JP2928421B2 - リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置Info
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びその
製造方法並びに半導体装置に関し、更に詳細には熱放散
性が改善されたリードフレーム及びその製造方法並びに
半導体装置に関する。
製造方法並びに半導体装置に関し、更に詳細には熱放散
性が改善されたリードフレーム及びその製造方法並びに
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置用のリードフレームに
おいては、半導体チップの高集積化の進展等に伴い、搭
載される半導体チップとワイヤ等で電気的に接続される
インナーリードの高密度化も進展している。かかるイン
ナーリードの高密度化に伴い、インナーリードが微細化
されるため、インナーリードの強度も低下して外力に対
して変形し易くなり、変形したインナーリードはボンデ
ィング性が低下する。このため、従来は、図７に示す如
く、先端がリードフレーム１０のステージ１６を取り囲
むように設けられた複数本のインナーリード１２を、電
気絶縁性フィルムテープ１１０の貼着によって固定し、
インナーリード１２・・・の捩じれや位置ずれ等の変形
を防止している。尚、図７に示すリードフレーム１０に
おいては、インナーリード１２・・・の各々とアウター
リード１４・・・の各々との境界に、ダムバー１８、１
８が形成されており、樹脂封止の際に、樹脂がアウター
リード１４側へ漏洩することを防止している。
おいては、半導体チップの高集積化の進展等に伴い、搭
載される半導体チップとワイヤ等で電気的に接続される
インナーリードの高密度化も進展している。かかるイン
ナーリードの高密度化に伴い、インナーリードが微細化
されるため、インナーリードの強度も低下して外力に対
して変形し易くなり、変形したインナーリードはボンデ
ィング性が低下する。このため、従来は、図７に示す如
く、先端がリードフレーム１０のステージ１６を取り囲
むように設けられた複数本のインナーリード１２を、電
気絶縁性フィルムテープ１１０の貼着によって固定し、
インナーリード１２・・・の捩じれや位置ずれ等の変形
を防止している。尚、図７に示すリードフレーム１０に
おいては、インナーリード１２・・・の各々とアウター
リード１４・・・の各々との境界に、ダムバー１８、１
８が形成されており、樹脂封止の際に、樹脂がアウター
リード１４側へ漏洩することを防止している。
【０００３】この様な図７に示すリードフレーム１０に
半導体チップが搭載され且つ樹脂封止された半導体装置
においては、半導体チップの発熱に因る熱を半導体装置
外に可及的速やかに放散し半導体チップの誤動作を防止
する必要がある。このため、従来においては、図８に示
す如く、金属製の放熱板２４を半導体チップ２０が搭載
されたステージ１６の下方に設ける。この放熱板２４
は、通常、樹脂封止の際に挿入されるため、ステージ１
６との間の隙間に封止樹脂が充填されている。
半導体チップが搭載され且つ樹脂封止された半導体装置
においては、半導体チップの発熱に因る熱を半導体装置
外に可及的速やかに放散し半導体チップの誤動作を防止
する必要がある。このため、従来においては、図８に示
す如く、金属製の放熱板２４を半導体チップ２０が搭載
されたステージ１６の下方に設ける。この放熱板２４
は、通常、樹脂封止の際に挿入されるため、ステージ１
６との間の隙間に封止樹脂が充填されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の図７に示すリー
ドフレーム１０及び図８に示す半導体装置によって、リ
ードフレーム１０のインナーリード１２の変形を防止し
つつ半導体装置を製造できると共に、半導体チップ２０
の発熱に因る熱を半導体装置外に放散できる。しかしな
がら、図８に示す如く、インナーリード１２の変形防止
用としての電気絶縁性フィルムテープ１１０の貼着作業
及び放熱板２４の挿入作業の各々を別工程で行うことを
要し、リードフレーム及び半導体装置の製造工程を複雑
にしている。また、従来の放熱板２４と半導体チップ２
０が搭載されたステージ１６との間隙に、熱伝導性が金
属よりも劣る封止樹脂が進入しており、半導体装置の熱
放散性が不充分である。このため、発熱量の多い半導体
チップを図７に示すリードフレームに搭載することがで
きず、搭載できる半導体チップが制限される。そこで、
本発明の目的は、リードフレーム及び半導体装置の製造
工程が簡略化でき、且つ発熱量の多い半導体チップも搭
載できる熱放散性に優れたリードフレーム及びその製造
方法並びに半導体装置を提供することにある。
ドフレーム１０及び図８に示す半導体装置によって、リ
ードフレーム１０のインナーリード１２の変形を防止し
つつ半導体装置を製造できると共に、半導体チップ２０
の発熱に因る熱を半導体装置外に放散できる。しかしな
がら、図８に示す如く、インナーリード１２の変形防止
用としての電気絶縁性フィルムテープ１１０の貼着作業
及び放熱板２４の挿入作業の各々を別工程で行うことを
要し、リードフレーム及び半導体装置の製造工程を複雑
にしている。また、従来の放熱板２４と半導体チップ２
０が搭載されたステージ１６との間隙に、熱伝導性が金
属よりも劣る封止樹脂が進入しており、半導体装置の熱
放散性が不充分である。このため、発熱量の多い半導体
チップを図７に示すリードフレームに搭載することがで
きず、搭載できる半導体チップが制限される。そこで、
本発明の目的は、リードフレーム及び半導体装置の製造
工程が簡略化でき、且つ発熱量の多い半導体チップも搭
載できる熱放散性に優れたリードフレーム及びその製造
方法並びに半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成すべく種々検討を重ねた結果、インナーリードの
変形防止用として貼着する電気絶縁性フィルムテープ１
１０に代えて、熱伝熱性に優れた金属箔を貼着すること
によって、インナーリードの変形防止及び半導体装置の
熱放散性を向上できることを見出し、本発明に到達し
た。すなわち、本発明は、搭載される半導体チップと電
気的に接続されるボンディング面を備えた複数本のイン
ナーリードと、前記インナーリードの各々から延在され
たアウターリードとが形成されて成るリードフレームに
おいて、該複数本のインナーリードに亘って、前記ボン
ディング面の反対側の面を覆うように、前記インナーリ
ードが形成された領域内に配設された金属箔が、前記金
属箔によって覆われたインナーリードの全面に電気絶縁
性接着層を介して貼着されていることを特徴とするリー
ドフレームにある。
を達成すべく種々検討を重ねた結果、インナーリードの
変形防止用として貼着する電気絶縁性フィルムテープ１
１０に代えて、熱伝熱性に優れた金属箔を貼着すること
によって、インナーリードの変形防止及び半導体装置の
熱放散性を向上できることを見出し、本発明に到達し
た。すなわち、本発明は、搭載される半導体チップと電
気的に接続されるボンディング面を備えた複数本のイン
ナーリードと、前記インナーリードの各々から延在され
たアウターリードとが形成されて成るリードフレームに
おいて、該複数本のインナーリードに亘って、前記ボン
ディング面の反対側の面を覆うように、前記インナーリ
ードが形成された領域内に配設された金属箔が、前記金
属箔によって覆われたインナーリードの全面に電気絶縁
性接着層を介して貼着されていることを特徴とするリー
ドフレームにある。
【０００６】また、本発明は、搭載される半導体チップ
と電気的に接続されるボンディング面を備えた複数本の
インナーリードと、前記インナーリードの各々から延在
されたアウターリードとが形成されて成るリードフレー
ムと、金属箔に電気絶縁性接着層が形成されたフィルム
状体から形成されて成る所定形状の成形体とを形成した
後、前記複数本のインナーリードに亘って、前記ボンデ
ィング面の反対側の面を覆うように、前記インナーリー
ドが形成された領域内に前記成形体を配設し、前記成形
体によって覆われたインナーリードの全面に、前記成形
体の電気絶縁性接着層を介して金属箔を貼着することを
特徴とするリードフレームの製造方法にある。更に、複
数本のインナーリードと、前記インナーリードの各々か
ら延在されたアウターリードとが形成されて成るリード
フレームに搭載された半導体チップが、前記複数本のイ
ンナーリードのボンディング面とワイヤ等によって電気
的に接続された半導体装置において、該複数本のインナ
ーリードに亘って、前記ボンディング面の反対側の面を
覆うように、前記インナーリードが形成された領域内に
配設された金属箔が、前記金属箔によって覆われたイン
ナーリードの全面に電気絶縁性接着層を介して貼着され
ていることを特徴とする半導体装置でもある。
と電気的に接続されるボンディング面を備えた複数本の
インナーリードと、前記インナーリードの各々から延在
されたアウターリードとが形成されて成るリードフレー
ムと、金属箔に電気絶縁性接着層が形成されたフィルム
状体から形成されて成る所定形状の成形体とを形成した
後、前記複数本のインナーリードに亘って、前記ボンデ
ィング面の反対側の面を覆うように、前記インナーリー
ドが形成された領域内に前記成形体を配設し、前記成形
体によって覆われたインナーリードの全面に、前記成形
体の電気絶縁性接着層を介して金属箔を貼着することを
特徴とするリードフレームの製造方法にある。更に、複
数本のインナーリードと、前記インナーリードの各々か
ら延在されたアウターリードとが形成されて成るリード
フレームに搭載された半導体チップが、前記複数本のイ
ンナーリードのボンディング面とワイヤ等によって電気
的に接続された半導体装置において、該複数本のインナ
ーリードに亘って、前記ボンディング面の反対側の面を
覆うように、前記インナーリードが形成された領域内に
配設された金属箔が、前記金属箔によって覆われたイン
ナーリードの全面に電気絶縁性接着層を介して貼着され
ていることを特徴とする半導体装置でもある。
【０００７】かかる本発明のリードフレームにおいて、
搭載される半導体チップの底面側下方を覆うように、金
属箔を貼着することによって、半導体チップの発熱に因
る熱の放散性を向上することができる。この際に、搭載
される半導体チップの底面側下方を覆うように貼着した
金属箔に、封止樹脂が通過し得る切欠等の樹脂通路を形
成することにより、封止樹脂に亀裂が発生するパッケー
ジ割れを防止できる。 一方、リング状に形成した金属箔
を複数本のインナーリードに亘って貼着する場合、イン
ナーリードに貼着したリング状の金属箔の端縁と半導体
チップを搭載するステージの端縁との間に封止樹脂が通
過し得る狭隙を形成することにより、封止樹脂が前記狭
隙に進入することができパッケージ割れを防止できる。
また、本発明のリードフレームの製造方法において、フ
ィルム状体から打ち抜きによって所定形状の成形体を形
成し、成形体の打ち抜きと同時にインナーリードのボン
ディング面の反対側の面に貼着することによって、リー
ドフレームの製造工程を簡略化できる。更に、金属箔と
電気絶縁性接着層との間に、電気絶縁性を有する絶縁層
を介在させることによって、電気絶縁性を確実に確保で
きる。
搭載される半導体チップの底面側下方を覆うように、金
属箔を貼着することによって、半導体チップの発熱に因
る熱の放散性を向上することができる。この際に、搭載
される半導体チップの底面側下方を覆うように貼着した
金属箔に、封止樹脂が通過し得る切欠等の樹脂通路を形
成することにより、封止樹脂に亀裂が発生するパッケー
ジ割れを防止できる。 一方、リング状に形成した金属箔
を複数本のインナーリードに亘って貼着する場合、イン
ナーリードに貼着したリング状の金属箔の端縁と半導体
チップを搭載するステージの端縁との間に封止樹脂が通
過し得る狭隙を形成することにより、封止樹脂が前記狭
隙に進入することができパッケージ割れを防止できる。
また、本発明のリードフレームの製造方法において、フ
ィルム状体から打ち抜きによって所定形状の成形体を形
成し、成形体の打ち抜きと同時にインナーリードのボン
ディング面の反対側の面に貼着することによって、リー
ドフレームの製造工程を簡略化できる。更に、金属箔と
電気絶縁性接着層との間に、電気絶縁性を有する絶縁層
を介在させることによって、電気絶縁性を確実に確保で
きる。
【０００８】
【作用】本発明によれば、従来、リードフレームを製造
する際に、インナーリードの変形防止用として貼着して
いた電気絶縁性フィルムテープに代えて、金属箔に電気
絶縁性接着層が形成されたフィルム状体から所定形状に
形成（以下、成形と称することがある）された成形体を
用いるため、この成形体がインナーリードの変形防止用
テープ及び放熱板を兼ね備える。このため、電気絶縁性
フィルムテープの貼着及び放熱板の挿入を不要にでき、
リードフレームの製造工程の簡略化を図ることができ
る。また、半導体チップ又は半導体チップを搭載するス
テージ等と金属箔との間には薄膜状の電気絶縁性接着層
が存在するのみであるため、半導体チップの発熱に因る
熱の金属箔への伝熱及び金属箔からインナーリードへの
伝熱を共に良好にでき、半導体装置の熱放散性を向上で
きるのである。
する際に、インナーリードの変形防止用として貼着して
いた電気絶縁性フィルムテープに代えて、金属箔に電気
絶縁性接着層が形成されたフィルム状体から所定形状に
形成（以下、成形と称することがある）された成形体を
用いるため、この成形体がインナーリードの変形防止用
テープ及び放熱板を兼ね備える。このため、電気絶縁性
フィルムテープの貼着及び放熱板の挿入を不要にでき、
リードフレームの製造工程の簡略化を図ることができ
る。また、半導体チップ又は半導体チップを搭載するス
テージ等と金属箔との間には薄膜状の電気絶縁性接着層
が存在するのみであるため、半導体チップの発熱に因る
熱の金属箔への伝熱及び金属箔からインナーリードへの
伝熱を共に良好にでき、半導体装置の熱放散性を向上で
きるのである。
【０００９】
【実施例】本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例であるリードフレームを示す
正面図である。図１のリードフレーム１０の一面側に
は、先端がステージ１６を取り囲むように形成されたイ
ンナーリード１２・・・とステージ１６とに亘って、矩
形に形成された成形体２８が貼着されている。この成形
体２８は、図２に示す様に、銅箔３０の一面に電気絶縁
性接着層３２（以下、接着層３２と称することがある）
が形成されているものである。また、かかる成形体２８
は、半導体チップ２０を搭載したステージ１６の下面側
及びインナーリード１２・・・のボンディング面の反対
側面に成形体２８を構成する接着層３２を介して貼着さ
れている。このため、銅箔３０とワイヤ２２やインナー
リード１２等との接触を避けることができる。
図１は、本発明の一実施例であるリードフレームを示す
正面図である。図１のリードフレーム１０の一面側に
は、先端がステージ１６を取り囲むように形成されたイ
ンナーリード１２・・・とステージ１６とに亘って、矩
形に形成された成形体２８が貼着されている。この成形
体２８は、図２に示す様に、銅箔３０の一面に電気絶縁
性接着層３２（以下、接着層３２と称することがある）
が形成されているものである。また、かかる成形体２８
は、半導体チップ２０を搭載したステージ１６の下面側
及びインナーリード１２・・・のボンディング面の反対
側面に成形体２８を構成する接着層３２を介して貼着さ
れている。このため、銅箔３０とワイヤ２２やインナー
リード１２等との接触を避けることができる。
【００１０】図１に示すリードフレーム１０は、プレス
加工によってリードフレーム１０を成形した後、銅箔３
０に電気絶縁性接着層３２が形成されたフィルム状体か
ら矩形の成形体２８を成形し、次いで、先端がステージ
１６を囲むように形成されたインナーリード１２・・・
のボンディング面の反対側面に、成形体２８を貼着する
ことよって製造できる。本実施例においては、成形体２
８の成形をフィルム状体を打ち抜くことによって行い、
成形体２８の打ち抜きと同時にインナーリード１２に貼
着する。かかる成形体２８の成形及び貼着は、特開昭６
１ー１７９５５９号公報において提案されたリードフレ
ーム用テープ貼着装置によって行うことができる。
加工によってリードフレーム１０を成形した後、銅箔３
０に電気絶縁性接着層３２が形成されたフィルム状体か
ら矩形の成形体２８を成形し、次いで、先端がステージ
１６を囲むように形成されたインナーリード１２・・・
のボンディング面の反対側面に、成形体２８を貼着する
ことよって製造できる。本実施例においては、成形体２
８の成形をフィルム状体を打ち抜くことによって行い、
成形体２８の打ち抜きと同時にインナーリード１２に貼
着する。かかる成形体２８の成形及び貼着は、特開昭６
１ー１７９５５９号公報において提案されたリードフレ
ーム用テープ貼着装置によって行うことができる。
【００１１】この様にしてインナーリード１２に貼着し
た成形体２８は、インナーリード１２の各々を固定して
変形防止を図ることができる。このため、従来、インナ
ーリード１２の変形防止用として貼着していた電気絶縁
性フィルムテープを貼着する必要はない。得られたリー
ドフレーム１０は、ステージ１６に搭載された半導体チ
ップ２０とインナーリード１２先端のボンディング面と
がワイヤ２２でボンディングされ電気的に接続された
後、インナーリード１２及び半導体チップ２０を含む部
分が樹脂によって封止される。かかるボンディングの際
に、インナーリード１２のボンディング面を含む先端部
が成形体２８の貼着によって固定されているため、良好
にワイヤボンディングを行うことができる。更に、本実
施例においては、放熱用の銅箔３０が一面に形成された
成形体２８がインナーリード１２に貼着されているた
め、樹脂封止の際に、従来の如く、放熱板を挿入する操
作を不要にできる。
た成形体２８は、インナーリード１２の各々を固定して
変形防止を図ることができる。このため、従来、インナ
ーリード１２の変形防止用として貼着していた電気絶縁
性フィルムテープを貼着する必要はない。得られたリー
ドフレーム１０は、ステージ１６に搭載された半導体チ
ップ２０とインナーリード１２先端のボンディング面と
がワイヤ２２でボンディングされ電気的に接続された
後、インナーリード１２及び半導体チップ２０を含む部
分が樹脂によって封止される。かかるボンディングの際
に、インナーリード１２のボンディング面を含む先端部
が成形体２８の貼着によって固定されているため、良好
にワイヤボンディングを行うことができる。更に、本実
施例においては、放熱用の銅箔３０が一面に形成された
成形体２８がインナーリード１２に貼着されているた
め、樹脂封止の際に、従来の如く、放熱板を挿入する操
作を不要にできる。
【００１２】この様にして得られた半導体装置において
は、図２に示す様に、銅箔３０が半導体チップ２０を搭
載したステージ１６の下面及びインナーリード１２の下
面に接着層３２を介して貼着されている。このため、半
導体チップ２０の発熱に因る熱の多くは、ステージ１６
及び接着層１６を介して銅箔３０に伝熱され、更に銅箔
３０を介してインナーリード１２及びアウターリード１
４に伝熱されて半導体装置外に良好に放散される。尚、
熱の一部は、封止樹脂層２６に伝熱されて半導体装置外
に放散される。ところで、樹脂の熱伝導性は、一般的
に、銅等の金属に比較して劣るため、図８に示す如く、
放熱板２４とステージ１６やインナーリード１２との間
の間隙に封止樹脂が進入している場合、これらの間の伝
熱が律速となり、半導体装置の熱放散性が劣る。この
点、図２に示す半導体装置においては、ステージ１６と
銅箔３０との間には、薄膜状の接着層３２のみが存在す
るに過ぎず、前記伝熱の律速段階を実質的に解消するこ
とができ、半導体装置の熱放散性能を向上できる。
は、図２に示す様に、銅箔３０が半導体チップ２０を搭
載したステージ１６の下面及びインナーリード１２の下
面に接着層３２を介して貼着されている。このため、半
導体チップ２０の発熱に因る熱の多くは、ステージ１６
及び接着層１６を介して銅箔３０に伝熱され、更に銅箔
３０を介してインナーリード１２及びアウターリード１
４に伝熱されて半導体装置外に良好に放散される。尚、
熱の一部は、封止樹脂層２６に伝熱されて半導体装置外
に放散される。ところで、樹脂の熱伝導性は、一般的
に、銅等の金属に比較して劣るため、図８に示す如く、
放熱板２４とステージ１６やインナーリード１２との間
の間隙に封止樹脂が進入している場合、これらの間の伝
熱が律速となり、半導体装置の熱放散性が劣る。この
点、図２に示す半導体装置においては、ステージ１６と
銅箔３０との間には、薄膜状の接着層３２のみが存在す
るに過ぎず、前記伝熱の律速段階を実質的に解消するこ
とができ、半導体装置の熱放散性能を向上できる。
【００１３】図１及び図２に示す成形体２８は、その面
積が広い程、半導体装置の熱放散性を向上できるが、成
形体２８は封止樹脂層２６を上下に二分割するような位
置に貼着されているため、成形体２８と封止樹脂２６と
の境界面に剥離等が発生して封止樹脂２６に亀裂が発生
するパッケージ割れの原因となり易い。かかるパッケー
ジ割れは、成形体２８に小孔、スリット、又は切欠等の
樹脂が通過し得る樹脂通路を形成することによって防止
できる。樹脂通路に進入した封止樹脂により成形体２８
で分割される封止樹脂２６を上下一体に連結できるため
である。また、図３及び図４に示す様に、半導体チップ
２０が搭載されたステージ１６の端縁とインナーリード
１２に貼着された成形体２８の端縁との間に、狭隙３４
を形成してもよい。かかる狭隙３４に進入した封止樹脂
によって、成形体２８で分割される封止樹脂２６間を連
結でき、パッケージ割れを防止できる。
積が広い程、半導体装置の熱放散性を向上できるが、成
形体２８は封止樹脂層２６を上下に二分割するような位
置に貼着されているため、成形体２８と封止樹脂２６と
の境界面に剥離等が発生して封止樹脂２６に亀裂が発生
するパッケージ割れの原因となり易い。かかるパッケー
ジ割れは、成形体２８に小孔、スリット、又は切欠等の
樹脂が通過し得る樹脂通路を形成することによって防止
できる。樹脂通路に進入した封止樹脂により成形体２８
で分割される封止樹脂２６を上下一体に連結できるため
である。また、図３及び図４に示す様に、半導体チップ
２０が搭載されたステージ１６の端縁とインナーリード
１２に貼着された成形体２８の端縁との間に、狭隙３４
を形成してもよい。かかる狭隙３４に進入した封止樹脂
によって、成形体２８で分割される封止樹脂２６間を連
結でき、パッケージ割れを防止できる。
【００１４】一方、図４に示す半導体装置では、ステー
ジ１６の端縁と成形体２８の端縁との狭隙３４に進入し
た封止樹脂によって、ステージ１６と銅箔３０との間の
伝熱性が低下するが、成形体２８とインナーリード１２
とが接触しているため、成形体２８の銅箔３０とインナ
ーリード１２との間の伝熱性が良好である。このため、
図４に示す半導体装置の熱放散性は、図８に示す従来の
半導体装置に比較して向上されている。図４に示す半導
体装置においても、狭隙３４を可及的に狭くして約０．
１ｍｍ程度とすることによって、ステージ１６と銅箔３
０との間の伝熱性を良好にでき、図２に示す半導体装置
と略同程度の熱放散性を呈することができる。
ジ１６の端縁と成形体２８の端縁との狭隙３４に進入し
た封止樹脂によって、ステージ１６と銅箔３０との間の
伝熱性が低下するが、成形体２８とインナーリード１２
とが接触しているため、成形体２８の銅箔３０とインナ
ーリード１２との間の伝熱性が良好である。このため、
図４に示す半導体装置の熱放散性は、図８に示す従来の
半導体装置に比較して向上されている。図４に示す半導
体装置においても、狭隙３４を可及的に狭くして約０．
１ｍｍ程度とすることによって、ステージ１６と銅箔３
０との間の伝熱性を良好にでき、図２に示す半導体装置
と略同程度の熱放散性を呈することができる。
【００１５】図２及び図４に示す半導体装置において
は、半導体チップ２０の上面とインナーリード１２のボ
ンディング面との高さ位置が異なるが、ボンディング性
の向上のためには、この高さ位置を略同一高さにするこ
とが好ましい。このため、図５に示す様に、成形体２８
を凹部に成形してからインナーリード１２に貼着するこ
とによって、半導体チップ２０の上面とインナーリード
１２のボンディング面との高さ位置を略同一高さにする
ことができる。かかる凹部の成形は、成形体２８をプレ
ス加工によって所定形状に成形することができる。
は、半導体チップ２０の上面とインナーリード１２のボ
ンディング面との高さ位置が異なるが、ボンディング性
の向上のためには、この高さ位置を略同一高さにするこ
とが好ましい。このため、図５に示す様に、成形体２８
を凹部に成形してからインナーリード１２に貼着するこ
とによって、半導体チップ２０の上面とインナーリード
１２のボンディング面との高さ位置を略同一高さにする
ことができる。かかる凹部の成形は、成形体２８をプレ
ス加工によって所定形状に成形することができる。
【００１６】尚、図５に示す半導体装置において、パッ
ケージ割れのおそれが在るならば、図６に示す様に、成
形体２８の周縁に複数箇所形成した切欠部４３、或いは
小孔やスリット等の樹脂通路を成形することによって防
止できる。以上、述べてきた本実施例において、使用し
てきた成形体２８の銅箔３０の厚さは、０．０３５〜
０．３ｍｍ程度である。また、本実施例の成形体２８
は、電気絶縁性接着層３２を銅箔３０に直接形成してい
るが、銅箔３０と電気絶縁性接着層３２との間に、更に
電気絶縁性を有する絶縁層を介在して電気的絶縁性を確
保してもよい。更に、銅箔３０に代えて熱伝導性に優れ
た金属箔、例えばアルミニウム箔等を使用してもよい。
ケージ割れのおそれが在るならば、図６に示す様に、成
形体２８の周縁に複数箇所形成した切欠部４３、或いは
小孔やスリット等の樹脂通路を成形することによって防
止できる。以上、述べてきた本実施例において、使用し
てきた成形体２８の銅箔３０の厚さは、０．０３５〜
０．３ｍｍ程度である。また、本実施例の成形体２８
は、電気絶縁性接着層３２を銅箔３０に直接形成してい
るが、銅箔３０と電気絶縁性接着層３２との間に、更に
電気絶縁性を有する絶縁層を介在して電気的絶縁性を確
保してもよい。更に、銅箔３０に代えて熱伝導性に優れ
た金属箔、例えばアルミニウム箔等を使用してもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレーム及び半
導体装置の製造工程を簡略化できるため、得られるリー
ドフレーム及び半導体装置の製造コストを低減できる。
また、半導体装置の熱放散性を向上できるため、半導体
チップの発熱に因る熱の蓄積に起因する、半導体チップ
の誤動作をなくして半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
導体装置の製造工程を簡略化できるため、得られるリー
ドフレーム及び半導体装置の製造コストを低減できる。
また、半導体装置の熱放散性を向上できるため、半導体
チップの発熱に因る熱の蓄積に起因する、半導体チップ
の誤動作をなくして半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
【図１】本発明の一実施例を示す正面図である。
【図２】図１のリードフレームを使用した半導体装置の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図３】本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す正面図である。
す正面図である。
【図４】図３のリードフレームを使用した半導体装置の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の他の実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図６】図５に示す半導体装置に使用される成形体２８
の一例を示す正面図である。
の一例を示す正面図である。
【図７】従来のリードフレームを示す正面図である。
【図８】図７の従来のリードフレームを使用した半導体
装置の部分断面図である。
装置の部分断面図である。
１０ リードフレーム １２ インナーリード ２０ 半導体チップ ２２ ワイヤ ２８ 成形体 ３０ 銅箔 ３２ 電気絶縁性接着層 ３４ 狭隙
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (10)
- 【請求項１】 搭載される半導体チップと電気的に接続
されるボンディング面を備えた複数本のインナーリード
と、前記インナーリードの各々から延在されたアウター
リードとが形成されて成るリードフレームにおいて、 該複数本のインナーリードに亘って、前記ボンディング
面の反対側の面を覆うように、前記インナーリードが形
成された領域内に配設された金属箔が、前記金属箔によ
って覆われたインナーリードの全面に電気絶縁性接着層
を介して貼着されていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】 搭載される半導体チップの底面側下方を
覆うように、金属箔が貼着されている請求項１記載のリ
ードフレーム。 - 【請求項３】 搭載される半導体チップの底面側下方を
覆うように貼着された金属箔に、封止樹脂が通過し得る
切欠等の樹脂通路が形成されている請求項１又は請求項
２記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 複数本のインナーリードに亘って貼着さ
れたリング状の金属箔の端縁と半導体チップを搭載する
ステージの端縁との間に封止樹脂が通過し得る狭隙が形
成されている請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項５】 金属箔と電気絶縁性接着層との間に、電
気絶縁性を有する絶縁層が介在されている請求項１〜４
のいずれか一項記載のリードフレーム。 - 【請求項６】 搭載される半導体チップと電気的に接続
されるボンディング面を備えた複数本のインナーリード
と、前記インナーリードの各々から延在されたアウター
リードとが形成されて成るリードフレームと、金属箔に
電気絶縁性接着層が形成されたフィルム状体から形成さ
れて成る所定形状の成形体とを形成した後、 前記複数本のインナーリードに亘って、前記ボンディン
グ面の反対側の面を覆うように、前記インナーリードが
形成された領域内に前記成形体を配設し、前記成形体に
よって覆われたインナーリードの全面に、前記成形体の
電気絶縁性接着層を介して金属箔を貼着することを特徴
とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項７】 フィルム状体から打ち抜きによって所定
形状の成形体を形成し、成形体の打ち抜きと同時にイン
ナーリードのボンディング面の反対側の面に貼着する請
求項６記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項８】 複数本のインナーリードと、前記インナ
ーリードの各々から延在されたアウターリードとが形成
されて成るリードフレームに搭載された半導体チップ
が、前記複数本のインナーリードのボンディング面とワ
イヤ等によって電気的に接続された半導体装置におい
て、 該複数本のインナーリードに亘って、前記ボンディング
面の反対側の面を覆うように、前記インナーリードが形
成された領域内に配設された金属箔が、前記金属箔によ
って覆われたインナーリードの全面に電気絶縁性接着層
を介して貼着されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 貼着された金属箔が、搭載された半導体
チップの底面側下方を覆っている請求項８記載の半導体
装置。 - 【請求項１０】 金属箔と電気絶縁性接着層との間に、
電気絶縁性を有する絶縁層が介在されている請求項８又
は請求項９記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5432392A JP2928421B2 (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5432392A JP2928421B2 (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218284A JPH05218284A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2928421B2 true JP2928421B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=12967382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5432392A Expired - Lifetime JP2928421B2 (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2928421B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006056240A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-03-02 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置 |
-
1992
- 1992-02-05 JP JP5432392A patent/JP2928421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05218284A (ja) | 1993-08-27 |
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