JP2793330B2 - 封止型ハイブリッド回路装置 - Google Patents
封止型ハイブリッド回路装置Info
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- JP2793330B2 JP2793330B2 JP2153312A JP15331290A JP2793330B2 JP 2793330 B2 JP2793330 B2 JP 2793330B2 JP 2153312 A JP2153312 A JP 2153312A JP 15331290 A JP15331290 A JP 15331290A JP 2793330 B2 JP2793330 B2 JP 2793330B2
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- Japan
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- resin case
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- circuit device
- hybrid circuit
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は封止型ハイブリッド回路装置に係り、特に放
熱フィンを備えた樹脂ケース封止型ハイブリッド回路装
置の改良に関する。
熱フィンを備えた樹脂ケース封止型ハイブリッド回路装
置の改良に関する。
（従来の技術） 機能の信頼性ないし安定性などを考慮して、いわゆる
ハイブリッド回路装置本体を樹脂ケース内に封止した構
造のハイブリッド回路装置が、各種の電子機器類におい
て実用化されている。また、前記樹脂ケース封止型ハイ
ブリッド回路装置において、たとえばパワートランジス
ターなど動作により比較的高温を発熱する電子部品が実
装された場合には、たとえばCuやAlなど熱伝導性の良好
な材料から成る放熱フィンを、回路基板の裏面に付設し
た構造を採っている。
ハイブリッド回路装置本体を樹脂ケース内に封止した構
造のハイブリッド回路装置が、各種の電子機器類におい
て実用化されている。また、前記樹脂ケース封止型ハイ
ブリッド回路装置において、たとえばパワートランジス
ターなど動作により比較的高温を発熱する電子部品が実
装された場合には、たとえばCuやAlなど熱伝導性の良好
な材料から成る放熱フィンを、回路基板の裏面に付設し
た構造を採っている。
すなわち、第２図（ａ）に平面的に、また第２図
（ｂ）に断面的に示すごとく、筒状の樹脂ケース本体１
と、前記樹脂ケース本体１の一端側開口部1aを封止する
放熱フィン２と、前記放熱フィン２の内側面に接着剤３
などで固定化されたたとえば厚膜回路基板４と、前記厚
膜回路基板４面に搭載・実装された所要の電子部品５
と、前記電子部品５および厚膜回路基板４面を被覆する
ため充填された充填剤６、たとえば室温加硫型シリコー
ンから形成された硬化物と、前記樹脂ケース本体１の他
端側の開口部1bを封止するカバー７とを具備した構成の
樹脂ケース封止型ハイブリッド回路装置が知られてい
る。図において８はリード端子である。
（ｂ）に断面的に示すごとく、筒状の樹脂ケース本体１
と、前記樹脂ケース本体１の一端側開口部1aを封止する
放熱フィン２と、前記放熱フィン２の内側面に接着剤３
などで固定化されたたとえば厚膜回路基板４と、前記厚
膜回路基板４面に搭載・実装された所要の電子部品５
と、前記電子部品５および厚膜回路基板４面を被覆する
ため充填された充填剤６、たとえば室温加硫型シリコー
ンから形成された硬化物と、前記樹脂ケース本体１の他
端側の開口部1bを封止するカバー７とを具備した構成の
樹脂ケース封止型ハイブリッド回路装置が知られてい
る。図において８はリード端子である。
しかして、上記樹脂ケース封止型ハイブリッド回路装
置は、一般に次のような手順で構成されている。すなわ
ち、筒状の樹脂ケース本体１の一端側開口部1aに、接着
剤で放熱フィン２を先ず接着一体化して封止する。な
お、この放熱フィン２による筒状の樹脂ケース本体１の
一端側開口部1aの封止は、筒状の樹脂ケース本体１の成
形時に一体成形する場合もある。
置は、一般に次のような手順で構成されている。すなわ
ち、筒状の樹脂ケース本体１の一端側開口部1aに、接着
剤で放熱フィン２を先ず接着一体化して封止する。な
お、この放熱フィン２による筒状の樹脂ケース本体１の
一端側開口部1aの封止は、筒状の樹脂ケース本体１の成
形時に一体成形する場合もある。
次いで、上記接着一体化した放熱フィン２の内側面
に、所要の電子部品５たとえばパワートランジスター、
チップ抵抗、チップコンテンサーなど搭載・実装した厚
膜回路基板４を接着剤３などで装着・固定化する。この
場合、一般に厚膜回路基板４の寸法は、樹脂ケース本体
１内側に露出している放熱フィン２の寸法よりも小さく
設定されている。
に、所要の電子部品５たとえばパワートランジスター、
チップ抵抗、チップコンテンサーなど搭載・実装した厚
膜回路基板４を接着剤３などで装着・固定化する。この
場合、一般に厚膜回路基板４の寸法は、樹脂ケース本体
１内側に露出している放熱フィン２の寸法よりも小さく
設定されている。
しかる後、前記電子部品５が搭載・実装された厚膜回
路基板４を内装した樹脂ケース本体１内に、たとえば室
温加硫型シリコーンを充填し硬化６させる。このように
して前記電子部品５およびこれを搭載・実装した厚膜回
路基板４を被覆ないしモールドしてから、樹脂ケース本
体１の他端側開口部1bに、カバー７を接着剤で接着一体
化し封止した構成としている。
路基板４を内装した樹脂ケース本体１内に、たとえば室
温加硫型シリコーンを充填し硬化６させる。このように
して前記電子部品５およびこれを搭載・実装した厚膜回
路基板４を被覆ないしモールドしてから、樹脂ケース本
体１の他端側開口部1bに、カバー７を接着剤で接着一体
化し封止した構成としている。
（発明が解決しようとする課題） しかし、上記構造の樹脂ケース封止型ハイブリッド回
路装置の場合は、次のような不都合が認められる。すな
わち、筒状の樹脂ケース本体１の一端側開口部1aに、放
熱フィン２を接着剤で接着一体化しているが、厳密に接
合一体化することは事実上困難であるため、後処理とし
て放熱フィン２上面および樹脂ケース本体１の内壁面と
が接する部分（コーナー部）に、接着剤を補充して隙間
を封止する必要があり、作業の煩雑を避けえない。一
方、筒状の樹脂ケース本体１の成形時に、放熱フィンを
一体成形した場合には、樹脂ケース本体１を成す熱可塑
性樹脂と放熱フィンを成すAlやCuなどとの熱膨脹係数差
によって、成形後の収縮率が異なるため、接合面に隙間
が生じる。
路装置の場合は、次のような不都合が認められる。すな
わち、筒状の樹脂ケース本体１の一端側開口部1aに、放
熱フィン２を接着剤で接着一体化しているが、厳密に接
合一体化することは事実上困難であるため、後処理とし
て放熱フィン２上面および樹脂ケース本体１の内壁面と
が接する部分（コーナー部）に、接着剤を補充して隙間
を封止する必要があり、作業の煩雑を避けえない。一
方、筒状の樹脂ケース本体１の成形時に、放熱フィンを
一体成形した場合には、樹脂ケース本体１を成す熱可塑
性樹脂と放熱フィンを成すAlやCuなどとの熱膨脹係数差
によって、成形後の収縮率が異なるため、接合面に隙間
が生じる。
したがって、前記室温加硫型シリコーンを充填剤とし
て用い、樹脂ケース本体１に内装させた電子部品５およ
びこれを搭載・実装した厚膜回路基板４を被覆ないしモ
ールドする場合、充填した室温加硫型シリコーンなど
が、前記微小な隙間からいわゆる毛管現象によって樹脂
ケース本体１外に流出し、外観を損ったり、場合によっ
ては気密封止の機能を十分に果さないという問題があ
る。
て用い、樹脂ケース本体１に内装させた電子部品５およ
びこれを搭載・実装した厚膜回路基板４を被覆ないしモ
ールドする場合、充填した室温加硫型シリコーンなど
が、前記微小な隙間からいわゆる毛管現象によって樹脂
ケース本体１外に流出し、外観を損ったり、場合によっ
ては気密封止の機能を十分に果さないという問題があ
る。
本発明は上記事情に対処してなされたもので、充填剤
の流出による外観の損いも防止され、機能的にも高い信
頼性を備えた封止型ハイブリットー回路装置の提供を目
的とする。
の流出による外観の損いも防止され、機能的にも高い信
頼性を備えた封止型ハイブリットー回路装置の提供を目
的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の封止型ハイブリッド回路装置は、一端側内壁
面に突設されたリブによって一部を縮径した筒状の樹脂
ケース本体と、 前記樹脂ケース本体の縮径するリブ内周面に一部が嵌
合して上記一端側開口部を封止する放熱フィンと、 前記放熱フィンの内側面に装着固定化された回路基板
と、 前記回路基板面に搭載・実装された所要の電子部品
と、 前記電子部品および回路基板面を被覆するため充填さ
れた充填剤と、 前記樹脂ケース本体の他端側の開口部を封止するカバ
ーとを具備して成ることを特徴とする。
面に突設されたリブによって一部を縮径した筒状の樹脂
ケース本体と、 前記樹脂ケース本体の縮径するリブ内周面に一部が嵌
合して上記一端側開口部を封止する放熱フィンと、 前記放熱フィンの内側面に装着固定化された回路基板
と、 前記回路基板面に搭載・実装された所要の電子部品
と、 前記電子部品および回路基板面を被覆するため充填さ
れた充填剤と、 前記樹脂ケース本体の他端側の開口部を封止するカバ
ーとを具備して成ることを特徴とする。
（作 用） 本発明に係る封止型ハイブリッド回路装置において
は、回路基板を上面に配設する放熱フィンが、樹脂ケー
ス本体の縮径するリブ内周面に嵌合した形で保持され、
樹脂ケース本体側壁とリブおよび放熱フィンの上面で封
止型容器の主要部を構成している。つまり、底面部を成
す放熱フィンは、樹脂ケース本体側壁およびリブによっ
て段付けの形で接合一体化され、接合面が大きくとられ
ているため、毛細管現象による充填剤の流出などが抑制
される。したがって、前記充填剤の流出による外観の損
いも防止され、良好な気密性保持により機能的にも高い
信頼性を発揮する。
は、回路基板を上面に配設する放熱フィンが、樹脂ケー
ス本体の縮径するリブ内周面に嵌合した形で保持され、
樹脂ケース本体側壁とリブおよび放熱フィンの上面で封
止型容器の主要部を構成している。つまり、底面部を成
す放熱フィンは、樹脂ケース本体側壁およびリブによっ
て段付けの形で接合一体化され、接合面が大きくとられ
ているため、毛細管現象による充填剤の流出などが抑制
される。したがって、前記充填剤の流出による外観の損
いも防止され、良好な気密性保持により機能的にも高い
信頼性を発揮する。
（実施例） 以下第１図を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明に係る樹脂ケース封止型ハイブリッド
回路装置の構成例を断面的に示したもので、11は一端側
11a内壁面に突設されたリブ11cによって一部を縮径した
筒状の樹脂ケース本体である。12は、前記樹脂ケース本
体11を縮径するリブ11c内周面に一部が嵌合して上記一
端側11a開口部を封止する放熱フィンである。
回路装置の構成例を断面的に示したもので、11は一端側
11a内壁面に突設されたリブ11cによって一部を縮径した
筒状の樹脂ケース本体である。12は、前記樹脂ケース本
体11を縮径するリブ11c内周面に一部が嵌合して上記一
端側11a開口部を封止する放熱フィンである。
しかして、前記放熱フィン12は、断面凸型に構成され
ており、縮径部が樹脂ケース本体11のリブ11c内周面に
嵌合する形で接着し、膨径部が樹脂ケース本体11のリブ
11c下側内周面に嵌合する形で接着一体化している。つ
まり、底面部を成す放熱フィン12は、樹脂ケース本体11
側壁およびリブ11cによって段付けの形で接合一体化さ
れた構成を成している。
ており、縮径部が樹脂ケース本体11のリブ11c内周面に
嵌合する形で接着し、膨径部が樹脂ケース本体11のリブ
11c下側内周面に嵌合する形で接着一体化している。つ
まり、底面部を成す放熱フィン12は、樹脂ケース本体11
側壁およびリブ11cによって段付けの形で接合一体化さ
れた構成を成している。
14は前記放熱フィン12の内側面に接着剤13などによっ
て装着固定化された回路基板であり、また15はこの回路
基板14面に搭載・実装された所要の電子部品15、たとえ
ばICチップ、チップコンデンサー、チップ抵抗などであ
る。さらに、16は前記電子部品15および回路基板14面を
被覆するため充填された充填剤、たとえばシリコーンゴ
ム層であり、17は前記樹脂ケース本体11の他端側11bの
開口部を封止するカバーである。
て装着固定化された回路基板であり、また15はこの回路
基板14面に搭載・実装された所要の電子部品15、たとえ
ばICチップ、チップコンデンサー、チップ抵抗などであ
る。さらに、16は前記電子部品15および回路基板14面を
被覆するため充填された充填剤、たとえばシリコーンゴ
ム層であり、17は前記樹脂ケース本体11の他端側11bの
開口部を封止するカバーである。
上記構成の封止型ハイブリッド回路装置は、筒状の樹
脂ケース本体11として一端側11a内壁面に突設されたリ
ブ11cによって一部を縮径したものを用い、また放熱フ
ィン12として断面凸型に構成したものを用いて、放熱フ
ィン12の縮径部を樹脂ケース本体11のリブ11c内周面に
嵌合する形で接着し、膨径部を樹脂ケース本体11のリブ
11c下側内周面に嵌合する形で接着一体化する工程を採
る以外は、従来の製造手段によって容易に製造し得る。
脂ケース本体11として一端側11a内壁面に突設されたリ
ブ11cによって一部を縮径したものを用い、また放熱フ
ィン12として断面凸型に構成したものを用いて、放熱フ
ィン12の縮径部を樹脂ケース本体11のリブ11c内周面に
嵌合する形で接着し、膨径部を樹脂ケース本体11のリブ
11c下側内周面に嵌合する形で接着一体化する工程を採
る以外は、従来の製造手段によって容易に製造し得る。
本発明に係る封止型型ハイブリッド回路装置において
は、放熱フィン12と樹脂ケース本体11との接合部を、内
装する回路基板14の裏面に設定されている。つまり、放
熱フィン12と樹脂ケース本体11とは２重に接合封着され
た形を成すとともに、放熱フィン12と樹脂ケース本体11
との対接面ないし被接合面も大幅に拡大している。した
がって、製造工程において、充填剤としてたとえば室温
加硫型シリコーンを充填剤として充填した場合も、ケー
ス本体11外に流出することも全面的に抑止ないし防止さ
れ良好な外観を呈する。しかも、良好な気密性が形成・
保持されるため、機能的な信頼性向上も併せて図られ
る。
は、放熱フィン12と樹脂ケース本体11との接合部を、内
装する回路基板14の裏面に設定されている。つまり、放
熱フィン12と樹脂ケース本体11とは２重に接合封着され
た形を成すとともに、放熱フィン12と樹脂ケース本体11
との対接面ないし被接合面も大幅に拡大している。した
がって、製造工程において、充填剤としてたとえば室温
加硫型シリコーンを充填剤として充填した場合も、ケー
ス本体11外に流出することも全面的に抑止ないし防止さ
れ良好な外観を呈する。しかも、良好な気密性が形成・
保持されるため、機能的な信頼性向上も併せて図られ
る。
なお、上記では充填剤として、室温加硫型シリコーン
を例示したが、これに限定されないことは勿論である。
を例示したが、これに限定されないことは勿論である。
［発明の効果］ 上記説明から分るように、本発明に係る樹脂ケース封
止型ハイブリッド回路装置は、外観良好に仕上げ得るば
かりでなく、良好な封止も形成・保持し得るので、内装
したハイブリッド回路は、安定した所要の機能を常時発
揮することが可能である。
止型ハイブリッド回路装置は、外観良好に仕上げ得るば
かりでなく、良好な封止も形成・保持し得るので、内装
したハイブリッド回路は、安定した所要の機能を常時発
揮することが可能である。
第１図は本発明に係る封止型ハイブリッド回路装置の構
造例を示す断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は従来の
封止型ハイブリッド回路装置の構造を示すもので第２図
（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は断面図である。 1,11……ケース本体 1a,11a……ケース本体の一端側開口部 1b,11b……ケース本体の他端側開口部 11c……ケース本体のリブ 2,12……放熱フィン 3,13……接着剤 4,14……回路基板 5,15……電子部品 6,16……充填剤 7,17……封止カバー
造例を示す断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は従来の
封止型ハイブリッド回路装置の構造を示すもので第２図
（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は断面図である。 1,11……ケース本体 1a,11a……ケース本体の一端側開口部 1b,11b……ケース本体の他端側開口部 11c……ケース本体のリブ 2,12……放熱フィン 3,13……接着剤 4,14……回路基板 5,15……電子部品 6,16……充填剤 7,17……封止カバー
Claims (1)
- 【請求項１】一端側内壁面に突設されたリブによって一
部が縮径し、かつ外部接続端子を導出した筒状の樹脂ケ
ース本体と、 前記樹脂ケース本体の縮径するリブ内周面に一端が少な
くとも同一面を成すように嵌合して上記一端側開口部を
封止する放熱フィンと、 前記放熱フィンおよびリブ内側の一部に亘る内側面に装
着固定化された回路基板と、 前記回路基板面に搭載・実装された所要の電子部品と、 前記電子部品および回路基板面を被覆封止するため充填
された充填剤と、 前記樹脂ケース本体の他端側の開口部を封止するカバー
とを具備して成ることを特徴とする封止型ハイブリッド
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153312A JP2793330B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 封止型ハイブリッド回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153312A JP2793330B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 封止型ハイブリッド回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444346A JPH0444346A (ja) | 1992-02-14 |
| JP2793330B2 true JP2793330B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=15559739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2153312A Expired - Fee Related JP2793330B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 封止型ハイブリッド回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2793330B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442843A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2153312A patent/JP2793330B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444346A (ja) | 1992-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |