JPS60157241A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60157241A
JPS60157241A JP1296684A JP1296684A JPS60157241A JP S60157241 A JPS60157241 A JP S60157241A JP 1296684 A JP1296684 A JP 1296684A JP 1296684 A JP1296684 A JP 1296684A JP S60157241 A JPS60157241 A JP S60157241A
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JP
Japan
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case
gel
fin
semiconductor element
semiconductor elements
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Application number
JP1296684A
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English (en)
Inventor
Junichi Yoshioka
吉岡　順一
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体素子を保護するケースにゲルおよび
樹脂ケ注入して封止する半導体装置に関するものである
。
〔従来技術〕
一般的な半導体素子がゲルおよび樹脂によって封止され
た後の状態を第１図（ａ）、（ｂ）に示す。
そして、第１図（ｂ）は第】図（ａ）のＡ−Ａ断面図で
ある。これらの図において、１は封止される半導体素子
、２は前記半導体素子１を固定するフィン、３は前記半
導体素子１ケ保護するケース、４は前記ケース３に注入
されるグル、５は同じくケース３に注入される樹脂であ
る。以下動作について説明する。
リード・フンーム（図示せず）に接続された半導体素子
１は外部からの影響を保護するためにケース３内にゲル
４および樹脂５Ｚ注入し封止される。ところが、ゲル４
の膨張が太きいため、ケース３内部にストンスが発生し
ていた。
従来、この内部ストンスのため、ケース３．フィン２が
変形したり、ケース３とフィン２との間にスキマが形成
されたり、半導体素子１自体へのストンス等が避けられ
ず、安定した品質か保てない等の欠点があった。
〔発明の概要〕
この発明は、上記のような従来のものの欠点ケ除去する
ためになされたもので、ケース内の半導体素子に注入さ
れるゲル上面に、ゲルの膨張欠吸収する空間部を設ける
ことにより、ケース内の半導体素子を外部の影響から保
護する半導体装置を提供するものである。
〔３Ｍ明の実施例〕 以下、この発明の一実施例について図面に基づいて説明
する。
第２図はこの発明の半導体装置の断面図であり、１〜５
は第１図（ａ）、（ｂ）と同一のものを示し７．６は環
状をなす突起で、その先端部分かグル４に浸漬している
。１は空間部で突起６の外周に形成されている。なお、
リード・フＶ−ム（図示せず）Ｋ取り付けられた半導体
素子１はフィン２に取り付けられている、 次に、組立について説明する。
ケース３火フイン２に接着剤等で固定した後に。
グル４′＋ニゲ〜ス３の上面の穴（図示せず）より注入
する。ゲル４としてはシリコン系のものが一般的である
。この時、ケース３に設けられた突起６の先端部分か浸
漬するまでグル４を注入することにより、空間部７が形
成される。その後、さらに樹脂５を注入することＫより
、ケース３に半導体素子１は封止される。このように空
間部Ｔが形成されることＫより、グル４が膨張した場合
、こ（に吸収されて内部ストレスが除去される。また、
突起６０寸法および空間部７の容積は外径寸法およびグ
ル４の注入量により自由に設定できる。
なお、上記実施例ではトランジスタモジュールについて
述べたが、この発明はその他の半導体装置である、例え
ばサイリスクモジュール、ダイオードモジュール等にも
広く適用できることはもちろんである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は半導体素子を保護する
ケースに注入されるゲル上面にゲルの膨張ケ吸収する空
間部を設けたので、半導体素子自体へのストンス、ケー
スおよびフィンの変形、ケースとフィンとのすきま等の
発生欠防止でき、信頼性の高い半導体装置が得られる利
点を有する。
【図面の簡単な説明】
の発明の一実施例を示す断面図である。 図中、１は半導体素子、２はフィン、３はケース、４は
ゲル、５は樹脂、６は突起、７は空間部である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　（外２名） 第１図 ３ 第２図 １　１　２

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ケース内の半導体素子にゲルおよび樹脂を注入して封止
    する半導体装置において、注入された前記ゲルの上面に
    前記グルの膨張によるス）Ｌ／スを吸収する空間部を設
    けたことを特徴とする半導体装置。
JP1296684A 1984-01-26 1984-01-26 半導体装置 Pending JPS60157241A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0251260A1 (de) * 1986-07-01 1988-01-07 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Leistungshalbleitermodul
US4768081A (en) * 1984-11-17 1988-08-30 Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh Process for encapsulating microelectronic circuits with organic components
US4812897A (en) * 1985-09-27 1989-03-14 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor element sealing structure
EP0384482A2 (en) * 1989-02-23 1990-08-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Composite semiconductor device
EP0412545A2 (en) * 1989-08-11 1991-02-13 Hitachi Maxell Ltd. IC package and IC card incorporating the same thereinto
JPH0415242U (ja) * 1990-05-25 1992-02-06
WO2016120997A1 (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 三菱電機株式会社 半導体モジュール
CN107078130A (zh) * 2014-09-30 2017-08-18 株式会社三社电机制作所 半导体模块

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4768081A (en) * 1984-11-17 1988-08-30 Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh Process for encapsulating microelectronic circuits with organic components
US4812897A (en) * 1985-09-27 1989-03-14 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor element sealing structure
EP0251260A1 (de) * 1986-07-01 1988-01-07 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Leistungshalbleitermodul
EP0384482A2 (en) * 1989-02-23 1990-08-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Composite semiconductor device
EP0384482A3 (en) * 1989-02-23 1990-09-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Composite semiconductor device
EP0412545A2 (en) * 1989-08-11 1991-02-13 Hitachi Maxell Ltd. IC package and IC card incorporating the same thereinto
JPH0415242U (ja) * 1990-05-25 1992-02-06
CN107078130A (zh) * 2014-09-30 2017-08-18 株式会社三社电机制作所 半导体模块
EP3203515A4 (en) * 2014-09-30 2018-05-30 Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor module
WO2016120997A1 (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 三菱電機株式会社 半導体モジュール
JPWO2016120997A1 (ja) * 2015-01-27 2017-04-27 三菱電機株式会社 半導体モジュール
CN107210270A (zh) * 2015-01-27 2017-09-26 三菱电机株式会社 半导体模块
US10224257B2 (en) 2015-01-27 2019-03-05 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module
CN107210270B (zh) * 2015-01-27 2019-12-13 三菱电机株式会社 半导体模块

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