JPS6057654A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、放熱板あるいは放熱ブロックが半導体素子と
ともに一体的に樹脂封止される樹脂封止形半導体装置に
関する。
ともに一体的に樹脂封止される樹脂封止形半導体装置に
関する。
従来例の構成とその問題点
樹脂封止形半導体装置は、金属封止形半導体装置にくら
べて量産性に富み、また、コスト面でも勝っているが、
動作時に発生する熱の放散面では金属封止形半導体装置
には及ばない。しかしながら放散面で十分な配慮を払う
ならば、大電力を取り扱うことができる電力用半導体装
置をも樹脂ｊＮＮ溝構造することが可能であり、近年、
各種の電力用半導体装置が樹脂封止構造として実現され
るに至っている。
べて量産性に富み、また、コスト面でも勝っているが、
動作時に発生する熱の放散面では金属封止形半導体装置
には及ばない。しかしながら放散面で十分な配慮を払う
ならば、大電力を取り扱うことができる電力用半導体装
置をも樹脂ｊＮＮ溝構造することが可能であり、近年、
各種の電力用半導体装置が樹脂封止構造として実現され
るに至っている。
第１図は、樹脂封止構造を有する従来の半導体集積回路
（ＩＣ）の構造を示す断面図であり、リードフレームの
基板支持部１にＩＣ基板２力ニ接着固定され、さらに、
このＩＣ基板上の電極と外部リード３．４との間が全（
Ａｕ ）などの金属細線５．６で接続されたＩＣ組立構
体と、このＩ ＣＪｉｔｉ立構体の基板支持部下面に一
部が当接する銅あるいはアルミニウムなどからなる放熱
ブロック７カニ成形用樹脂８により一体的に封止され、
しかも、放熱ブロック７の下面が成形樹脂８で覆われる
ことなく露出した構造となっている。このようなｊ３ｑ
造の樹脂封止形ＩＣの放熱板（図示せず）への取り付け
に際しては、放熱ブロック了の露出面を放熱板に対して
電気的に絶縁し、熱的に結合する方法が採用される。
（ＩＣ）の構造を示す断面図であり、リードフレームの
基板支持部１にＩＣ基板２力ニ接着固定され、さらに、
このＩＣ基板上の電極と外部リード３．４との間が全（
Ａｕ ）などの金属細線５．６で接続されたＩＣ組立構
体と、このＩ ＣＪｉｔｉ立構体の基板支持部下面に一
部が当接する銅あるいはアルミニウムなどからなる放熱
ブロック７カニ成形用樹脂８により一体的に封止され、
しかも、放熱ブロック７の下面が成形樹脂８で覆われる
ことなく露出した構造となっている。このようなｊ３ｑ
造の樹脂封止形ＩＣの放熱板（図示せず）への取り付け
に際しては、放熱ブロック了の露出面を放熱板に対して
電気的に絶縁し、熱的に結合する方法が採用される。
ところで、このような構造によれば、放熱特性に関して
は所期の目的が達成されるものの、放熱板への取り付け
に際して絶縁板を介在させることが不可避となり、取り
付は作業が煩雑化する。さらに、絶縁板は、ＩＣの放熱
ブロックと放熱板との間に正しく位置しなければ々らな
いととるであるが、両者を一体的に緊着する際にともす
ると正しい位置関係が損われ、電気的絶縁関係を保つこ
とができなくなる。このため、放熱ブロックの裏面にも
成形樹脂層を薄く設け、絶縁板を不要とするようにした
構造が提案されるに至っているが、裏面に形成する簿い
樹脂層の厚みを均一なものとすることが困輔である。こ
の不都合は、樹脂封止工程で、放熱ブロックを下金型の
底面かられずかに浮かした状■を保持しなければならな
いことにか原因となってもたらされる、。
は所期の目的が達成されるものの、放熱板への取り付け
に際して絶縁板を介在させることが不可避となり、取り
付は作業が煩雑化する。さらに、絶縁板は、ＩＣの放熱
ブロックと放熱板との間に正しく位置しなければ々らな
いととるであるが、両者を一体的に緊着する際にともす
ると正しい位置関係が損われ、電気的絶縁関係を保つこ
とができなくなる。このため、放熱ブロックの裏面にも
成形樹脂層を薄く設け、絶縁板を不要とするようにした
構造が提案されるに至っているが、裏面に形成する簿い
樹脂層の厚みを均一なものとすることが困輔である。こ
の不都合は、樹脂封止工程で、放熱ブロックを下金型の
底面かられずかに浮かした状■を保持しなければならな
いことにか原因となってもたらされる、。
厚みが均一な成形樹脂層で覆われた樹脂封止形半導体装
置の提供を目的とするものである。
置の提供を目的とするものである。
発明の構成
本発明の樹脂封止形半導体装置は、半導体基板支持体の
裏面に当接もしくは固着する突部を持つ放熱ブロックの
裏面上−または放熱板を兼ねる半導体基板支持体の裏面
上を、これらの面に達する複数個の小孔をもつ成形樹脂
薄層で被覆したものである。この封止構造では、小孔が
下金型の底面から突出し、成形時に放熱ブロックあるい
は半導体基板支持体の裏面に当接する突起によって形成
されるものであるため、成形樹脂薄層の厚みが突起の高
さによって定まる均一な厚みとなり、放熱特性にばらつ
きのない樹脂制止形゛１（導体装置が得られる。
裏面に当接もしくは固着する突部を持つ放熱ブロックの
裏面上−または放熱板を兼ねる半導体基板支持体の裏面
上を、これらの面に達する複数個の小孔をもつ成形樹脂
薄層で被覆したものである。この封止構造では、小孔が
下金型の底面から突出し、成形時に放熱ブロックあるい
は半導体基板支持体の裏面に当接する突起によって形成
されるものであるため、成形樹脂薄層の厚みが突起の高
さによって定まる均一な厚みとなり、放熱特性にばらつ
きのない樹脂制止形゛１（導体装置が得られる。
実施例の説明
以下に、デュアルインライン形ＩＣの構造を例示して本
発明の樹脂封止形半導体装置について詳細に説明する。
発明の樹脂封止形半導体装置について詳細に説明する。
第２図は、本発明にかかるデュアルインライン形ＩＣの
断面構造を示す図であり、第１図で示した従来のものと
は放熱ブロック７の裏面が複数個の小孔９，１０をもつ
成形樹脂薄層１１で被覆されている点で相違している。
断面構造を示す図であり、第１図で示した従来のものと
は放熱ブロック７の裏面が複数個の小孔９，１０をもつ
成形樹脂薄層１１で被覆されている点で相違している。
このような樹脂封止構造のＩＣは、第３図で示す構造の
樹脂封止金型を使用した樹脂封止によって実現される。
樹脂封止金型を使用した樹脂封止によって実現される。
すなわち、リードフレームの基板支持部１にＩＣ基板２
が接着され、さらに、このＩＣ基板上の電極と外部リー
ド３，４との間が金属細線５．６で接続されるとともに
、断面形状が凸字形で、頂部が基板支持部１の裏面に接
着された放熱ブロック了を有するＩＣ組立構体を、上金
型１２と下金型１３との間に形成されたキャビティ１４
の中に設置する。ところで、下金型１３の底面には、図
示するように複数個の突起１５．１６が形成されており
、このため放熱ブロック了の裏面はこれらの突起によっ
て支承され、放熱ブロック了の裏面と下金型１３の直面
との間には突起１６．１６の高さと等しい間隙１７が付
与される。
が接着され、さらに、このＩＣ基板上の電極と外部リー
ド３，４との間が金属細線５．６で接続されるとともに
、断面形状が凸字形で、頂部が基板支持部１の裏面に接
着された放熱ブロック了を有するＩＣ組立構体を、上金
型１２と下金型１３との間に形成されたキャビティ１４
の中に設置する。ところで、下金型１３の底面には、図
示するように複数個の突起１５．１６が形成されており
、このため放熱ブロック了の裏面はこれらの突起によっ
て支承され、放熱ブロック了の裏面と下金型１３の直面
との間には突起１６．１６の高さと等しい間隙１７が付
与される。
したがって、このキャビティ内へ成形樹脂を注入するな
らば、成形樹脂は間隙１７の中にも入り込むところとな
り、第２図で示したように成形樹脂薄層によって放熱ブ
ロックの裏面までが被覆されたデュアルインライン形Ｉ
Ｃが得られる。
らば、成形樹脂は間隙１７の中にも入り込むところとな
り、第２図で示したように成形樹脂薄層によって放熱ブ
ロックの裏面までが被覆されたデュアルインライン形Ｉ
Ｃが得られる。
第４図は、本発明のデュアルインライン形ＩＣを放熱板
と結合した状態を示す断面図であり、図示するように、
放熱板１８に対して絶縁板を介在させることなく直接結
合することができ、成形樹脂薄層１１が絶縁板の等個物
として機能する。
と結合した状態を示す断面図であり、図示するように、
放熱板１８に対して絶縁板を介在させることなく直接結
合することができ、成形樹脂薄層１１が絶縁板の等個物
として機能する。
なお、小孔９と１０の、底部には、放熱ブロック７の裏
面が露出してはいるが、成形樹脂薄層１１の存在により
、この部分が放熱板１８と電気的に繋ることはない。
面が露出してはいるが、成形樹脂薄層１１の存在により
、この部分が放熱板１８と電気的に繋ることはない。
以上本発明を放熱ブロック付きのデュアルインライン形
ＸＣ，を例示して説明したのであるが、本発明は、シン
グルインライン形Ｉ Ｏ、’ｆ’４力用トラロックを具
備する構造を示したが、リードフレームの基板支持部そ
のものが放熱板を兼ねる構造のものであっても本発明の
構造とすることが可能である。
ＸＣ，を例示して説明したのであるが、本発明は、シン
グルインライン形Ｉ Ｏ、’ｆ’４力用トラロックを具
備する構造を示したが、リードフレームの基板支持部そ
のものが放熱板を兼ねる構造のものであっても本発明の
構造とすることが可能である。
発明の詳細
な説明したように、本発明の樹脂封止形半導体装置は、
放熱板あるいは放熱ブロックが一体的に封止され、さら
に、この裏面が均一な厚みの成形樹脂薄層で薇われだも
のであり、絶縁板を介在させることなく、直接的に放熱
板へとりつけてもこれとの電気的絶縁状態を４＋？Ｍ保
でき、しかも、放熱特性のばらつきが小さい樹脂封止形
半導体装置が実現できる。
放熱板あるいは放熱ブロックが一体的に封止され、さら
に、この裏面が均一な厚みの成形樹脂薄層で薇われだも
のであり、絶縁板を介在させることなく、直接的に放熱
板へとりつけてもこれとの電気的絶縁状態を４＋？Ｍ保
でき、しかも、放熱特性のばらつきが小さい樹脂封止形
半導体装置が実現できる。
第１図は、放熱ブロックを一体的に封止して形成した従
来の樹脂封止形ＩＣの構造を示す断面図、第２図は、本
発明にかかる樹脂封止形ＩＣの構造を示す断面図、第３
図は、同樹脂封止形ＩＣを封止するための４Ｊ脂封止金
型の中にＩＣ組立構体を設置した状態を示す断面図、第
４図は、本発明にかかる樹脂封止形ＩＣを放熱板へ熱的
に結合した状態を示す図である。 １・・・・・基板支持部、２・・・・・ＩＣ基板、３，
４・・・・・外部リード、６，６・・・・・金属細線、
７・・・放熱ブロック、８・・・・・・成形樹脂、９，
１０・・・小孔、１１・・・・・成形樹脂薄層、１２・
・・・・上金型、１３・・・下金型、′１４・・・・・
・キャビティ、１５．１５・・・・・・突起、１７・・
・間隙、１８−・・・放熱板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
来の樹脂封止形ＩＣの構造を示す断面図、第２図は、本
発明にかかる樹脂封止形ＩＣの構造を示す断面図、第３
図は、同樹脂封止形ＩＣを封止するための４Ｊ脂封止金
型の中にＩＣ組立構体を設置した状態を示す断面図、第
４図は、本発明にかかる樹脂封止形ＩＣを放熱板へ熱的
に結合した状態を示す図である。 １・・・・・基板支持部、２・・・・・ＩＣ基板、３，
４・・・・・外部リード、６，６・・・・・金属細線、
７・・・放熱ブロック、８・・・・・・成形樹脂、９，
１０・・・小孔、１１・・・・・成形樹脂薄層、１２・
・・・・上金型、１３・・・下金型、′１４・・・・・
・キャビティ、１５．１５・・・・・・突起、１７・・
・間隙、１８−・・・放熱板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 半導体基板支持体の裏面に当接もしくは固着される突部
をもつ放熱ブロックまたは放熱板を兼ねる半導体基板支
持体が半導体基板とともに成形樹脂内へ埋入されるとと
もに、前記放熱ブロックまたは放熱板を兼ねる半導体基
板支持体の裏面上がこの面に達する複数個の小孔をもつ
成形樹脂薄層で覆われていることを特徴とする樹脂封止
形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165561A JPS6057654A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165561A JPS6057654A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057654A true JPS6057654A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15814697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165561A Pending JPS6057654A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290687A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Nissan Motor Co Ltd | 真空レーザー照射装置 |
| EP2605276A3 (en) * | 2011-12-15 | 2017-09-27 | NXP USA, Inc. | Packaged leadless semiconductor device |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP58165561A patent/JPS6057654A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290687A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Nissan Motor Co Ltd | 真空レーザー照射装置 |
| EP2605276A3 (en) * | 2011-12-15 | 2017-09-27 | NXP USA, Inc. | Packaged leadless semiconductor device |
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