JP2585890B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2585890B2 JP2585890B2 JP3110939A JP11093991A JP2585890B2 JP 2585890 B2 JP2585890 B2 JP 2585890B2 JP 3110939 A JP3110939 A JP 3110939A JP 11093991 A JP11093991 A JP 11093991A JP 2585890 B2 JP2585890 B2 JP 2585890B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lid
- semiconductor device
- silicone gel
- outside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、パワーデバイス、特
にパワーモジュールの構造に関するものである。
にパワーモジュールの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は先に本出願人の出願(特願平1−
44322)に係るこの種の従来装置を示すものであ
り、これはパワーモジュールの内、樹脂封止構造では最
も一般的なシリコーンゲルなど柔軟な樹脂とエポキシ樹
脂等硬い樹脂との二層構造の問題点を克服するために提
案されたものである。
44322)に係るこの種の従来装置を示すものであ
り、これはパワーモジュールの内、樹脂封止構造では最
も一般的なシリコーンゲルなど柔軟な樹脂とエポキシ樹
脂等硬い樹脂との二層構造の問題点を克服するために提
案されたものである。
【0003】即ち、図3において、1はベース板、2は
絶縁板、3は端子、7はケース、8はシリコーンゲル、
9はエポキシ樹脂、10は連通開口、11は空間部、1
2は開口穴を示している。このようなものにおいて、パ
ワーモジュールが通電などによる発熱でケース全体の温
度が上昇した時、図3の例の場合の柔軟な樹脂であるシ
リコーンゲル8は硬い樹脂であるエポキシ樹脂9に比較
して熱膨張係数が約50倍も大きいので、内部のシリコ
ーンゲルの膨張のために内圧が増大し、エポキシ樹脂層
を上部に押し上げる力が作用するため、エポキシ樹脂9
に固着されている端子類も同時に押し上げ、端子を接着
させている半田疲労を早期に生じさせることがある。図
3のものはその問題の解決を意図したものである。
絶縁板、3は端子、7はケース、8はシリコーンゲル、
9はエポキシ樹脂、10は連通開口、11は空間部、1
2は開口穴を示している。このようなものにおいて、パ
ワーモジュールが通電などによる発熱でケース全体の温
度が上昇した時、図3の例の場合の柔軟な樹脂であるシ
リコーンゲル8は硬い樹脂であるエポキシ樹脂9に比較
して熱膨張係数が約50倍も大きいので、内部のシリコ
ーンゲルの膨張のために内圧が増大し、エポキシ樹脂層
を上部に押し上げる力が作用するため、エポキシ樹脂9
に固着されている端子類も同時に押し上げ、端子を接着
させている半田疲労を早期に生じさせることがある。図
3のものはその問題の解決を意図したものである。
【0004】ここで図3において、内側壁72によって
隔離された空隙部分73は連通開口部10によって内部
とつながり、シリコーンゲル8が空隙部分73の内部に
も入っている。これによりこの空隙部分の上部には空間
11が形成され、この空間11は開口穴12によって外
部に通じている。このため、シリコーンゲル8が温度上
昇により膨張しても、両側の空隙部分73内のシリコー
ンゲルの面が若干上昇するのみで、内圧が増大すること
はなく、したがって半田疲労が早期に発生することもな
い。
隔離された空隙部分73は連通開口部10によって内部
とつながり、シリコーンゲル8が空隙部分73の内部に
も入っている。これによりこの空隙部分の上部には空間
11が形成され、この空間11は開口穴12によって外
部に通じている。このため、シリコーンゲル8が温度上
昇により膨張しても、両側の空隙部分73内のシリコー
ンゲルの面が若干上昇するのみで、内圧が増大すること
はなく、したがって半田疲労が早期に発生することもな
い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3の
ものでは、基本的に外形、寸法を変更することなく内圧
増大を吸収する空隙部分を作ることができるようなスペ
ースの余裕が必要であり、スペースの余裕のないもの
は、寸法、形状を大きくすることが必要になる。
ものでは、基本的に外形、寸法を変更することなく内圧
増大を吸収する空隙部分を作ることができるようなスペ
ースの余裕が必要であり、スペースの余裕のないもの
は、寸法、形状を大きくすることが必要になる。
【0006】即ち図2は上記のようなスペースの余裕の
ない従来例としてのパワーモジュールの概略断面図を示
したものである。銅ベース板21上に、下から順に絶縁
基板22、アノード端子23、アノードモリブデン2
4、ダイオードチップ25、カソードモリブデン板2
6、及びカソード端子27が半田により固着されてい
る。そしてその全体を収容するように樹脂ケース28が
銅ベース板21に接着され、その中に、シリコーンゲル
29が注入、キュアされ、そして樹脂のフタ30がケー
ス28にはめこまれた後、右の開口部31からエポキシ
樹脂32が注入され、フタ30とケース28とがエポキ
シ樹脂32の硬化によって固着されている。この図の全
体の構造は、図3の空隙部分73に相当する部分を形成
するスペースはない。
ない従来例としてのパワーモジュールの概略断面図を示
したものである。銅ベース板21上に、下から順に絶縁
基板22、アノード端子23、アノードモリブデン2
4、ダイオードチップ25、カソードモリブデン板2
6、及びカソード端子27が半田により固着されてい
る。そしてその全体を収容するように樹脂ケース28が
銅ベース板21に接着され、その中に、シリコーンゲル
29が注入、キュアされ、そして樹脂のフタ30がケー
ス28にはめこまれた後、右の開口部31からエポキシ
樹脂32が注入され、フタ30とケース28とがエポキ
シ樹脂32の硬化によって固着されている。この図の全
体の構造は、図3の空隙部分73に相当する部分を形成
するスペースはない。
【0007】この発明は以上のような問題点を解決し、
スペースの余裕のないパワーモジュールにも、図3と同
様の効果を得ようとするものである。
スペースの余裕のないパワーモジュールにも、図3と同
様の効果を得ようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、樹脂容器内に、半導体チップを覆って保護するよ
うに充填された柔軟な樹脂と硬い樹脂を備えたものにお
いて、上記硬い樹脂層の上にかぶせて装着されるフタの
下部に突起部を設けるとともに、この突起部と外部とを
連通する貫通穴を配設したものである。
置は、樹脂容器内に、半導体チップを覆って保護するよ
うに充填された柔軟な樹脂と硬い樹脂を備えたものにお
いて、上記硬い樹脂層の上にかぶせて装着されるフタの
下部に突起部を設けるとともに、この突起部と外部とを
連通する貫通穴を配設したものである。
【0009】
【作用】この発明においては、硬い樹脂層の上に被着さ
れたフタに、下層の柔軟な樹脂層に達する突起部、及び
外部と連通する貫通穴を設けたことにより、内部の柔軟
な樹脂の膨張のために内圧が増大しても、上記突起部か
ら貫通穴を通して外部に逃げる作用をなす。
れたフタに、下層の柔軟な樹脂層に達する突起部、及び
外部と連通する貫通穴を設けたことにより、内部の柔軟
な樹脂の膨張のために内圧が増大しても、上記突起部か
ら貫通穴を通して外部に逃げる作用をなす。
【0010】
【実施例】以下この発明の一実施例を図1について説明
する。全体構造は図2とほぼ同様であるが、相違してい
る部分は、フタ30に管状突起部30aと貫通穴30bがあ
る点である。この突起部30aはフタ30の一部として形
成され、図のようにエポキシ樹脂層32を貫通してシリ
コーンゲル層29に達している。そして管状突起部30a
の内部は、モジュールの外部と通じる貫通穴30bが形成
され、図3の開口穴12の場合と同様の役割を果たして
いる。
する。全体構造は図2とほぼ同様であるが、相違してい
る部分は、フタ30に管状突起部30aと貫通穴30bがあ
る点である。この突起部30aはフタ30の一部として形
成され、図のようにエポキシ樹脂層32を貫通してシリ
コーンゲル層29に達している。そして管状突起部30a
の内部は、モジュールの外部と通じる貫通穴30bが形成
され、図3の開口穴12の場合と同様の役割を果たして
いる。
【0011】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、スペー
スの余裕のないパワーモジュールにおいても、簡単な構
成で、内圧増大を吸収することのできる、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
スの余裕のないパワーモジュールにおいても、簡単な構
成で、内圧増大を吸収することのできる、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
【図1】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】従来例を示す断面図である。
【図3】 先行技術としての先願のものの断面図であ
る。
る。
21 銅ベース板 22 絶縁基板 23 アノード端子 24 アノードモリブデン板 25 ダイオードチップ 26 カソードモリブデン板 27 カソード端子 28 ケース 29 シリコーンゲル 30 フタ 30a 突起部 30b 貫通穴 31 開口部 32 エポキシ樹脂
Claims (1)
- 【請求項1】 樹脂容器内に収容された半導体チップの
周辺を柔軟な樹脂で覆い、更にその外部に硬い樹脂を充
填して、その上部からフタをかぶせて、容器とフタとを
固着した半導体装置において、上記フタの下部に上記硬
い樹脂層を貫通して柔軟な樹脂層に達する突起部を設
け、該突起部には外部と通じる貫通穴を配置したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3110939A JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3110939A JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04316354A JPH04316354A (ja) | 1992-11-06 |
JP2585890B2 true JP2585890B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=14548408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3110939A Expired - Lifetime JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2585890B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2017891A1 (en) * | 2007-07-20 | 2009-01-21 | ABB Technology AG | Semiconductor module |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3110939A patent/JP2585890B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04316354A (ja) | 1992-11-06 |
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