JPH05326796A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
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- JPH05326796A JPH05326796A JP4155854A JP15585492A JPH05326796A JP H05326796 A JPH05326796 A JP H05326796A JP 4155854 A JP4155854 A JP 4155854A JP 15585492 A JP15585492 A JP 15585492A JP H05326796 A JPH05326796 A JP H05326796A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/181—Encapsulation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 収容される半導体装置の放熱効果を高めるこ
とができる半導体装置用パッケージを得ることを目的と
する。 【構成】 半導体装置１がダイボンドされる導体板７の
一部を封止材５の外部にまで導出し、該導体板７でもっ
てリードを構成する。
とができる半導体装置用パッケージを得ることを目的と
する。 【構成】 半導体装置１がダイボンドされる導体板７の
一部を封止材５の外部にまで導出し、該導体板７でもっ
てリードを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置用パッケー
ジに関し、特に、放熱効果が向上した半導体装置用パッ
ケージに関するものである。
ジに関し、特に、放熱効果が向上した半導体装置用パッ
ケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の内部に半導体装置が封止さ
れた半導体パッケージの外観を示す斜視図であり、ま
た、図９は図８に示したパッケージ内の構造を示す断面
図である。これらの図において、１は集積回路が形成さ
れた半導体装置、２は半導体装置１が接合されるダイボ
ンドエリアを構成するアルミナ等からなる導体板、３は
半導体装置１に接続される側の内部リード３ａと図示し
ない外部装置に接続される側の外部リード３ｂとからな
るリード、４は半導体装置１と内部リード３ａとを電気
的に接続する金属細線、５はダイボンドエリア２上に搭
載された半導体装置１，内部リード３ａ及び金属細線４
を樹脂封止する封止材である。ここで、リード３は、通
常、図に示すように、等間隔に複数配置され、それぞれ
のリードが同じ形状及び同じ断面積を有している。
れた半導体パッケージの外観を示す斜視図であり、ま
た、図９は図８に示したパッケージ内の構造を示す断面
図である。これらの図において、１は集積回路が形成さ
れた半導体装置、２は半導体装置１が接合されるダイボ
ンドエリアを構成するアルミナ等からなる導体板、３は
半導体装置１に接続される側の内部リード３ａと図示し
ない外部装置に接続される側の外部リード３ｂとからな
るリード、４は半導体装置１と内部リード３ａとを電気
的に接続する金属細線、５はダイボンドエリア２上に搭
載された半導体装置１，内部リード３ａ及び金属細線４
を樹脂封止する封止材である。ここで、リード３は、通
常、図に示すように、等間隔に複数配置され、それぞれ
のリードが同じ形状及び同じ断面積を有している。
【０００３】このようなパッケージで封止された半導体
装置１は、リード３を介して図示しない外部装置との間
で信号の授受が行われ、また、図示しない電源から電源
の供給を受けて、所望の動作が行われる。そして、この
間の半導体装置１への通電によって生じる発熱は通常、
パッケージの表面部、即ち、封止材５及び外部リード３
ｂを介して放熱される。
装置１は、リード３を介して図示しない外部装置との間
で信号の授受が行われ、また、図示しない電源から電源
の供給を受けて、所望の動作が行われる。そして、この
間の半導体装置１への通電によって生じる発熱は通常、
パッケージの表面部、即ち、封止材５及び外部リード３
ｂを介して放熱される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置用パ
ッケージは以上のように構成され、パッケージ内で動作
する半導体装置で発生する熱が、パッケージの表面部、
即ち、封止材５表面と外部リード３ｂから外部に放熱さ
れるようになっている。しかしながら、近年、半導体装
置が高集積化及び高速化されるにつれて、半導体装置に
おける発熱量が増加し、上記のような従来パッケージの
構造では、半導体装置からの発熱を十分に外部に放熱で
きず、パッケージ内の半導体装置の温度が上昇し、装置
特性の劣化ひいては半導体装置の破壊を招くという問題
点を生じていた。特に、上記のような封止材が樹脂にて
構成されたパッケージは、セラミックパッケージに比べ
てパッケージ内部の熱抵抗が大きく、半導体装置で発生
した熱が外部に向けて効率よく導出されず、上記問題点
が一層顕著にあらわれていた。
ッケージは以上のように構成され、パッケージ内で動作
する半導体装置で発生する熱が、パッケージの表面部、
即ち、封止材５表面と外部リード３ｂから外部に放熱さ
れるようになっている。しかしながら、近年、半導体装
置が高集積化及び高速化されるにつれて、半導体装置に
おける発熱量が増加し、上記のような従来パッケージの
構造では、半導体装置からの発熱を十分に外部に放熱で
きず、パッケージ内の半導体装置の温度が上昇し、装置
特性の劣化ひいては半導体装置の破壊を招くという問題
点を生じていた。特に、上記のような封止材が樹脂にて
構成されたパッケージは、セラミックパッケージに比べ
てパッケージ内部の熱抵抗が大きく、半導体装置で発生
した熱が外部に向けて効率よく導出されず、上記問題点
が一層顕著にあらわれていた。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、従来に比べて放熱効果を向上
できる半導体装置用パッケージを得ることを目的とす
る。
るためになされたもので、従来に比べて放熱効果を向上
できる半導体装置用パッケージを得ることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
装置用パッケージは、互いに絶縁されて配置される複数
のリードを、少なくとその太さもしくは幅が互いに異な
る２種以上のリードによって構成したものである。
装置用パッケージは、互いに絶縁されて配置される複数
のリードを、少なくとその太さもしくは幅が互いに異な
る２種以上のリードによって構成したものである。
【０００７】更に、この発明にかかる半導体装置用パッ
ケージは、半導体装置が搭載されるダイボンドエリアを
構成する導体板の一部を封止材の外部にまで導出し、こ
れをリードとして用いるようにしたものである。
ケージは、半導体装置が搭載されるダイボンドエリアを
構成する導体板の一部を封止材の外部にまで導出し、こ
れをリードとして用いるようにしたものである。
【０００８】更に、この発明にかかる半導体装置用パッ
ケージは、互いに絶縁されて配置される複数のリードの
それぞれの外部リードの幅を、内部リードの幅より広く
形成したものである。
ケージは、互いに絶縁されて配置される複数のリードの
それぞれの外部リードの幅を、内部リードの幅より広く
形成したものである。
【０００９】更に、この発明にかかる半導体装置用パッ
ケージは、その幅が上記内部リードの幅より広く形成さ
れた上記外部リードのリード平面を、複数のリードが併
設される方向に対して垂直となるように成形したもので
ある。
ケージは、その幅が上記内部リードの幅より広く形成さ
れた上記外部リードのリード平面を、複数のリードが併
設される方向に対して垂直となるように成形したもので
ある。
【００１０】更に、この発明にかかる半導体装置用パッ
ケージは、半導体装置が搭載されるダイボンドエリアを
構成する導体板の一部を封止材の外部にまで導出し、こ
れを封止材の上面にてフィン状に折り曲げるようにした
ものである。
ケージは、半導体装置が搭載されるダイボンドエリアを
構成する導体板の一部を封止材の外部にまで導出し、こ
れを封止材の上面にてフィン状に折り曲げるようにした
ものである。
【００１１】
【作用】この発明においては、パッケージのリードとし
て従来に比べてその太さ或いは幅が大きいリードを用い
るようにしたから、半導体装置で発生した熱が効率良く
リードに導いかれて、パッケージ内の熱抵抗を下げるこ
とができ、しかも、外部リードにおける放熱面積を拡大
することができる。
て従来に比べてその太さ或いは幅が大きいリードを用い
るようにしたから、半導体装置で発生した熱が効率良く
リードに導いかれて、パッケージ内の熱抵抗を下げるこ
とができ、しかも、外部リードにおける放熱面積を拡大
することができる。
【００１２】更に、この発明においては、半導体装置が
搭載される導体板の一部をパッケージ外部に導出して、
これをリードとして構成するようにしたから、半導体装
置で発生した熱を、この外部に導出される導体板を通し
て外部に効率よく放熱することができる。
搭載される導体板の一部をパッケージ外部に導出して、
これをリードとして構成するようにしたから、半導体装
置で発生した熱を、この外部に導出される導体板を通し
て外部に効率よく放熱することができる。
【００１３】更に、この発明においては、複数のリード
のそれぞれの外部リードの幅を、内部リードの幅より広
く形成したから、外部リードにおける放熱面積を拡大す
ることができる。
のそれぞれの外部リードの幅を、内部リードの幅より広
く形成したから、外部リードにおける放熱面積を拡大す
ることができる。
【００１４】更に、この発明においては、その幅が上記
内部リードの幅より広く形成した上記外部リードのリー
ド平面を、リードが併設される方向に対して垂直に成形
したから、隣接するリード間を接触させることなく、外
部リードの幅を一層広くでき、外部リードにおける放熱
面積を一層拡大することができる。
内部リードの幅より広く形成した上記外部リードのリー
ド平面を、リードが併設される方向に対して垂直に成形
したから、隣接するリード間を接触させることなく、外
部リードの幅を一層広くでき、外部リードにおける放熱
面積を一層拡大することができる。
【００１５】更に、この発明においては、半導体装置が
搭載される導体板を封止材の外部にまで導出し、これを
封止材の上面で折り曲げてフィン状に成形したから、半
導体装置で発生した熱を外部に効率よく導出でき、しか
も、フィン状部において効率よく放熱される。
搭載される導体板を封止材の外部にまで導出し、これを
封止材の上面で折り曲げてフィン状に成形したから、半
導体装置で発生した熱を外部に効率よく導出でき、しか
も、フィン状部において効率よく放熱される。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は、この発明の第１の実施例による内部に半
導体装置が封止された４方向フラットパッケージ（以
下、ＱＦＰ型パッケージと称す。）の構造を示す外観斜
視図であり、図において、図８，９と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示し、６は従来のリード３よりもそ
の幅を広く形成した幅広リード、６ｂは外部リードであ
る。ここで、リード３，幅広リード６は図９に示した従
来のパッケージと同様に、封止材の内部で半導体装置と
金属細線にて接続されている。
する。図１は、この発明の第１の実施例による内部に半
導体装置が封止された４方向フラットパッケージ（以
下、ＱＦＰ型パッケージと称す。）の構造を示す外観斜
視図であり、図において、図８，９と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示し、６は従来のリード３よりもそ
の幅を広く形成した幅広リード、６ｂは外部リードであ
る。ここで、リード３，幅広リード６は図９に示した従
来のパッケージと同様に、封止材の内部で半導体装置と
金属細線にて接続されている。
【００１７】このような本実施例のＱＦＰ型パッケージ
では、幅広リード６はパッケージ内部で、半導体装置に
対して広い面積をもって接するため、半導体装置で発生
する熱が効率よくリード６に導かれ、パッケージ内の熱
抵抗を下げることができ、しかも、リード６における外
部リード６ｂの放熱面積が拡大し、放熱効果を高めるこ
とができる。
では、幅広リード６はパッケージ内部で、半導体装置に
対して広い面積をもって接するため、半導体装置で発生
する熱が効率よくリード６に導かれ、パッケージ内の熱
抵抗を下げることができ、しかも、リード６における外
部リード６ｂの放熱面積が拡大し、放熱効果を高めるこ
とができる。
【００１８】尚、この幅広リード６を半導体装置への電
源供給用リードとして使用すれば、電源電流による電圧
降下が小さく、半導体装置を一層の安定して動作するこ
とができる。
源供給用リードとして使用すれば、電源電流による電圧
降下が小さく、半導体装置を一層の安定して動作するこ
とができる。
【００１９】次に、この発明の第２の実施例を図につい
て説明する。図２は、この発明の第２の実施例による内
部に半導体装置が封止されたＱＦＰ型パッケージの構造
を示す外観斜視図であり、図３は、図２のパッケージの
内部を示す上面図である。これらの図において、図８，
９と同一符号は同一または相当する部分を示し、７はダ
イボントエリアからその端部がパッケージの外部まで導
出されるように形成された導体板である。図２に示す状
態は、図３に示す状態の後、樹脂封止を行い、リード３
及び導体板からなるリード７を所定の形状に折り曲げた
ものである。ここで、導体板７はリードとして使用され
る。
て説明する。図２は、この発明の第２の実施例による内
部に半導体装置が封止されたＱＦＰ型パッケージの構造
を示す外観斜視図であり、図３は、図２のパッケージの
内部を示す上面図である。これらの図において、図８，
９と同一符号は同一または相当する部分を示し、７はダ
イボントエリアからその端部がパッケージの外部まで導
出されるように形成された導体板である。図２に示す状
態は、図３に示す状態の後、樹脂封止を行い、リード３
及び導体板からなるリード７を所定の形状に折り曲げた
ものである。ここで、導体板７はリードとして使用され
る。
【００２０】このような本実施例のＱＦＰ型パッケージ
では、半導体装置がダイボンドされる導体板７がダイボ
ンドエリアからパッケージ外部にのびるように形成され
てリード７として用いられるため、半導体装置１で発生
する熱がこの導体板７を通して外部に導出されることか
ら、パッケージ内の熱抵抗を小さくでき、しかも、リー
ド７によって放熱面が拡大するため、半導体装置１から
の熱を効率よく外部に放熱することができる。
では、半導体装置がダイボンドされる導体板７がダイボ
ンドエリアからパッケージ外部にのびるように形成され
てリード７として用いられるため、半導体装置１で発生
する熱がこの導体板７を通して外部に導出されることか
ら、パッケージ内の熱抵抗を小さくでき、しかも、リー
ド７によって放熱面が拡大するため、半導体装置１から
の熱を効率よく外部に放熱することができる。
【００２１】図４は、上記第２の実施例と同様に、半導
体装置が搭載されるダイボントエリアからその端部がパ
ッケージの外部まで導出されるように形成した導体板７
をリード７として用いた本発明の第３の実施例によるＤ
ＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）型の半導体
装置用パッケージを示す外観斜視図であり、このＤＩＰ
型の半導体装置用パッケージにおいても、上記第２の実
施例と同様の効果を得ることができる。
体装置が搭載されるダイボントエリアからその端部がパ
ッケージの外部まで導出されるように形成した導体板７
をリード７として用いた本発明の第３の実施例によるＤ
ＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）型の半導体
装置用パッケージを示す外観斜視図であり、このＤＩＰ
型の半導体装置用パッケージにおいても、上記第２の実
施例と同様の効果を得ることができる。
【００２２】次に、この発明の第４の実施例を図につい
て説明する。図５は、この発明の第４の実施例によるＱ
ＦＰ型パッケージの構造を示す外観斜視図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、９（９ｂ）はリード（外部リード）である。このパ
ッケージの内部構造は図９に示した従来のパッケージと
基本的に同じである。そして、複数のリード９の個々の
外部リード９ｂのリード平面が、封止材５の外部におい
て、複数のリード９が併設する方向に対して垂直方向に
折り曲げられ、そのリード平面の幅が拡げられている。
て説明する。図５は、この発明の第４の実施例によるＱ
ＦＰ型パッケージの構造を示す外観斜視図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、９（９ｂ）はリード（外部リード）である。このパ
ッケージの内部構造は図９に示した従来のパッケージと
基本的に同じである。そして、複数のリード９の個々の
外部リード９ｂのリード平面が、封止材５の外部におい
て、複数のリード９が併設する方向に対して垂直方向に
折り曲げられ、そのリード平面の幅が拡げられている。
【００２３】このような本実施例の４方向フラットパッ
ケージでは、複数のリード９の個々の外部リード９ｂ
が、そのリード平面が複数のリード９が併設される方向
に対して垂直方向となるように折り曲げられ、且つ、幅
広に形成さているので、隣接するリード９間が接触する
ことなく、外部リードの幅を上記第１の実施例による幅
広のリード６に比べてその幅を広げることができ、より
一層放熱効果を高めることができる。
ケージでは、複数のリード９の個々の外部リード９ｂ
が、そのリード平面が複数のリード９が併設される方向
に対して垂直方向となるように折り曲げられ、且つ、幅
広に形成さているので、隣接するリード９間が接触する
ことなく、外部リードの幅を上記第１の実施例による幅
広のリード６に比べてその幅を広げることができ、より
一層放熱効果を高めることができる。
【００２４】次に、この発明の第５の実施例を図につい
て説明する。図６は、この発明の第５の実施例によるＱ
ＦＰ型パッケージの構造を示す外観斜視図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、８は封止材５の内部の図示しない半導体装置のダイ
ボント領域から封止材５の外部に導出してフィン状に成
形された導体板である。
て説明する。図６は、この発明の第５の実施例によるＱ
ＦＰ型パッケージの構造を示す外観斜視図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、８は封止材５の内部の図示しない半導体装置のダイ
ボント領域から封止材５の外部に導出してフィン状に成
形された導体板である。
【００２５】このような本実施例の４方向フラットパッ
ケージでは、半導体装置１で発生する熱がこの導体板８
を通して外部に導出されることから、パッケージ内の熱
抵抗を小さくでき、しかも、導体板８のフィン状部によ
って放熱面積が拡大され、放熱効果を向上させることが
できる。
ケージでは、半導体装置１で発生する熱がこの導体板８
を通して外部に導出されることから、パッケージ内の熱
抵抗を小さくでき、しかも、導体板８のフィン状部によ
って放熱面積が拡大され、放熱効果を向上させることが
できる。
【００２６】次に、この発明の第６の実施例を図につい
て説明する。図７は、この発明の第６の実施例によるＱ
ＦＰ型パッケージの構造を示す外観斜視図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、８ａは封止材５の内部の図示しない半導体装置のダ
イボント領域から封止材５の外部に導出してフィン状に
成形した導体板である。ここで、導体板８ａは複数回折
り曲げられた構造に成形されている。
て説明する。図７は、この発明の第６の実施例によるＱ
ＦＰ型パッケージの構造を示す外観斜視図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、８ａは封止材５の内部の図示しない半導体装置のダ
イボント領域から封止材５の外部に導出してフィン状に
成形した導体板である。ここで、導体板８ａは複数回折
り曲げられた構造に成形されている。
【００２７】このような本実施例の４方向フラットパッ
ケージでは、導体板８ａが封止材のの上面で、複数回折
り曲げられており、上記第５の実施例によるパッケージ
のフィン状の導体板８よりも、放熱面積が一掃拡大し、
一層放熱効果を向上させることができる。
ケージでは、導体板８ａが封止材のの上面で、複数回折
り曲げられており、上記第５の実施例によるパッケージ
のフィン状の導体板８よりも、放熱面積が一掃拡大し、
一層放熱効果を向上させることができる。
【００２８】尚、上記実施例は何れも、樹脂封止型のパ
ッケージであるが、本発明はセラミック等の他の材料に
よって封止されるパッケージにおいても適用できること
は言うまでもない。
ッケージであるが、本発明はセラミック等の他の材料に
よって封止されるパッケージにおいても適用できること
は言うまでもない。
【００２９】また、上記何れの実施例においても、半導
体装置とリードの接続は金属細線を用いているが、テー
プ状リードを用いて接合してもよい。
体装置とリードの接続は金属細線を用いているが、テー
プ状リードを用いて接合してもよい。
【００３０】また、上記実施例ではＱＦＰ型，ＤＩＰ型
のパッケージについて説明したが、他の型のパッケージ
にも適用でき、上記実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
のパッケージについて説明したが、他の型のパッケージ
にも適用でき、上記実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、複数
のリードを、少なくとその太さもしくは幅が互いに異な
る２種以上のリードによって構成したので、パッケージ
内におけるの熱抵抗が下がり、且つ、外部リードの放熱
面積が拡大することから、半導体装置からの発熱を効率
よく放熱でき、半導体装置の破壊及び動作特性の劣化を
防止できる効果がある。
のリードを、少なくとその太さもしくは幅が互いに異な
る２種以上のリードによって構成したので、パッケージ
内におけるの熱抵抗が下がり、且つ、外部リードの放熱
面積が拡大することから、半導体装置からの発熱を効率
よく放熱でき、半導体装置の破壊及び動作特性の劣化を
防止できる効果がある。
【００３２】更に、この発明によれば、電源供給用リー
ドの太さもしくは幅を、外部装置との信号の授受を行う
リードのそれよりも大きくしたので、電源電流による電
圧降下を小さくでき、半導体装置を一層の安定に動作さ
せることができる。
ドの太さもしくは幅を、外部装置との信号の授受を行う
リードのそれよりも大きくしたので、電源電流による電
圧降下を小さくでき、半導体装置を一層の安定に動作さ
せることができる。
【００３３】更に、この発明によれば、半導体装置がダ
イボンドされる導体板の一部を封止材から外部に導出
し、該導出した導体板でもって、半導体装置と外部の装
置または電源とを接続するリードを構成したので、半導
体装置の発熱が該リードを通して外部に導出されて、効
率よく放熱し、半導体装置の破壊及び動作特性の劣化を
防止できる効果がある。
イボンドされる導体板の一部を封止材から外部に導出
し、該導出した導体板でもって、半導体装置と外部の装
置または電源とを接続するリードを構成したので、半導
体装置の発熱が該リードを通して外部に導出されて、効
率よく放熱し、半導体装置の破壊及び動作特性の劣化を
防止できる効果がある。
【００３４】更に、この発明によれば、複数のリードの
外部リード部を、そのリード平面が該複数のリードが併
設される方向に対して垂直方向となるように成形したの
で、隣接するリード間を接触させることなく、各リード
の外部リード部の幅（放熱面積）を拡大でき、その結
果、半導体装置からの発熱が効率よく放熱されて、半導
体装置の破壊及び動作特性の劣化を防止できる効果があ
る。
外部リード部を、そのリード平面が該複数のリードが併
設される方向に対して垂直方向となるように成形したの
で、隣接するリード間を接触させることなく、各リード
の外部リード部の幅（放熱面積）を拡大でき、その結
果、半導体装置からの発熱が効率よく放熱されて、半導
体装置の破壊及び動作特性の劣化を防止できる効果があ
る。
【００３５】更に、この発明によれば、半導体装置がダ
イボンドされる導体板の一部が封止材から外部に導出さ
れ、該封止部材の上方においてフィン状に折り曲げるよ
うにしたので、半導体装置の発熱が上記導体板を通して
外部に導出し、フィン状部で効率良く放熱されるため、
半導体装置の破壊及び動作特性の劣化を防止できる効果
がある。
イボンドされる導体板の一部が封止材から外部に導出さ
れ、該封止部材の上方においてフィン状に折り曲げるよ
うにしたので、半導体装置の発熱が上記導体板を通して
外部に導出し、フィン状部で効率良く放熱されるため、
半導体装置の破壊及び動作特性の劣化を防止できる効果
がある。
【図１】この発明の第１の実施例によるＱＦＰ型パッケ
ージの構造を示す外観斜視図である。
ージの構造を示す外観斜視図である。
【図２】この発明の第２の実施例によるＱＦＰ型パッケ
ージの構造を示す外観斜視図である。
ージの構造を示す外観斜視図である。
【図３】図２のＱＦＰ型パッケージの内部を示す上面図
である。
である。
【図４】この発明の第３の実施例によるＤＩＰ型パッケ
ージの構造を示す外観斜視図である。
ージの構造を示す外観斜視図である。
【図５】この発明の第４の実施例によるＱＦＰ型パッケ
ージの構造を示す外観斜視図である。
ージの構造を示す外観斜視図である。
【図６】この発明の第５の実施例によるＱＦＰ型パッケ
ージの構造を示す外観斜視図である。
ージの構造を示す外観斜視図である。
【図７】この発明の第６の実施例によるＱＦＰ型パッケ
ージの構造を示す外観斜視図である。
ージの構造を示す外観斜視図である。
【図８】従来の半導体装置用パッケージの構造を示す外
観斜視図である。
観斜視図である。
【図９】図８の半導体装置用パッケージの内部構造を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 半導体装置 ２ 導体板 ３ リード ３ａ 内部リード ３ｂ 外部リード ４ 金属細線 ５ 封止材 ６ 幅広のリード ６ｂ 外部リード ７ 導体板 ８，８ａ 導体板
Claims (5)
- 【請求項１】 その内部に半導体装置を収容し、該半導
体装置と、該半導体装置を外部の装置または電源に電気
的に接続するための互いに絶縁された複数のリードとを
封止材にて封止するパッケージにおいて、 上記複数のリードを、少なくとその太さもしくは幅が互
いに異なる２種以上のリードによって構成したことを特
徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置用パッケー
ジにおいて、 電源供給用リードの太さもしくは幅が、外部装置との信
号の授受を行うリードのそれよりも大きいことを特徴と
する半導体装置用パッケージ。 - 【請求項３】 その内部に半導体装置を収容し、該半導
体装置と、該半導体装置を外部の装置または電源に電気
的に接続するための互いに絶縁された複数のリードとを
封止材にて封止するパッケージにおいて、 上記半導体装置がダイボンドされる導体板の一部が上記
封止材から外部に導出され、該導出された導体板でもっ
て、上記半導体装置と外部の装置または電源とを接続す
るリードを構成したことを特徴とする半導体装置用パッ
ケージ。 - 【請求項４】 その内部に半導体装置を収容し、該半導
体装置と、該半導体装置を外部の装置または電源に電気
的に接続するための互いに絶縁された複数のリードとを
封止材にて封止するパッケージにおいて、 上記複数のリードの上記封止材から外部に導出される外
部リード部が、そのリード平面が該複数のリードが併設
される方向に対して垂直方向となるようにねじられてい
ることを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項５】 その内部に半導体装置を収容し、該半導
体装置と、該半導体装置を外部の装置または電源に電気
的に接続するための互いに絶縁された複数のリードとを
封止材にて封止するパッケージにおいて、 上記半導体装置がダイボンドされる導体板の一部が上記
封止材から外部に導出され、該該封止部材の上方におい
てフィン状に折り曲げられていることを特徴とする半導
体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155854A JPH05326796A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155854A JPH05326796A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326796A true JPH05326796A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15614956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155854A Pending JPH05326796A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326796A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
| JP2007184642A (ja) * | 2007-03-28 | 2007-07-19 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
| WO2010095006A1 (en) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Package assembly and method of tuning a natural resonant frequency of a package |
| JP2018117019A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US10074585B2 (en) | 2015-01-20 | 2018-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module with dummy terminal structure |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP4155854A patent/JPH05326796A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
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| US8947887B2 (en) | 2009-02-23 | 2015-02-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Package assembly and method of tuning a natural resonant frequency of a package |
| US10074585B2 (en) | 2015-01-20 | 2018-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module with dummy terminal structure |
| JP2018117019A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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