JP2518994B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
樹脂パッケージ上に半導体素子を載置するステージの一
部が露出した構成を有する半導体装置に関する。半導体
素子には作動中に発熱するものがあり、この種の半導体
素子は効率良く冷却する必要がある。このため、半導体
素子を封止する樹脂パッケージに半導体素子を冷却する
ための放熱フィンを設けた構成の半導体装置がある。
樹脂パッケージ上に半導体素子を載置するステージの一
部が露出した構成を有する半導体装置に関する。半導体
素子には作動中に発熱するものがあり、この種の半導体
素子は効率良く冷却する必要がある。このため、半導体
素子を封止する樹脂パッケージに半導体素子を冷却する
ための放熱フィンを設けた構成の半導体装置がある。
【0002】また、半導体素子はステージに搭載された
上で樹脂封止されるが、半導体素子の冷却効率を向上さ
せるため、ステージの一部を樹脂パッケージの表面に露
出させ、この露出部分に放熱フィンを配設した構造の半
導体装置も提供されている。このように、ステージが樹
脂パッケージ内に完全に封止されない構造の半導体装置
では、耐湿性及び強度が低下しないよう構成することが
重要となる。
上で樹脂封止されるが、半導体素子の冷却効率を向上さ
せるため、ステージの一部を樹脂パッケージの表面に露
出させ、この露出部分に放熱フィンを配設した構造の半
導体装置も提供されている。このように、ステージが樹
脂パッケージ内に完全に封止されない構造の半導体装置
では、耐湿性及び強度が低下しないよう構成することが
重要となる。
【0003】
【従来の技術】図9は従来における半導体装置1を示
し、同図(A)は断面図を、同図(B)は平面図を、そ
れぞれ示している。半導体装置1は、半導体素子2,ス
テージ3,リード4,樹脂パッケージ5,放熱板6等に
より構成されている。半導体素子2はステージ3の一面
(以下、背面という)にダイ付けされることにより搭載
されており、この半導体素子2と複数のリード4はAu
(金)ワイヤ7により接続されている。複数のリード4
のアウターリード部は樹脂パッケージ5の外部に延出し
ており、例えばガルウイング状に成形されている。
し、同図(A)は断面図を、同図(B)は平面図を、そ
れぞれ示している。半導体装置1は、半導体素子2,ス
テージ3,リード4,樹脂パッケージ5,放熱板6等に
より構成されている。半導体素子2はステージ3の一面
(以下、背面という)にダイ付けされることにより搭載
されており、この半導体素子2と複数のリード4はAu
(金)ワイヤ7により接続されている。複数のリード4
のアウターリード部は樹脂パッケージ5の外部に延出し
ており、例えばガルウイング状に成形されている。
【0004】樹脂パッケージ5は、上記の半導体素子
2,ステージ3,リード4のインナーリード部分を樹脂
封止している。また、樹脂パッケージ5の上部にはキャ
ビテイ部8が形成されており、このキャビテイ部8内に
は放熱板6が例えば高熱伝導性接着材9により接着固定
されている。
2,ステージ3,リード4のインナーリード部分を樹脂
封止している。また、樹脂パッケージ5の上部にはキャ
ビテイ部8が形成されており、このキャビテイ部8内に
は放熱板6が例えば高熱伝導性接着材9により接着固定
されている。
【0005】また、前記したステージ3の半導体素子2
が配設された面と異なる面(以下、上面という)は、キ
ャビテイ部8の底面において樹脂パッケージ5より外部
に露出した構造とされている。この構成とすることによ
り、半導体素子2で発生する熱はステージ3,高熱伝導
性接着材9を介して放熱板6に効率良く熱伝導してゆ
き、放熱効率を向上させることができる。
が配設された面と異なる面(以下、上面という)は、キ
ャビテイ部8の底面において樹脂パッケージ5より外部
に露出した構造とされている。この構成とすることによ
り、半導体素子2で発生する熱はステージ3,高熱伝導
性接着材9を介して放熱板6に効率良く熱伝導してゆ
き、放熱効率を向上させることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図10は、樹脂パッケ
ージ5のモールド工程が終了した直後のまだ放熱板6及
び高熱伝導性接着材9が配設されていない状態の半導体
装置1を示している。同図に示すように、モールド工程
直後では、ステージ3の上面は樹脂パッケージ5より外
部に露出した状態となっている。
ージ5のモールド工程が終了した直後のまだ放熱板6及
び高熱伝導性接着材9が配設されていない状態の半導体
装置1を示している。同図に示すように、モールド工程
直後では、ステージ3の上面は樹脂パッケージ5より外
部に露出した状態となっている。
【0007】このように、ステージ3が樹脂パッケージ
5上に露出した構成の場合、ステージ3の上面と樹脂パ
ッケージ5との境界部位(図10に矢印Pで示す部位)
より樹脂パッケージ5内に水分が侵入するおそれがあ
る。一方、従来の半導体装置1では、ステージ3は単に
板形状とされただけの構成(即ち、上面と背面の面積が
同一)とされていた。
5上に露出した構成の場合、ステージ3の上面と樹脂パ
ッケージ5との境界部位(図10に矢印Pで示す部位)
より樹脂パッケージ5内に水分が侵入するおそれがあ
る。一方、従来の半導体装置1では、ステージ3は単に
板形状とされただけの構成(即ち、上面と背面の面積が
同一)とされていた。
【0008】このため、上記境界部位Pと半導体素子2
との距離が短く、水分(水蒸気,他の液体等を含む)が
侵入した場合に容易に半導体素子2に至ってしまい、半
導体素子2が損傷するおそれがあるという問題点があっ
た。また、モールド時における樹脂の収縮及び何らかの
外部要因により半導体装置1に図10中矢印Fで示す力
が作用した場合、単に板形状とされたステージ3では樹
脂パッケージ5に対する固着力が弱いため、ステージ3
が樹脂パッケージ5より外部に押し出されてしまうおそ
れがあるという問題点があった。
との距離が短く、水分(水蒸気,他の液体等を含む)が
侵入した場合に容易に半導体素子2に至ってしまい、半
導体素子2が損傷するおそれがあるという問題点があっ
た。また、モールド時における樹脂の収縮及び何らかの
外部要因により半導体装置1に図10中矢印Fで示す力
が作用した場合、単に板形状とされたステージ3では樹
脂パッケージ5に対する固着力が弱いため、ステージ3
が樹脂パッケージ5より外部に押し出されてしまうおそ
れがあるという問題点があった。
【0009】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、ステージの樹脂パッケージに対する固着力を向上
すると共に樹脂パッケージ内への水分の侵入を防止しう
る半導体装置を提供することを目的とする。
あり、ステージの樹脂パッケージに対する固着力を向上
すると共に樹脂パッケージ内への水分の侵入を防止しう
る半導体装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、半導体素子と、第1の面に該半導体素
子を載置するステージと、該半導体素子を外部回路と電
気的に接続するリードと、該半導体素子を樹脂封止する
樹脂パッケージとを具備し、該ステージの一部が該樹脂
パッケージより外部に露出した構造を有する半導体装置
において、該ステージの上記第1の面とは反対側の第2
の面に、該樹脂パッケージを構成する樹脂より成り、該
第2の面を露出させる所定数の開口部を有する所定厚さ
のステージ保持部を有する構成とした。
めに本発明では、半導体素子と、第1の面に該半導体素
子を載置するステージと、該半導体素子を外部回路と電
気的に接続するリードと、該半導体素子を樹脂封止する
樹脂パッケージとを具備し、該ステージの一部が該樹脂
パッケージより外部に露出した構造を有する半導体装置
において、該ステージの上記第1の面とは反対側の第2
の面に、該樹脂パッケージを構成する樹脂より成り、該
第2の面を露出させる所定数の開口部を有する所定厚さ
のステージ保持部を有する構成とした。
【0011】また、半導体素子と、第1の面に該半導体
素子を載置するステージと、該半導体素子を外部回路と
電気的に接続するリードと、該半導体素子を樹脂封止す
る樹脂パッケージとを具備し、該ステージの一部が該樹
脂パッケージより外部に露出した構造を有する半導体装
置において、該ステージの上記第1の面とは反対側の第
2の面に、該樹脂パッケージを構成する樹脂より成り、
該第2の面を露出させる所定数の開口部を有する所定厚
さのステージ保持部を有する構成とすると共に、上記開
口部に嵌合する突出部を有する放熱部材を、該突出部を
上記開口部に嵌合させて上記ステージ保持部上に設けた
構成とした。 また、前記放熱部材は、該樹脂パッケージ
の表面側周縁部分に、切欠部を有する構成とした。
素子を載置するステージと、該半導体素子を外部回路と
電気的に接続するリードと、該半導体素子を樹脂封止す
る樹脂パッケージとを具備し、該ステージの一部が該樹
脂パッケージより外部に露出した構造を有する半導体装
置において、該ステージの上記第1の面とは反対側の第
2の面に、該樹脂パッケージを構成する樹脂より成り、
該第2の面を露出させる所定数の開口部を有する所定厚
さのステージ保持部を有する構成とすると共に、上記開
口部に嵌合する突出部を有する放熱部材を、該突出部を
上記開口部に嵌合させて上記ステージ保持部上に設けた
構成とした。 また、前記放熱部材は、該樹脂パッケージ
の表面側周縁部分に、切欠部を有する構成とした。
【0012】
【作用】第2の面を露出させる所定数の開口部を有し且
つ所定厚さを有する構成のステージ保持部は、ステージ
と樹脂パッケージとの固着力を強くするように作用す
る。
つ所定厚さを有する構成のステージ保持部は、ステージ
と樹脂パッケージとの固着力を強くするように作用す
る。
【0013】開口部に嵌合する突出部を有する放熱部材
を、該突出部を上記開口部に嵌合させて上記ステージ保
持部上に設けた構成は、放熱性を向上させるように作用
する。
を、該突出部を上記開口部に嵌合させて上記ステージ保
持部上に設けた構成は、放熱性を向上させるように作用
する。
【0014】放熱部材が、樹脂パッケージの表面側周縁
部分に、切欠部を有する構成は、この切欠部が接着材で
埋められるように作用する。
部分に、切欠部を有する構成は、この切欠部が接着材で
埋められるように作用する。
【0015】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図1は本発明の第1実施例である半導体装置10
を示している。同図において11は半導体素子であり、
本発明の要部となるステージ12の背面にダイ付けされ
ることにより搭載されている。尚、ステージ12の構造
は説明の便宜上、後に詳述する。
する。図1は本発明の第1実施例である半導体装置10
を示している。同図において11は半導体素子であり、
本発明の要部となるステージ12の背面にダイ付けされ
ることにより搭載されている。尚、ステージ12の構造
は説明の便宜上、後に詳述する。
【0016】また、図中13は複数本配設されるリード
(鉄合金,銅合金などにより構成される)であり、この
リード13のインナーリード部13aと半導体素子11
とはAuワイヤ14により電気的に接続されている。こ
のリード13のアウターリード部13bは樹脂パッケー
ジ15の外部に延出しており、例えばガルウイング状に
成形されている。
(鉄合金,銅合金などにより構成される)であり、この
リード13のインナーリード部13aと半導体素子11
とはAuワイヤ14により電気的に接続されている。こ
のリード13のアウターリード部13bは樹脂パッケー
ジ15の外部に延出しており、例えばガルウイング状に
成形されている。
【0017】樹脂パッケージ15は、例えばエポキシ系
樹脂をモールドすることにより成形されている。この樹
脂パッケージ15内には、上記の半導体素子11,ステ
ージ12,リード13のインナーリード部13aが樹脂
封止される。また、樹脂パッケージ15の上部にはキャ
ビテイ部16が形成されており、このキャビテイ部16
内には放熱部材(鉄合金,銅合金,セラミックなどによ
り構成される)を構成する放熱板17が例えばME99
0Jにてなる高熱伝導性接着材18により接着固定され
ている。
樹脂をモールドすることにより成形されている。この樹
脂パッケージ15内には、上記の半導体素子11,ステ
ージ12,リード13のインナーリード部13aが樹脂
封止される。また、樹脂パッケージ15の上部にはキャ
ビテイ部16が形成されており、このキャビテイ部16
内には放熱部材(鉄合金,銅合金,セラミックなどによ
り構成される)を構成する放熱板17が例えばME99
0Jにてなる高熱伝導性接着材18により接着固定され
ている。
【0018】ここで、本発明の要部となるステージ12
について、図1に加え図2を用いて以下説明する。尚、
図2はステージ12を拡大して示す図である。ステージ
12は、例えば42アロイ等のリードフレーム材料によ
り構成された板状の部材であり、その四隅位置にはモー
ルド時にステージ12を所定位置に支持するためのサポ
ートバー19が延在している。また、ステージ12の半
導体素子11を搭載する側の面と異なる側の面(上面)
12aには、外周に沿って凹部20が形成されており段
差部を形成している。即ち、ステージ12は半導体素子
11が搭載される背面の面積に比べて、上面12aの面
積の方が小さくなっている。
について、図1に加え図2を用いて以下説明する。尚、
図2はステージ12を拡大して示す図である。ステージ
12は、例えば42アロイ等のリードフレーム材料によ
り構成された板状の部材であり、その四隅位置にはモー
ルド時にステージ12を所定位置に支持するためのサポ
ートバー19が延在している。また、ステージ12の半
導体素子11を搭載する側の面と異なる側の面(上面)
12aには、外周に沿って凹部20が形成されており段
差部を形成している。即ち、ステージ12は半導体素子
11が搭載される背面の面積に比べて、上面12aの面
積の方が小さくなっている。
【0019】凹部20の形成方法としては、ステージ1
2の凹部形成位置を除いてレジストを配設した上で、ス
テージ12の厚さに対し途中位置までエッチングを行う
ハーフエッチングを行う。凹部20の形成方法として
は、他に切削加工法やプレス加工法が考えられるが、こ
のハーフエッチング法による方が容易に凹部20を形成
することができる。
2の凹部形成位置を除いてレジストを配設した上で、ス
テージ12の厚さに対し途中位置までエッチングを行う
ハーフエッチングを行う。凹部20の形成方法として
は、他に切削加工法やプレス加工法が考えられるが、こ
のハーフエッチング法による方が容易に凹部20を形成
することができる。
【0020】凹部20が形成されたステージ12に対
し、樹脂モールド処理を行い樹脂パッケージ15を形成
すると、上面12aのみが樹脂パッケージ15より外部
に露出し、他の部分は樹脂パッケージ15内に埋設され
た構成となる。即ち、樹脂モールド時に、凹部20内に
も樹脂が配設された構造となる。
し、樹脂モールド処理を行い樹脂パッケージ15を形成
すると、上面12aのみが樹脂パッケージ15より外部
に露出し、他の部分は樹脂パッケージ15内に埋設され
た構成となる。即ち、樹脂モールド時に、凹部20内に
も樹脂が配設された構造となる。
【0021】上記のように、ステージ12に形成された
凹部20内にも樹脂が配設されることにより、上面12
aと樹脂パッケージ15との境界部位(図1に矢印Pで
示す)から半導体素子11に至るまでの距離が長くな
り、この境界部位から侵入する水分が半導体素子11に
届き難くなる。これにより、半導体素子11の水分によ
る損傷の発生を防止することができ、半導体装置10の
信頼性を向上させることができる。
凹部20内にも樹脂が配設されることにより、上面12
aと樹脂パッケージ15との境界部位(図1に矢印Pで
示す)から半導体素子11に至るまでの距離が長くな
り、この境界部位から侵入する水分が半導体素子11に
届き難くなる。これにより、半導体素子11の水分によ
る損傷の発生を防止することができ、半導体装置10の
信頼性を向上させることができる。
【0022】また、樹脂モールド処理時におけるパッケ
ージ樹脂の収縮及び何らかの外的要因により図中矢印F
で示す外力が作用したとしても、ステージ12は凹部2
0が形成された複雑な形状であり、かつ凹部20に樹脂
パッケージ15を構成する樹脂が配設されているため、
ステージ12と樹脂パッケージ15との固着力は強い。
よって、上記のような外力が印加されたとしてもステー
ジ12が樹脂パッケージ15から離脱してしまうような
ことはなく、これによっても半導体装置10の信頼性を
向上させることができる。
ージ樹脂の収縮及び何らかの外的要因により図中矢印F
で示す外力が作用したとしても、ステージ12は凹部2
0が形成された複雑な形状であり、かつ凹部20に樹脂
パッケージ15を構成する樹脂が配設されているため、
ステージ12と樹脂パッケージ15との固着力は強い。
よって、上記のような外力が印加されたとしてもステー
ジ12が樹脂パッケージ15から離脱してしまうような
ことはなく、これによっても半導体装置10の信頼性を
向上させることができる。
【0023】図3乃至図5はステージ12の変形例を示
すものである。各図において、(A)は平面図、(B)
以降は(A)に矢印で示した位置で切断した断面を示し
ている。図3に示すステージ12は、凹部20をステー
ジ12の外周全部に連続的に形成するのではなく、各外
周4辺に夫々凹部20を形成したものである。この構成
とすることにより、図1及び図2に示した構成に比べて
外周縁部分におけるステージ12の強度を向上させるこ
とができる。
すものである。各図において、(A)は平面図、(B)
以降は(A)に矢印で示した位置で切断した断面を示し
ている。図3に示すステージ12は、凹部20をステー
ジ12の外周全部に連続的に形成するのではなく、各外
周4辺に夫々凹部20を形成したものである。この構成
とすることにより、図1及び図2に示した構成に比べて
外周縁部分におけるステージ12の強度を向上させるこ
とができる。
【0024】また、凹部20は、サポートバー19のス
テージ12への付け根の部分を除いて形成してある。こ
のため、サポートバー19の強度は少しも損なわれてい
ず、樹脂パッケージをモールドするときに、ステージ1
2は、しっかり支持されており、モールドの際に、ステ
ージ12が動いてしまう危険はなく、よって、ワイヤ断
線等の不良が発生することがなく、半導体装置の製造の
歩留りは少しも低下しない。
テージ12への付け根の部分を除いて形成してある。こ
のため、サポートバー19の強度は少しも損なわれてい
ず、樹脂パッケージをモールドするときに、ステージ1
2は、しっかり支持されており、モールドの際に、ステ
ージ12が動いてしまう危険はなく、よって、ワイヤ断
線等の不良が発生することがなく、半導体装置の製造の
歩留りは少しも低下しない。
【0025】また、図4に示すステージ12は、ブロッ
ク状の凹部20をステージ12の外周に沿って複数個形
成したものである。この構成とすることにより、ステー
ジ12の形状は複雑化し、パッケージ樹脂とステージ1
2との固着力の向上を図ることができ、ステージ12の
樹脂パッケージ15からの離脱をより確実に防止するこ
とができる。
ク状の凹部20をステージ12の外周に沿って複数個形
成したものである。この構成とすることにより、ステー
ジ12の形状は複雑化し、パッケージ樹脂とステージ1
2との固着力の向上を図ることができ、ステージ12の
樹脂パッケージ15からの離脱をより確実に防止するこ
とができる。
【0026】なお、凹部20は、サポートバー19のス
テージ12への付け根の部分には形成されていず、サポ
ートバーの強度を少しも損なわれていない。更に、図5
に示すステージ12は、図3に示した構造に類似する
が、凹部20の内側部位に波形部20aを形成したもの
である。この構成としてもパッケージ樹脂と凹部20の
接触面積は大となりパッケージ樹脂とステージ12との
固着力を向上させることができる。この凹部20も、サ
ポートバー19のステージ12への付け根の部分には形
成されていず、サポートバーの強度を少しも損なわれて
いない。
テージ12への付け根の部分には形成されていず、サポ
ートバーの強度を少しも損なわれていない。更に、図5
に示すステージ12は、図3に示した構造に類似する
が、凹部20の内側部位に波形部20aを形成したもの
である。この構成としてもパッケージ樹脂と凹部20の
接触面積は大となりパッケージ樹脂とステージ12との
固着力を向上させることができる。この凹部20も、サ
ポートバー19のステージ12への付け根の部分には形
成されていず、サポートバーの強度を少しも損なわれて
いない。
【0027】尚、本発明の変形例として図6に示すよう
に、凹部20をステージ12の背面側に形成する構成
(ちょうど、図1に示すステージ12を逆さまに配設し
た構成)が考えられる。この構成とした場合、境界部位
Pから半導体素子11に至るまでの距離は図1に示した
構成と同様で長いため、水分の侵入を防止する効果は奏
する。しかるに、外力Fが印加された場合、上面の面積
が背面の面積に比べて大きい構成では、ステージ12は
樹脂パッケージ15より離脱し易い。よって、図6に示
す構成よりも図1に示す構成の半導体装置10の方がよ
り高い信頼性を実現することができる。
に、凹部20をステージ12の背面側に形成する構成
(ちょうど、図1に示すステージ12を逆さまに配設し
た構成)が考えられる。この構成とした場合、境界部位
Pから半導体素子11に至るまでの距離は図1に示した
構成と同様で長いため、水分の侵入を防止する効果は奏
する。しかるに、外力Fが印加された場合、上面の面積
が背面の面積に比べて大きい構成では、ステージ12は
樹脂パッケージ15より離脱し易い。よって、図6に示
す構成よりも図1に示す構成の半導体装置10の方がよ
り高い信頼性を実現することができる。
【0028】図7は本発明の第2実施例である半導体装
置10を示し、図8は図7に示す半導体装置において放
熱板を分離した構成を示している。図7において(A)
は断面図を、(B)は平面図を、それぞれ示す。また、
図8において(A)は半導体装置の断面図を、(B)は
放熱板の平面図を、(C)は放熱板の下面図を、それぞ
れ示す。
置10を示し、図8は図7に示す半導体装置において放
熱板を分離した構成を示している。図7において(A)
は断面図を、(B)は平面図を、それぞれ示す。また、
図8において(A)は半導体装置の断面図を、(B)は
放熱板の平面図を、(C)は放熱板の下面図を、それぞ
れ示す。
【0029】図7および図8において図1と同一構成部
分については同一符号を付し、その説明を省略する。ま
た、30はステージ保持部を、30a1,30a2 (ただ
し、30a2 は図中に表れず)はステージ保持部30の
開口部を、31は放熱部材(鉄合金,銅合金,セラミッ
クなどにてなる)を構成する放熱板を、31a1,31a
2 は放熱板31の突出部を、31bはモールド時に放熱
板31の位置固定に必要なアンカー効果を得るための切
欠部を、それぞれ示している。
分については同一符号を付し、その説明を省略する。ま
た、30はステージ保持部を、30a1,30a2 (ただ
し、30a2 は図中に表れず)はステージ保持部30の
開口部を、31は放熱部材(鉄合金,銅合金,セラミッ
クなどにてなる)を構成する放熱板を、31a1,31a
2 は放熱板31の突出部を、31bはモールド時に放熱
板31の位置固定に必要なアンカー効果を得るための切
欠部を、それぞれ示している。
【0030】背面に半導体素子11をダイ付けされたス
テージ12は、樹脂モールド処理で形成される樹脂パッ
ケージ15によって、上面12aの一部のみが外部に露
出するように、他の部分が樹脂パッケージ15内に埋設
される。すなわち、図8(A)に示すように半導体素子
11やリード13が樹脂パッケージ15にて封止された
状態で、ステージ12の上面12aが露出した部分に対
して、樹脂パッケージ15を構成する樹脂によって開口
部30a1,30a2 を有するステージ保持部30が形成
されて配設される。
テージ12は、樹脂モールド処理で形成される樹脂パッ
ケージ15によって、上面12aの一部のみが外部に露
出するように、他の部分が樹脂パッケージ15内に埋設
される。すなわち、図8(A)に示すように半導体素子
11やリード13が樹脂パッケージ15にて封止された
状態で、ステージ12の上面12aが露出した部分に対
して、樹脂パッケージ15を構成する樹脂によって開口
部30a1,30a2 を有するステージ保持部30が形成
されて配設される。
【0031】開口部30a1,30a2 は、例えば、円柱
をくり抜いた形状とされ、開口部30a1 は複数個形成
されている。開口部30a2 は、その口径が開口部30
a1よりも大きく、また放熱板31のステージ保持部3
0の中央部に位置するように形成され、少なくともこの
開口部30a2 においてステージ12の上面12aが露
出する構成とされる。
をくり抜いた形状とされ、開口部30a1 は複数個形成
されている。開口部30a2 は、その口径が開口部30
a1よりも大きく、また放熱板31のステージ保持部3
0の中央部に位置するように形成され、少なくともこの
開口部30a2 においてステージ12の上面12aが露
出する構成とされる。
【0032】また、開口部30a1,30a2 の深さ、す
なわちステージ保持部30の厚さは、例えばステージ保
持部30の直径が20mm、樹脂パッケージ15の表面から
ステージ12の上面12aまでが 1.2mmである場合に
は、半分の 0.6mmとなるように形成される。
なわちステージ保持部30の厚さは、例えばステージ保
持部30の直径が20mm、樹脂パッケージ15の表面から
ステージ12の上面12aまでが 1.2mmである場合に
は、半分の 0.6mmとなるように形成される。
【0033】これによってステージ12は、従来からあ
る樹脂パッケージ15の本体と、本発明になるステージ
保持部30との間に常に挟持されることとなる。このた
め、モールド時における樹脂の収縮および何らかの外部
要因による力に起因して、ステージ12が変形しようと
した場合でも、その変位は樹脂パッケージ15本体とス
テージ保持部30とによって抑止される。
る樹脂パッケージ15の本体と、本発明になるステージ
保持部30との間に常に挟持されることとなる。このた
め、モールド時における樹脂の収縮および何らかの外部
要因による力に起因して、ステージ12が変形しようと
した場合でも、その変位は樹脂パッケージ15本体とス
テージ保持部30とによって抑止される。
【0034】したがって、本発明になるステージ保持部
30の存在によって、ステージ12が反ったり剥離した
りする現象が防止されるため、半導体装置10の信頼性
を向上させることができる。また、ステージ保持部30
を構成する樹脂がステージ12の上面12aの端部の真
上を覆うように、開口部30a1,30a2 とステージ1
2との位置関係を設計すれば、上面12aの露出部分か
ら半導体素子11に至るまでの水分の侵入経路が長くな
り、水分は半導体素子11に届きにくくなる。これによ
り、半導体素子11の水分による損傷の発生を防止する
こができ、半導体装置10の信頼性を向上させることが
できる。
30の存在によって、ステージ12が反ったり剥離した
りする現象が防止されるため、半導体装置10の信頼性
を向上させることができる。また、ステージ保持部30
を構成する樹脂がステージ12の上面12aの端部の真
上を覆うように、開口部30a1,30a2 とステージ1
2との位置関係を設計すれば、上面12aの露出部分か
ら半導体素子11に至るまでの水分の侵入経路が長くな
り、水分は半導体素子11に届きにくくなる。これによ
り、半導体素子11の水分による損傷の発生を防止する
こができ、半導体装置10の信頼性を向上させることが
できる。
【0035】上述のような樹脂モールド処理を行われた
半導体装置10には、図7のように放熱板31が取り付
けられる。放熱板31には、図8(B)および(C)に
示すように、前述のステージ保持部30に設けられた開
口部30a1,30a2 に対応する例えば円柱形状の突出
部31a1,31a2 が設けられており、ステージ保持部
30と嵌合する構成とされている。
半導体装置10には、図7のように放熱板31が取り付
けられる。放熱板31には、図8(B)および(C)に
示すように、前述のステージ保持部30に設けられた開
口部30a1,30a2 に対応する例えば円柱形状の突出
部31a1,31a2 が設けられており、ステージ保持部
30と嵌合する構成とされている。
【0036】また、切欠部31bは放熱板31をステー
ジ保持部30に嵌合させたときに樹脂パッケージ15の
表面側周縁に位置する部分に形成され、放熱板31を例
えば高熱伝導性接着材18によって接着固定する際に
は、接着材18の一部が放熱板31の切欠部31bの部
分に回り込むので、放熱板31は樹脂パッケージ15か
ら剥離しにくいようにアンカー効果によって位置固定さ
れる。
ジ保持部30に嵌合させたときに樹脂パッケージ15の
表面側周縁に位置する部分に形成され、放熱板31を例
えば高熱伝導性接着材18によって接着固定する際に
は、接着材18の一部が放熱板31の切欠部31bの部
分に回り込むので、放熱板31は樹脂パッケージ15か
ら剥離しにくいようにアンカー効果によって位置固定さ
れる。
【0037】
【発明の効果】上述の如く、請求項1の発明によれば、
ステージのうち半導体素子が載置された第1の面とは反
対側の第2の面に、樹脂パッケージを構成する樹脂より
成り、第2の面を露出させる所定数の開口部を有する所
定厚さのステージ保持部を有する構成としたものである
ため、ステージと樹脂パッケージとの固着力が強くな
り、よって、モールド時における樹脂の収縮および何ら
かの外部要因によって外力が印加された場合において
も、ステージは樹脂パッケージ内に確実に保持され、よ
って、半導体装置の信頼性を向上させることが出来る。
また、樹脂パッケージの表面に露出したステージの端部
から半導体素子までの水分の侵入経路を長くして、前記
端部から樹脂パッケージ内に侵入した水分が半導体素子
に到達しにくい構造とすることができるため、水分の侵
入による半導体素子の損傷を防止し、半導体装置の信頼
性を向上させることができる。
ステージのうち半導体素子が載置された第1の面とは反
対側の第2の面に、樹脂パッケージを構成する樹脂より
成り、第2の面を露出させる所定数の開口部を有する所
定厚さのステージ保持部を有する構成としたものである
ため、ステージと樹脂パッケージとの固着力が強くな
り、よって、モールド時における樹脂の収縮および何ら
かの外部要因によって外力が印加された場合において
も、ステージは樹脂パッケージ内に確実に保持され、よ
って、半導体装置の信頼性を向上させることが出来る。
また、樹脂パッケージの表面に露出したステージの端部
から半導体素子までの水分の侵入経路を長くして、前記
端部から樹脂パッケージ内に侵入した水分が半導体素子
に到達しにくい構造とすることができるため、水分の侵
入による半導体素子の損傷を防止し、半導体装置の信頼
性を向上させることができる。
【0038】また、請求項2の発明によれば、開口部に
嵌合する突出部を有する放熱部材を、該突出部を上記開
口部に嵌合させて上記ステージ保持部上に設けた構成と
したため、請求項1の発明による効果に加えて、半導体
装置の放熱性を向上させることが出来る。
嵌合する突出部を有する放熱部材を、該突出部を上記開
口部に嵌合させて上記ステージ保持部上に設けた構成と
したため、請求項1の発明による効果に加えて、半導体
装置の放熱性を向上させることが出来る。
【0039】また、請求項3の発明によれば、放熱部材
が、樹脂パッケージの表面側周縁部分に、切欠部を有す
る構成であるため、この切欠部を放熱部材を樹脂パッケ
ージに接着する接着材により埋めることによって、アン
カー効果が生じ、これによって、放熱部材を樹脂パッケ
ージより剥離しにくい状態で固定することが出来る。
が、樹脂パッケージの表面側周縁部分に、切欠部を有す
る構成であるため、この切欠部を放熱部材を樹脂パッケ
ージに接着する接着材により埋めることによって、アン
カー効果が生じ、これによって、放熱部材を樹脂パッケ
ージより剥離しにくい状態で固定することが出来る。
【図1】本発明の第1実施例である半導体装置の断面図
である。
である。
【図2】図1におけるステージを拡大して示す図であ
る。
る。
【図3】図1におけるステージの変形例を示す図であ
る。
る。
【図4】図1におけるステージの変形例を示す図であ
る。
る。
【図5】図1におけるステージの変形例を示す図であ
る。
る。
【図6】図1に示す半導体装置の変形例を示す図であ
る。
る。
【図7】本発明の第2実施例である半導体装置を示す図
である。
である。
【図8】図7に示す半導体装置において放熱板を分離し
た構成を示す図である。
た構成を示す図である。
【図9】従来の半導体装置の一例を示す図である。
【図10】図9に示す半導体装置において放熱板を取り
除いた構成を示す図である。
除いた構成を示す図である。
10 半導体装置 11 半導体素子 12 ステージ 12a ステージの上面 13 リード 15 樹脂パッケージ 16 キャビティ部 17 放熱板 18 高熱伝導性接着材 19 サポートバー 20 凹部 30 ステージ保持部 30a1,30a2 開口部 31 放熱板 31a1,31a2 突出部 31b 切欠部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−106456(JP,A) 特開 平1−128893(JP,A) 特開 平2−194639(JP,A) 実開 昭62−131449(JP,U)
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体素子(11)と、第1の面に該半
導体素子(11)を載置するステージ(12)と、該半
導体素子(11)を外部回路と電気的に接続するリード
(13)と、該半導体素子(11)を樹脂封止する樹脂
パッケージ(15)とを具備し、該ステージ(12)の
一部が該樹脂パッケージ(15)より外部に露出した構
造を有する半導体装置において、 該ステージ(12)の上記第1の面とは反対側の第2の
面に、該樹脂パッケージ(15)を構成する樹脂より成
り、該第2の面を露出させる所定数の開口部(30a 1,
30a 2 )を有する所定厚さのステージ保持部(30)
を有する構成としたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 半導体素子(11)と、第1の面に該半
導体素子(11)を載置するステージ(12)と、該半
導体素子(11)を外部回路と電気的に接続するリード
(13)と、該半導体素子(11)を樹脂封止する樹脂
パッケージ(15)とを具備し、該ステージ(12)の
一部が該樹脂パッケージ(15)より外部に露出した構
造を有する半導体装置において、 該ステージ(12)の上記第1の面とは反対側の第2の
面に、該樹脂パッケージ(15)を構成する樹脂より成
り、該第2の面を露出させる所定数の開口部(30a 1,
30a 2 )を有する所定厚さのステージ保持部(30)
を有する構成とすると共に、 上記開口部(30a 1, 30a 2 )に嵌合する突出部(3
1a 1, 31a 2 )を有する放熱部材(31)を、該突出
部(31a 1, 31a 2 )を上記開口部(30a 1, 30a
2 )に嵌合させて上記ステージ保持部(30)上に設け
た構成としたことを特 徴とする半導体装置。 - 【請求項3】 前記放熱部材(31)は、該樹脂パッケ
ージ(15)の表面側周縁部分に、切欠部(31b)を
有する構成としたことを特徴とする請求項2記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4139056A JP2518994B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-102985 | 1992-04-22 | ||
JP10298592 | 1992-04-22 | ||
JP4139056A JP2518994B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH065737A JPH065737A (ja) | 1994-01-14 |
JP2518994B2 true JP2518994B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=26443656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4139056A Expired - Fee Related JP2518994B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2518994B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8269338B2 (en) * | 2006-08-10 | 2012-09-18 | Vishay General Semiconductor Llc | Semiconductor device having improved heat dissipation capabilities |
TWI525767B (zh) * | 2011-04-04 | 2016-03-11 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2013258334A (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR102005234B1 (ko) * | 2012-09-25 | 2019-07-30 | 삼성전자주식회사 | 가이드 벽을 갖는 반도체 패키지 |
JP6432461B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2018-12-05 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
JP7024900B1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-02-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3423580A1 (de) * | 1984-06-27 | 1986-01-02 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur behandlung von fluidisiertem russ mit gasen, fliessbettapparatur zur durchfuehrung des verfahrens und in der apparatur verwendbarer grenzwertgeber |
JP2654035B2 (ja) * | 1987-11-14 | 1997-09-17 | 松下電工株式会社 | 半導体ic装置 |
JPH02194639A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4139056A patent/JP2518994B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH065737A (ja) | 1994-01-14 |
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---|---|---|---|
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