JP3284853B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に関し、特に薄型で放熱効果の優れた半導体装置及
びその製造方法に係わる。
方法に関し、特に薄型で放熱効果の優れた半導体装置及
びその製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の技術の半導体素子からの発
熱を放熱板を介して発散させる機能を持った半導体装置
の断面図である。
熱を放熱板を介して発散させる機能を持った半導体装置
の断面図である。
【０００３】従来のリードフレームは、その構成として
リ−ドフレ−ムダイパット（以下、ダイパッドと称す）
５、リードフレームインナリード３及びリードフレーム
アウターリード４を含んでおり、ダイパッド５に銀ペ−
スト等の接着剤６を用いて半導体素子１が載置固定され
ている。そして、ダイパッド５の半導体素子１が載置固
定される面の反対面には、半導体素子１の稼動時に発せ
られた熱の放熱を目的とした放熱板８が銀ペ−スト等の
接着剤７を用いて固着されている。半導体素子１の電極
とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とは、金線２で接続
されている。９はモールド樹脂であり、半導体素子１、
金線２、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３、ダイパット
５、接着剤６及び７、放熱板８を封止している。なお、
放熱板は一部露出するように封止されている。そしてリ
−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４は実装しやすいよう折り
曲げ加工されていた。
リ−ドフレ−ムダイパット（以下、ダイパッドと称す）
５、リードフレームインナリード３及びリードフレーム
アウターリード４を含んでおり、ダイパッド５に銀ペ−
スト等の接着剤６を用いて半導体素子１が載置固定され
ている。そして、ダイパッド５の半導体素子１が載置固
定される面の反対面には、半導体素子１の稼動時に発せ
られた熱の放熱を目的とした放熱板８が銀ペ−スト等の
接着剤７を用いて固着されている。半導体素子１の電極
とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とは、金線２で接続
されている。９はモールド樹脂であり、半導体素子１、
金線２、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３、ダイパット
５、接着剤６及び７、放熱板８を封止している。なお、
放熱板は一部露出するように封止されている。そしてリ
−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４は実装しやすいよう折り
曲げ加工されていた。
【０００４】図５の半導体装置は以下のとおり製造す
る。リ−ドフレ−ムダイパット５の裏側に半導体素子１
の稼動時に発せられた熱の放熱を目的とした放熱板８を
銀ペ−スト等の接着剤７を用いて固着する。次にリ−ド
フレ−ムダイパット５の表側へ半導体素子１を銀ペ−ス
ト等の接着剤６を用いて固着する。次に半導体素子１の
その電極とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とをワイヤ
−ボンダ−マシンにて金線２で接続する。次にモ−ルド
工程にて放熱板露出面１３に樹脂が回り込まない様に半
導体素子１、金線２、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド
３、リ−ドフレ−ムダイパット５、接着剤６、接着剤
７、放熱板８を樹脂封止する。最後にプレス工程にてリ
−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４を折り曲げ加工をし完成
させる。
る。リ−ドフレ−ムダイパット５の裏側に半導体素子１
の稼動時に発せられた熱の放熱を目的とした放熱板８を
銀ペ−スト等の接着剤７を用いて固着する。次にリ−ド
フレ−ムダイパット５の表側へ半導体素子１を銀ペ−ス
ト等の接着剤６を用いて固着する。次に半導体素子１の
その電極とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とをワイヤ
−ボンダ−マシンにて金線２で接続する。次にモ−ルド
工程にて放熱板露出面１３に樹脂が回り込まない様に半
導体素子１、金線２、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド
３、リ−ドフレ−ムダイパット５、接着剤６、接着剤
７、放熱板８を樹脂封止する。最後にプレス工程にてリ
−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４を折り曲げ加工をし完成
させる。
【０００５】一方、昨今の半導体素子プロセス工程にお
いて、半導体素子をできるだけ小さくして一枚のウエ−
ハ−からの取り個数を増やして合理化したいといった動
きがある。これは半導体素子そのものをより高集積化し
て小型化し更にハイパワ−で使用したいというものであ
る。
いて、半導体素子をできるだけ小さくして一枚のウエ−
ハ−からの取り個数を増やして合理化したいといった動
きがある。これは半導体素子そのものをより高集積化し
て小型化し更にハイパワ−で使用したいというものであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の半導体素子の高
集積化・小型化に伴い、その結果電極のピッチ間の狭小
化が図られるが、しかしながら金線を用いた半導体装置
組立工程において、使用ボンディングツ−ルの関係から
一定の限度を越えた狭小化は不可能であった。
集積化・小型化に伴い、その結果電極のピッチ間の狭小
化が図られるが、しかしながら金線を用いた半導体装置
組立工程において、使用ボンディングツ−ルの関係から
一定の限度を越えた狭小化は不可能であった。
【０００７】また、半導体素子１の電極とリ−ドフレ−
ムインナ−リ−ド３とを金線２を用いて接続した場合、
金線２を半導体素子１の上面よりも高くする必要があ
る。これをル−プ高さと言い半導体素子１のエッジと金
線２とのショ−トを防ぐ為である。更に金線２はモ−ル
ド工程にて樹脂封止し保護する必要がある為に半導体装
置全体の厚みを薄くする上での障害となっていた。
ムインナ−リ−ド３とを金線２を用いて接続した場合、
金線２を半導体素子１の上面よりも高くする必要があ
る。これをル−プ高さと言い半導体素子１のエッジと金
線２とのショ−トを防ぐ為である。更に金線２はモ−ル
ド工程にて樹脂封止し保護する必要がある為に半導体装
置全体の厚みを薄くする上での障害となっていた。
【０００８】また、半導体素子１のその電極とリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ド３とを金線２を用いて接続した場
合、モ−ルド工程に於いて樹脂封止する際の樹脂流動時
に金線も流されて金線同志がショ−トをしてしまうとい
う課題があった。
レ−ムインナ−リ−ド３とを金線２を用いて接続した場
合、モ−ルド工程に於いて樹脂封止する際の樹脂流動時
に金線も流されて金線同志がショ−トをしてしまうとい
う課題があった。
【０００９】更に、ダイパット５を基準として半導体素
子１、放熱板８を銀ペ−スト等の絶縁接着剤６、７を用
いて固着し、更に金線ル−プ高さが加わる為に、半導体
装置の厚さ方向において部品点数の多さから、半導体装
置全体厚みが厚くなってしまう。
子１、放熱板８を銀ペ−スト等の絶縁接着剤６、７を用
いて固着し、更に金線ル−プ高さが加わる為に、半導体
装置の厚さ方向において部品点数の多さから、半導体装
置全体厚みが厚くなってしまう。
【００１０】以上述べた課題を解決し、安価で小型化・
薄型化・軽量化が図れるとともに放熱効果の得られる半
導体装置及びその製造方法を得ることを目的とするもの
である。
薄型化・軽量化が図れるとともに放熱効果の得られる半
導体装置及びその製造方法を得ることを目的とするもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】（１） 本願発明の半導
体装置は、電極を有する半導体素子と、ＴＡＢテープア
ウターリードとＴＡＢテープインナ−リ−ドとを有し、
該ＴＡＢテープインナ−リ−ドと前記電極とが接続され
たＴＡＢテープと、リ−ドフレ−ムアウターリードとリ
−ドフレ−ムインナ−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−
ムインナ−リ−ドと前記ＴＡＢテープアウターリードと
が接続されたリードフレームと、前記半導体素子の前記
電極を有する面と反対面が直接固定された放熱板と、前
記半導体素子、前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−ム
アウターリードを除くリードフレーム及び放熱板を封止
したモールド樹脂とからなることを特徴とする半導体装
置であって、前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドが平面
的にみて前記放熱板と重なる位置まで延設され、前記リ
−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板との間に双方
を固定する接着テ−プを用いてなることを特徴とする。
体装置は、電極を有する半導体素子と、ＴＡＢテープア
ウターリードとＴＡＢテープインナ−リ−ドとを有し、
該ＴＡＢテープインナ−リ−ドと前記電極とが接続され
たＴＡＢテープと、リ−ドフレ−ムアウターリードとリ
−ドフレ−ムインナ−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−
ムインナ−リ−ドと前記ＴＡＢテープアウターリードと
が接続されたリードフレームと、前記半導体素子の前記
電極を有する面と反対面が直接固定された放熱板と、前
記半導体素子、前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−ム
アウターリードを除くリードフレーム及び放熱板を封止
したモールド樹脂とからなることを特徴とする半導体装
置であって、前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドが平面
的にみて前記放熱板と重なる位置まで延設され、前記リ
−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板との間に双方
を固定する接着テ−プを用いてなることを特徴とする。
【００１２】（２） 本願発明の半導体装置は、電極を
有する半導体素子と、ＴＡＢテープアウターリードとＴ
ＡＢテープインナ−リ−ドとを有し、該ＴＡＢテープイ
ンナ−リ−ドと前記電極とが接続されたＴＡＢテープ
と、リ−ドフレ−ムアウターリードとリ−ドフレ−ムイ
ンナ−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−ムインナ−リ−
ドと前記ＴＡＢテープアウターリードとが接続されたリ
ードフレームと、前記半導体素子の前記電極を有する面
と反対面が直接固定された放熱板と、前記半導体素子、
前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−ムアウターリード
を除くリードフレーム及び放熱板を封止したモールド樹
脂とからなることを特徴とする半導体装置であって、前
記放熱板の前記半導体素子が固定される部分は、前記半
導体素子の平面積より大きい平面を構成する窪みを持た
せたことを特徴とする。
有する半導体素子と、ＴＡＢテープアウターリードとＴ
ＡＢテープインナ−リ−ドとを有し、該ＴＡＢテープイ
ンナ−リ−ドと前記電極とが接続されたＴＡＢテープ
と、リ−ドフレ−ムアウターリードとリ−ドフレ−ムイ
ンナ−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−ムインナ−リ−
ドと前記ＴＡＢテープアウターリードとが接続されたリ
ードフレームと、前記半導体素子の前記電極を有する面
と反対面が直接固定された放熱板と、前記半導体素子、
前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−ムアウターリード
を除くリードフレーム及び放熱板を封止したモールド樹
脂とからなることを特徴とする半導体装置であって、前
記放熱板の前記半導体素子が固定される部分は、前記半
導体素子の平面積より大きい平面を構成する窪みを持た
せたことを特徴とする。
【００１３】（３） 本願発明の半導体装置は、上記
（２）記載の半導体装置において、前記窪みの深さは前
記半導体素子の厚みと同等とすることを特徴とする。
（２）記載の半導体装置において、前記窪みの深さは前
記半導体素子の厚みと同等とすることを特徴とする。
【００１４】（４） 本願発明の半導体装置は、電極を
有する半導体素子と、ＴＡＢテープアウターリードとＴ
ＡＢテープインナ−リ−ドとを有し、該ＴＡＢテープイ
ンナ−リ−ドと前記電極とが接続されたＴＡＢテープ
と、リ−ドフレ−ムアウターリードとリ−ドフレ−ムイ
ンナ−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−ムインナ−リ−
ドと前記ＴＡＢテープアウターリードとが接続されたリ
ードフレームと、前記半導体素子の前記電極を有する面
と反対面が直接固定された放熱板と、前記半導体素子、
前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−ムアウターリード
を除くリードフレーム及び放熱板を封止したモールド樹
脂とからなることを特徴とする半導体装置であって、前
記放熱板は、外形をクサビ状にしたことを特徴とする。
有する半導体素子と、ＴＡＢテープアウターリードとＴ
ＡＢテープインナ−リ−ドとを有し、該ＴＡＢテープイ
ンナ−リ−ドと前記電極とが接続されたＴＡＢテープ
と、リ−ドフレ−ムアウターリードとリ−ドフレ−ムイ
ンナ−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−ムインナ−リ−
ドと前記ＴＡＢテープアウターリードとが接続されたリ
ードフレームと、前記半導体素子の前記電極を有する面
と反対面が直接固定された放熱板と、前記半導体素子、
前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−ムアウターリード
を除くリードフレーム及び放熱板を封止したモールド樹
脂とからなることを特徴とする半導体装置であって、前
記放熱板は、外形をクサビ状にしたことを特徴とする。
【００１５】（５） 本願発明の半導体装置の製造方法
は、半導体素子の電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−ドと
を接続する工程と、ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−
ドフレ−ムインナ−リ−ドとを接続する工程と、前記半
導体素子の前記電極を有する面の反対面と放熱板とを接
着剤にて接続する工程と、前記半導体素子、前記ＴＡＢ
テープインナ−リ−ド、前記ＴＡＢテープアウタ−リ−
ド、前記リ−ドフレ−ムインナリード及び放熱板をモー
ルド樹脂にて封止する工程と、前記リ−ドフレ−ムイン
ナ−リ−ドと前記放熱板とを接着テ−プにて接着固定す
る工程とを含んでなることを特徴とする。
は、半導体素子の電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−ドと
を接続する工程と、ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−
ドフレ−ムインナ−リ−ドとを接続する工程と、前記半
導体素子の前記電極を有する面の反対面と放熱板とを接
着剤にて接続する工程と、前記半導体素子、前記ＴＡＢ
テープインナ−リ−ド、前記ＴＡＢテープアウタ−リ−
ド、前記リ−ドフレ−ムインナリード及び放熱板をモー
ルド樹脂にて封止する工程と、前記リ−ドフレ−ムイン
ナ−リ−ドと前記放熱板とを接着テ−プにて接着固定す
る工程とを含んでなることを特徴とする。
【００１６】（６） 本願発明の半導体装置の製造方法
は、上記（５）に記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体素子と放熱板とを接着剤にて接続する工
程には前記接着剤を乾燥させる工程を含み、更に前記リ
−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板とを接着テ−
プにて接着固定する工程には前記接着テ−プを乾燥させ
る工程を含み、前記接着剤を乾燥させる工程と前記接着
テ−プを乾燥する工程とを同時に行うことを特徴とす
る。
は、上記（５）に記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体素子と放熱板とを接着剤にて接続する工
程には前記接着剤を乾燥させる工程を含み、更に前記リ
−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板とを接着テ−
プにて接着固定する工程には前記接着テ−プを乾燥させ
る工程を含み、前記接着剤を乾燥させる工程と前記接着
テ−プを乾燥する工程とを同時に行うことを特徴とす
る。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【作用】手段１のような構成を採ることにより、前記半
導体素子の電極と前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドの
接続はＴＡＢテ−プを介して行われる為に前述半導体素
子をできるだけ小さくする合理化が可能となり、モ−ル
ド樹脂封止後の半導体装置の小型化、薄型化、軽量化、
が図れる。
導体素子の電極と前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドの
接続はＴＡＢテ−プを介して行われる為に前述半導体素
子をできるだけ小さくする合理化が可能となり、モ−ル
ド樹脂封止後の半導体装置の小型化、薄型化、軽量化、
が図れる。
【００２０】また手段２のような構成を採ることによ
り、前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板と
を確実に固定する事が可能となりモ−ルド工程で樹脂封
止する際に前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放
熱板とのズレが生じ難くなる。
り、前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板と
を確実に固定する事が可能となりモ−ルド工程で樹脂封
止する際に前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放
熱板とのズレが生じ難くなる。
【００２１】また手段３のような構成を採ることによ
り、前記放熱版の窪みに前記半導体素子が落とし込まれ
た状態になりこの落とし込み分モ−ルド樹脂封止後の半
導体装置の薄型化が可能となる。
り、前記放熱版の窪みに前記半導体素子が落とし込まれ
た状態になりこの落とし込み分モ−ルド樹脂封止後の半
導体装置の薄型化が可能となる。
【００２２】また手段４のような構成を採ることによ
り、前記半導体素子が前記放熱版の窪みに落とし込まれ
ている為に前記ＴＡＢテ−プインナ−リ−ドと前記半導
体装置のエッチ部とのショ−トが抑えられる。
り、前記半導体素子が前記放熱版の窪みに落とし込まれ
ている為に前記ＴＡＢテ−プインナ−リ−ドと前記半導
体装置のエッチ部とのショ−トが抑えられる。
【００２３】また手段５のような構成を採ることによ
り、モ−ルド樹脂封止時前記放熱版とモ−ルド樹脂との
密着性向上が図られモ−ルド樹脂封止後に前記放熱板の
脱落防止ができる。
り、モ−ルド樹脂封止時前記放熱版とモ−ルド樹脂との
密着性向上が図られモ−ルド樹脂封止後に前記放熱板の
脱落防止ができる。
【００２４】さらに手段６のような製造方法を採ること
により、前記ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド前記リ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ドとの接続及び前記半導体素子の前
記電極を有する面の反対面と放熱板とを接着剤での固定
が確実に実施でき各工程での工程間検査が容易であり各
工程での作業効率の向上が図れる。
により、前記ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド前記リ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ドとの接続及び前記半導体素子の前
記電極を有する面の反対面と放熱板とを接着剤での固定
が確実に実施でき各工程での工程間検査が容易であり各
工程での作業効率の向上が図れる。
【００２５】また手段７のような製造方法を採ることに
より、前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板
とを絶縁接着テ−プでの固定が確実にできる。
より、前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板
とを絶縁接着テ−プでの固定が確実にできる。
【００２６】また手段８のような製造方法を採ることに
より、前記接着剤を乾燥させる工程と前記絶縁接着テ−
プの乾燥工程の半減が図れる。
より、前記接着剤を乾燥させる工程と前記絶縁接着テ−
プの乾燥工程の半減が図れる。
【００２７】
【実施例】図１は本発明の第１実施例を示す。半導体装
置の断面図であり、特にＴＡＢテ−プを使用し半導体素
子のその電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−ドとの接続、
ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ−ムインナ−
リ−ドとの接続、半導体素子と放熱板との関係を示した
ものである。ここでいうＴＡＢテープとは、ポリイミド
等の絶縁テ−プに銅箔を接着剤を用いて接着し、必要な
パタ−ンをレジストでマスキングをして残し他はエッチ
ングで除去すると言うものである。銅箔＋接着剤＋ポリ
イミド等の絶縁テ−プの総厚で約１００μｍ〜１１０μ
ｍと薄く、又パタ−ンのピッチが約７０μｍまで狭小化
が可能である。
置の断面図であり、特にＴＡＢテ−プを使用し半導体素
子のその電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−ドとの接続、
ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ−ムインナ−
リ−ドとの接続、半導体素子と放熱板との関係を示した
ものである。ここでいうＴＡＢテープとは、ポリイミド
等の絶縁テ−プに銅箔を接着剤を用いて接着し、必要な
パタ−ンをレジストでマスキングをして残し他はエッチ
ングで除去すると言うものである。銅箔＋接着剤＋ポリ
イミド等の絶縁テ−プの総厚で約１００μｍ〜１１０μ
ｍと薄く、又パタ−ンのピッチが約７０μｍまで狭小化
が可能である。
【００２８】図１に於いて半導体素子１の電極とＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ド１０とが接続されている。この接
続は一般的には金とアルミ、または金と金、または金と
錫、といった合金接合である。一方、ＴＡＢテ−プアウ
タ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とも
接続されている。この接続方法としては、一体ツ−ルを
用いてギャングボンデイング接続する。この接続は一般
的には金と銀、または金と錫、または銀と錫、といった
合金接合である。半導体素子１の電極を有する面と反対
面（以下、裏面と称す）は放熱板８に固着されている。
その固定をするための部材としては接着剤６を用いると
よく、特に銀ペ−ストの接着剤を用いることが放熱効率
の点から好ましい。半導体素子１、ＴＡＢテ−プインナ
−リ−ド１０とＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１を含む
ＴＡＢテープ、リ−ドフレ−ムアウターリードを除くリ
ードフレーム、少なくともリ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド３、銀ペ−スト等の接着剤６、及び露出面を除く放熱
板８はモールド樹脂で封止されている。リ−ドフレ−ム
アウタ−リ−ド４は折り曲げ加工がされている。半導体
素子１のその電極とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３と
の接続はＴＡＢテ−プインナ−リ−ド１０とＴＡＢテ−
プアウタ−リ−ド１１とを介しておこなわれ金線を使用
しないので金線ル−プ高さを考慮しなくても良くなり、
その結果半導体装置そのものの薄型化が図れる。また、
ＴＡＢテ−プを用いて半導体素子のその電極とリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ドとを接続するために半導体素子の
その電極ピッチを７０μｍまで狭小にでき半導体素子そ
のものの小型化が可能となり、その結果プロセス工程に
於いて一枚のウエ−ハ−からの取り個数を増やす低コス
ト化を推し進める事ができる。また更にＴＡＢテ−プ総
厚が１００μｍ〜１１０μｍと薄くテ−プ上のパタ−ン
を使用して半導体素子のその電極とリ−ドフレ−ムイン
ナ−リ−ドとを接続するために金線ル−プ高さを考慮す
る必要がないためモ−ルド工程での樹脂封止部分を薄く
でき半導体装置そのものの厚さを薄くする事が可能とな
る。
テ−プインナ−リ−ド１０とが接続されている。この接
続は一般的には金とアルミ、または金と金、または金と
錫、といった合金接合である。一方、ＴＡＢテ−プアウ
タ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とも
接続されている。この接続方法としては、一体ツ−ルを
用いてギャングボンデイング接続する。この接続は一般
的には金と銀、または金と錫、または銀と錫、といった
合金接合である。半導体素子１の電極を有する面と反対
面（以下、裏面と称す）は放熱板８に固着されている。
その固定をするための部材としては接着剤６を用いると
よく、特に銀ペ−ストの接着剤を用いることが放熱効率
の点から好ましい。半導体素子１、ＴＡＢテ−プインナ
−リ−ド１０とＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１を含む
ＴＡＢテープ、リ−ドフレ−ムアウターリードを除くリ
ードフレーム、少なくともリ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド３、銀ペ−スト等の接着剤６、及び露出面を除く放熱
板８はモールド樹脂で封止されている。リ−ドフレ−ム
アウタ−リ−ド４は折り曲げ加工がされている。半導体
素子１のその電極とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３と
の接続はＴＡＢテ−プインナ−リ−ド１０とＴＡＢテ−
プアウタ−リ−ド１１とを介しておこなわれ金線を使用
しないので金線ル−プ高さを考慮しなくても良くなり、
その結果半導体装置そのものの薄型化が図れる。また、
ＴＡＢテ−プを用いて半導体素子のその電極とリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ドとを接続するために半導体素子の
その電極ピッチを７０μｍまで狭小にでき半導体素子そ
のものの小型化が可能となり、その結果プロセス工程に
於いて一枚のウエ−ハ−からの取り個数を増やす低コス
ト化を推し進める事ができる。また更にＴＡＢテ−プ総
厚が１００μｍ〜１１０μｍと薄くテ−プ上のパタ−ン
を使用して半導体素子のその電極とリ−ドフレ−ムイン
ナ−リ−ドとを接続するために金線ル−プ高さを考慮す
る必要がないためモ−ルド工程での樹脂封止部分を薄く
でき半導体装置そのものの厚さを薄くする事が可能とな
る。
【００２９】本実施例の半導体装置の製造方法について
説明する。半導体素子１の電極とＴＡＢテ−プインナ−
リ−ド１０とを接続する。この接続方法としては、ＴＡ
Ｂ実装の一般的な方式である一体ツ−ルを用いてギャン
グボンデイングにより接続する。そしてＴＡＢテ−プア
ウタ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３と
を接続する。この接続方法としては、一体ツ−ルを用い
てギャングボンデイング接続する。半導体素子１の裏側
に銀ペースト等の接着剤６を用いて放熱板８と固定す
る。次にモ−ルド工程にて放熱板８の露出面１３にモ−
ルド樹脂９が回り込まない様にして半導体素子１、ＴＡ
Ｂテ−プインナ−リ−ド１０、ＴＡＢテ−プアウタ−リ
−ド１１、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３、銀ペ−ス
ト等の接着剤６、をモ−ルド樹脂９で樹脂封止する。な
お本実施例のように放熱板８が樹脂封止されない露出面
１３を備えるよりも若干放熱効果は劣るが、放熱板８が
完全に樹脂封止されていてもかまわない。最後にプレス
工程でリ−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４を折り曲げ加工
をし完成させる。本実施例では、金線を使用しないので
モ−ルド工程での樹脂封止する際の樹脂流動時に樹脂に
金線が流される事なく金線同志のショ−トも考慮しなく
ても良い。
説明する。半導体素子１の電極とＴＡＢテ−プインナ−
リ−ド１０とを接続する。この接続方法としては、ＴＡ
Ｂ実装の一般的な方式である一体ツ−ルを用いてギャン
グボンデイングにより接続する。そしてＴＡＢテ−プア
ウタ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３と
を接続する。この接続方法としては、一体ツ−ルを用い
てギャングボンデイング接続する。半導体素子１の裏側
に銀ペースト等の接着剤６を用いて放熱板８と固定す
る。次にモ−ルド工程にて放熱板８の露出面１３にモ−
ルド樹脂９が回り込まない様にして半導体素子１、ＴＡ
Ｂテ−プインナ−リ−ド１０、ＴＡＢテ−プアウタ−リ
−ド１１、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３、銀ペ−ス
ト等の接着剤６、をモ−ルド樹脂９で樹脂封止する。な
お本実施例のように放熱板８が樹脂封止されない露出面
１３を備えるよりも若干放熱効果は劣るが、放熱板８が
完全に樹脂封止されていてもかまわない。最後にプレス
工程でリ−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４を折り曲げ加工
をし完成させる。本実施例では、金線を使用しないので
モ−ルド工程での樹脂封止する際の樹脂流動時に樹脂に
金線が流される事なく金線同志のショ−トも考慮しなく
ても良い。
【００３０】前記ＴＡＢテ−プを使用し半導体素子のそ
の電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−ドとの接続、ＴＡＢ
テ−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド
との接続はそれぞれ一体ツ−ルを用いてインナ−リ−ド
ギャングボンデイング、アウタ−リ−ドギャングボンデ
イング、を行うことができ前記アウタ−リ−ドギャング
ボンデイング後に半導体素子の裏側に銀ペ−スト等の接
着剤を用いて放熱板を取り付けてモ−ルド工程で樹脂封
止すれば薄型でしかも半導体素子からの稼働時に発生す
る熱を放熱板を介して発散させる機能を持った半導体装
置が安価に手に入る。
の電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−ドとの接続、ＴＡＢ
テ−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド
との接続はそれぞれ一体ツ−ルを用いてインナ−リ−ド
ギャングボンデイング、アウタ−リ−ドギャングボンデ
イング、を行うことができ前記アウタ−リ−ドギャング
ボンデイング後に半導体素子の裏側に銀ペ−スト等の接
着剤を用いて放熱板を取り付けてモ−ルド工程で樹脂封
止すれば薄型でしかも半導体素子からの稼働時に発生す
る熱を放熱板を介して発散させる機能を持った半導体装
置が安価に手に入る。
【００３１】図２は本発明の第２実施例を示す。図２は
他の半導体装置の断面図であり、特にＴＡＢテ−プを使
用し半導体素子のその電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−
ドとの接続、ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ
−ムインナ−リ−ドとの接続、半導体素子と放熱板との
関係を示したものである。
他の半導体装置の断面図であり、特にＴＡＢテ−プを使
用し半導体素子のその電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−
ドとの接続、ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ
−ムインナ−リ−ドとの接続、半導体素子と放熱板との
関係を示したものである。
【００３２】図２に於いて半導体素子１の電極とＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ド１０とが接続されている。この接
続は一般的には金とアルミ、または金と金、または金と
錫、といった合金接合である。一方、ＴＡＢテ−プアウ
タ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とも
接続されている。この接続方法としては、一体ツ−ルを
用いてギャングボンデイング接続する。この接続は一般
的には金と銀、または金と錫、または銀と錫、といった
合金接合である。半導体素子１の電極を有する面と反対
面（以下、裏面と称す）は放熱板８に固着されている。
その固定をするための部材としては接着剤６を用いると
よく、特に銀ペ−ストの接着剤を用いることが放熱効率
の点から好ましい。またリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド
３と放熱板８との間にはポリイミドテ−プ等の絶縁熱接
着テ−プ１２を用いて双方が固着されている。半導体素
子１、ＴＡＢテ−プインナ−リ−ド１０とＴＡＢテ−プ
アウタ−リ−ド１１を含むＴＡＢテープ、リ−ドフレ−
ムアウターリードを除くリードフレーム、少なくともリ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド３、銀ペ−スト等の接着剤
６、及び露出面を除く放熱板８はモールド樹脂で封止さ
れている。リ−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４は折り曲げ
加工がされている。半導体素子１のその電極とリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ド３との接続はＴＡＢテ−プインナ
−リ−ド１０とＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１とを介
しておこなわれ金線を使用しないので金線ル−プ高さを
考慮しなくても良くなり、その結果半導体装置そのもの
の薄型化が図れる。
テ−プインナ−リ−ド１０とが接続されている。この接
続は一般的には金とアルミ、または金と金、または金と
錫、といった合金接合である。一方、ＴＡＢテ−プアウ
タ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とも
接続されている。この接続方法としては、一体ツ−ルを
用いてギャングボンデイング接続する。この接続は一般
的には金と銀、または金と錫、または銀と錫、といった
合金接合である。半導体素子１の電極を有する面と反対
面（以下、裏面と称す）は放熱板８に固着されている。
その固定をするための部材としては接着剤６を用いると
よく、特に銀ペ−ストの接着剤を用いることが放熱効率
の点から好ましい。またリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド
３と放熱板８との間にはポリイミドテ−プ等の絶縁熱接
着テ−プ１２を用いて双方が固着されている。半導体素
子１、ＴＡＢテ−プインナ−リ−ド１０とＴＡＢテ−プ
アウタ−リ−ド１１を含むＴＡＢテープ、リ−ドフレ−
ムアウターリードを除くリードフレーム、少なくともリ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド３、銀ペ−スト等の接着剤
６、及び露出面を除く放熱板８はモールド樹脂で封止さ
れている。リ−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４は折り曲げ
加工がされている。半導体素子１のその電極とリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ド３との接続はＴＡＢテ−プインナ
−リ−ド１０とＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１とを介
しておこなわれ金線を使用しないので金線ル−プ高さを
考慮しなくても良くなり、その結果半導体装置そのもの
の薄型化が図れる。
【００３３】本実施例の半導体装置の製造方法について
説明する。半導体素子１のその電極とＴＡＢテ−プイン
ナ−リ−ド１０とを一体ツ−ルを用いてギャングボンデ
イング接続する。この接続は一般的には金とアルミ等の
合金接合である。ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１とリ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とを一体ツ−ルを用いて
ギャングボンデイング接続する。この接続は一般的には
金と銀等の合金接合である。半導体素子１の裏面側は銀
ペ−スト等の接着剤６により、リ−ドフレ−ムインナ−
リ−ド３の一方の面はポリイミドテ−プ等の絶縁熱接着
テ−プ１２を用いて放熱板８との双方の固着をする。半
導体素子１の裏側と放熱板８の固着に用いている銀ペ−
スト等の接着剤６の乾燥とリ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド３の一方の面と放熱板８の固着に用いるポリイミドテ
−プ等の絶縁熱接着テ−プ１２の乾燥はＴＡＢテ−プア
ウタ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３と
を一体ツ−ルを用いてギャングボンデイング接続する際
に同時に行う。
説明する。半導体素子１のその電極とＴＡＢテ−プイン
ナ−リ−ド１０とを一体ツ−ルを用いてギャングボンデ
イング接続する。この接続は一般的には金とアルミ等の
合金接合である。ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１とリ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とを一体ツ−ルを用いて
ギャングボンデイング接続する。この接続は一般的には
金と銀等の合金接合である。半導体素子１の裏面側は銀
ペ−スト等の接着剤６により、リ−ドフレ−ムインナ−
リ−ド３の一方の面はポリイミドテ−プ等の絶縁熱接着
テ−プ１２を用いて放熱板８との双方の固着をする。半
導体素子１の裏側と放熱板８の固着に用いている銀ペ−
スト等の接着剤６の乾燥とリ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド３の一方の面と放熱板８の固着に用いるポリイミドテ
−プ等の絶縁熱接着テ−プ１２の乾燥はＴＡＢテ−プア
ウタ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３と
を一体ツ−ルを用いてギャングボンデイング接続する際
に同時に行う。
【００３４】半導体素子とリードフレームとの接続に金
線を使用しないので、モ−ルド工程で樹脂封止する際の
樹脂流動時に樹脂に金線が流される事なく金線同志のシ
ョ−トも考慮しなくても良い。最後にプレス工程でリ−
ドフレ−ムアウタ−リ−ド４を折り曲げ加工をし完成さ
せる。
線を使用しないので、モ−ルド工程で樹脂封止する際の
樹脂流動時に樹脂に金線が流される事なく金線同志のシ
ョ−トも考慮しなくても良い。最後にプレス工程でリ−
ドフレ−ムアウタ−リ−ド４を折り曲げ加工をし完成さ
せる。
【００３５】図３は本発明の第３実施例を示す。図３は
更に他の半導体装置の断面図であり、特にＴＡＢテ−プ
を使用し半導体素子のその電極とＴＡＢテ−プインナ−
リ−ドとの接続、ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ド
フレ−ムインナ−リ−ドとの接続、半導体素子と放熱板
との関係を示したものである。
更に他の半導体装置の断面図であり、特にＴＡＢテ−プ
を使用し半導体素子のその電極とＴＡＢテ−プインナ−
リ−ドとの接続、ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ド
フレ−ムインナ−リ−ドとの接続、半導体素子と放熱板
との関係を示したものである。
【００３６】図３に於いて半導体素子１の電極とＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ド１０とが接続されている。この接
続は一般的には金とアルミ、または金と金、または金と
錫、といった合金接合である。一方、ＴＡＢテ−プアウ
タ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とも
接続されている。この接続方法としては、一体ツ−ルを
用いてギャングボンデイング接続する。この接続は一般
的には金と銀、または金と錫、または銀と錫、といった
合金接合である。半導体素子１の電極を有する面と反対
面（以下、裏面と称す）は放熱板８に固着されている。
放熱板の半導体素子が固着される部分は半導体素子を逃
がすように、即ち半導体素子の平面積より大きい平面を
構成する窪み１４が設けられている。そしてその窪み１
４内に半導体素子１を固定をするための部材としては接
着剤６を用いるとよく、特に銀ペ−ストの接着剤を用い
ることが放熱効率の点から好ましい。またリ−ドフレ−
ムインナ−リ−ド３と放熱板８との間にはポリイミドテ
−プ等の絶縁熱接着テ−プ１２を用いて双方が固着され
ている。半導体素子１、ＴＡＢテ−プインナ−リ−ド１
０とＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１を含むＴＡＢテー
プ、リ−ドフレ−ムアウターリードを除くリードフレー
ム、少なくともリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３、銀ペ
−スト等の接着剤６、及び露出面を除く放熱板８はモー
ルド樹脂で封止されている。リ−ドフレ−ムアウタ−リ
−ド４は折り曲げ加工がされている。半導体素子１のそ
の電極とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３との接続はＴ
ＡＢテ−プインナ−リ−ド１０とＴＡＢテ−プアウタ−
リ−ド１１とを介しておこなわれ金線を使用しないので
金線ル−プ高さを考慮しなくても良くなり、その結果半
導体装置そのものの薄型化が図れる。
テ−プインナ−リ−ド１０とが接続されている。この接
続は一般的には金とアルミ、または金と金、または金と
錫、といった合金接合である。一方、ＴＡＢテ−プアウ
タ−リ−ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とも
接続されている。この接続方法としては、一体ツ−ルを
用いてギャングボンデイング接続する。この接続は一般
的には金と銀、または金と錫、または銀と錫、といった
合金接合である。半導体素子１の電極を有する面と反対
面（以下、裏面と称す）は放熱板８に固着されている。
放熱板の半導体素子が固着される部分は半導体素子を逃
がすように、即ち半導体素子の平面積より大きい平面を
構成する窪み１４が設けられている。そしてその窪み１
４内に半導体素子１を固定をするための部材としては接
着剤６を用いるとよく、特に銀ペ−ストの接着剤を用い
ることが放熱効率の点から好ましい。またリ−ドフレ−
ムインナ−リ−ド３と放熱板８との間にはポリイミドテ
−プ等の絶縁熱接着テ−プ１２を用いて双方が固着され
ている。半導体素子１、ＴＡＢテ−プインナ−リ−ド１
０とＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１を含むＴＡＢテー
プ、リ−ドフレ−ムアウターリードを除くリードフレー
ム、少なくともリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３、銀ペ
−スト等の接着剤６、及び露出面を除く放熱板８はモー
ルド樹脂で封止されている。リ−ドフレ−ムアウタ−リ
−ド４は折り曲げ加工がされている。半導体素子１のそ
の電極とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３との接続はＴ
ＡＢテ−プインナ−リ−ド１０とＴＡＢテ−プアウタ−
リ−ド１１とを介しておこなわれ金線を使用しないので
金線ル−プ高さを考慮しなくても良くなり、その結果半
導体装置そのものの薄型化が図れる。
【００３７】本実施例の半導体装置の製造方法について
説明する。半導体素子１のその電極とＴＡＢテ−プイン
ナ−リ−ド１０とを一体ツ−ルを用いてギャングボンデ
イング接続する。この接続は一般的には金とアルミ等の
合金接合である。ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１とリ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とを一体ツ−ルを用いて
ギャングボンデイング接続する。この接続は一般的には
金と銀等の合金接合である。半導体素子１の裏側に銀ペ
−スト等の接着剤６を用いて仮固定する。更にリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ド３の一方の面にポリイミドテ−プ
等の絶縁熱接着テ−プ１２を用いてリ−ドフレ−ムイン
ナ−リ−ド３と放熱板８を仮固定する。半導体素子１は
放熱板８の半導体素子を逃がす窪み１４に仮固定する。
半導体素子１の裏側と放熱板８の半導体素子１を逃がす
窪み１４の仮固定に用いている銀ペ−スト等の接着剤６
の乾燥とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３の一方の面と
放熱板８の仮固定に用いているポリイミドテ−プ等の絶
縁熱接着テ−プ１２の乾燥はＴＡＢテ−プアウタ−リ−
ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とを一体ツ−
ルを用いてギャングボンデイング接続する際に使用して
いる加熱ヒ−タ−を活用して同時に行い半導体素子１を
放熱板８の所定の位置に本固定する。
説明する。半導体素子１のその電極とＴＡＢテ−プイン
ナ−リ−ド１０とを一体ツ−ルを用いてギャングボンデ
イング接続する。この接続は一般的には金とアルミ等の
合金接合である。ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド１１とリ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とを一体ツ−ルを用いて
ギャングボンデイング接続する。この接続は一般的には
金と銀等の合金接合である。半導体素子１の裏側に銀ペ
−スト等の接着剤６を用いて仮固定する。更にリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ド３の一方の面にポリイミドテ−プ
等の絶縁熱接着テ−プ１２を用いてリ−ドフレ−ムイン
ナ−リ−ド３と放熱板８を仮固定する。半導体素子１は
放熱板８の半導体素子を逃がす窪み１４に仮固定する。
半導体素子１の裏側と放熱板８の半導体素子１を逃がす
窪み１４の仮固定に用いている銀ペ−スト等の接着剤６
の乾燥とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３の一方の面と
放熱板８の仮固定に用いているポリイミドテ−プ等の絶
縁熱接着テ−プ１２の乾燥はＴＡＢテ−プアウタ−リ−
ド１１とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド３とを一体ツ−
ルを用いてギャングボンデイング接続する際に使用して
いる加熱ヒ−タ−を活用して同時に行い半導体素子１を
放熱板８の所定の位置に本固定する。
【００３８】金線を使用しないのでモ−ルド工程での樹
脂封止する際の樹脂流動時に樹脂に金線が流される事な
く金線同士のショ−トも考慮しなくても良い。最後にプ
レス工程でリ−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４を折り曲げ
加工をし完成させる。
脂封止する際の樹脂流動時に樹脂に金線が流される事な
く金線同士のショ−トも考慮しなくても良い。最後にプ
レス工程でリ−ドフレ−ムアウタ−リ−ド４を折り曲げ
加工をし完成させる。
【００３９】図４は本発明の第３実施例に使用する放熱
板の他の一例であり、その平面図及び断面図である。
板の他の一例であり、その平面図及び断面図である。
【００４０】図４において放熱板８の半導体素子を搭載
固着する略中央部に半導体素子を逃がす窪み１４を設け
る。この窪みに半導体素子を銀ペ−スト等の接着剤を用
いて固着する。窪みの深さは半導体の素子厚みと同等が
望ましいがこの限りではなく、窪みの深み分半導体装置
そのものを薄くする事が可能となる。又モ−ルド工程で
の樹脂封止後に放熱板が脱落する事を防止するために放
熱板脱落防止外形１５をクサビ状にする。勿論前記放熱
板の形状は実施例以外の放熱機能を備えた半導体装置に
も活用可能であり、放熱板８の製造法として切削法、プ
レス法、エッチング法、これらをミックスする方法等が
あり安価に製作できる。
固着する略中央部に半導体素子を逃がす窪み１４を設け
る。この窪みに半導体素子を銀ペ−スト等の接着剤を用
いて固着する。窪みの深さは半導体の素子厚みと同等が
望ましいがこの限りではなく、窪みの深み分半導体装置
そのものを薄くする事が可能となる。又モ−ルド工程で
の樹脂封止後に放熱板が脱落する事を防止するために放
熱板脱落防止外形１５をクサビ状にする。勿論前記放熱
板の形状は実施例以外の放熱機能を備えた半導体装置に
も活用可能であり、放熱板８の製造法として切削法、プ
レス法、エッチング法、これらをミックスする方法等が
あり安価に製作できる。
【００４１】以上述べたとおり安価で且つ小型、薄型、
軽量、の半導体装置の製造が可能である。
軽量、の半導体装置の製造が可能である。
【００４２】
【発明の効果】半導体素子のその電極とリ−ドフレ−ム
インナ−リ−ドとの接続にＴＡＢテ−プを使用しＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ドとＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドと
を介しておこなう。ＴＡＢテ−プを使用する為に従前の
様に金線配線時のル−プ高さが必要なくなりこのル−プ
高さ分を半導体装置そのものを薄くする事が可能にな
る。又ＴＡＢテ−プ上の配線パタ−ンピッチを７０μｍ
程度まで狭小化できる為に半導体素子のその電極ピッチ
も７０μｍに合わせ込む事ができ半導体素子そのものを
小型化でき半導体素子製造工程であるプロセス工程での
一枚のウエ−ハ−からの取り個数が増え大きな効果が見
込める。
インナ−リ−ドとの接続にＴＡＢテ−プを使用しＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ドとＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドと
を介しておこなう。ＴＡＢテ−プを使用する為に従前の
様に金線配線時のル−プ高さが必要なくなりこのル−プ
高さ分を半導体装置そのものを薄くする事が可能にな
る。又ＴＡＢテ−プ上の配線パタ−ンピッチを７０μｍ
程度まで狭小化できる為に半導体素子のその電極ピッチ
も７０μｍに合わせ込む事ができ半導体素子そのものを
小型化でき半導体素子製造工程であるプロセス工程での
一枚のウエ−ハ−からの取り個数が増え大きな効果が見
込める。
【００４３】又半導体素子のその電極とリ−ドフレ−ム
インナ−リ−ドとの接続にＴＡＢテ−プを使用しＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ドとＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドと
を介しておこない半導体素子の裏側に放熱板を取り付け
る事により、更には放熱板の半導体素子搭載箇所の略中
央部半導体素子の逃げの窪みを設け半導体素子をこの窪
みに落とし込み搭載する事により半導体素子の稼働時に
発生する熱を放熱板を介して発散する機能を有する半導
体装置をより小型化、薄型化、軽量化でき、且つ安価に
手に入れる事が可能となる。
インナ−リ−ドとの接続にＴＡＢテ−プを使用しＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ドとＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドと
を介しておこない半導体素子の裏側に放熱板を取り付け
る事により、更には放熱板の半導体素子搭載箇所の略中
央部半導体素子の逃げの窪みを設け半導体素子をこの窪
みに落とし込み搭載する事により半導体素子の稼働時に
発生する熱を放熱板を介して発散する機能を有する半導
体装置をより小型化、薄型化、軽量化でき、且つ安価に
手に入れる事が可能となる。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図。
【図２】本発明の第２実施例を示す断面図。
【図３】本発明の第３実施例を示す断面図。
【図４】本発明の第３実施例の放熱板平面図、断面図。
【図５】従来の技術の断面図。
１…半導体素子 ２…金線 ３…リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド ４…リ−ドフレ−ムアウタ−リ−ド ５…リ−ドフレ−ムダイパット ６…接着剤 ７…接着剤 ８…放熱板 ９…モ−ルド樹脂 １０…ＴＡＢテ−プインナ−リ−ド １１…ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド １２…絶縁熱接着テ−プ １３…放熱板露出面 １４…半導体素子を逃がす窪み １５…放熱板脱落防止外形
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 - 23/31
Claims (6)
- 【請求項１】 電極を有する半導体素子と、 ＴＡＢテープアウターリードとＴＡＢテープインナ−リ
−ドとを有し、該ＴＡＢテープインナ−リ−ドと前記電
極とが接続されたＴＡＢテープと、 リ−ドフレ−ムアウターリードとリ−ドフレ−ムインナ
−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと
前記ＴＡＢテープアウターリードとが接続されたリード
フレームと、 前記半導体素子の前記電極を有する面と反対面が直接固
定された放熱板と、 前記半導体素子、前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−
ムアウターリードを除くリードフレーム及び放熱板を封
止したモールド樹脂とからなることを特徴とする半導体
装置であって、 前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドが平面的にみて前記
放熱板と重なる位置まで延設され、前記リ−ドフレ−ム
インナ−リ−ドと前記放熱板との間に双方を固定する接
着テ−プを用いてなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 電極を有する半導体素子と、 ＴＡＢテープアウターリードとＴＡＢテープインナ−リ
−ドとを有し、該ＴＡＢテープインナ−リ−ドと前記電
極とが接続されたＴＡＢテープと、 リ−ドフレ−ムアウターリードとリ−ドフレ−ムインナ
−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと
前記ＴＡＢテープアウターリードとが接続されたリード
フレームと、 前記半導体素子の前記電極を有する面と反対面が直接固
定された放熱板と、 前記半導体素子、前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−
ムアウターリードを除くリードフレーム及び放熱板を封
止したモールド樹脂とからなることを特徴とする半導体
装置であって、 前記放熱板の前記半導体素子が固定される部分は、前記
半導体素子の平面積より大きい平面を構成する窪みを持
たせたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 前記窪みの深さは前記半導体素子の厚み
と同等とすることを特徴とする請求項２記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 電極を有する半導体素子と、 ＴＡＢテープアウターリードとＴＡＢテープインナ−リ
−ドとを有し、該ＴＡＢテープインナ−リ−ドと前記電
極とが接続されたＴＡＢテープと、 リ−ドフレ−ムアウターリードとリ−ドフレ−ムインナ
−リ−ドとを有し、該リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと
前記ＴＡＢテープアウターリードとが接続されたリード
フレームと、 前記半導体素子の前記電極を有する面と反対面が直接固
定された放熱板と、 前記半導体素子、前記ＴＡＢテープ、前記リ−ドフレ−
ムアウターリードを除くリードフレーム及び放熱板を封
止したモールド樹脂とからなることを特徴とする半導体
装置であって、 前記放熱板は、外形をクサビ状にしたことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項５】 半導体素子の電極とＴＡＢテ−プインナ
−リ−ドとを接続する工程と、 ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ−ムインナ−
リ−ドとを接続する工程と、 前記半導体素子の前記電極を有する面の反対面と放熱板
とを接着剤にて接続する工程と、 前記半導体素子、前記ＴＡＢテープインナ−リ−ド、前
記ＴＡＢテープアウタ−リ−ド、前記リ−ドフレ−ムイ
ンナリード及び放熱板をモールド樹脂にて封止する工程
と、 前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板とを接
着テ−プにて接着固定する工程とを含んでなることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記半導体素子と放熱板とを接着剤にて
接続する工程には前記接着剤を乾燥させる工程を含み、 更に前記リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと前記放熱板と
を接着テ−プにて接着固定する工程には前記接着テ−プ
を乾燥させる工程を含み、 前記接着剤を乾燥させる工程と前記接着テ−プを乾燥す
る工程とを同時に行うことを特徴とする請求項５に記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27416595A JP3284853B2 (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27416595A JP3284853B2 (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001311708A Division JP2002184910A (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 放熱板、放熱板の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116049A JPH09116049A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3284853B2 true JP3284853B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=17537946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27416595A Expired - Lifetime JP3284853B2 (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3284853B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3826875B2 (ja) | 2002-10-29 | 2006-09-27 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-23 JP JP27416595A patent/JP3284853B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09116049A (ja) | 1997-05-02 |
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