JPH05218284A - リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置Info
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 リードフレーム及び半導体装置の製造工程が
簡略化でき、且つ発熱量の多い半導体チップも搭載でき
る熱放散性に優れたリードフレームの製造方法を提供す
る。 【構成】 半導体チップ２０と電気的に接続されるボン
ディング面が形成されたインナーリード１２の複数本が
配設されて成るリードフレーム１０を成形した後、金属
箔３０に電気絶縁性接着層３２が形成されたフィルム状
体から所定形状の成形体２８を成形し、次いで、インナ
ーリード１２の複数本に亘り、インナーリード１２のボ
ンディング面の反対側面に、成形体２８を貼着すること
を特徴とする。
簡略化でき、且つ発熱量の多い半導体チップも搭載でき
る熱放散性に優れたリードフレームの製造方法を提供す
る。 【構成】 半導体チップ２０と電気的に接続されるボン
ディング面が形成されたインナーリード１２の複数本が
配設されて成るリードフレーム１０を成形した後、金属
箔３０に電気絶縁性接着層３２が形成されたフィルム状
体から所定形状の成形体２８を成形し、次いで、インナ
ーリード１２の複数本に亘り、インナーリード１２のボ
ンディング面の反対側面に、成形体２８を貼着すること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びその
製造方法並びに半導体装置に関し、更に詳細には熱放散
性が改善されたリードフレーム及びその製造方法並びに
半導体装置に関する。
製造方法並びに半導体装置に関し、更に詳細には熱放散
性が改善されたリードフレーム及びその製造方法並びに
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置用のリードフレームに
おいては、半導体チップの高集積化の進展等に伴い、搭
載される半導体チップとワイヤ等で電気的に接続される
インナーリードの高密度化も進展している。かかるイン
ナーリードの高密度化に伴い、インナーリードが微細化
されるため、インナーリードの強度も低下して外力に対
して変形し易くなり、変形したインナーリードはボンデ
ィング性が低下する。このため、従来は、図７に示す如
く、先端がリードフレーム１０のステージ１６を取り囲
むように設けられた複数本のインナーリード１２を、電
気絶縁性フィルムテープ１１０の貼着によって固定し、
インナーリード１２・・・の捩じれや位置ずれ等の変形
を防止している。尚、図７に示すリードフレーム１０に
おいては、インナーリード１２・・・の各々とアウター
リード１４・・・の各々との境界に、ダムバー１８、１
８が形成されており、樹脂封止の際に、樹脂がアウター
リード１４側へ漏洩することを防止している。
おいては、半導体チップの高集積化の進展等に伴い、搭
載される半導体チップとワイヤ等で電気的に接続される
インナーリードの高密度化も進展している。かかるイン
ナーリードの高密度化に伴い、インナーリードが微細化
されるため、インナーリードの強度も低下して外力に対
して変形し易くなり、変形したインナーリードはボンデ
ィング性が低下する。このため、従来は、図７に示す如
く、先端がリードフレーム１０のステージ１６を取り囲
むように設けられた複数本のインナーリード１２を、電
気絶縁性フィルムテープ１１０の貼着によって固定し、
インナーリード１２・・・の捩じれや位置ずれ等の変形
を防止している。尚、図７に示すリードフレーム１０に
おいては、インナーリード１２・・・の各々とアウター
リード１４・・・の各々との境界に、ダムバー１８、１
８が形成されており、樹脂封止の際に、樹脂がアウター
リード１４側へ漏洩することを防止している。
【０００３】この様な図７に示すリードフレーム１０に
半導体チップが搭載され且つ樹脂封止された半導体装置
においては、半導体チップの発熱に因る熱を半導体装置
外に可及的速やかに放散し半導体チップの誤動作を防止
する必要がある。このため、従来においては、図８に示
す如く、金属製の放熱板２４を半導体チップ２０が搭載
されたステージ１６の下方に設ける。この放熱板２４
は、通常、樹脂封止の際に挿入されるため、ステージ１
６との間の隙間に封止樹脂が充填されている。
半導体チップが搭載され且つ樹脂封止された半導体装置
においては、半導体チップの発熱に因る熱を半導体装置
外に可及的速やかに放散し半導体チップの誤動作を防止
する必要がある。このため、従来においては、図８に示
す如く、金属製の放熱板２４を半導体チップ２０が搭載
されたステージ１６の下方に設ける。この放熱板２４
は、通常、樹脂封止の際に挿入されるため、ステージ１
６との間の隙間に封止樹脂が充填されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の図７に示すリー
ドフレーム１０及び図８に示す半導体装置によって、リ
ードフレーム１０のインナーリード１２の変形を防止し
つつ半導体装置を製造できると共に、半導体チップ２０
の発熱に因る熱を半導体装置外に放散できる。しかしな
がら、図８に示す如く、インナーリード１２の変形防止
用としての電気絶縁性フィルムテープ１１０の貼着作業
及び放熱板２４の挿入作業の各々を別工程で行うことを
要し、リードフレーム及び半導体装置の製造工程を複雑
にしている。また、従来の放熱板２４と半導体チップ２
０が搭載されたステージ１６との間隙に、熱伝導性が金
属よりも劣る封止樹脂が進入しており、半導体装置の熱
放散性が不充分である。このため、発熱量の多い半導体
チップを図７に示すリードフレームに搭載することがで
きず、搭載できる半導体チップが制限される。そこで、
本発明の目的は、リードフレーム及び半導体装置の製造
工程が簡略化でき、且つ発熱量の多い半導体チップも搭
載できる熱放散性に優れたリードフレーム及びその製造
方法並びに半導体装置を提供することにある。
ドフレーム１０及び図８に示す半導体装置によって、リ
ードフレーム１０のインナーリード１２の変形を防止し
つつ半導体装置を製造できると共に、半導体チップ２０
の発熱に因る熱を半導体装置外に放散できる。しかしな
がら、図８に示す如く、インナーリード１２の変形防止
用としての電気絶縁性フィルムテープ１１０の貼着作業
及び放熱板２４の挿入作業の各々を別工程で行うことを
要し、リードフレーム及び半導体装置の製造工程を複雑
にしている。また、従来の放熱板２４と半導体チップ２
０が搭載されたステージ１６との間隙に、熱伝導性が金
属よりも劣る封止樹脂が進入しており、半導体装置の熱
放散性が不充分である。このため、発熱量の多い半導体
チップを図７に示すリードフレームに搭載することがで
きず、搭載できる半導体チップが制限される。そこで、
本発明の目的は、リードフレーム及び半導体装置の製造
工程が簡略化でき、且つ発熱量の多い半導体チップも搭
載できる熱放散性に優れたリードフレーム及びその製造
方法並びに半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成すべく種々検討を重ねた結果、インナーリードの
変形防止用として貼着する電気絶縁性フィルムテープ１
１０に代えて、熱伝熱性に優れた金属箔を貼着すること
によって、インナーリードの変形防止及び半導体装置の
熱放散性を向上できることを見出し、本発明に到達し
た。即ち、本発明は、半導体チップと電気的に接続され
るボンディング面が形成されたインナーリードの複数本
が配設されて成るリードフレームにおいて、該インナー
リードの複数本に亘り、前記ボンディング面の反対側面
に、金属箔が電気絶縁性接着層を介し貼着されているこ
とを特徴とするリードフレームにある。
を達成すべく種々検討を重ねた結果、インナーリードの
変形防止用として貼着する電気絶縁性フィルムテープ１
１０に代えて、熱伝熱性に優れた金属箔を貼着すること
によって、インナーリードの変形防止及び半導体装置の
熱放散性を向上できることを見出し、本発明に到達し
た。即ち、本発明は、半導体チップと電気的に接続され
るボンディング面が形成されたインナーリードの複数本
が配設されて成るリードフレームにおいて、該インナー
リードの複数本に亘り、前記ボンディング面の反対側面
に、金属箔が電気絶縁性接着層を介し貼着されているこ
とを特徴とするリードフレームにある。
【０００６】また、本発明は、半導体チップと電気的に
接続されるボンディング面が形成された複数本のインナ
ーリードが配設されて成るリードフレームを成形した
後、金属箔に電気絶縁性接着層が形成されたフィルム状
体から所定形状の成形体を成形し、次いで、前記インナ
ーリードの複数本に亘り、前記ボンディング面の反対側
面に、前記成形体を貼着することを特徴とするリードフ
レームの製造方法にある。更に、リードフレームに設け
られた複数本のインナーリードと搭載された半導体チッ
プとがワイヤ等によってボンディングされた半導体装置
において、該リードフレームのインナーリードの複数本
に亘り、前記のボンディング面の反対側面に、金属箔が
電気絶縁性接着層を介して貼着されていることを特徴と
する半導体装置でもある。
接続されるボンディング面が形成された複数本のインナ
ーリードが配設されて成るリードフレームを成形した
後、金属箔に電気絶縁性接着層が形成されたフィルム状
体から所定形状の成形体を成形し、次いで、前記インナ
ーリードの複数本に亘り、前記ボンディング面の反対側
面に、前記成形体を貼着することを特徴とするリードフ
レームの製造方法にある。更に、リードフレームに設け
られた複数本のインナーリードと搭載された半導体チッ
プとがワイヤ等によってボンディングされた半導体装置
において、該リードフレームのインナーリードの複数本
に亘り、前記のボンディング面の反対側面に、金属箔が
電気絶縁性接着層を介して貼着されていることを特徴と
する半導体装置でもある。
【０００７】かかる本発明のリードフレームにおいて、
金属箔が半導体チップを搭載するステージの裏面を覆う
ように貼着されていることが、半導体チップの発熱に因
る熱の放散性を向上することができる。この際に、金属
箔の半導体チップが搭載される部分が凹部に形成されて
いることが、搭載される半導体チップとインナーリード
とのボンディング面とを略同一面にでき、ボンディング
作業性を向上できる。更に、搭載される半導体チップと
貼着された金属箔の端縁との間に狭隙が形成されている
ことが、封止樹脂が前記狭隙に進入することができパッ
ケージ割れを防止できる。また、本発明のリードフレー
ムの製造方法において、成形体がフィルム状体の打ち抜
きによって成形され、成形体の打ち抜きと同時にインナ
ーリードのボンディング面と反対側の面に貼着されるこ
とが、リードフレームの製造工程を簡略化できる。
金属箔が半導体チップを搭載するステージの裏面を覆う
ように貼着されていることが、半導体チップの発熱に因
る熱の放散性を向上することができる。この際に、金属
箔の半導体チップが搭載される部分が凹部に形成されて
いることが、搭載される半導体チップとインナーリード
とのボンディング面とを略同一面にでき、ボンディング
作業性を向上できる。更に、搭載される半導体チップと
貼着された金属箔の端縁との間に狭隙が形成されている
ことが、封止樹脂が前記狭隙に進入することができパッ
ケージ割れを防止できる。また、本発明のリードフレー
ムの製造方法において、成形体がフィルム状体の打ち抜
きによって成形され、成形体の打ち抜きと同時にインナ
ーリードのボンディング面と反対側の面に貼着されるこ
とが、リードフレームの製造工程を簡略化できる。
【０００８】
【作用】本発明によれば、従来、リードフレームを製造
する際に、インナーリードの変形防止用として貼着して
いた電気絶縁性フィルムテープに代えて、金属箔に電気
絶縁性接着層が形成されたフィルム状体から所定形状に
成形された成形体を用いるため、前記成形体がインナー
リードの変形防止用テープ及び放熱板を兼ね備える。こ
のため、電気絶縁性フィルムテープの貼着及び放熱板の
挿入を不要にでき、リードフレームの製造工程の簡略化
を図ることができる。また、半導体チップ又は半導体チ
ップを搭載するステージ等と金属箔との間には薄膜状の
電気絶縁性接着層が存在するのみであるため、半導体チ
ップの発熱に因る熱の金属箔への伝熱及び金属箔からイ
ンナーリードへの伝熱を共に良好にでき、半導体装置の
熱放散性を向上できるのである。
する際に、インナーリードの変形防止用として貼着して
いた電気絶縁性フィルムテープに代えて、金属箔に電気
絶縁性接着層が形成されたフィルム状体から所定形状に
成形された成形体を用いるため、前記成形体がインナー
リードの変形防止用テープ及び放熱板を兼ね備える。こ
のため、電気絶縁性フィルムテープの貼着及び放熱板の
挿入を不要にでき、リードフレームの製造工程の簡略化
を図ることができる。また、半導体チップ又は半導体チ
ップを搭載するステージ等と金属箔との間には薄膜状の
電気絶縁性接着層が存在するのみであるため、半導体チ
ップの発熱に因る熱の金属箔への伝熱及び金属箔からイ
ンナーリードへの伝熱を共に良好にでき、半導体装置の
熱放散性を向上できるのである。
【０００９】
【実施例】本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例であるリードフレームを示す
正面図である。図１のリードフレーム１０の一面側に
は、先端がステージ１６を取り囲むように形成されたイ
ンナーリード１２・・・とステージ１６とに亘って、矩
形に形成された成形体２８が貼着されている。この成形
体２８は、図２に示す様に、銅箔３０の一面に電気絶縁
性接着層３２（以下、接着層３２と称することがある）
が形成されているものである。また、かかる成形体２８
は、半導体チップ２０を搭載したステージ１６の下面側
及びインナーリード１２・・・のボンディング面の反対
側面に成形体２８を構成する接着層３２を介して貼着さ
れている。このため、銅箔３０とワイヤ２２やインナー
リード１２等との接触を避けることができる。
図１は、本発明の一実施例であるリードフレームを示す
正面図である。図１のリードフレーム１０の一面側に
は、先端がステージ１６を取り囲むように形成されたイ
ンナーリード１２・・・とステージ１６とに亘って、矩
形に形成された成形体２８が貼着されている。この成形
体２８は、図２に示す様に、銅箔３０の一面に電気絶縁
性接着層３２（以下、接着層３２と称することがある）
が形成されているものである。また、かかる成形体２８
は、半導体チップ２０を搭載したステージ１６の下面側
及びインナーリード１２・・・のボンディング面の反対
側面に成形体２８を構成する接着層３２を介して貼着さ
れている。このため、銅箔３０とワイヤ２２やインナー
リード１２等との接触を避けることができる。
【００１０】図１に示すリードフレーム１０は、プレス
加工によってリードフレーム１０を成形した後、銅箔３
０に電気絶縁性接着層３２が形成されたフィルム状体か
ら矩形の成形体２８を成形し、次いで、先端がステージ
１６を囲むように形成されたインナーリード１２・・・
のボンディング面の反対側面に、成形体２８を貼着する
ことよって製造できる。本実施例においては、成形体２
８の成形をフィルム状体を打ち抜くことによって行い、
成形体２８の打ち抜きと同時にインナーリード１２に貼
着する。かかる成形体２８の成形及び貼着は、特開昭６
１ー１７９５５９号公報において提案されたリードフレ
ーム用テープ貼着装置によって行うことができる。
加工によってリードフレーム１０を成形した後、銅箔３
０に電気絶縁性接着層３２が形成されたフィルム状体か
ら矩形の成形体２８を成形し、次いで、先端がステージ
１６を囲むように形成されたインナーリード１２・・・
のボンディング面の反対側面に、成形体２８を貼着する
ことよって製造できる。本実施例においては、成形体２
８の成形をフィルム状体を打ち抜くことによって行い、
成形体２８の打ち抜きと同時にインナーリード１２に貼
着する。かかる成形体２８の成形及び貼着は、特開昭６
１ー１７９５５９号公報において提案されたリードフレ
ーム用テープ貼着装置によって行うことができる。
【００１１】この様にしてインナーリード１２に貼着し
た成形体２８は、インナーリード１２の各々を固定して
変形防止を図ることができる。このため、従来、インナ
ーリード１２の変形防止用として貼着していた電気絶縁
性フィルムテープを貼着する必要はない。得られたリー
ドフレーム１０は、ステージ１６に搭載された半導体チ
ップ２０とインナーリード１２先端のボンディング面と
がワイヤ２２でボンディングされ電気的に接続された
後、インナーリード１２及び半導体チップ２０を含む部
分が樹脂によって封止される。かかるボンディングの際
に、インナーリード１２のボンディング面を含む先端部
が成形体２８の貼着によって固定されているため、良好
にワイヤボンディングを行うことができる。更に、本実
施例においては、放熱用の銅箔３０が一面に形成された
成形体２８がインナーリード１２に貼着されているた
め、樹脂封止の際に、従来の如く、放熱板を挿入する操
作を不要にできる。
た成形体２８は、インナーリード１２の各々を固定して
変形防止を図ることができる。このため、従来、インナ
ーリード１２の変形防止用として貼着していた電気絶縁
性フィルムテープを貼着する必要はない。得られたリー
ドフレーム１０は、ステージ１６に搭載された半導体チ
ップ２０とインナーリード１２先端のボンディング面と
がワイヤ２２でボンディングされ電気的に接続された
後、インナーリード１２及び半導体チップ２０を含む部
分が樹脂によって封止される。かかるボンディングの際
に、インナーリード１２のボンディング面を含む先端部
が成形体２８の貼着によって固定されているため、良好
にワイヤボンディングを行うことができる。更に、本実
施例においては、放熱用の銅箔３０が一面に形成された
成形体２８がインナーリード１２に貼着されているた
め、樹脂封止の際に、従来の如く、放熱板を挿入する操
作を不要にできる。
【００１２】この様にして得られた半導体装置において
は、図２に示す様に、銅箔３０が半導体チップ２０を搭
載したステージ１６の下面及びインナーリード１２の下
面に接着層３２を介して貼着されている。このため、半
導体チップ２０の発熱に因る熱の多くは、ステージ１６
及び接着層１６を介して銅箔３０に伝熱され、更に銅箔
３０を介してインナーリード１２及びアウターリード１
４に伝熱されて半導体装置外に良好に放散される。尚、
熱の一部は、封止樹脂層２６に伝熱されて半導体装置外
に放散される。ところで、樹脂の熱伝導性は、一般的
に、銅等の金属に比較して劣るため、図８に示す如く、
放熱板２４とステージ１６やインナーリード１２との間
の間隙に封止樹脂が進入している場合、これらの間の伝
熱が律速となり、半導体装置の熱放散性が劣る。この
点、図２に示す半導体装置においては、ステージ１６と
銅箔３０との間には、薄膜状の接着層３２のみが存在す
るに過ぎず、前記伝熱の律速段階を実質的に解消するこ
とができ、半導体装置の熱放散性能を向上できる。
は、図２に示す様に、銅箔３０が半導体チップ２０を搭
載したステージ１６の下面及びインナーリード１２の下
面に接着層３２を介して貼着されている。このため、半
導体チップ２０の発熱に因る熱の多くは、ステージ１６
及び接着層１６を介して銅箔３０に伝熱され、更に銅箔
３０を介してインナーリード１２及びアウターリード１
４に伝熱されて半導体装置外に良好に放散される。尚、
熱の一部は、封止樹脂層２６に伝熱されて半導体装置外
に放散される。ところで、樹脂の熱伝導性は、一般的
に、銅等の金属に比較して劣るため、図８に示す如く、
放熱板２４とステージ１６やインナーリード１２との間
の間隙に封止樹脂が進入している場合、これらの間の伝
熱が律速となり、半導体装置の熱放散性が劣る。この
点、図２に示す半導体装置においては、ステージ１６と
銅箔３０との間には、薄膜状の接着層３２のみが存在す
るに過ぎず、前記伝熱の律速段階を実質的に解消するこ
とができ、半導体装置の熱放散性能を向上できる。
【００１３】図１及び図２に示す成形体２８は、その面
積が広い程、半導体装置の熱放散性を向上できるが、成
形体２８は封止樹脂層２６を上下に二分割するような位
置に貼着されているため、成形体２８と封止樹脂２６と
の境界面に剥離等が発生して封止樹脂２６に亀裂が発生
するパッケージ割れの原因となり易い。かかるパッケー
ジ割れは、成形体２８に小孔、スリット、又は切欠を形
成して成形体２８によって分割される封止樹脂２６を上
下一体に連結することによって防止できる。また、図３
及び図４に示す様に、半導体チップ２０が搭載されたス
テージ１６の端縁とインナーリード１２に貼着された成
形体２８の端縁との間に、狭隙３４を形成してもよい。
かかる狭隙３４に進入した封止樹脂によって、成形体２
８で分割される封止樹脂２６間を連結でき、パッケージ
割れを防止できる。
積が広い程、半導体装置の熱放散性を向上できるが、成
形体２８は封止樹脂層２６を上下に二分割するような位
置に貼着されているため、成形体２８と封止樹脂２６と
の境界面に剥離等が発生して封止樹脂２６に亀裂が発生
するパッケージ割れの原因となり易い。かかるパッケー
ジ割れは、成形体２８に小孔、スリット、又は切欠を形
成して成形体２８によって分割される封止樹脂２６を上
下一体に連結することによって防止できる。また、図３
及び図４に示す様に、半導体チップ２０が搭載されたス
テージ１６の端縁とインナーリード１２に貼着された成
形体２８の端縁との間に、狭隙３４を形成してもよい。
かかる狭隙３４に進入した封止樹脂によって、成形体２
８で分割される封止樹脂２６間を連結でき、パッケージ
割れを防止できる。
【００１４】一方、図４に示す半導体装置では、ステー
ジ１６の端縁と成形体２８の端縁との狭隙３４に進入し
た封止樹脂によって、ステージ１６と銅箔３０との間の
伝熱性が低下するが、成形体２８とインナーリード１２
とが接触しているため、成形体２８の銅箔３０とインナ
ーリード１２との間の伝熱性が良好である。このため、
図４に示す半導体装置の熱放散性は、図８に示す従来の
半導体装置に比較して向上されている。図４に示す半導
体装置においても、狭隙３４を可及的に狭くして約０．
１ｍｍ程度とすることによって、ステージ１６と銅箔３
０との間の伝熱性を良好にでき、図２に示す半導体装置
と略同程度の熱放散性を呈することができる。
ジ１６の端縁と成形体２８の端縁との狭隙３４に進入し
た封止樹脂によって、ステージ１６と銅箔３０との間の
伝熱性が低下するが、成形体２８とインナーリード１２
とが接触しているため、成形体２８の銅箔３０とインナ
ーリード１２との間の伝熱性が良好である。このため、
図４に示す半導体装置の熱放散性は、図８に示す従来の
半導体装置に比較して向上されている。図４に示す半導
体装置においても、狭隙３４を可及的に狭くして約０．
１ｍｍ程度とすることによって、ステージ１６と銅箔３
０との間の伝熱性を良好にでき、図２に示す半導体装置
と略同程度の熱放散性を呈することができる。
【００１５】図２及び図４に示す半導体装置において
は、半導体チップ２０の上面とインナーリード１２のボ
ンディング面との高さ位置が異なるが、ボンディング性
の向上のためには、この高さ位置を略同一高さにするこ
とが好ましい。このため、図５に示す様に、成形体２８
を凹部に成形してからインナーリード１２に貼着するこ
とによって、半導体チップ２０の上面とインナーリード
１２のボンディング面との高さ位置を略同一高さにする
ことができる。かかる凹部の成形は、成形体２８をプレ
ス加工によって所定形状に成形することができる。
は、半導体チップ２０の上面とインナーリード１２のボ
ンディング面との高さ位置が異なるが、ボンディング性
の向上のためには、この高さ位置を略同一高さにするこ
とが好ましい。このため、図５に示す様に、成形体２８
を凹部に成形してからインナーリード１２に貼着するこ
とによって、半導体チップ２０の上面とインナーリード
１２のボンディング面との高さ位置を略同一高さにする
ことができる。かかる凹部の成形は、成形体２８をプレ
ス加工によって所定形状に成形することができる。
【００１６】尚、図５に示す半導体装置において、パッ
ケージ割れのおそれが在るならば、図６に示す様に、成
形体２８の周縁に切欠部４３を複数箇所形成したり、或
いは小孔やスリットを成形することによって防止でき
る。以上、述べてきた本実施例において、使用してきた
成形体２８の銅箔３０の厚さは、０．０３５〜０．３ｍ
ｍ程度である。また、本実施例の成形体２８は、電気絶
縁性接着層３２を銅箔３０に直接形成しているが、銅箔
３０と電気絶縁性接着層３２との間に、更に電気絶縁性
を有する絶縁層を介在して電気的絶縁性を確保してもよ
い。更に、銅箔３０に代えて熱伝導性に優れた金属箔、
例えばアルミニウム箔等を使用してもよい。
ケージ割れのおそれが在るならば、図６に示す様に、成
形体２８の周縁に切欠部４３を複数箇所形成したり、或
いは小孔やスリットを成形することによって防止でき
る。以上、述べてきた本実施例において、使用してきた
成形体２８の銅箔３０の厚さは、０．０３５〜０．３ｍ
ｍ程度である。また、本実施例の成形体２８は、電気絶
縁性接着層３２を銅箔３０に直接形成しているが、銅箔
３０と電気絶縁性接着層３２との間に、更に電気絶縁性
を有する絶縁層を介在して電気的絶縁性を確保してもよ
い。更に、銅箔３０に代えて熱伝導性に優れた金属箔、
例えばアルミニウム箔等を使用してもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレーム及び半
導体装置の製造工程を簡略化できるため、得られるリー
ドフレーム及び半導体装置の製造コストを低減できる。
また、半導体装置の熱放散性を向上できるため、半導体
チップの発熱に因る熱の蓄積に起因する、半導体チップ
の誤動作をなくして半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
導体装置の製造工程を簡略化できるため、得られるリー
ドフレーム及び半導体装置の製造コストを低減できる。
また、半導体装置の熱放散性を向上できるため、半導体
チップの発熱に因る熱の蓄積に起因する、半導体チップ
の誤動作をなくして半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
【図１】本発明の一実施例を示す正面図である。
【図２】図１のリードフレームを使用した半導体装置の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図３】本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す正面図である。
す正面図である。
【図４】図３のリードフレームを使用した半導体装置の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の他の実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図６】図５に示す半導体装置に使用される成形体２８
の一例を示す正面図である。
の一例を示す正面図である。
１０ リードフレーム １２ インナーリード ２０ 半導体チップ ２２ ワイヤ ２８ 成形体 ３０ 銅箔 ３２ 電気絶縁性接着層 ３４ 狭隙
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図７
【補正方法】追加
【補正内容】
【図７】従来のリードフレームを示す正面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】追加
【補正内容】
【図８】図７の従来のリードフレームを使用した半導体
装置の部分断面図である。
装置の部分断面図である。
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップと電気的に接続されるボン
ディング面が形成されたインナーリードの複数本が配設
されて成るリードフレームにおいて、 該インナーリードの複数本に亘り、前記ボンディング面
の反対側面に、金属箔が電気絶縁性接着層を介し貼着さ
れていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 金属箔が半導体チップを搭載するステー
ジの裏面を覆うように貼着されている請求項１記載のリ
ードフレーム。 - 【請求項３】 金属箔の半導体チップが搭載される部分
が凹部に形成されている請求項１又は請求項２記載のリ
ードフレーム。 - 【請求項４】 半導体チップを搭載するステージの端縁
と貼着された金属箔の端縁との間に狭隙が形成されてい
る請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項５】 半導体チップと電気的に接続されるボン
ディング面が形成された複数本のインナーリードが配設
されて成るリードフレームを成形した後、 金属箔に電気絶縁性接着層が形成されたフィルム状体か
ら所定形状の成形体を成形し、 次いで、前記インナーリードの複数本に亘り、前記ボン
ディング面の反対側面に、前記成形体を貼着することを
特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項６】 成形体がフィルム状体の打ち抜きによっ
て成形され、成形体の打ち抜きと同時にインナーリード
のボンディング面の反対側面に貼着される請求項４記載
のリードフレームの製造方法。 - 【請求項７】 リードフレームに設けられた複数本のイ
ンナーリードと搭載された半導体チップとがワイヤ等に
よってボンディングされた半導体装置において、 該リードフレームのインナーリードの複数本に亘り、前
記のボンディング面の反対側面に、金属箔が電気絶縁性
接着層を介して貼着されていることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5432392A JP2928421B2 (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5432392A JP2928421B2 (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218284A true JPH05218284A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2928421B2 JP2928421B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=12967382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5432392A Expired - Lifetime JP2928421B2 (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2928421B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006056240A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-03-02 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置 |
-
1992
- 1992-02-05 JP JP5432392A patent/JP2928421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006056240A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-03-02 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2928421B2 (ja) | 1999-08-03 |
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