JPS6074655A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6074655A
JPS6074655A JP58183478A JP18347883A JPS6074655A JP S6074655 A JPS6074655 A JP S6074655A JP 58183478 A JP58183478 A JP 58183478A JP 18347883 A JP18347883 A JP 18347883A JP S6074655 A JPS6074655 A JP S6074655A
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JP
Japan
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projection
side wall
air gap
agent
buffer agent
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Pending
Application number
JP58183478A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Murakami
村上　幸男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP58183478A priority Critical patent/JPS6074655A/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
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    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
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    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
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    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は側壁と底板とからなる容器内の収容された半導
体素子の半導体チップがゲル状またはゴム状のバッファ
剤により被覆され、さらにそのバッファ剤を覆ってエポ
キシ樹脂などの樹脂が注入硬化される半導体装置に関す
る。
〔従来技術とその問題点〕
第１図および第２図はそのような半導体装置の一例を示
し、側壁１と底板２からなる容器の底板２の上に複数の
半導体チップ３が銅ブロック４および共通絶縁板５を介
して固着され、チップ３は銅ブロック４およびリード線
６を介して接続フレーム７．８が接続されている。半導
体チップ３を外部のふん囲気から保護するために容器内
に樹脂を注入することが行われるが、直接注入すると樹
脂硬化時あるいは外的、内的に加わる熱による膨張の際
に半導体チップ３に応力が加わるおそれがあるため、チ
ップ３をゲル状あるいはゴム状のバッファ剤９により被
覆し、その上に樹脂１ｏも注入する。しかしバッファ剤
９の熱膨張による発生応力も考慮しなければならず、こ
れをバッファ剤の種類、量により軽減させようとしてき
た。しかしバッファ剤の熱膨張係数は３〜４Ｘ１０／”
Ｃでモールド樹脂よりも１桁大きく、しかもバッファ効
果と熱膨張係数は相反するものであり、半導体装置の構
造１寸法に応じてバッファ効果をある程度抑制して最適
のバッファ剤の種類、量を選定しなければならなかった
。そのためバッファ剤の量により容器１とモールド樹脂
１０の剥離などを引き起こしていた。
〔発明の目的〕
本発明は、熱膨張係数が大きいバッファ効果の大きなバ
ッファ剤を使用することができる半導体装置を提供する
ことを目的とする。
〔発明の要点〕
本発明による半導体装置は、容器の側壁がバッファ剤の
上面とほぼ同じ平面にその上端を有する突起部を備え、
その突起部は少なくとも一部に底板に向って開口する空
隙部を有することによって上記の目的を達成する。
〔発明の実施例〕
第３図は本発明の一実施例を示し、第１．第２図と共通
の部分には同一の符号が付されている。
第１．第２図に示１−た半導体装置と異なる点は側壁１
に断面かぎ形の突起部１１を有する。突起部１１の側壁
ｌから垂直に突出する部分は、半導体チップ３を被覆す
るバッファ剤９の上面とほぼ同じ高さにあり、突起部１
１と側壁１の間に形成される下方に開口した空隙部１２
は、バッファ剤が充てん時に入り込まず、大部分がその
まま空隙として残る。
従ってバッファ剤９の上にモールド樹脂１ｏが注入され
た半導体装置の作動時に、バッファ剤が膨張してもこの
空隙部に膨張分が逃げることにより内部応力を緩和させ
ることができる。
空隙部１２は突起部１１の全周にわたりて設けなくても
よく、一部に下方に開口する穴または溝として設けても
よい。また突起部１１も容器側壁１の全面でなく、一部
にだけ設けてもよい。さらにこの突起部１１の位置をバ
ッファ剤の充てん量に対する目安として利用することも
できる。
〔発明の効果〕
本発明は容器側壁に下方に向って開口する空隙部を有す
る突起部を設けたものでこの空隙部がバッファ側光てん
時に残ることによりバッファ剤の熱膨張分の吸収に役又
ち、装置の温度上昇時に発生する内部応力を緩和するた
め信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の一例の平面図、第２図はそ
の断面図、第３図は本発明の一実施例における第２図と
同様の断面図である。 １・・・側壁、２・・・底板、３・・・半導体チップ。 ４・・・銅ブロック、５・・・絶縁板、９・・・バッフ
ァ剤、１０・・・モールド樹脂、１１・・・突起部、１
２・・・空隙部。 （５） 才２（￥１ −′Ｐ３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）側壁と底板とからなる容器内に収容された半導体素
    子の半導体チップがゲル状またはゴム状のバッファ剤に
    より被覆され、さらに該バッファ剤を覆って樹脂が注入
    硬化されるものにおいて、容器の側壁がバッファ剤の上
    面とほぼ同じ平面に上端を有する突起部を備え、該突起
    部は少なくとも一部に底板に向って開口する空隙部を有
    することを特徴とする半導体装置。
JP58183478A 1983-09-30 1983-09-30 半導体装置 Pending JPS6074655A (ja)

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JP58183478A JPS6074655A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 半導体装置

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JP58183478A JPS6074655A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 半導体装置

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JPS6074655A true JPS6074655A (ja) 1985-04-26

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JP58183478A Pending JPS6074655A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62170641U (ja) * 1986-04-18 1987-10-29
US5956231A (en) * 1994-10-07 1999-09-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having power semiconductor elements
WO2013056927A1 (de) * 2011-10-20 2013-04-25 Osram Gmbh Aufsatzstück für einen träger einer halbleiterleuchtvorrichtung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62170641U (ja) * 1986-04-18 1987-10-29
JPH0432758Y2 (ja) * 1986-04-18 1992-08-06
US5956231A (en) * 1994-10-07 1999-09-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having power semiconductor elements
WO2013056927A1 (de) * 2011-10-20 2013-04-25 Osram Gmbh Aufsatzstück für einen träger einer halbleiterleuchtvorrichtung

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