JPH02222565A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02222565A
JPH02222565A JP4432289A JP4432289A JPH02222565A JP H02222565 A JPH02222565 A JP H02222565A JP 4432289 A JP4432289 A JP 4432289A JP 4432289 A JP4432289 A JP 4432289A JP H02222565 A JPH02222565 A JP H02222565A
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JP
Japan
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case
resin
wall
gap
semiconductor device
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JP4432289A
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English (en)
Inventor
Takeshi Yamamoto
武 山本
Masanori Nakatsuka
中司　正憲
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置、特に電力用半導体複合素子、
いわゆるパワーモジュールの構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第８図は従来例としてのダイオードモジュール（８相ブ
リツヂ）を示す斜視図であり、図において、１は金属ベ
ース板で、この金属ベース板１の上に絶縁基板２を介し
て交流端子３が８個と、更にその上にダイオードチップ
４が各々２個ずつ、計６個、半田付などの方法で取付け
られている。
そしてこの６個のダイオードチップ４は、各々電極リー
ド６を介して直流端子５に接続され、全体では８相ブリ
ツヂとして結線されている。７は樹脂製のケースで、上
記金属ベース板ｌ上に接着剤で貼付けられ、このケース
の中にシリコーンゲルあるいはシリコーンゴムなどの柔
軟７２樹脂８を注入してキュアした後、熱硬化性樹脂９
（例えばエポキシ樹脂）を注入し、蓋（図示省略）を被
せて硬化させるものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで以上のような構造において、６個のダイオード
チップ４に電流を流すと、チップが温度上昇し、チップ
周囲の電極及びゲルδも温度が上昇して、それによりゲ
ルが膨張した場合、一般にシリコーンゲル８の膨張係数
は、エポキシ樹脂９のそれより約１０倍程度大きいため
に、ゲルの膨張による内圧は非常に大きくなり、エポキ
シ樹脂９を上に押し上げる力となって作用する。それに
より、チップ周辺の半田に引張りの力が作用するため、
０Ｎ−ＯＦＦ通電によるゲルの膨張、収縮の繰返しによ
り、半田の疲労が比較的短時間で発生するという問題が
あった□ この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、簡単な構成により、ダイオード、サイリスタ
モジュールなどの断通寿命を大幅にのばすことを目的と
したものである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、半導体素子を収納するケ
ースの一部を二重壁にして、その間に空隙部分を形成し
、その内側壁の下部に上記空隙部分と連通する開口を設
けたものである。
〔作用〕
この発明においては、ケース内部に充填されるゲルが連
通開口より二重壁の間の空隙部分にも入り込むようにな
り、この側壁内のゲルの上に空間を作って該ゲルの膨張
による内圧の増大を吸収する〇 〔実施例〕 以下この発明の一実施例を第１図、第２図によって説明
する。
上記第８図に示すものと異なるところは、ケース７の一
部分、第２図では外側へ張り出した部分７ａの部分の側
壁を二重７１，７２にし、そのうちの内側の側壁ｎの下
部に切り欠きによる開口ｌＯを設けた点である。こ−で
、内側の側壁ｎの開口部分ＩＯは１ケ一ス内部と二重の
側壁の間の空隙部分πとをケースの下部で連通しており
、従って柔軟性樹脂であるゲル８は両方に入り込んでい
る。−万、このゲル８の上のエポキシ樹脂９は、上記内
ａ側壁ｎのケース内部にしか注入しないので、二重側壁
の内側には空間部分１１が形成される。
この構造のダイオードモジュールに電流を流してゲルな
どの温度を上昇させた場合、ゲルの膨張による内圧の増
大は、空間部分１１によって吸収することができ、エポ
キシ樹脂９を上に押し上げる力は小さく、半田疲労につ
ながるほどの力とはならない。この結果、０Ｎ−ＯＦＦ
通電寿命は飛躍的に向上するものとなる。
なお、図では空間部分１１の上部に、約Φ１ｓｍ程度の
小さな穴νを設けて、該空間部分ｎ°を外部大気と連通
させることにより、ゲルの膨張による内圧増大の吸収効
果を大きくしているが、この小穴νがなくても内圧増大
を吸収することができる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、半導体素子を収容する
ケースを二重壁にして、その内側壁の下部に連通開口を
設けるという簡単な構成により、柔軟性樹脂と熱硬化性
樹脂との組合せによる樹脂封止タイプの半導体装置の品
質を大幅に向上せしめる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す一部切欠の斜視図、
第２図は第１図の１１線の断面図、第８図は従来の半導
体装置を示す一部切欠の斜視図である〇 図中、１はベース板、２は絶縁基板、３は交流端子、４
はダイオードチップ、６は直流端子、６は電極リード、
７はケース、ｎは内側壁、ｎは空隙部分、８はシリコー
ンゲル、９はエポキシ樹脂、ｌＯは連通開口、１１は空
間部分である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ベース板上に複数の半導体素子を相互に結線し、該結線
    された半導体素子全体を、樹脂ケースとその中に注入さ
    れる樹脂とによつて封止するようにした半導体装置にお
    いて、上記ケースの側壁の一部を二重にして、その間に
    空隙部分を形成するとともに、この二重側壁のうちの内
    側の側壁の下部に上記空隙部分と通する開口を設けてな
    る半導体装置。
JP4432289A 1989-02-23 1989-02-23 半導体装置 Pending JPH02222565A (ja)

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DE1990621904 DE69021904T2 (de) 1989-02-23 1990-02-23 Zusammengesetzte Halbleitervorrichtung.
EP19900103571 EP0384482B1 (en) 1989-02-23 1990-02-23 Composite semiconductor device

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