JPH0351977Y2 - - Google Patents
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- JPH0351977Y2 JPH0351977Y2 JP9449285U JP9449285U JPH0351977Y2 JP H0351977 Y2 JPH0351977 Y2 JP H0351977Y2 JP 9449285 U JP9449285 U JP 9449285U JP 9449285 U JP9449285 U JP 9449285U JP H0351977 Y2 JPH0351977 Y2 JP H0351977Y2
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- semiconductor chip
- external lead
- resin
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- conductor plate
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、大電流用の樹脂封止型半導体装置
に関するものである。
に関するものである。
放熱フインを兼ねたリードフレーム上に半導体
チツプを固着させ、半導体チツプおよびこの半導
体チツプを固着させたリードフレームの周辺部を
樹脂モールドしたいわゆる樹脂封止型半導体装置
は、製造工程の自動化による量産性上の向上、低
コスト化の実現等により各種、電気、電子機器の
部品として多用されている。
チツプを固着させ、半導体チツプおよびこの半導
体チツプを固着させたリードフレームの周辺部を
樹脂モールドしたいわゆる樹脂封止型半導体装置
は、製造工程の自動化による量産性上の向上、低
コスト化の実現等により各種、電気、電子機器の
部品として多用されている。
第５図Ａ，Ｂは、この種、樹脂封止型半導体装
置の一例を示す外観図である。
置の一例を示す外観図である。
図において、１は第１外部導出リード、２，３
は端子用の第２外部導出リード、４は樹脂モール
ドであつて、この樹脂モールド４の内部に、前記
第１外部導出リード部１に設けた半導体チツプ載
置部１ａに固着させた半導体チツプが埋設されて
いる。
は端子用の第２外部導出リード、４は樹脂モール
ドであつて、この樹脂モールド４の内部に、前記
第１外部導出リード部１に設けた半導体チツプ載
置部１ａに固着させた半導体チツプが埋設されて
いる。
前記半導体チツプ載置部１ａに固着させる半導
体チツプの数は、目的とする回路構成によつて決
定されるが、例えば、半導体チツプを１個使用し
て所定の内部結線を行う場合、第６図Ａ，ないし
Ｂに示すような方法を採用していた。
体チツプの数は、目的とする回路構成によつて決
定されるが、例えば、半導体チツプを１個使用し
て所定の内部結線を行う場合、第６図Ａ，ないし
Ｂに示すような方法を採用していた。
すなわち、同図ＡおよびＢに示すものは、例え
ば、ダイオードチツプ等の半導体チツプを使用し
たものである。
ば、ダイオードチツプ等の半導体チツプを使用し
たものである。
これらの図において、第１外部導出リード部１
上の半導体チツプ載置部１ａに固着させた半導体
チツプ５と、それぞれの端子となる第２外部導出
リード２，３とは、金属細線６を用いてワイヤボ
ンデイングされるか、第６図Ｂに示すように第２
外部導出リード２，３の先端部を折り曲げて直
接、接続するようにしている。
上の半導体チツプ載置部１ａに固着させた半導体
チツプ５と、それぞれの端子となる第２外部導出
リード２，３とは、金属細線６を用いてワイヤボ
ンデイングされるか、第６図Ｂに示すように第２
外部導出リード２，３の先端部を折り曲げて直
接、接続するようにしている。
従来の樹脂封止型半導体装置は、上記のように
構成されているので、半導体チツプ５が、比較的
大量電流用のものである場場合には、電流容量が
不足するという問題点があり、特に、第６図Ａに
示す構造のものより、同図ｂに示す構造のものの
方が、電流容量的には改善されるが、末だ不十分
であり、また、加工手段を要するなどの問題点が
あつた。
構成されているので、半導体チツプ５が、比較的
大量電流用のものである場場合には、電流容量が
不足するという問題点があり、特に、第６図Ａに
示す構造のものより、同図ｂに示す構造のものの
方が、電流容量的には改善されるが、末だ不十分
であり、また、加工手段を要するなどの問題点が
あつた。
この考案は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、比較的大電流用に適した構
造の樹脂封止型半導体装置を得ることを目的とす
るものである。
めになされたもので、比較的大電流用に適した構
造の樹脂封止型半導体装置を得ることを目的とす
るものである。
この考案にかかる樹脂封止型半導体装置は、第
１外部導出リード部を介して連続的に設けられた
半導体チツプ載置部に固着させた半導体チツプと
第２外部導出リード部とを銅等の電気的導電性に
優れた金属で形成した内部接続導体板で接続する
ようにしたものである。
１外部導出リード部を介して連続的に設けられた
半導体チツプ載置部に固着させた半導体チツプと
第２外部導出リード部とを銅等の電気的導電性に
優れた金属で形成した内部接続導体板で接続する
ようにしたものである。
比較的幅広の内部接続導体板で半導体チツプ、
第２外部導出リード間を接続することにより、大
電流の通電に耐え得ると共に内部接続導体板自体
が放熱フインとしての作用を果し、放熱特性を向
上させる。
第２外部導出リード間を接続することにより、大
電流の通電に耐え得ると共に内部接続導体板自体
が放熱フインとしての作用を果し、放熱特性を向
上させる。
第１図はこの考案に使用されるリードフレーム
の一部切欠平面図であり、図において、１０は連
結部１１を有するリードフレーム、１２は連結部
１１と一体的に形成された第１外部導出リード部
であつて、１２ａは半導体チツプを固着させるた
めの半導体チツプ載置部。１３，１４は、第１外
部導出リード部１２の両側に配置された第２外部
導出リード部である。
の一部切欠平面図であり、図において、１０は連
結部１１を有するリードフレーム、１２は連結部
１１と一体的に形成された第１外部導出リード部
であつて、１２ａは半導体チツプを固着させるた
めの半導体チツプ載置部。１３，１４は、第１外
部導出リード部１２の両側に配置された第２外部
導出リード部である。
第２図はこの考案に使用される内部接続導体板
の斜視図である。
の斜視図である。
この内部接続導体板１５は、銅等の電気的伝導
度の良好な金属により平面形状、略コ字形に形成
され、その中央部は、半導体チツプの表面との接
続部となる突起部１５ａが設けられている。ま
た、コ字形の接続導体板１５の先端部１５ｂ，１
５ｂは第２外部導出リード部１３，１４との接続
部となり、第３図Ａの二点鎖線で示すように半導
体チツプ１６、第２外部導出リード部１３，１４
間に掛け渡されるように配置される。
度の良好な金属により平面形状、略コ字形に形成
され、その中央部は、半導体チツプの表面との接
続部となる突起部１５ａが設けられている。ま
た、コ字形の接続導体板１５の先端部１５ｂ，１
５ｂは第２外部導出リード部１３，１４との接続
部となり、第３図Ａの二点鎖線で示すように半導
体チツプ１６、第２外部導出リード部１３，１４
間に掛け渡されるように配置される。
第３図Ｂは、同図ＡのＸ−Ｘ線に沿う断面図で
あり、また、第４図は内部接続導体板１５を使用
して所定個所を接続した後、樹脂モールド１７を
した完成品の放熱効果を示す断面図である。
あり、また、第４図は内部接続導体板１５を使用
して所定個所を接続した後、樹脂モールド１７を
した完成品の放熱効果を示す断面図である。
なお、樹脂モールドした後に連結部１１は切断
除去されるので、完成した外観は第５図と同様に
なる。したがつて、第１の外部導出リード部１２
と半導体チツプ載置部１２ａは、同電位となり、
一方の電極となる。また、第２の外部導出リード
部１３，１４は、共に同電位となり、他方の電極
となる。上記のようにして完成した樹脂封止型半
導体装置は、被取付部材１８へ直接接触する放熱
フイン兼用の半導体チツプ載置部１２ａを介し
て、運転中に発生する半導体チツプ１６からの熱
を放散させると共に、内部接続導体板１５も放熱
フインとして作用し、良好な放熱特性が得られ
る。
除去されるので、完成した外観は第５図と同様に
なる。したがつて、第１の外部導出リード部１２
と半導体チツプ載置部１２ａは、同電位となり、
一方の電極となる。また、第２の外部導出リード
部１３，１４は、共に同電位となり、他方の電極
となる。上記のようにして完成した樹脂封止型半
導体装置は、被取付部材１８へ直接接触する放熱
フイン兼用の半導体チツプ載置部１２ａを介し
て、運転中に発生する半導体チツプ１６からの熱
を放散させると共に、内部接続導体板１５も放熱
フインとして作用し、良好な放熱特性が得られ
る。
また、半導体チツプとの接続部として下に凸と
なる突起部１５ａを形成すれば、内部接続導体板
１５と、第１外部導出リード１２の半導体チツプ
載置部１２ａとの間に有効な間〓が形成され、こ
の間〓を利用し、コート剤を注入し、皮膜を形成
することにより半導体装置の電気的特性の安定化
に寄与し得る。
なる突起部１５ａを形成すれば、内部接続導体板
１５と、第１外部導出リード１２の半導体チツプ
載置部１２ａとの間に有効な間〓が形成され、こ
の間〓を利用し、コート剤を注入し、皮膜を形成
することにより半導体装置の電気的特性の安定化
に寄与し得る。
以上のように、この考案によれば、半導体チツ
プと第２外部導出リード部との接続に金属細線を
用いることなく、比較的幅広の内部接続導体板を
使用したので、導体中を流れる電流容量を大きく
することができ、また、放熱フインとして作用す
るので、放熱効果を向上させることができる。
プと第２外部導出リード部との接続に金属細線を
用いることなく、比較的幅広の内部接続導体板を
使用したので、導体中を流れる電流容量を大きく
することができ、また、放熱フインとして作用す
るので、放熱効果を向上させることができる。
第１図はこの考案に使用されるリードフレーム
の一部切欠平面図、第２図は同じくこの考案に使
用される内部接続導体板の斜視図、第３図Ａは上
記内部接続導体板の配置図、同図Ｂは同図ＡのＸ
−Ｘ線に沿う断面図、第４図は上記内部接続導体
板を使用して所定個所を接続した後、樹脂モール
ドした完成品の放熱効果を示す断面図、第５図
Ａ，Ｂは樹脂封止型半導体装置の外観を示す平面
図および側面図、第６図Ａ，Ｂは従来の樹脂封止
型半導体装置における半導体チツプと第２外部導
出リード部との接続方法を示す説明図である。 図において、１２は第１外部導出リード部、１
２ａは半導体チツプ載置部、１３，１４は第２外
部導出リード部、１５は内部接続導体板、１６は
半導体チツプである。
の一部切欠平面図、第２図は同じくこの考案に使
用される内部接続導体板の斜視図、第３図Ａは上
記内部接続導体板の配置図、同図Ｂは同図ＡのＸ
−Ｘ線に沿う断面図、第４図は上記内部接続導体
板を使用して所定個所を接続した後、樹脂モール
ドした完成品の放熱効果を示す断面図、第５図
Ａ，Ｂは樹脂封止型半導体装置の外観を示す平面
図および側面図、第６図Ａ，Ｂは従来の樹脂封止
型半導体装置における半導体チツプと第２外部導
出リード部との接続方法を示す説明図である。 図において、１２は第１外部導出リード部、１
２ａは半導体チツプ載置部、１３，１４は第２外
部導出リード部、１５は内部接続導体板、１６は
半導体チツプである。
Claims (1)
- 第１外部導出リード部と連続的に設けられた半
導体チツプ載置部と、前記第１外部導出リード部
の外側に配置された２つの第２外部導出リード部
とを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
半導体チツプ載置部に固着された半導体チツプの
上面側に、中央部が固着され、前記２つの第２の
外部導出リード部に、両端部がそれぞれ固着され
る平面形状が略コ字形の内部接続導体板を備えた
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9449285U JPH0351977Y2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9449285U JPH0351977Y2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624129U JPS624129U (ja) | 1987-01-12 |
| JPH0351977Y2 true JPH0351977Y2 (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=30653056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9449285U Expired JPH0351977Y2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351977Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP9449285U patent/JPH0351977Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS624129U (ja) | 1987-01-12 |
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