JPS58121652A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPS58121652A JPS58121652A JP19984181A JP19984181A JPS58121652A JP S58121652 A JPS58121652 A JP S58121652A JP 19984181 A JP19984181 A JP 19984181A JP 19984181 A JP19984181 A JP 19984181A JP S58121652 A JPS58121652 A JP S58121652A
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- JP
- Japan
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- resin
- case
- layer
- groove
- resins
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はケース内部底面に電子部品を塔載した回路基板
を固足し、このケース内に樹脂を充填してなる混成集積
回路装置の構造に関する。
を固足し、このケース内に樹脂を充填してなる混成集積
回路装置の構造に関する。
一般にこの種の装置は、前記電子部品を樹脂内部応力及
び、ヒートショク、湿気、外力より保護するため、第一
層目の樹脂として柔軟性樹脂をケース内の電子部品がａ
する高さに充填し、その上番こ外部応力や湿気からの保
護の意味で前記ケースと膨張係数の近似した第二層目の
樹脂を充填する二重構造がとられている。
び、ヒートショク、湿気、外力より保護するため、第一
層目の樹脂として柔軟性樹脂をケース内の電子部品がａ
する高さに充填し、その上番こ外部応力や湿気からの保
護の意味で前記ケースと膨張係数の近似した第二層目の
樹脂を充填する二重構造がとられている。
しかしながらこのＩまの構成では、第一層目の樹脂注入
の際、該樹脂がケースの内壁面やコーナ一部分をはい上
がり、第二層目の樹脂充填時にケースとの封着強度が劣
化し更にこｎが進むとこの隙間に湿気が侵入して樹脂境
界部ｔＣ１；けるリード端子相互間で短絡事故を起こす
等の危険性があったＯ そこで特開昭５５−１５８６５３号ではこの問題を解消
するため、第一層目樹脂と第二層目樹脂との境界部に沿
ったケースの内壁面に樹脂はい上がり防止用の段差を設
け、第一層目樹脂のはい上がりをこの段差でくい止める
構成とした。このため前記の問題は解消さｎ二層構造に
よる特異な効果が生かされることとなったが、温度変化
や振動等の外的条件への対応は完全とは言んず樹脂の剥
離。
の際、該樹脂がケースの内壁面やコーナ一部分をはい上
がり、第二層目の樹脂充填時にケースとの封着強度が劣
化し更にこｎが進むとこの隙間に湿気が侵入して樹脂境
界部ｔＣ１；けるリード端子相互間で短絡事故を起こす
等の危険性があったＯ そこで特開昭５５−１５８６５３号ではこの問題を解消
するため、第一層目樹脂と第二層目樹脂との境界部に沿
ったケースの内壁面に樹脂はい上がり防止用の段差を設
け、第一層目樹脂のはい上がりをこの段差でくい止める
構成とした。このため前記の問題は解消さｎ二層構造に
よる特異な効果が生かされることとなったが、温度変化
や振動等の外的条件への対応は完全とは言んず樹脂の剥
離。
脱落の不安は依然として残った。
本発明はこの点に鎌みてなさｎたものであり、樹脂の脱
落を完全に防止し、かつ第一層目の樹脂のはい上がり防
止効果を兼ね備えた混成集積回路装置を提供するもので
ある。以下本発明の構成を図面お共に説明する。
落を完全に防止し、かつ第一層目の樹脂のはい上がり防
止効果を兼ね備えた混成集積回路装置を提供するもので
ある。以下本発明の構成を図面お共に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図である。電子
部品（図示せず）及びリード端子１を塔載した基板２を
ケース３の内部底面に接着固定し、その上から第一層目
の樹脂４として柔軟性のあるシリコーン樹脂を、基板２
に塔載した電子部品が埋蒙る高さ葦で注入し、更にその
上に第二層目樹脂５とし゛Ｃケースき膨張係数の近似し
ているエポキシ樹脂を注入して封止を行っている。この
ような構成において、ケース３の内壁面には環状の溝６
が両樹脂がともに侵入する樹脂境界部に沿って設けらち
でいる為、第一層目の樹脂の注入時、ケース内壁面の第
二層目の樹脂領域への樹脂のはい上がりがくい止められ
、第二層目の樹脂注入の際には該樹脂とケースとの接触
面積が確保さｎ封着強度が向上する。更に樹脂封止完了
後には両樹脂の一部が前記溝６に喰い込む為、ケース３
からの桐脂脱落防止は完全となる。
部品（図示せず）及びリード端子１を塔載した基板２を
ケース３の内部底面に接着固定し、その上から第一層目
の樹脂４として柔軟性のあるシリコーン樹脂を、基板２
に塔載した電子部品が埋蒙る高さ葦で注入し、更にその
上に第二層目樹脂５とし゛Ｃケースき膨張係数の近似し
ているエポキシ樹脂を注入して封止を行っている。この
ような構成において、ケース３の内壁面には環状の溝６
が両樹脂がともに侵入する樹脂境界部に沿って設けらち
でいる為、第一層目の樹脂の注入時、ケース内壁面の第
二層目の樹脂領域への樹脂のはい上がりがくい止められ
、第二層目の樹脂注入の際には該樹脂とケースとの接触
面積が確保さｎ封着強度が向上する。更に樹脂封止完了
後には両樹脂の一部が前記溝６に喰い込む為、ケース３
からの桐脂脱落防止は完全となる。
第２図は本発明の他の実施例を示す断面図である。第１
図の実施例と異なる点は、ケース内壁面の溝６が溝内に
第二層目の樹脂のみが侵入する高さに設けられている点
で、溝形成及び樹脂注入の際の精度が＃！１図の実施例
寝要求されないという長所がある。しかしながら、この
溝はあまり上部に設けると第一層目樹脂はい上がり防止
としての効果を達成できない為、その点は考慮する必要
がある。
図の実施例と異なる点は、ケース内壁面の溝６が溝内に
第二層目の樹脂のみが侵入する高さに設けられている点
で、溝形成及び樹脂注入の際の精度が＃！１図の実施例
寝要求されないという長所がある。しかしながら、この
溝はあまり上部に設けると第一層目樹脂はい上がり防止
としての効果を達成できない為、その点は考慮する必要
がある。
このように本発明によｎば、二層構造としての高品質な
混成集積回路装置を可能としかつ樹脂の脱落を完全に防
止する構成とした為、装着の性能が向上し信頼性の高い
混成集積回路装置を提供することができる。
混成集積回路装置を可能としかつ樹脂の脱落を完全に防
止する構成とした為、装着の性能が向上し信頼性の高い
混成集積回路装置を提供することができる。
ｆＩＩＥ１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図
は本発明の他の実施例を示す断面図である。
は本発明の他の実施例を示す断面図である。
Claims (1)
- １）ケース内部底面に電子部品を塔載した基板を固定し
、該ケース内に第一層目の樹脂として柔軟性樹脂を前記
電子部品が埋！る高さに充填し、その上ｌこ前記ケース
と膨張係数の近似した第二層目の樹脂を充填してなる混
成集積回路装置において、前記ケースの内壁面ζζζ状
状溝を設け、該溝の高さの下限を両樹脂がともに溝内に
侵入する樹脂境界部とすることを特徴とする混成集積回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19984181A JPS58121652A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19984181A JPS58121652A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121652A true JPS58121652A (ja) | 1983-07-20 |
Family
ID=16414532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19984181A Pending JPS58121652A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121652A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104145A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2005001929A1 (de) * | 2003-06-30 | 2005-01-06 | Robert Bosch Gmbh | Baueinheit mit einem wannenartigen gehäuseteil und mit einem darin befindlichen vergusswerkstoff |
| JP2005150621A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| WO2013056927A1 (de) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Osram Gmbh | Aufsatzstück für einen träger einer halbleiterleuchtvorrichtung |
| WO2019038906A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびパワー半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP19984181A patent/JPS58121652A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104145A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH0418468B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1992-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | |
| WO2005001929A1 (de) * | 2003-06-30 | 2005-01-06 | Robert Bosch Gmbh | Baueinheit mit einem wannenartigen gehäuseteil und mit einem darin befindlichen vergusswerkstoff |
| JP2005150621A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| WO2013056927A1 (de) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Osram Gmbh | Aufsatzstück für einen träger einer halbleiterleuchtvorrichtung |
| WO2019038906A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびパワー半導体装置の製造方法 |
| JPWO2019038906A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-11-07 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびパワー半導体装置の製造方法 |
| CN111066142A (zh) * | 2017-08-25 | 2020-04-24 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法 |
| US11482462B2 (en) | 2017-08-25 | 2022-10-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device with first and second sealing resins of different coefficient of thermal expansion |
| CN111066142B (zh) * | 2017-08-25 | 2023-08-25 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法 |
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