部端子６〜１０が接続されているものである。
とを搭載し、大電力を扱う樹脂封止型半導体装置の代表
例はインテリジェントパワーモジュール（以下、ＩＰＭ
と称す）と呼ばれるものである。ほとんどのＩＰＭは、
金属基板の絶縁膜上に形成した導電性金属膜回路にパワ
ー半導体素子、制御用集積回路素子、その他の電子部品
を搭載し、絶縁材からなるケースに収納したものであっ
た。すなわち図１６に示すように、従来の樹脂封止型半
導体装置は、放熱用の金属基板１上に絶縁膜２を設け、
前記絶縁膜２上の目的とする箇所に導電性金属膜回路３
を設けたもので、その上にパワー半導体素子４や制御用
集積回路素子５を搭載し、金属細線で結線した構造を有
していた。なお、図１６において、外部との接続用に外
部端子６〜１０が接続されているものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の構
成では、放熱特性は金属基板上の絶縁膜の厚みに依存
し、その膜厚を薄くすれば放熱特性が良好となるが、絶
縁特性が悪化してしまう。逆に絶縁膜の膜厚を厚くすれ
ば絶縁特性が良好となるものの、放熱特性が悪化してし
まう。
成では、放熱特性は金属基板上の絶縁膜の厚みに依存
し、その膜厚を薄くすれば放熱特性が良好となるが、絶
縁特性が悪化してしまう。逆に絶縁膜の膜厚を厚くすれ
ば絶縁特性が良好となるものの、放熱特性が悪化してし
まう。
【０００４】本発明は、絶縁特性と放熱（熱抵抗）特性
という二つの特性を改善しようとするものであり、樹脂
封止型半導体装置として、一体化させるのに用いる封止
樹脂によって従来の金属基板上の絶縁膜に相当する絶縁
領域を得るものである。
という二つの特性を改善しようとするものであり、樹脂
封止型半導体装置として、一体化させるのに用いる封止
樹脂によって従来の金属基板上の絶縁膜に相当する絶縁
領域を得るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来のＩＰＭ
の放熱性、絶縁性のための構造を打破し、パッケージ素
子構造をＩＰＭに適用できるように、放熱性、絶縁性の
面から構造改革した点に特徴を有するものであり、その
構成として、金属板を打ち抜き加工して各金属基板領域
を有する回路構成を形成し、パワー半導体素子や制御用
集積回路素子などの電子部品を搭載し、前記各金属基板
領域を固定する第１の樹脂部を設け、また前記回路構成
された前記樹脂部の開口部を通っている金属板部分やタ
イバーを切断し、一部回路を形成して電気的試験を連続
して行ない、その後で金属基板の外枠を切断して電極を
形成して回路構成体を形成し、そして前記回路構成体を
第２の樹脂で封止した構成である。また第１の樹脂と第
２の樹脂とは、絶縁性のエポキシ樹脂またはポリフェニ
レンサルファイド（ＰＰＳ樹脂）により構成されるもの
である。
の放熱性、絶縁性のための構造を打破し、パッケージ素
子構造をＩＰＭに適用できるように、放熱性、絶縁性の
面から構造改革した点に特徴を有するものであり、その
構成として、金属板を打ち抜き加工して各金属基板領域
を有する回路構成を形成し、パワー半導体素子や制御用
集積回路素子などの電子部品を搭載し、前記各金属基板
領域を固定する第１の樹脂部を設け、また前記回路構成
された前記樹脂部の開口部を通っている金属板部分やタ
イバーを切断し、一部回路を形成して電気的試験を連続
して行ない、その後で金属基板の外枠を切断して電極を
形成して回路構成体を形成し、そして前記回路構成体を
第２の樹脂で封止した構成である。また第１の樹脂と第
２の樹脂とは、絶縁性のエポキシ樹脂またはポリフェニ
レンサルファイド（ＰＰＳ樹脂）により構成されるもの
である。
【０００６】また第１の回路基板である前記回路構成体
と電子部品を搭載した第２の回路基板とを積層し、樹脂
で封止するものである。
と電子部品を搭載した第２の回路基板とを積層し、樹脂
で封止するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】上述の構成のように、熱伝導率の
大きい成型樹脂材料（第１の樹脂、第２の樹脂）を絶縁
部の形成にも利用することで、放熱特性を向上（熱抵抗
を低く）させ、また絶縁部の厚みを大きくして、絶縁耐
圧を高くすることができるようになり、従来のような絶
縁性と放熱性のトレードオフの関係を改善できるもので
ある。すなわち、放熱性や絶縁性の点で好適な絶縁性の
エポキシ樹脂またはポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ樹脂）で外囲領域を封止することにより、パワー半導
体素子、制御用集積回路素子等を搭載して大電力を扱う
樹脂封止型半導体装置の放熱性と絶縁耐性を向上させる
ことができる。
大きい成型樹脂材料（第１の樹脂、第２の樹脂）を絶縁
部の形成にも利用することで、放熱特性を向上（熱抵抗
を低く）させ、また絶縁部の厚みを大きくして、絶縁耐
圧を高くすることができるようになり、従来のような絶
縁性と放熱性のトレードオフの関係を改善できるもので
ある。すなわち、放熱性や絶縁性の点で好適な絶縁性の
エポキシ樹脂またはポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ樹脂）で外囲領域を封止することにより、パワー半導
体素子、制御用集積回路素子等を搭載して大電力を扱う
樹脂封止型半導体装置の放熱性と絶縁耐性を向上させる
ことができる。
【０００８】また第１の樹脂で金属基板間および底面領
域を封止固定したものに対して、タイバーの切断等を行
ない、一部回路を構成し、この時点で所定の電気的特性
を測定する電気的試験を連続で行ない、回路構成の初期
動作特性を確認することもできる。また金属板の打ち抜
き加工により、回路構成した金属基板には外部電極（外
部端子）に相当する領域を形成しておくことにより、そ
の後の金属基板の切断や折曲げ加工などで外部電極とす
ることができる。これも材料部品コストを低減させ、製
造原価を安価にする一因となる。
域を封止固定したものに対して、タイバーの切断等を行
ない、一部回路を構成し、この時点で所定の電気的特性
を測定する電気的試験を連続で行ない、回路構成の初期
動作特性を確認することもできる。また金属板の打ち抜
き加工により、回路構成した金属基板には外部電極（外
部端子）に相当する領域を形成しておくことにより、そ
の後の金属基板の切断や折曲げ加工などで外部電極とす
ることができる。これも材料部品コストを低減させ、製
造原価を安価にする一因となる。
【０００９】次に本発明の実施の形態について図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の樹脂封止型半導体
装置における実施の形態の一例の構成を示す概略断面図
である。図１に示すように本実施の形態は、パッケージ
素子の構造を有しており、パッケージ素子構造をＩＰＭ
に適用した場合の従来にない特徴について、以降、詳細
に述べ、単なる構造の転化ではない旨を説明する。
照しながら説明する。図１は本発明の樹脂封止型半導体
装置における実施の形態の一例の構成を示す概略断面図
である。図１に示すように本実施の形態は、パッケージ
素子の構造を有しており、パッケージ素子構造をＩＰＭ
に適用した場合の従来にない特徴について、以降、詳細
に述べ、単なる構造の転化ではない旨を説明する。
【００１０】図１の本実施の形態の樹脂封止型半導体装
置は、厚み０.５ｍｍの銅板をリードフレーム加工のご
とく、打ち抜き加工によって所望の金属板領域を有して
回路構成された金属基板１１ａ，１１ｂ上にパワー半導
体素子１２、および制御用集積回路素子１３、その他の
電子部品１４が搭載され、図においては、パワー半導体
素子１２と外部端子１８とが金属細線１５で接続されて
いる。そして、高熱伝導率の成形用の第１の樹脂１６で
金属基板１１ａ，１１ｂ間およびその底面領域が封止固
定されている。また、パワー半導体素子１２、制御用集
積回路素子１３、その他の電子部品１４が搭載された金
属基板１１ａ，１１ｂ面および底面の前記第１の樹脂１
６の端部領域は、高熱伝導率の成形用の第２の樹脂１７
で封止されている。なお、外部端子１８は金属基板１１
ａの端部で構成されている。
置は、厚み０.５ｍｍの銅板をリードフレーム加工のご
とく、打ち抜き加工によって所望の金属板領域を有して
回路構成された金属基板１１ａ，１１ｂ上にパワー半導
体素子１２、および制御用集積回路素子１３、その他の
電子部品１４が搭載され、図においては、パワー半導体
素子１２と外部端子１８とが金属細線１５で接続されて
いる。そして、高熱伝導率の成形用の第１の樹脂１６で
金属基板１１ａ，１１ｂ間およびその底面領域が封止固
定されている。また、パワー半導体素子１２、制御用集
積回路素子１３、その他の電子部品１４が搭載された金
属基板１１ａ，１１ｂ面および底面の前記第１の樹脂１
６の端部領域は、高熱伝導率の成形用の第２の樹脂１７
で封止されている。なお、外部端子１８は金属基板１１
ａの端部で構成されている。
【００１１】本実施の形態の樹脂封止型半導体装置によ
れば、銅板等の金属板の打ち抜き加工により形成した回
路基板である金属基板１１ａ，１１ｂの周囲領域を高熱
伝導率の成形用の第１，第２の樹脂１６，１７で封止し
ているので、放熱特性を向上させ、またその樹脂の厚み
を大きくすることで、絶縁耐圧を向上させることができ
る。
れば、銅板等の金属板の打ち抜き加工により形成した回
路基板である金属基板１１ａ，１１ｂの周囲領域を高熱
伝導率の成形用の第１，第２の樹脂１６，１７で封止し
ているので、放熱特性を向上させ、またその樹脂の厚み
を大きくすることで、絶縁耐圧を向上させることができ
る。
【００１２】前記第１の樹脂１６および第２の樹脂１７
としては、絶縁性のエポキシ樹脂またはポリフェニレン
サルファイド（ＰＰＳ樹脂）が放熱性、絶縁性の点で好
適であり、いずれも封止成形工程に使用しても支障はな
い。また他には、液晶ポリマー、ポリスチレンなどの樹
脂材料も封止成形用に利用できる。さらに、前記の樹脂
に対して、放熱性向上のための添加するフィラーとして
は、シリカ（ＳｉＣ）、アルミナ、マグネシア、および
窒化アルミニウムなどがよく、特にシリカ、およびアル
ミナは、熱伝導率性、樹脂の熱応力の低減において有用
なものである。
としては、絶縁性のエポキシ樹脂またはポリフェニレン
サルファイド（ＰＰＳ樹脂）が放熱性、絶縁性の点で好
適であり、いずれも封止成形工程に使用しても支障はな
い。また他には、液晶ポリマー、ポリスチレンなどの樹
脂材料も封止成形用に利用できる。さらに、前記の樹脂
に対して、放熱性向上のための添加するフィラーとして
は、シリカ（ＳｉＣ）、アルミナ、マグネシア、および
窒化アルミニウムなどがよく、特にシリカ、およびアル
ミナは、熱伝導率性、樹脂の熱応力の低減において有用
なものである。
【００１３】また、金属基板１１ａ，１１ｂにおいてそ
の厚みに差を設け、金属基板１１ａも厚みを０.７ｍｍ
としてパワー半導体素子１２を搭載し、金属基板１１ｂ
の厚みを０.５ｍｍとして制御用集積回路素子１３を搭
載することで、放熱特性、絶縁特性がさらに向上する。
そのときの金属基板１１ａ，１１ｂの底面領域の樹脂厚
は、パワー半導体素子１２の下部の第１の樹脂１６では
（０.３±０.０８）ｍｍ、制御用集積回路素子１３の下
部では（０.５±０.１）ｍｍである。なお、金属基板１
１ａと金属基板１１ｂとに厚み差を設ける方法として
は、金属板を打ち抜き加工した後に、目的とする箇所の
部分エッチングや部分研磨をするという方法がある。ま
た目的とする箇所に部分的に厚み差を設けた金属板を打
ち抜き加工することで、金属基板１１ａ，１１ｂに厚み
差を設けることもできる。
の厚みに差を設け、金属基板１１ａも厚みを０.７ｍｍ
としてパワー半導体素子１２を搭載し、金属基板１１ｂ
の厚みを０.５ｍｍとして制御用集積回路素子１３を搭
載することで、放熱特性、絶縁特性がさらに向上する。
そのときの金属基板１１ａ，１１ｂの底面領域の樹脂厚
は、パワー半導体素子１２の下部の第１の樹脂１６では
（０.３±０.０８）ｍｍ、制御用集積回路素子１３の下
部では（０.５±０.１）ｍｍである。なお、金属基板１
１ａと金属基板１１ｂとに厚み差を設ける方法として
は、金属板を打ち抜き加工した後に、目的とする箇所の
部分エッチングや部分研磨をするという方法がある。ま
た目的とする箇所に部分的に厚み差を設けた金属板を打
ち抜き加工することで、金属基板１１ａ，１１ｂに厚み
差を設けることもできる。
【００１４】なお、銅板を打ち抜き加工によって所望の
金属板領域を有して回路構成された金属基板１１ａ，１
１ｂは、あらかじめメッキした金属板を打ち抜き加工し
たものであり、さらに金属基板１１は、成形用の第１の
樹脂１６との密着性を向上させるため、その底面領域の
みを黒化処理により、その表面を荒し、粗面としたもの
である。
金属板領域を有して回路構成された金属基板１１ａ，１
１ｂは、あらかじめメッキした金属板を打ち抜き加工し
たものであり、さらに金属基板１１は、成形用の第１の
樹脂１６との密着性を向上させるため、その底面領域の
みを黒化処理により、その表面を荒し、粗面としたもの
である。
【００１５】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法における実施の形態の一例として、図１に示した樹
脂封止型半導体装置を製造する方法について説明する。
図２〜図６は本実施の形態の工程を示す斜視図である。
方法における実施の形態の一例として、図１に示した樹
脂封止型半導体装置を製造する方法について説明する。
図２〜図６は本実施の形態の工程を示す斜視図である。
【００１６】まず図２に示すように、たとえばあらかじ
め表面をメッキした厚み０.５ｍｍの銅板を打ち抜き加
工し、さらに底面領域を粗面加工し、回路構成した厚み
０.５ｍｍの金属基板１１上の目的とする各領域（１１
ａ，１１ｂ）上にパワー半導体素子１２、制御用集積回
路素子１３、その他の電子部品１４を搭載する。この搭
載は、半田、導電性接着剤等を用いて行なう。そして、
パワー半導体素子１２と金属基板１１ａや、パワー半導
体素子１２間とを金属細線１５により結線する。この結
線は、通常のワイヤーボンディング工法により行なう。
め表面をメッキした厚み０.５ｍｍの銅板を打ち抜き加
工し、さらに底面領域を粗面加工し、回路構成した厚み
０.５ｍｍの金属基板１１上の目的とする各領域（１１
ａ，１１ｂ）上にパワー半導体素子１２、制御用集積回
路素子１３、その他の電子部品１４を搭載する。この搭
載は、半田、導電性接着剤等を用いて行なう。そして、
パワー半導体素子１２と金属基板１１ａや、パワー半導
体素子１２間とを金属細線１５により結線する。この結
線は、通常のワイヤーボンディング工法により行なう。
【００１７】次に図３に示すように、高熱伝導率の成形
用の第１の樹脂１６で金属基板１１間および底面領域を
封止固定する。この工程では、後工程で金属基板１１の
タイバーカット部１１ｃの切断や外枠フレーム１１ｄを
切断して回路構成体を形成した際に、各金属基板１１
ａ，１１ｂが離脱しないように連結固定する。なお、図
においては、第１の樹脂１６の部分を示すため、一部ハ
ッチングしている。またこの工程では、金属基板１１の
底面領域は、黒化処理等により、その表面を荒し、粗面
としているので、第１の樹脂１６との密着性は向上して
いる。また第１の樹脂１６で金属基板１１間および底面
領域を封止固定する際、金属基板１１のパワー半導体素
子１２、制御用集積回路素子１３、その他の電子部品１
４が搭載される領域以外を封止して被覆することによ
り、樹脂の変形応力により金属基板１１に反りが発生
し、金属基板１１が変形するのを抑制することができ
る。
用の第１の樹脂１６で金属基板１１間および底面領域を
封止固定する。この工程では、後工程で金属基板１１の
タイバーカット部１１ｃの切断や外枠フレーム１１ｄを
切断して回路構成体を形成した際に、各金属基板１１
ａ，１１ｂが離脱しないように連結固定する。なお、図
においては、第１の樹脂１６の部分を示すため、一部ハ
ッチングしている。またこの工程では、金属基板１１の
底面領域は、黒化処理等により、その表面を荒し、粗面
としているので、第１の樹脂１６との密着性は向上して
いる。また第１の樹脂１６で金属基板１１間および底面
領域を封止固定する際、金属基板１１のパワー半導体素
子１２、制御用集積回路素子１３、その他の電子部品１
４が搭載される領域以外を封止して被覆することによ
り、樹脂の変形応力により金属基板１１に反りが発生
し、金属基板１１が変形するのを抑制することができ
る。
【００１８】次に図４に示すように、第１の樹脂１６で
金属基板１１ａ，１１ｂ間および底面領域を封止固定し
たものに対して、タイバーカットしてタイバーカット部
１１ｃを形成して一部外部端子１８を形成したり、一部
樹脂領域内の開口部を通っている金属板部分を切断し
て、一部回路を形成する。この時点で所定の電気的特性
を測定する電気的試験を行ない、回路構成の初期動作特
性を確認することができる。したがって、この時点で不
良の素子が発見された場合は交換することができる。ま
た電気的特性も外枠フレーム１１ｄを切断していないの
で、フレーム状で順次連続して測定することができ、検
査効率を高めることができる。
金属基板１１ａ，１１ｂ間および底面領域を封止固定し
たものに対して、タイバーカットしてタイバーカット部
１１ｃを形成して一部外部端子１８を形成したり、一部
樹脂領域内の開口部を通っている金属板部分を切断し
て、一部回路を形成する。この時点で所定の電気的特性
を測定する電気的試験を行ない、回路構成の初期動作特
性を確認することができる。したがって、この時点で不
良の素子が発見された場合は交換することができる。ま
た電気的特性も外枠フレーム１１ｄを切断していないの
で、フレーム状で順次連続して測定することができ、検
査効率を高めることができる。
【００１９】次に図５に示すように、金属基板１１の外
枠フレーム１１ｄを切断して回路構成体を完成させ、ま
た切断後の金属基板１１の端部の加工により外部端子１
８を形成し、樹脂封止型半導体装置構成体１９（回路基
板）を形成する。
枠フレーム１１ｄを切断して回路構成体を完成させ、ま
た切断後の金属基板１１の端部の加工により外部端子１
８を形成し、樹脂封止型半導体装置構成体１９（回路基
板）を形成する。
【００２０】なお、金属基板１１の端部の加工による外
部端子１８の形成は、打ち抜き加工により形成するが、
その場合、打ち抜き加工時の金型の雄型と雌型との寸法
に差を設け、雌型を雄型よりも寸法を大きくした金型に
より打ち抜くことにより、外部端子１８に丸みを形成す
ることができる。そして雄型と雌型との寸法差は、金属
基板厚の１０％〜８０％程度とする。寸法差が８０％を
超えると、打ち抜き加工自体ができなくなり、また打ち
抜き精度も低下する。外部端子１８の丸みは、完成した
樹脂封止型半導体装置をマザーボード（プリント基板）
に半田接合する場合、マザーボード側の穴に容易に外部
端子１８を嵌入させることができ、実装効率を向上させ
るものである。また外部端子１８の形成時の打ち抜き加
工に限定することなく、金属基板１１の打ち抜き加工に
おいては、その打ち抜き方向を金属基板１１の底面側、
すなわち、第１の樹脂１６で封止固定する側から打ち抜
き、金属基板１１の上面の幅が下面の幅より小さくなる
ようにした方がよい。これは金属基板１１の上面の幅が
下面の幅より小さくなるように打ち抜くことにより、金
属基板１１の上面の幅が下面の幅より大きくなるように
打ち抜いたときよりも、金属基板１１の樹脂封止領域の
局部的な樹脂厚の違いにより発生する絶縁強度の低下や
熱抵抗の増大を防止できるものである。
部端子１８の形成は、打ち抜き加工により形成するが、
その場合、打ち抜き加工時の金型の雄型と雌型との寸法
に差を設け、雌型を雄型よりも寸法を大きくした金型に
より打ち抜くことにより、外部端子１８に丸みを形成す
ることができる。そして雄型と雌型との寸法差は、金属
基板厚の１０％〜８０％程度とする。寸法差が８０％を
超えると、打ち抜き加工自体ができなくなり、また打ち
抜き精度も低下する。外部端子１８の丸みは、完成した
樹脂封止型半導体装置をマザーボード（プリント基板）
に半田接合する場合、マザーボード側の穴に容易に外部
端子１８を嵌入させることができ、実装効率を向上させ
るものである。また外部端子１８の形成時の打ち抜き加
工に限定することなく、金属基板１１の打ち抜き加工に
おいては、その打ち抜き方向を金属基板１１の底面側、
すなわち、第１の樹脂１６で封止固定する側から打ち抜
き、金属基板１１の上面の幅が下面の幅より小さくなる
ようにした方がよい。これは金属基板１１の上面の幅が
下面の幅より小さくなるように打ち抜くことにより、金
属基板１１の上面の幅が下面の幅より大きくなるように
打ち抜いたときよりも、金属基板１１の樹脂封止領域の
局部的な樹脂厚の違いにより発生する絶縁強度の低下や
熱抵抗の増大を防止できるものである。
【００２１】最後に図６に示すように、前記外部端子１
８を突出させた構成になるように、前記形成した樹脂封
止型半導体装置構成体１９の外囲、すなわちパワー半導
体素子１２、制御用集積回路素子１３、その他の電子部
品１４が搭載された金属基板１１面の表面領域および底
面の前記第１の樹脂１６の端部領域を、高熱伝導率の成
形用の第２の樹脂１７で封止する。図６では、外部端子
１８は第２の樹脂１７部より水平に突出した構成として
いるが、加工により、下方に折曲げたり、上方に折曲げ
たりしてもよい。また外部端子１８については、金属基
板１１の打ち抜き加工の段階で外部端子１８となる領域
を大きめに形成することで長さの調整は容易にできる。
８を突出させた構成になるように、前記形成した樹脂封
止型半導体装置構成体１９の外囲、すなわちパワー半導
体素子１２、制御用集積回路素子１３、その他の電子部
品１４が搭載された金属基板１１面の表面領域および底
面の前記第１の樹脂１６の端部領域を、高熱伝導率の成
形用の第２の樹脂１７で封止する。図６では、外部端子
１８は第２の樹脂１７部より水平に突出した構成として
いるが、加工により、下方に折曲げたり、上方に折曲げ
たりしてもよい。また外部端子１８については、金属基
板１１の打ち抜き加工の段階で外部端子１８となる領域
を大きめに形成することで長さの調整は容易にできる。
【００２２】なお、図１に示した実施の形態で説明した
ように、第１の樹脂１６、および第２の樹脂１７には絶
縁性のエポキシ樹脂またはポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ樹脂）が好適であり、いずれも成形工程に使用
しても支障はない。また他には、液晶ポリマー、ポリス
チレンなどの樹脂材料も封止成形用に利用できる。さら
に、前記の樹脂に対して、放熱性向上のための添加する
フィラーとしては、シリカ（ＳｉＣ）、アルミナ、マグ
ネシア、窒化アルミニウムなどがよく、特にシリカ、ア
ルミナは、熱伝導率性、樹脂の熱応力の低減において
は、有用である。
ように、第１の樹脂１６、および第２の樹脂１７には絶
縁性のエポキシ樹脂またはポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ樹脂）が好適であり、いずれも成形工程に使用
しても支障はない。また他には、液晶ポリマー、ポリス
チレンなどの樹脂材料も封止成形用に利用できる。さら
に、前記の樹脂に対して、放熱性向上のための添加する
フィラーとしては、シリカ（ＳｉＣ）、アルミナ、マグ
ネシア、窒化アルミニウムなどがよく、特にシリカ、ア
ルミナは、熱伝導率性、樹脂の熱応力の低減において
は、有用である。
【００２３】また金属基板１１ａ，１１ｂに厚み差を設
け、金属基板１１ａを０.７ｍｍとしてパワー半導体素
子１２を搭載し、金属基板１１ｂを０.５ｍｍとして制
御用集積回路素子１３を搭載することにより、放熱特
性、絶縁特性がさらに好適となる。そのときの金属基板
１１ａ，１１ｂの底面領域の樹脂厚については、パワー
半導体素子１２の下部の第１の樹脂１６を（０.３±０.
０８）ｍｍ、制御用集積回路素子１３の下部の第１の樹
脂１６を（０.５±０.１）ｍｍとした。なお、金属基板
１１ａ，１１ｂに厚み差を設ける方法については、図１
に示した実施の形態で説明した通りである。
け、金属基板１１ａを０.７ｍｍとしてパワー半導体素
子１２を搭載し、金属基板１１ｂを０.５ｍｍとして制
御用集積回路素子１３を搭載することにより、放熱特
性、絶縁特性がさらに好適となる。そのときの金属基板
１１ａ，１１ｂの底面領域の樹脂厚については、パワー
半導体素子１２の下部の第１の樹脂１６を（０.３±０.
０８）ｍｍ、制御用集積回路素子１３の下部の第１の樹
脂１６を（０.５±０.１）ｍｍとした。なお、金属基板
１１ａ，１１ｂに厚み差を設ける方法については、図１
に示した実施の形態で説明した通りである。
【００２４】本実施の形態では、金属板を打ち抜き加工
した金属基板１１上の目的とする各領域（１１ａ，１１
ｂ）上にパワー半導体素子１２、制御用集積回路素子１
３、その他の電子部品１４を搭載し、金属細線１５によ
り結線した後に高熱伝導率の成形用の第１の樹脂１６で
金属基板１１間および底面領域を封止固定する例を示し
たが、このような工程順序において、他の実施の形態と
しては、金属板を打ち抜き加工した金属基板１１ａ，１
１ｂ間および底面領域を封止固定した後に、金属基板１
１ａ，１１ｂ上にパワー半導体素子１２、および制御用
集積回路素子１３、その他の電子部品１４を搭載し、金
属細線１５により結線する場合もある。このように、パ
ワー半導体素子１２などを搭載する前に金属基板の底面
領域等を封止固定する場合、パワー半導体素子１２等の
電子部品が搭載された金属基板１１に対して封止する場
合に比較し、金属基板１１上の表面凹凸が少ない分、封
止の精度を向上できるという利点があり、封止固定の際
に、パワー半導体素子１２等の電子部品に対して損傷を
与えることもなくなる。また封止工程の際の金属基板１
１ａ，１１ｂに付着した第１の樹脂１６の樹脂ばりを除
去した後で、パワー半導体素子１２等の電子部品を搭載
できる。
した金属基板１１上の目的とする各領域（１１ａ，１１
ｂ）上にパワー半導体素子１２、制御用集積回路素子１
３、その他の電子部品１４を搭載し、金属細線１５によ
り結線した後に高熱伝導率の成形用の第１の樹脂１６で
金属基板１１間および底面領域を封止固定する例を示し
たが、このような工程順序において、他の実施の形態と
しては、金属板を打ち抜き加工した金属基板１１ａ，１
１ｂ間および底面領域を封止固定した後に、金属基板１
１ａ，１１ｂ上にパワー半導体素子１２、および制御用
集積回路素子１３、その他の電子部品１４を搭載し、金
属細線１５により結線する場合もある。このように、パ
ワー半導体素子１２などを搭載する前に金属基板の底面
領域等を封止固定する場合、パワー半導体素子１２等の
電子部品が搭載された金属基板１１に対して封止する場
合に比較し、金属基板１１上の表面凹凸が少ない分、封
止の精度を向上できるという利点があり、封止固定の際
に、パワー半導体素子１２等の電子部品に対して損傷を
与えることもなくなる。また封止工程の際の金属基板１
１ａ，１１ｂに付着した第１の樹脂１６の樹脂ばりを除
去した後で、パワー半導体素子１２等の電子部品を搭載
できる。
【００２５】次に本発明の樹脂封止型半導体装置におけ
る実施の形態の他の例について、図７を参照して説明す
る。
る実施の形態の他の例について、図７を参照して説明す
る。
【００２６】図７（ａ）に示す樹脂封止型半導体装置
は、図５に示した樹脂封止型半導体装置構成体１９（回
路基板）の外部端子１８を折り曲げ加工したものに対し
て、集積回路素子２０をはじめ、抵抗素子、コンデンサ
等の電子部品を搭載した回路基板２１をその周辺端部に
形成した貫通穴２２や切角部２３などの固定手段を通し
て、係合させて積層したものであり、２層基板による樹
脂封止型半導体装置である。そして外部端子１８を突出
させるように、第２の樹脂１７で各基板の間隙および外
囲領域を封止した構成である。前記固定手段である貫通
穴２２や切角部２３の形成は、回路基板の打ち抜き加工
により形成できる。なお、図７（ａ）は、便宜上、内部
の状態が認識できるように透視図としている。また前記
固定手段である貫通穴２２や切角部２３への外部端子１
８の係合状態は、図７（ｂ），（ｃ）に示している。
は、図５に示した樹脂封止型半導体装置構成体１９（回
路基板）の外部端子１８を折り曲げ加工したものに対し
て、集積回路素子２０をはじめ、抵抗素子、コンデンサ
等の電子部品を搭載した回路基板２１をその周辺端部に
形成した貫通穴２２や切角部２３などの固定手段を通し
て、係合させて積層したものであり、２層基板による樹
脂封止型半導体装置である。そして外部端子１８を突出
させるように、第２の樹脂１７で各基板の間隙および外
囲領域を封止した構成である。前記固定手段である貫通
穴２２や切角部２３の形成は、回路基板の打ち抜き加工
により形成できる。なお、図７（ａ）は、便宜上、内部
の状態が認識できるように透視図としている。また前記
固定手段である貫通穴２２や切角部２３への外部端子１
８の係合状態は、図７（ｂ），（ｃ）に示している。
【００２７】また前記樹脂封止型半導体装置構成体１９
の外部端子１８に対して、図８（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、切欠部１８ａ、突出部１８ｂ、突出部１８ｃ、お
よび、くぼみ部１８ｄを設けることにより、回路基板２
１を樹脂封止型半導体装置構成体１９に対して、容易に
係合させて積層することができる。また外部端子１８に
図８（ｅ）〜（ｇ）に示すような係合穴１８ｅ，１８
ｆ，１８ｇを形成し、その係合穴１８ｅ，１８ｆ，１８
ｇに対して、突起等を形成した回路基板２１の貫通穴２
２や切角部２３を係合させることにより、積層すること
もできる。
の外部端子１８に対して、図８（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、切欠部１８ａ、突出部１８ｂ、突出部１８ｃ、お
よび、くぼみ部１８ｄを設けることにより、回路基板２
１を樹脂封止型半導体装置構成体１９に対して、容易に
係合させて積層することができる。また外部端子１８に
図８（ｅ）〜（ｇ）に示すような係合穴１８ｅ，１８
ｆ，１８ｇを形成し、その係合穴１８ｅ，１８ｆ，１８
ｇに対して、突起等を形成した回路基板２１の貫通穴２
２や切角部２３を係合させることにより、積層すること
もできる。
【００２８】なお、図７に示す２層基板による樹脂封止
型半導体装置において、第１の基板である樹脂封止型半
導体装置構成体１９と、第２の基板である回路基板２１
とは、電気的に信号のやりとりが可能なように、回路基
板２１に形成した配線２４と外部端子１８とが導通して
いるものである。
型半導体装置において、第１の基板である樹脂封止型半
導体装置構成体１９と、第２の基板である回路基板２１
とは、電気的に信号のやりとりが可能なように、回路基
板２１に形成した配線２４と外部端子１８とが導通して
いるものである。
【００２９】また、図７（ａ）に示すような２層基板に
よる樹脂封止型半導体装置の製造方法では、樹脂封止型
半導体装置構成体１９に対して、回路基板２１を積層し
ているので、その回路基板２１が蓋として作用する場合
があり、第２の樹脂１７で樹脂封止型半導体装置構成体
１９と回路基板２１との間隙ならびに外囲領域を樹脂封
止する際、第２の樹脂１７が樹脂封止型半導体装置構成
体１９と回路基板２１との間隙に十分充填されず、ボイ
ドや空間部が形成されてしまうという問題がある。その
ため、回路基板２１の動作上影響のない箇所に貫通孔、
開口部などのスルー手段を形成し、封止樹脂である第２
の樹脂１７の注入を促進させ、樹脂封止する必要があ
る。
よる樹脂封止型半導体装置の製造方法では、樹脂封止型
半導体装置構成体１９に対して、回路基板２１を積層し
ているので、その回路基板２１が蓋として作用する場合
があり、第２の樹脂１７で樹脂封止型半導体装置構成体
１９と回路基板２１との間隙ならびに外囲領域を樹脂封
止する際、第２の樹脂１７が樹脂封止型半導体装置構成
体１９と回路基板２１との間隙に十分充填されず、ボイ
ドや空間部が形成されてしまうという問題がある。その
ため、回路基板２１の動作上影響のない箇所に貫通孔、
開口部などのスルー手段を形成し、封止樹脂である第２
の樹脂１７の注入を促進させ、樹脂封止する必要があ
る。
【００３０】次に本発明の樹脂封止型半導体装置におけ
る実施の形態のさらに他の例について、図９を参照して
説明する。
る実施の形態のさらに他の例について、図９を参照して
説明する。
【００３１】図９においては、図７に示した樹脂封止型
半導体装置ともっとも異なるところは、外部端子１８の
先端領域に蛇行部２５および突起部２６をさらに付設し
たことである。
半導体装置ともっとも異なるところは、外部端子１８の
先端領域に蛇行部２５および突起部２６をさらに付設し
たことである。
【００３２】蛇行部２５は、この樹脂封止型半導体装置
を外部端子１８により、マザーボード等に半田接合する
際の外部端子１８にかかる応力を緩和するための手段で
あり、その形状は、図９に示すような平面Ｓ字の他、断
面Ｓ字、波状などでもよい。なお、前記蛇行部２５の形
成に関して、型締めによる加圧によって、外部端子１８
の所定の箇所を変形させ、断面Ｓ字、波状の蛇行部を形
成したり、または圧延により、外部端子１８の所定の箇
所を幅広にし、そして切欠加工により、平面Ｓ字の蛇行
部を形成するものである。
を外部端子１８により、マザーボード等に半田接合する
際の外部端子１８にかかる応力を緩和するための手段で
あり、その形状は、図９に示すような平面Ｓ字の他、断
面Ｓ字、波状などでもよい。なお、前記蛇行部２５の形
成に関して、型締めによる加圧によって、外部端子１８
の所定の箇所を変形させ、断面Ｓ字、波状の蛇行部を形
成したり、または圧延により、外部端子１８の所定の箇
所を幅広にし、そして切欠加工により、平面Ｓ字の蛇行
部を形成するものである。
【００３３】また突起部２６は、前記外部端子１８の突
出部１８ｂ，１８ｃとは目的が異なり、この樹脂封止型
半導体装置を外部端子１８により、マザーボード等に半
田接合する際のマザーボードに固定するための係合手段
であり、その形状は、図９に示すように、マザーボード
の孔へ嵌入容易なように先端部鋭利な鍵状の突起の他、
先端部幅広の突起等、係合可能な形状であればよい。ま
た突起部２６を各外部端子１８に対して均一に設けるこ
とにより、マザーボード接合時の高さ位置の調整もでき
る。また突起部２６の形成は、圧延により、外部端子１
８の先端部を幅広にし、そして切欠加工により、鍵状の
突起部を形成するものである。
出部１８ｂ，１８ｃとは目的が異なり、この樹脂封止型
半導体装置を外部端子１８により、マザーボード等に半
田接合する際のマザーボードに固定するための係合手段
であり、その形状は、図９に示すように、マザーボード
の孔へ嵌入容易なように先端部鋭利な鍵状の突起の他、
先端部幅広の突起等、係合可能な形状であればよい。ま
た突起部２６を各外部端子１８に対して均一に設けるこ
とにより、マザーボード接合時の高さ位置の調整もでき
る。また突起部２６の形成は、圧延により、外部端子１
８の先端部を幅広にし、そして切欠加工により、鍵状の
突起部を形成するものである。
【００３４】次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法における実施の形態の他の例について、図１０〜
図１３を参照して説明する。
造方法における実施の形態の他の例について、図１０〜
図１３を参照して説明する。
【００３５】前記図２〜図６に示した本発明の方法にお
ける実施の形態では、金属板を打ち抜き加工し、目的と
する金属基板１１ａ，１１ｂなどを各領域を形成し、パ
ワー半導体素子１２などを搭載した後に第１の樹脂１６
で金属基板１１ａ，１１ｂ間および底面領域を封止固定
する例を示したが、本実施の形態では、この金属基板１
１に第１の樹脂１６を付設する別の方法を説明する。
ける実施の形態では、金属板を打ち抜き加工し、目的と
する金属基板１１ａ，１１ｂなどを各領域を形成し、パ
ワー半導体素子１２などを搭載した後に第１の樹脂１６
で金属基板１１ａ，１１ｂ間および底面領域を封止固定
する例を示したが、本実施の形態では、この金属基板１
１に第１の樹脂１６を付設する別の方法を説明する。
【００３６】まず図１０に示すように、図２〜図６に示
した実施の形態と同様に、厚さ０.５ｍｍ程度の銅板な
どの金属板を打ち抜き加工し、目的とする金属基板１１
ａ，１１ｂ、外部端子１８となる領域などの各領域を形
成し、さらに金属基板１１の動作上影響のない領域に貫
通孔２７ａもしくは切欠部２７ｂなどの係止手段２７を
形成する。
した実施の形態と同様に、厚さ０.５ｍｍ程度の銅板な
どの金属板を打ち抜き加工し、目的とする金属基板１１
ａ，１１ｂ、外部端子１８となる領域などの各領域を形
成し、さらに金属基板１１の動作上影響のない領域に貫
通孔２７ａもしくは切欠部２７ｂなどの係止手段２７を
形成する。
【００３７】そして、図１１に示すように、あらかじめ
成形加工によって第１の樹脂１６により形成した厚さ
１.０ｍｍの樹脂板２８を、前記貫通孔２７ａもしくは
切欠部２７ｂなどの係止手段２７を設けた金属基板１１
に嵌合させ、金属基板１１ａ，１１ｂ間および底面領域
を固定する。ここで金属基板１１と樹脂板２８との嵌合
は、樹脂板２８に設けた突起部２８ａを金属基板１１に
形成した貫通孔２７ａもしくは切欠部２７ｂなどの係止
手段２７に嵌合させることにより行なう。
成形加工によって第１の樹脂１６により形成した厚さ
１.０ｍｍの樹脂板２８を、前記貫通孔２７ａもしくは
切欠部２７ｂなどの係止手段２７を設けた金属基板１１
に嵌合させ、金属基板１１ａ，１１ｂ間および底面領域
を固定する。ここで金属基板１１と樹脂板２８との嵌合
は、樹脂板２８に設けた突起部２８ａを金属基板１１に
形成した貫通孔２７ａもしくは切欠部２７ｂなどの係止
手段２７に嵌合させることにより行なう。
【００３８】その後、図１２に示すように、樹脂板２８
を金属基板１１に嵌合させたものに対して、回路を構成
する金属基板１１ａ，１１ｂ上にパワー半導体素子１２
などを搭載し、結線する。
を金属基板１１に嵌合させたものに対して、回路を構成
する金属基板１１ａ，１１ｂ上にパワー半導体素子１２
などを搭載し、結線する。
【００３９】そしてタイバーカットなどを行ない、表面
領域を第２の樹脂１７で封止し、外部端子１８の加工を
することで図１３に示すように樹脂封止型半導体装置を
構成する。
領域を第２の樹脂１７で封止し、外部端子１８の加工を
することで図１３に示すように樹脂封止型半導体装置を
構成する。
【００４０】この方法では、あらかじめ第１の樹脂１６
により樹脂板２８を形成するので、容易に樹脂板２８の
厚みを均一にすることができ、金属基板１１の底面の樹
脂の厚みを均一にし、各領域内、たとえば金属基板１１
ａの領域での放熱性の偏りを減少させることができる。
また樹脂板２８と金属基板１１とを嵌合固定するので、
樹脂封止に比べて、樹脂ばりの発生はなく、その作業が
容易であり、作業性を向上させることができる。
により樹脂板２８を形成するので、容易に樹脂板２８の
厚みを均一にすることができ、金属基板１１の底面の樹
脂の厚みを均一にし、各領域内、たとえば金属基板１１
ａの領域での放熱性の偏りを減少させることができる。
また樹脂板２８と金属基板１１とを嵌合固定するので、
樹脂封止に比べて、樹脂ばりの発生はなく、その作業が
容易であり、作業性を向上させることができる。
【００４１】次に本発明の樹脂封止型半導体装置におけ
る実施の形態のさらに他の例について、図１４を参照し
て説明する。図１４は本実施の形態を示す平面図であ
る。
る実施の形態のさらに他の例について、図１４を参照し
て説明する。図１４は本実施の形態を示す平面図であ
る。
【００４２】図１４に示す構成は、厚み０.５ｍｍの銅
板をリードフレーム加工のごとく、打ち抜き加工によっ
て所望の金属板領域を有して回路構成された金属基板１
１ａ，１１ｂ上にパワー半導体素子１２、および制御用
集積回路素子１３、その他の電子部品１４が搭載され、
パワー半導体素子１２と外部端子１８とが金属細線１５
で接続されている。また図中、破線で囲んだ領域は、高
熱伝導率の成形用の第１の樹脂１６で封止固定される領
域である。さらに本実施の形態では、外部端子１８群間
に第１のタイバー２９、第２のタイバー３０を設けたも
のであり、２重のタイバー２９，３０により、後工程の
樹脂封止時の樹脂ばりの外部端子１８への付着を防止で
きるものである。すなわち、樹脂封止時、第１のタイバ
ー２９で防ぎきれなかった樹脂を第２のタイバー３０で
止め、外部端子１８の先端部分への樹脂の流動を止め、
外部端子１８のマザーボードとの接合部分となる箇所へ
の樹脂の流出を止め、樹脂ばりの付着を防止できるもの
である。
板をリードフレーム加工のごとく、打ち抜き加工によっ
て所望の金属板領域を有して回路構成された金属基板１
１ａ，１１ｂ上にパワー半導体素子１２、および制御用
集積回路素子１３、その他の電子部品１４が搭載され、
パワー半導体素子１２と外部端子１８とが金属細線１５
で接続されている。また図中、破線で囲んだ領域は、高
熱伝導率の成形用の第１の樹脂１６で封止固定される領
域である。さらに本実施の形態では、外部端子１８群間
に第１のタイバー２９、第２のタイバー３０を設けたも
のであり、２重のタイバー２９，３０により、後工程の
樹脂封止時の樹脂ばりの外部端子１８への付着を防止で
きるものである。すなわち、樹脂封止時、第１のタイバ
ー２９で防ぎきれなかった樹脂を第２のタイバー３０で
止め、外部端子１８の先端部分への樹脂の流動を止め、
外部端子１８のマザーボードとの接合部分となる箇所へ
の樹脂の流出を止め、樹脂ばりの付着を防止できるもの
である。
【００４３】本実施の形態のように、２重タイバーによ
り、樹脂封止時の樹脂流の外部端子１８の接合部分への
流出を抑え、樹脂ばりの付着を防止できるので、外部端
子１８をマザーボードなどに半田接合した際の接着強度
の劣化を防止できる。参考として、第１のタイバー２９
のみの場合の半田接合不良率は０.３５％、第２のタイ
バー３０のみの場合の半田接合不良率は０.２５％、第
１，第２のタイバー２９，３０を設けた場合の半田接合
不良率は０.０５％、タイバーを設けない場合の半田接
合不良率は１.４５％であった。
り、樹脂封止時の樹脂流の外部端子１８の接合部分への
流出を抑え、樹脂ばりの付着を防止できるので、外部端
子１８をマザーボードなどに半田接合した際の接着強度
の劣化を防止できる。参考として、第１のタイバー２９
のみの場合の半田接合不良率は０.３５％、第２のタイ
バー３０のみの場合の半田接合不良率は０.２５％、第
１，第２のタイバー２９，３０を設けた場合の半田接合
不良率は０.０５％、タイバーを設けない場合の半田接
合不良率は１.４５％であった。
【００４４】また、本実施の形態の樹脂封止型半導体装
置では、ネジ止め部３１を外部端子１８群間に４ケ所配
置している。したがって、リードフレームを利用したパ
ッケージ素子の構造をＩＰＭに適用しても、完成した樹
脂封止型半導体装置をネジ止め部３１で放熱板などにネ
ジ固定でき、パワー半導体素子、制御用集積回路素子等
を搭載して大電力を扱う樹脂封止型半導体装置を実現し
ても放熱性を向上させることができる。本実施の形態で
はネジ止め部３１は４ケ所としているが、対角線上に対
向する箇所に２ケ所としてもよい。
置では、ネジ止め部３１を外部端子１８群間に４ケ所配
置している。したがって、リードフレームを利用したパ
ッケージ素子の構造をＩＰＭに適用しても、完成した樹
脂封止型半導体装置をネジ止め部３１で放熱板などにネ
ジ固定でき、パワー半導体素子、制御用集積回路素子等
を搭載して大電力を扱う樹脂封止型半導体装置を実現し
ても放熱性を向上させることができる。本実施の形態で
はネジ止め部３１は４ケ所としているが、対角線上に対
向する箇所に２ケ所としてもよい。
【００４５】なお、ネジ止め部３１の内側の第１の樹脂
１６で封止される箇所には、フック部３２が形成されて
おり、第１の樹脂１６で封止した後、フック部３２が第
１の樹脂１６に係合し、アンカー効果を有して、ネジ止
めの際の応力などでネジ止め部３１が抜けてしまうのを
防止できる。
１６で封止される箇所には、フック部３２が形成されて
おり、第１の樹脂１６で封止した後、フック部３２が第
１の樹脂１６に係合し、アンカー効果を有して、ネジ止
めの際の応力などでネジ止め部３１が抜けてしまうのを
防止できる。
【００４６】以上、本実施の形態で示した樹脂封止型半
導体装置は、金属板を打ち抜き加工して各金属基板領域
を有する回路構成を形成し、パワー半導体素子１２や制
御用集積回路素子１３などの電子部品を搭載し、前記各
金属基板領域を固定する第１の樹脂１６部を設け、その
後で前記回路構成された金属基板１１のタイバーをカッ
トしてタイバーカット部１１ｃを形成して一部外部端子
１８を形成したり、一部樹脂領域内の開口部を通ってい
る金属板部分を切断して、一部回路を形成する。そして
電気的試験を連続で行なった後、外枠フレーム１１ｄを
切断して外部電極１８を形成し、次いで回路構成体１９
を第２の樹脂１７で封止した構成であり、第１の樹脂１
６と第２の樹脂１７とは、絶縁性のエポキシ樹脂または
ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ樹脂）により構成
したものであり、パッケージ構造を形成しても大電力を
扱うＩＰＭの放熱性と絶縁耐性を向上させることができ
るものである。
導体装置は、金属板を打ち抜き加工して各金属基板領域
を有する回路構成を形成し、パワー半導体素子１２や制
御用集積回路素子１３などの電子部品を搭載し、前記各
金属基板領域を固定する第１の樹脂１６部を設け、その
後で前記回路構成された金属基板１１のタイバーをカッ
トしてタイバーカット部１１ｃを形成して一部外部端子
１８を形成したり、一部樹脂領域内の開口部を通ってい
る金属板部分を切断して、一部回路を形成する。そして
電気的試験を連続で行なった後、外枠フレーム１１ｄを
切断して外部電極１８を形成し、次いで回路構成体１９
を第２の樹脂１７で封止した構成であり、第１の樹脂１
６と第２の樹脂１７とは、絶縁性のエポキシ樹脂または
ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ樹脂）により構成
したものであり、パッケージ構造を形成しても大電力を
扱うＩＰＭの放熱性と絶縁耐性を向上させることができ
るものである。
【００４７】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置によれ
ば、パッケージ構造を有したＩＰＭであって、金属板の
周囲領域を高熱伝導率の成形用の樹脂で封止しているの
で、放熱特性を向上させ、またその樹脂の厚みを大きく
することで、絶縁耐圧を向上させることができるもので
ある。また、その実効果は図１５の熱抵抗・絶縁耐圧の
比較図に示すように、絶縁耐圧、熱抵抗の両特性におい
て従来例に比較していちじるしい効果を奏するものであ
る。
ば、パッケージ構造を有したＩＰＭであって、金属板の
周囲領域を高熱伝導率の成形用の樹脂で封止しているの
で、放熱特性を向上させ、またその樹脂の厚みを大きく
することで、絶縁耐圧を向上させることができるもので
ある。また、その実効果は図１５の熱抵抗・絶縁耐圧の
比較図に示すように、絶縁耐圧、熱抵抗の両特性におい
て従来例に比較していちじるしい効果を奏するものであ
る。
【００４８】また製造方法においては、第１の樹脂で金
属基板領域を固定し、タイバーカットや一部樹脂領域部
の金属板部分の切断を行ない、回路形成し、フレームで
固定した状態にて第２の樹脂で全面封止を行なう前に電
気的試験を順次連続で行ない、回路構成の段階で諸特性
データを得ることができ、検査効率、製品の信頼性も向
上する。
属基板領域を固定し、タイバーカットや一部樹脂領域部
の金属板部分の切断を行ない、回路形成し、フレームで
固定した状態にて第２の樹脂で全面封止を行なう前に電
気的試験を順次連続で行ない、回路構成の段階で諸特性
データを得ることができ、検査効率、製品の信頼性も向
上する。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置における実施の
形態の一例の断面図
形態の一例の断面図
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
ける実施の形態の一例の工程図
ける実施の形態の一例の工程図
【図３】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
ける実施の形態の一例の工程図
ける実施の形態の一例の工程図
【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
ける実施の形態の一例の工程図
ける実施の形態の一例の工程図
【図５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
ける実施の形態の一例の工程図
ける実施の形態の一例の工程図
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
ける実施の形態の一例の工程図
ける実施の形態の一例の工程図
【図７】本発明の樹脂封止型半導体装置における実施の
形態の他の例を示す図
形態の他の例を示す図
【図８】本発明の樹脂封止型半導体装置における実施の
形態の他の例の端子構成を示す図
形態の他の例の端子構成を示す図
【図９】本発明の樹脂封止型半導体装置における実施の
形態のさらに他の例を示す図
形態のさらに他の例を示す図
【図１０】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おける実施の形態の他の例の工程図
おける実施の形態の他の例の工程図
【図１１】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おける実施の形態の他の例の工程図
おける実施の形態の他の例の工程図
【図１２】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おける実施の形態の他の例の工程図
おける実施の形態の他の例の工程図
【図１３】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おける実施の形態の他の例の工程図
おける実施の形態の他の例の工程図
【図１４】本発明の樹脂封止型半導体装置における実施
の形態のさらに他の例の平面図
の形態のさらに他の例の平面図
【図１５】本発明の樹脂封止型半導体装置の放熱性、お
よび絶縁耐圧を示す図
よび絶縁耐圧を示す図
【図１６】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
１１ 金属基板 １２ パワー半導体素子 １３ 制御用集積回路素子 １４ 電子部品 １５ 金属細線 １６ 第１の樹脂 １７ 第２の樹脂 １８ 外部端子 １９ 樹脂封止型半導体装置構成体 ２０ 集積回路素子 ２１ 回路基板 ２２ 貫通穴 ２３ 切角部 ２４ 配線 ２５ 蛇行部 ２６ 突起部 ２７ 係止手段 ２８ 樹脂板 ２９ 第１のタイバー ３０ 第２のタイバー ３１ ネジ止め部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒川 竜太郎 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 青井 和廣 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 隈川 隆博 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 横沢 眞覩 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 野村 徹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 前岡 達夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 半田 浩之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−218059（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 25/04
Claims (24)
- 【請求項１】 金属板の加工によって回路構成された少
なくとも第１の金属基板および第２の金属基板と、前記
第１の金属基板上に搭載されたパワー半導体素子と、前
記第２の金属基板上に搭載された制御用集積回路素子
と、前記第１，第２の金属基板の底面領域を固定した第
１の樹脂部と、少なくとも前記パワー半導体素子および
前記制御用集積回路素子を搭載した前記第１，第２の金
属基板の表面領域を封止した第２の樹脂部と、前記第２
の樹脂部より突出して設けられ、前記第１，第２の金属
基板と接続した外部電極とを備えた樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項２】 金属板の加工によって回路構成された金
属基板と、前記金属基板上に搭載された電子部品と、前
記金属基板の底面領域を固定した第１の樹脂部と、少な
くとも前記電子部品を搭載した前記金属基板の表面領域
を封止した第２の樹脂部と、前記第２の樹脂部より突出
して設けられた外部電極とよりなる第１の回路基板と、
電子部品を搭載し、周辺端部に固定手段を設けた第２の
回路基板とよりなり、前記第２の回路基板の固定手段に
前記第１の回路基板の外部電極が固定されて積層構造を
形成し、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板との
間隙および外囲領域を前記外部電極を突出させるように
封止した第２の樹脂とを備えた樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 金属板の加工によって回路構成された少
なくとも第１の金属基板および第２の金属基板と、前記
第１の金属基板上に搭載されたパワー半導体素子と、前
記第２の金属基板上に搭載された制御用集積回路素子
と、前記第１，第２の金属基板の底面領域を固定した樹
脂部と、前記第１，第２の金属基板と接続し、折り曲げ
加工された外部電極とよりなる第１の回路基板と、集積
回路素子、抵抗素子、コンデンサなどの電子部品を搭載
し、周辺端部に固定手段を設けた第２の回路基板とより
なり、前記第２の回路基板の固定手段に前記第１の回路
基板の外部電極が固定されて積層構造を形成し、前記第
１の回路基板と前記第２の回路基板との間隙および外囲
領域を前記外部電極を突出させるように封止した第２の
樹脂とを備えた樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 金属板の加工によって回路構成された少
なくとも第１の金属基板および第２の金属基板におい
て、前記第１の金属基板が前記第２の金属基板より厚い
請求項１または請求項３記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 第１の樹脂および第２の樹脂が絶縁性の
エポキシ樹脂である請求項１〜請求項３のうちの一つに
記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】 第１の樹脂および第２の樹脂が絶縁性の
ポリフェニレンサルファイドである請求項１〜請求項３
のうちの一つに記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 第２の回路基板の固定手段が、回路基板
に設けた貫通穴と切角である請求項２または請求項３記
載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項８】 第１の回路基板の外部電極が突出部を有
する請求項２または請求項３記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項９】 金属板を加工して金属基板回路を構成す
る工程と、前記金属基板回路上に電子部品を搭載する工
程と、搭載した電子部品および金属板を電気的に接続す
る工程と、前記金属基板回路の金属板間および底面領域
を第１の樹脂で封止固定する工程と、前記金属基板回路
の外枠フレームを切断して回路を形成し、切断後の金属
基板回路の端部を加工し外部電極を形成する工程と、前
記外部電極を突出させるように、少なくとも前記電子部
品が搭載された金属基板回路の表面領域を第２の樹脂で
封止する工程とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１０】 金属板を加工して金属基板回路を構成
する工程と、前記金属基板回路の金属基板間および底面
領域を第１の樹脂で封止固定する工程と、前記金属基板
回路上に電子部品を搭載する工程と、搭載した電子部品
および金属板を電気的に接続する工程と、前記金属基板
回路の外枠フレームを切断して回路を形成し、切断後の
金属基板回路の端部を加工し外部電極を形成する工程
と、前記外部電極を突出させるように、少なくとも前記
電子部品が搭載された金属基板回路の表面領域を第２の
樹脂で封止する工程とを備えた樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１１】 金属板を加工して第１，第２の金属基
板領域を有した金属基板回路を構成する工程と、前記金
属基板回路の前記第１の金属基板領域上にパワー半導体
素子を、前記第２の金属基板領域上に制御用集積回路素
子をそれぞれ搭載する工程と、搭載したパワー半導体素
子、制御用集積回路素子および各金属基板を電気的に接
続する工程と、前記第１，第２の金属基板領域を連結固
定するために前記第１，第２の金属基板領域間および底
面領域を第１の樹脂で封止固定する工程と、前記金属基
板回路の外枠フレームを切断して回路を形成し、切断後
の金属基板回路の端部を加工し外部電極を形成する工程
と、前記外部電極を突出させるように、パワー半導体素
子、制御用集積回路素子が搭載された前記第１，第２の
金属基板領域面および底面の前記第１の樹脂の端部領域
を第２の樹脂で封止する工程とを備えた樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 金属板を加工して少なくとも第１，第
２の金属基板領域を有した金属基板回路を構成する工程
と、前記金属基板回路の前記第１の金属基板領域、第２
の金属基板を連結固定するために前記第１，第２の金属
基板領域間および底面領域を第１の樹脂で封止固定する
工程と、前記第１の金属基板領域上にパワー半導体素子
を、また前記第２の金属基板領域上に制御用集積回路素
子をそれぞれ搭載する工程と、搭載した前記パワー半導
体素子、前記制御用集積回路素子および前記第１，第２
の金属基板領域を電気的に接続する工程と、前記金属基
板回路の外枠フレームを切断して回路を形成し、切断後
の前記金属基板回路の端部を加工して外部電極を形成す
る工程と、前記外部電極を突出させるように、前記パワ
ー半導体素子、前記制御用集積回路素子が搭載された前
記第１，第２の金属基板領域面および底面の前記第１の
樹脂の端部領域を第２の樹脂で封止する工程とを備えた
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 金属板を加工して第１，第２の金属基
板領域を有した金属基板回路を構成する工程と、前記金
属基板回路の前記第１の金属基板領域上にパワー半導体
素子を、また前記第２の金属基板領域上に制御用集積回
路素子をそれぞれ搭載する工程と、搭載した前記パワー
半導体素子、前記制御用集積回路素子および前記第１，
第２の金属基板を電気的に接続する工程と、前記第１，
第２の金属基板領域を連結固定するために前記第１，第
２の金属基板領域間および底面領域を第１の樹脂で封止
固定する工程と、前記金属基板回路の金属基板領域の一
部やタイバーを切断して一部回路を形成し、電気的試験
を行なう工程と、前記金属基板回路の外枠フレームを切
断して回路構成体を形成し、切断後の金属基板回路の端
部を加工し外部電極を形成する工程と、前記外部電極を
突出させるように、前記パワー半導体素子、制御用集積
回路素子が搭載された前記第１，第２の金属基板領域面
および底面の前記第１の樹脂の端部領域を第２の樹脂で
封止する工程とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 金属板を加工して第１，第２の金属基
板領域を有した金属基板回路を構成する工程と、前記第
１，第２の金属基板領域を連結固定するために前記第
１，第２の金属基板領域間および底面領域を第１の樹脂
で封止固定する工程と、前記金属基板回路の前記第１の
金属基板領域上にパワー半導体素子を、また前記第２の
金属基板領域上に制御用集積回路素子をそれぞれ搭載す
る工程と、搭載した前記パワー半導体素子、前記制御用
集積回路素子および前記第１，第２の金属基板を電気的
に接続する工程と、前記金属基板回路の金属基板領域の
一部やタイバーを切断して一部回路を形成し、電気的試
験を行なう工程と、前記金属基板回路の外枠フレームを
切断して回路構成体を形成し、切断後の金属基板回路の
端部を加工し外部電極を形成する工程と、前記外部電極
を突出させるように、前記パワー半導体素子、前記制御
用集積回路素子が搭載された前記第１，第２の金属基板
領域面および底面の前記第１の樹脂の端部領域を第２の
樹脂で封止する工程とを備えた樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１５】 金属板を加工して金属基板回路を構成
する工程と、前記金属基板回路上に電子部品を搭載する
工程と、搭載した電子部品および金属板を電気的に接続
する工程と、前記金属基板回路の金属板間および底面領
域を第１の樹脂で封止固定する工程と、前記金属基板回
路の外枠フレームを切断して回路を形成し、切断後の金
属基板回路の端部を加工し外部電極を形成して第１の回
路基板を形成する工程と、回路基板上に複数の電子部品
を搭載し、周辺端部に固定手段を形成し、第２の回路基
板を形成する工程と、前記第１の回路基板の外部電極を
前記第２の回路基板の固定手段に係合させ、前記第１の
回路基板に前記第２の回路基板を積層固定する工程と、
前記第１，第２の回路基板間の間隙および外囲領域を前
記外部電極を突出させるように第２の樹脂で封止する工
程とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 金属板を加工して金属基板回路を構成
する工程と、前記金属基板回路の金属板間および底面領
域を第１の樹脂で封止固定する工程と、前記金属基板回
路上に電子部品を搭載する工程と、搭載した電子部品お
よび金属板を電気的に接続する工程と、前記金属基板回
路の外枠フレームを切断して回路を形成し、切断後の金
属基板回路の端部を加工し外部電極を形成して第１の回
路基板を形成する工程と、回路基板上に複数の電子部品
を搭載し、周辺端部に固定手段を形成し、第２の回路基
板を形成する工程と、前記第１の回路基板の前記外部電
極を前記第２の回路基板の前記固定手段に係合させ、前
記第１の回路基板に前記第２の回路基板を積層固定する
工程と、前記第１，第２の回路基板間の間隙および外囲
領域を前記外部電極を突出させるように第２の樹脂で封
止する工程とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１７】 金属板を加工して第１，第２の金属基
板領域を有した金属基板回路を構成する工程と、前記第
１の金属基板領域上にパワー半導体素子を、また前記第
２の金属基板領域上に制御用集積回路素子をそれぞれ搭
載する工程と、搭載した前記パワー半導体素子、前記制
御用集積回路素子および前記第１，第２の金属基板領域
を電気的に接続する工程と、前記第１，第２の金属基板
領域を連結固定するために前記第１，第２の金属基板間
および底面領域を第１の樹脂で封止固定する工程と、前
記金属基板回路の外枠フレームを切断して回路を形成
し、切断後の金属基板回路の端部を折り曲げ加工して外
部電極を形成して第１の回路基板を形成する工程と、回
路基板に集積回路素子、抵抗素子、コンデンサなどの電
子部品を搭載し、周辺端部に貫通穴および切角の固定手
段を形成し、第２の回路基板を形成する工程と、前記第
１の回路基板の前記外部電極を前記第２の回路基板の固
定手段である前記貫通穴および前記切角に係合させ、前
記第１の回路基板に前記第２の回路基板を積層固定する
工程と、前記第１，第２の回路基板間の間隙および外囲
領域を前記外部電極を突出させるように第２の樹脂で封
止する工程とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１８】 金属板を加工して第１，第２の金属基
板領域を有した金属基板回路を構成する工程と、前記第
１，第２の金属基板領域を連結固定するために前記第
１，第２の金属基板間および底面領域を第１の樹脂で封
止固定する工程と、前記第１の金属基板領域上にパワー
半導体素子を、また前記第２の金属基板領域上に制御用
集積回路素子をそれぞれ搭載する工程と、搭載した前記
パワー半導体素子、前記制御用集積回路素子および前記
第１，第２の金属基板領域を電気的に接続する工程と、
前記金属基板回路の外枠フレームを切断して回路を形成
し、切断後の金属基板回路の端部を折り曲げ加工して外
部電極を形成して第１の回路基板を形成する工程と、回
路基板に集積回路素子、抵抗素子、コンデンサなどの電
子部品を搭載し、周辺端部に貫通穴および切角の固定手
段を形成し、第２の回路基板を形成する工程と、前記第
１の回路基板の前記外部電極を前記第２の回路基板の固
定手段である前記貫通穴および前記切角に係合させ、前
記第１の回路基板に前記第２の回路基板を積層固定する
工程と、前記第１，第２の回路基板間の間隙および外囲
領域を前記外部電極を突出させるように第２の樹脂で封
止する工程とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１９】 金属板を加工して第１，第２の金属基
板領域を有した金属基板回路を構成する工程と、前記第
１の金属基板領域上にパワー半導体素子を、また前記第
２の金属基板領域上に制御用集積回路素子を搭載する工
程と、搭載した前記パワー半導体素子、前記制御用集積
回路素子および前記第１，第２の金属基板を電気的に接
続する工程と、前記第１，第２の金属基板領域を連結固
定するために前記第１，第２の金属基板領域間および底
面領域を第１の樹脂で封止固定する工程と、前記金属基
板回路の金属基板の一部やタイバーを切断して一部回路
を形成し、電気的試験を行なう工程と、前記金属基板回
路の外枠フレームを切断して回路を形成し、切断後の金
属基板回路の端部を折り曲げ加工して外部電極を形成し
て第１の回路基板を形成する工程と、回路基板に集積回
路素子、抵抗素子、コンデンサなどの電子部品を搭載
し、周辺端部に貫通穴および切角の固定手段を形成し、
第２の回路基板を形成する工程と、前記第１の回路基板
の前記外部電極を前記第２の回路基板の固定手段である
前記貫通穴および前記切角に係合させ、前記第１の回路
基板に前記第２の回路基板を積層固定する工程と、前記
第１，第２の回路基板間の間隙および外囲領域を前記外
部電極を突出させるように第２の樹脂で封止する工程と
を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２０】 金属板を加工して第１，第２の金属基
板領域を有した金属基板回路を構成する工程と、前記第
１，第２の金属基板領域を連結固定するために前記第
１，第２の金属基板領域間および底面領域を第１の樹脂
で封止固定する工程と、前記第１の金属基板領域上にパ
ワー半導体素子を、また前記第２の金属基板領域上に制
御用集積回路素子をそれぞれ搭載する工程と、搭載した
前記パワー半導体素子、前記制御用集積回路素子および
前記第１，第２の金属基板を電気的に接続する工程と、
前記金属基板回路の金属基板の一部やタイバーを切断し
て一部回路を形成し、電気的試験を行なう工程と、前記
金属基板回路の外枠フレームを切断して回路を形成し、
切断後の金属基板回路の端部を折り曲げ加工して外部電
極を形成して第１の回路基板を形成する工程と、回路基
板に集積回路素子、抵抗素子、コンデンサなどの電子部
品を搭載し、周辺端部に貫通穴および切角の固定手段を
形成し、第２の回路基板を形成する工程と、前記第１の
回路基板の前記外部電極を前記第２の回路基板の固定手
段である前記貫通穴および前記切角に係合させ、前記第
１の回路基板に前記第２の回路基板を積層固定する工程
と、前記第１，第２の回路基板領域間の間隙および外囲
領域を前記外部電極を突出させるように第２の樹脂で封
止する工程とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２１】 第１の樹脂および第２の樹脂が絶縁性
のエポキシ樹脂である請求項９〜請求項２０のうちの一
つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２２】 第１の樹脂および第２の樹脂が絶縁性
のポリフェニレンサルファイドである請求項９〜請求項
２０のうちの一つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２３】 金属板を加工して目的とする金属基板
領域と外部端子となる領域を形成し、さらに金属基板領
域の動作上影響のない領域に貫通孔もしくは切欠部など
の係止手段を形成する工程と、あらかじめ成形加工によ
って第１の樹脂により形成した樹脂板を前記貫通孔もし
くは切欠部などの係止手段を設けた金属基板に嵌合さ
せ、金属基板領域間および底面領域を樹脂固定する工程
と、前記樹脂板を金属基板に嵌合させたものに対して、
前記金属基板領域にパワー半導体素子、制御用素子を搭
載し、結線する工程と、表面領域を第２の樹脂で封止す
る工程と、外部端子の加工をする工程とを有することを
特徴とする樹脂封止型半導体装置製造方法。 - 【請求項２４】 金属板を加工して目的とする金属基板
領域と外部端子となる領域を形成し、さらに前記外部端
子群間に第１のタイバー、第２のタイバーを形成し、金
属基板領域を有して回路構成された金属基板を用意する
工程と、前記金属基板領域を有して回路構成された金属
基板上にパワー半導体素子および制御用集積回路素子お
よびその他の電子部品を搭載する工程と、前記パワー半
導体素子、制御用集積回路素子およびその他の電子部品
と外部端子とを金属細線で接続する工程と、前記パワー
半導体素子、制御用集積回路素子およびその他の電子部
品の搭載領域を樹脂により封止する工程とよりなる樹脂
封止型半導体装置の製造方法であって、前記樹脂封止工
程においては、前記外部端子群間に第１のタイバー、第
２のタイバーの２重のタイバーを形成したことにより、
樹脂封止時、第１のタイバーで防ぎきれなかった樹脂を
第２のタイバーで止め、外部端子の先端部分への樹脂の
流動を止め、外部端子のマザーボードとの接合部分とな
る箇所への樹脂の流出を止め、樹脂ばりの付着を防止し
て樹脂封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07336464A JP3130239B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-12-25 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-197372 | 1995-08-02 | ||
| JP19737295 | 1995-08-02 | ||
| JP07336464A JP3130239B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-12-25 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102580A JPH09102580A (ja) | 1997-04-15 |
| JP3130239B2 true JP3130239B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=26510330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07336464A Expired - Fee Related JP3130239B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-12-25 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3130239B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101625270B1 (ko) * | 2010-11-24 | 2016-05-27 | 매소드 프로덕츠, 피비씨 | 재충전 백 |
| EP3285289A4 (en) * | 2015-04-15 | 2018-11-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100209259B1 (ko) * | 1996-04-25 | 1999-07-15 | 이해규 | Ic 카드 및 그 제조방법 |
| US6212955B1 (en) * | 1997-12-09 | 2001-04-10 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Capacitance-type pressure sensor unit |
| JPH11233712A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器 |
| JP3604952B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2004-12-22 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置 |
| JP2001015681A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | パワー回路基板 |
| JP3560869B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2004-09-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100342589B1 (ko) * | 1999-10-01 | 2002-07-04 | 김덕중 | 반도체 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
| JP2001110984A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 半導体モジュールおよびそれを用いた電気装置 |
| WO2002017400A1 (fr) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module d'alimentation |
| JP2002083927A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2002223003A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体とその製造方法及び発光装置 |
| JP4020618B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2007-12-12 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4039196B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2008-01-30 | 富士電機機器制御株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
| JP2004273570A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| FR2854495B1 (fr) | 2003-04-29 | 2005-12-02 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'un boitier semi-conducteur et boitier semi-conducteur a grille. |
| US7019394B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-03-28 | Intel Corporation | Circuit package and method of plating the same |
| WO2007026944A1 (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 回路装置およびその製造方法 |
| JP4839950B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | 中継用基板およびそれを用いた立体的電子回路構造体 |
| JP2008041905A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Asmo Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2008078445A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Yamaha Corp | リードフレーム |
| JP5477999B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2014-04-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
| JP4946488B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2012-06-06 | パナソニック株式会社 | 回路モジュール |
| JP5355867B2 (ja) * | 2007-07-10 | 2013-11-27 | ローム株式会社 | 集積回路素子 |
| JP5492447B2 (ja) | 2009-04-28 | 2014-05-14 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュール |
| JP5391162B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2014-01-15 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| US9524928B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having control and driver circuits |
| US9659845B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
| US9620954B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values |
| US9449957B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Control and driver circuits on a power quad flat no-lead (PQFN) leadframe |
| US8587101B2 (en) | 2010-12-13 | 2013-11-19 | International Rectifier Corporation | Multi-chip module (MCM) power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package utilizing a leadframe for electrical interconnections |
| US9443795B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having bootstrap diodes on a common integrated circuit (IC) |
| US9355995B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-05-31 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor packages utilizing leadframe panels with grooves in connecting bars |
| US9362215B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-06-07 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package with leadframe islands for multi-phase power inverter |
| US9324646B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-04-26 | Infineon Technologies America Corp. | Open source power quad flat no-lead (PQFN) package |
| US9711437B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-07-18 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
| JP2012156434A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | パワーデバイス及びパワーデバイス用パッケージ |
| JP5661183B2 (ja) * | 2012-02-13 | 2015-01-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6303522B2 (ja) | 2014-01-17 | 2018-04-04 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
| JP2017028174A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP6472568B2 (ja) * | 2016-03-07 | 2019-02-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6770456B2 (ja) * | 2017-02-17 | 2020-10-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
| JP6818801B2 (ja) * | 2019-04-01 | 2021-01-20 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP07336464A patent/JP3130239B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101625270B1 (ko) * | 2010-11-24 | 2016-05-27 | 매소드 프로덕츠, 피비씨 | 재충전 백 |
| EP3285289A4 (en) * | 2015-04-15 | 2018-11-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09102580A (ja) | 1997-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3130239B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| US8436459B2 (en) | Power semiconductor module | |
| EP3043379B1 (en) | Semiconductor device | |
| US6541851B2 (en) | Lead frame for a semiconductor device | |
| JPS6333320B2 (ja) | ||
| JPH0774306A (ja) | 半導体装置 | |
| US20030197255A1 (en) | Semiconductor device | |
| CN103872036A (zh) | 半导体模块及其制造方法 | |
| TW201643969A (zh) | 封裝模組及其製作方法 | |
| US20010030357A1 (en) | Semiconductor apparatus substrate, semiconductor apparatus, and method of manufacturing thereof and electronic apparatus | |
| JP2915282B2 (ja) | プラスチックモールドした集積回路パッケージ | |
| JPH03108744A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3482850B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2002009217A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3552484B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4527292B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
| JP2795063B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP4439143B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH10270830A (ja) | 電子部品用基板 | |
| JPH01289151A (ja) | 集積回路装置 | |
| JP2004039700A (ja) | 半導体パワーモジュール | |
| JP2001203301A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3211116B2 (ja) | 電子部品及びそのモジュール構造 | |
| US20040159919A1 (en) | Electronic circuit device | |
| JP2879503B2 (ja) | 面実装型電子回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071117 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |