JPH065737A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH065737A
JPH065737A JP4139056A JP13905692A JPH065737A JP H065737 A JPH065737 A JP H065737A JP 4139056 A JP4139056 A JP 4139056A JP 13905692 A JP13905692 A JP 13905692A JP H065737 A JPH065737 A JP H065737A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は樹脂パッケージ上に半導体素子を載置
するステージの一部が露出した構成を有する半導体装置
に関し、ステージの樹脂パッケージに対する固着力を向
上させるとともに樹脂パッケージ内への水分の侵入を防
止することを目的とする。 【構成】半導体素子11と、この半導体素子11を載置
するステージ12と、半導体素子11を外部回路と電気
的に接続するリード13と、半導体素子11を樹脂封止
する樹脂パッケージ15とを具備し、ステージ12の一
部が樹脂パッケージ15より外部に露出した構造を有す
る半導体装置において、ステージ12の上記外部に露出
する側の面に凹部20を形成し、この凹部20に樹脂パ
ッケージ15を構成する樹脂が配設されるよう構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
樹脂パッケージ上に半導体素子を載置するステージの一
部が露出した構成を有する半導体装置に関する。
【0002】半導体素子には作動中に発熱するものがあ
り、この種の半導体素子は効率良く冷却する必要があ
る。このため、半導体素子を封止する樹脂パッケージに
半導体素子を冷却するための放熱フィンを設けた構成の
半導体装置がある。
【0003】また、半導体素子はステージに搭載された
上で樹脂封止されるが、半導体素子の冷却効率を向上さ
せるため、ステージの一部を樹脂パッケージの表面に露
出させ、この露出部分に放熱フィンを配設した構造の半
導体装置も提供されている。
【0004】このように、ステージが樹脂パッケージ内
に完全に封止されない構造の半導体装置では、耐湿性及
び強度が低下しないよう構成することが重要となる。
【0005】
【従来の技術】図9は従来における半導体装置1を示
し、同図(A)は断面図を、同図(B)は平面図を、そ
れぞれ示している。
【0006】半導体装置1は、半導体素子2,ステージ
3,リード4,樹脂パッケージ5,放熱板6等により構
成されている。半導体素子2はステージ3の一面(以
下、背面という)にダイ付けされることにより搭載され
ており、この半導体素子2と複数のリード4はAu
(金)ワイヤ7により接続されている。複数のリード4
のアウターリード部は樹脂パッケージ5の外部に延出し
ており、例えばガルウイング状に成形されている。
【0007】樹脂パッケージ5は、上記の半導体素子
2,ステージ3,リード4のインナーリード部分を樹脂
封止している。また、樹脂パッケージ5の上部にはキャ
ビテイ部8が形成されており、このキャビテイ部8内に
は放熱板6が例えば高熱伝導性接着材9により接着固定
されている。
【0008】また、前記したステージ3の半導体素子2
が配設された面と異なる面(以下、上面という)は、キ
ャビテイ部8の底面において樹脂パッケージ5より外部
に露出した構造とされている。この構成とすることによ
り、半導体素子2で発生する熱はステージ3,高熱伝導
性接着材9を介して放熱板6に効率良く熱伝導してゆ
き、放熱効率を向上させることができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図10は、樹脂パッケ
ージ5のモールド工程が終了した直後のまだ放熱板6及
び高熱伝導性接着材9が配設されていない状態の半導体
装置1を示している。同図に示すように、モールド工程
直後では、ステージ3の上面は樹脂パッケージ5より外
部に露出した状態となっている。
【0010】このように、ステージ3が樹脂パッケージ
5上に露出した構成の場合、ステージ3の上面と樹脂パ
ッケージ5との境界部位(図10に矢印Pで示す部位)
より樹脂パッケージ5内に水分が侵入するおそれがあ
る。一方、従来の半導体装置1では、ステージ3は単に
板形状とされただけの構成(即ち、上面と背面の面積が
同一)とされていた。
【0011】このため、上記境界部位Pと半導体素子2
との距離が短く、水分(水蒸気,他の液体等を含む)が
侵入した場合に容易に半導体素子2に至ってしまい、半
導体素子2が損傷するおそれがあるという問題点があっ
た。
【0012】また、モールド時における樹脂の収縮及び
何らかの外部要因により半導体装置1に図10中矢印F
で示す力が作用した場合、単に板形状とされたステージ
3では樹脂パッケージ5に対する固着力が弱いため、ス
テージ3が樹脂パッケージ5より外部に押し出されてし
まうおそれがあるという問題点があった。
【0013】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、ステージの樹脂パッケージに対する固着力を向上
すると共に樹脂パッケージ内への水分の侵入を防止しう
る半導体装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、半導体素子と、該半導体素子を載置す
るステージと、該半導体素子を外部回路と電気的に接続
するリードと、該半導体素子を樹脂封止する樹脂パッケ
ージとを具備し、該ステージの一部が該樹脂パッケージ
より外部に露出した構造を有する半導体装置において、
該ステージの上記外部に露出する側の面に凹部を形成
し、該凹部に該樹脂パッケージを構成する樹脂が配設さ
れるよう構成した。
【0015】また、半導体素子と、該半導体素子を載置
するステージと、該半導体素子を外部回路と電気的に接
続するリードと、該半導体素子を樹脂封止する樹脂パッ
ケージとを具備し、該ステージの一部が該樹脂パッケー
ジより外部に露出した構造を有する半導体装置におい
て、該ステージの露出部位に、該樹脂パッケージを構成
する樹脂にてなり、所定数の開口部を有する所定厚さの
ステージ保持部を配設する構成とする。
【0016】
【作用】上記構成とすることにより、露出したステージ
と樹脂パッケージの境界部位と半導体素子までの距離を
長くすることができ、樹脂パッケージ内に水分が侵入す
るのを防止することができる。
【0017】また、ステージに形成された凹部に樹脂が
配設され、または、ステージの外側にステージ保持部が
配設されるため、ステージと樹脂パッケージとの固着力
は強くなり、外力が印加された場合においてもステージ
は樹脂パッケージ内に確実に保持される。
【0018】更に、ステージをハーフエッチングして凹
部を形成することにより、簡単に凹部を形成することが
できる。
【0019】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。
【0020】図1は本発明の第1実施例である半導体装
置10を示している。同図において11は半導体素子で
あり、本発明の要部となるステージ12の背面にダイ付
けされることにより搭載されている。尚、ステージ12
の構造は説明の便宜上、後に詳述する。
【0021】また、図中13は複数本配設されるリード
(鉄合金,銅合金などにより構成される)であり、この
リード13のインナーリード部13aと半導体素子11
とはAuワイヤ14により電気的に接続されている。こ
のリード13のアウターリード部13bは樹脂パッケー
ジ15の外部に延出しており、例えばガルウイング状に
成形されている。
【0022】樹脂パッケージ15は、例えばエポキシ系
樹脂をモールドすることにより成形されている。この樹
脂パッケージ15内には、上記の半導体素子11,ステ
ージ12,リード13のインナーリード部13aが樹脂
封止される。また、樹脂パッケージ15の上部にはキャ
ビテイ部16が形成されており、このキャビテイ部16
内には放熱部材(鉄合金,銅合金,セラミックなどによ
り構成される)を構成する放熱板17が例えばME99
0Jにてなる高熱伝導性接着材18により接着固定され
ている。
【0023】ここで、本発明の要部となるステージ12
について、図1に加え図2を用いて以下説明する。尚、
図2はステージ12を拡大して示す図である。
【0024】ステージ12は、例えば42アロイ等のリ
ードフレーム材料により構成された板状の部材であり、
その四隅位置にはモールド時にステージ12を所定位置
に支持するためのサポートバー19が延在している。ま
た、ステージ12の半導体素子11を搭載する側の面と
異なる側の面(上面)12aには、外周に沿って凹部2
0が形成されており段差部を形成している。即ち、ステ
ージ12は半導体素子11が搭載される背面の面積に比
べて、上面12aの面積の方が小さくなっている。
【0025】凹部20の形成方法としては、ステージ1
2の凹部形成位置を除いてレジストを配設した上で、ス
テージ12の厚さに対し途中位置までエッチングを行う
ハーフエッチングを行う。凹部20の形成方法として
は、他に切削加工法やプレス加工法が考えられるが、こ
のハーフエッチング法による方が容易に凹部20を形成
することができる。
【0026】凹部20が形成されたステージ12に対
し、樹脂モールド処理を行い樹脂パッケージ15を形成
すると、上面12aのみが樹脂パッケージ15より外部
に露出し、他の部分は樹脂パッケージ15内に埋設され
た構成となる。即ち、樹脂モールド時に、凹部20内に
も樹脂が配設された構造となる。
【0027】上記のように、ステージ12に形成された
凹部20内にも樹脂が配設されることにより、上面12
aと樹脂パッケージ15との境界部位(図1に矢印Pで
示す)から半導体素子11に至るまでの距離が長くな
り、この境界部位から侵入する水分が半導体素子11に
届き難くなる。これにより、半導体素子11の水分によ
る損傷の発生を防止することができ、半導体装置10の
信頼性を向上させることができる。
【0028】また、樹脂モールド処理時におけるパッケ
ージ樹脂の収縮及び何らかの外的要因により図中矢印F
で示す外力が作用したとしても、ステージ12は凹部2
0が形成された複雑な形状であり、かつ凹部20に樹脂
パッケージ15を構成する樹脂が配設されているため、
ステージ12と樹脂パッケージ15との固着力は強い。
よって、上記のような外力が印加されたとしてもステー
ジ12が樹脂パッケージ15から離脱してしまうような
ことはなく、これによっても半導体装置10の信頼性を
向上させることができる。
【0029】図3乃至図5はステージ12の変形例を示
すものである。各図において、(A)は平面図、(B)
以降は(A)に矢印で示した位置で切断した断面を示し
ている。
【0030】図3に示すステージ12は、凹部20をス
テージ12の外周全部に連続的に形成するのではなく、
各外周4辺に夫々凹部20を形成したものである。この
構成とすることにより、図1及び図2に示した構成に比
べて外周縁部分におけるステージ12の強度を向上させ
ることができる。
【0031】また、図4に示すステージ12は、ブロッ
ク状の凹部20をステージ12の外周に沿って複数個形
成したものである。この構成とすることにより、ステー
ジ12の形状は複雑化し、パッケージ樹脂とステージ1
2との固着力の向上を図ることができ、ステージ12の
樹脂パッケージ15からの離脱をより確実に防止するこ
とができる。
【0032】更に、図5に示すステージ12は、図3に
示した構造に類似するが、凹部20の内側部位に波形部
20aを形成したものである。この構成としてもパッケ
ージ樹脂と凹部20の接触面積は大となりパッケージ樹
脂とステージ12との固着力を向上させることができ
る。
【0033】尚、本発明の変形例として図6に示すよう
に、凹部20をステージ12の背面側に形成する構成
(ちょうど、図1に示すステージ12を逆さまに配設し
た構成)が考えられる。この構成とした場合、境界部位
Pから半導体素子11に至るまでの距離は図1に示した
構成と同様で長いため、水分の侵入を防止する効果は奏
する。しかるに、外力Fが印加された場合、上面の面積
が背面の面積に比べて大きい構成では、ステージ12は
樹脂パッケージ15より離脱し易い。よって、図6に示
す構成よりも図1に示す構成の半導体装置10の方がよ
り高い信頼性を実現することができる。
【0034】図7は本発明の第2実施例である半導体装
置10を示し、図8は図7に示す半導体装置において放
熱板を分離した構成を示している。図7において(A)
は断面図を、(B)は平面図を、それぞれ示す。また、
図8において(A)は半導体装置の断面図を、(B)は
放熱板の平面図を、(C)は放熱板の下面図を、それぞ
れ示す。
【0035】図7および図8において図1と同一構成部
分については同一符号を付し、その説明を省略する。ま
た、30はステージ保持部を、30a1,30a2 (ただ
し、30a2 は図中に表れず)はステージ保持部30の
開口部を、31は放熱部材(鉄合金,銅合金,セラミッ
クなどにてなる)を構成する放熱板を、31a1,31a
2 は放熱板31の突出部を、31bはモールド時に放熱
板31の位置固定に必要なアンカー効果を得るための切
欠部を、それぞれ示している。
【0036】背面に半導体素子11をダイ付けされたス
テージ12は、樹脂モールド処理で形成される樹脂パッ
ケージ15によって、上面12aの一部のみが外部に露
出するように、他の部分が樹脂パッケージ15内に埋設
される。
【0037】すなわち、図8(A)に示すように半導体
素子11やリード13が樹脂パッケージ15にて封止さ
れた状態で、ステージ12の上面12aが露出した部分
に対して、樹脂パッケージ15を構成する樹脂によって
開口部30a1,30a2 を有するステージ保持部30が
形成されて配設される。
【0038】開口部30a1,30a2 は、例えば、円柱
をくり抜いた形状とされ、開口部30a1 は複数個形成
されている。開口部30a2 は、その口径が開口部30
1よりも大きく、また放熱板31のステージ保持部3
0の中央部に位置するように形成され、少なくともこの
開口部30a2 においてステージ12の上面12aが露
出する構成とされる。
【0039】また、開口部30a1,30a2 の深さ、す
なわちステージ保持部30の厚さは、例えばステージ保
持部30の直径が20mm、樹脂パッケージ15の表面から
ステージ12の上面12aまでが 1.2mmである場合に
は、半分の 0.6mmとなるように形成される。
【0040】これによってステージ12は、従来からあ
る樹脂パッケージ15の本体と、本発明になるステージ
保持部30との間に常に挟持されることとなる。このた
め、モールド時における樹脂の収縮および何らかの外部
要因による力に起因して、ステージ12が変形しようと
した場合でも、その変位は樹脂パッケージ15本体とス
テージ保持部30とによって抑止される。
【0041】したがって、本発明になるステージ保持部
30の存在によって、ステージ12が反ったり剥離した
りする現象が防止されるため、半導体装置10の信頼性
を向上させることができる。
【0042】また、ステージ保持部30を構成する樹脂
がステージ12の上面12aの端部の真上を覆うよう
に、開口部30a1,30a2 とステージ12との位置関
係を設計すれば、上面12aの露出部分から半導体素子
11に至るまでの水分の侵入経路が長くなり、水分は半
導体素子11に届きにくくなる。これにより、半導体素
子11の水分による損傷の発生を防止するこができ、半
導体装置10の信頼性を向上させることができる。
【0043】上述のような樹脂モールド処理を行われた
半導体装置10には、図7のように放熱板31が取り付
けられる。放熱板31には、図8(B)および(C)に
示すように、前述のステージ保持部30に設けられた開
口部30a1,30a2 に対応する例えば円柱形状の突出
部31a1,31a2 が設けられており、ステージ保持部
30と嵌合する構成とされている。
【0044】また、切欠部31bは放熱板31をステー
ジ保持部30に嵌合させたときに樹脂パッケージ15の
表面側周縁に位置する部分に形成され、放熱板31を例
えば高熱伝導性接着材18によって接着固定する際に
は、接着材18の一部が放熱板31の切欠部31bの部
分に回り込むので、放熱板31は樹脂パッケージ15か
ら剥離しにくいようにアンカー効果によって位置固定さ
れる。
【0045】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、樹脂パッケ
ージの表面に露出したステージの端部から半導体素子ま
での水分の侵入経路を長くして、前記端部から樹脂パッ
ケージ内に侵入した水分が半導体素子に到達しにくい構
造とすることができるため、水分の侵入による半導体素
子の損傷を防止し、半導体装置の信頼性を向上させるこ
とができる。
【0046】また、ステージに形成された凹部に樹脂が
配設され、または、ステージにステージ保持部が配設さ
れるため、ステージと樹脂パッケージとの固着力は強く
なり、外力が印加された場合においてもステージは樹脂
パッケージ内に確実に保持され、これによっても半導体
装置の信頼性を向上させることができる等の特長を有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例である半導体装置の断面図
である。
【図2】図1におけるステージを拡大して示す図であ
る。
【図3】図1におけるステージの変形例を示す図であ
る。
【図4】図1におけるステージの変形例を示す図であ
る。
【図5】図1におけるステージの変形例を示す図であ
る。
【図6】図1に示す半導体装置の変形例を示す図であ
る。
【図7】本発明の第2実施例である半導体装置を示す図
である。
【図8】図7に示す半導体装置において放熱板を分離し
た構成を示す図である。
【図9】従来の半導体装置の一例を示す図である。
【図10】図9に示す半導体装置において放熱板を取り
除いた構成を示す図である。
【符号の説明】
10 半導体装置 11 半導体素子 12 ステージ 12a ステージの上面 13 リード 15 樹脂パッケージ 16 キャビティ部 17 放熱板 18 高熱伝導性接着材 19 サポートバー 20 凹部 30 ステージ保持部 30a1,30a2 開口部 31 放熱板 31a1,31a2 突出部 31b 切欠部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子(11)と、該半導体素子
    (11)を載置するステージ(12)と、該半導体素子
    (11)を外部回路と電気的に接続するリード(13)
    と、該半導体素子(11)を樹脂封止する樹脂パッケー
    ジ(15)とを具備し、該ステージ(12)の一部が該
    樹脂パッケージ(15)より外部に露出した構造を有す
    る半導体装置において、 該ステージ(12)の上記外部に露出する側の面に凹部
    (20)を形成し、該凹部(20)に該樹脂パッケージ
    (15)を構成する樹脂が配設されるよう構成したこと
    を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 該ステージ(12)の露出部位には、放
    熱部材(17)が配設されることを特徴とする請求項1
    記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 該凹部(20)は該ステージ(12)を
    ハーフエッチングすることにより形成したことを特徴と
    する請求項1または2記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 半導体素子(11)と、該半導体素子
    (11)を載置するステージ(12)と、該半導体素子
    (11)を外部回路と電気的に接続するリード(13)
    と、該半導体素子(11)を樹脂封止する樹脂パッケー
    ジ(15)とを具備し、該ステージ(12)の一部が該
    樹脂パッケージ(15)より外部に露出した構造を有す
    る半導体装置において、 該ステージ(12)の露出部位に、該樹脂パッケージ
    (15)を構成する樹脂にてなり、所定数の開口部(3
    0a1,30a2 )を有する所定厚さのステージ保持部
    (30)を配設する構成とすることを特徴とする半導体
    装置。
  5. 【請求項5】 前記開口部(30a1,30a2 )に嵌合
    する突出部(31a 1,31a2 )を有する放熱部材(3
    1)を、該ステージ(12)の露出部位に配設させるこ
    とを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記放熱部材(31)の該樹脂パッケー
    ジ(15)の表面側周縁部分に、切欠部(31b)を形
    成することを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2057679A2 (en) * 2006-08-10 2009-05-13 Vishay General Semiconductor LLC Semiconductor device having improved heat dissipation capabilities
JP2013258334A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
KR20140039846A (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 삼성전자주식회사 가이드 벽을 갖는 반도체 패키지
JPWO2012137760A1 (ja) * 2011-04-04 2014-07-28 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2017028060A (ja) * 2015-07-21 2017-02-02 株式会社デンソー 電子装置
JP2022127145A (ja) * 2021-02-19 2022-08-31 富士電機株式会社 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6119667A (ja) * 1984-06-27 1986-01-28 デグツサ・アクチエンゲゼルシヤフト 流動カーボンブラツクをガスで処理する方法及び装置
JPH01128893A (ja) * 1987-11-14 1989-05-22 Matsushita Electric Works Ltd 半導体ic装置
JPH02194639A (ja) * 1989-01-24 1990-08-01 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂封止半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6119667A (ja) * 1984-06-27 1986-01-28 デグツサ・アクチエンゲゼルシヤフト 流動カーボンブラツクをガスで処理する方法及び装置
JPH01128893A (ja) * 1987-11-14 1989-05-22 Matsushita Electric Works Ltd 半導体ic装置
JPH02194639A (ja) * 1989-01-24 1990-08-01 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂封止半導体装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2057679A2 (en) * 2006-08-10 2009-05-13 Vishay General Semiconductor LLC Semiconductor device having improved heat dissipation capabilities
JP2010500754A (ja) * 2006-08-10 2010-01-07 ヴィシャイ ジェネラル セミコンダクター エルエルシー 放熱能力を向上させた半導体装置
EP2057679A4 (en) * 2006-08-10 2012-08-01 Vishay Gen Semiconductor Llc SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ENHANCED THERMAL DISSIPATION CAPABILITIES
US8269338B2 (en) 2006-08-10 2012-09-18 Vishay General Semiconductor Llc Semiconductor device having improved heat dissipation capabilities
JPWO2012137760A1 (ja) * 2011-04-04 2014-07-28 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6114184B2 (ja) * 2011-04-04 2017-04-12 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US10290565B2 (en) 2011-04-04 2019-05-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US10573584B2 (en) 2011-04-04 2020-02-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US10770380B2 (en) 2011-04-04 2020-09-08 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2013258334A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
KR20140039846A (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 삼성전자주식회사 가이드 벽을 갖는 반도체 패키지
JP2017028060A (ja) * 2015-07-21 2017-02-02 株式会社デンソー 電子装置
JP2022127145A (ja) * 2021-02-19 2022-08-31 富士電機株式会社 半導体装置

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