JPH0351299B2 - - Google Patents
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- JPH0351299B2 JPH0351299B2 JP60032702A JP3270285A JPH0351299B2 JP H0351299 B2 JPH0351299 B2 JP H0351299B2 JP 60032702 A JP60032702 A JP 60032702A JP 3270285 A JP3270285 A JP 3270285A JP H0351299 B2 JPH0351299 B2 JP H0351299B2
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- resin
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- semiconductor device
- heat sink
- resin part
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に充填樹脂の熱
収縮に伴う半導体装置の変形防止構造に関する。
収縮に伴う半導体装置の変形防止構造に関する。
〔発明の背景〕
第2図に示す従来の半導体装置(特開昭59−
84458号公報参照)はヒートシンク1上に絶縁板
2を介して半導体素子3を搭載しケース4をかぶ
せ半導体素子3周辺に弾性率の小さいレジン5を
充填しさらに封止用としてエポキシン等のレジン
5より強固な、換言すれば機械的強度の大きいレ
ジン6を充填硬化させた構成となつている。7は
ケース4の蓋であり、半導体素子3のリードの位
置決め用孔7aレジン5,6の注入口7bを有し
ている。尚、9はヒートシンク1とケース4の接
合部から水分が浸入することを防ぐために絶縁板
2周辺に充填硬化された強固なレジンである。レ
ジン硬化後冷却すると強固なレジン6の熱収縮力
がケース4、リード8を介してヒートシンク1に
伝わり、ヒートシンク1が変形し、実用に供する
ことができないという欠点があつた。これはヒー
トシンク1より強固なレジン6の熱膨脹係数が一
般には金属性ヒートシンク1の2〜5倍と大きい
ために発生するものである。
84458号公報参照)はヒートシンク1上に絶縁板
2を介して半導体素子3を搭載しケース4をかぶ
せ半導体素子3周辺に弾性率の小さいレジン5を
充填しさらに封止用としてエポキシン等のレジン
5より強固な、換言すれば機械的強度の大きいレ
ジン6を充填硬化させた構成となつている。7は
ケース4の蓋であり、半導体素子3のリードの位
置決め用孔7aレジン5,6の注入口7bを有し
ている。尚、9はヒートシンク1とケース4の接
合部から水分が浸入することを防ぐために絶縁板
2周辺に充填硬化された強固なレジンである。レ
ジン硬化後冷却すると強固なレジン6の熱収縮力
がケース4、リード8を介してヒートシンク1に
伝わり、ヒートシンク1が変形し、実用に供する
ことができないという欠点があつた。これはヒー
トシンク1より強固なレジン6の熱膨脹係数が一
般には金属性ヒートシンク1の2〜5倍と大きい
ために発生するものである。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、前記したレジン6の熱収縮力
によりヒートシンク1が変形するという問題を除
去した半導体装置を提供するにある。
によりヒートシンク1が変形するという問題を除
去した半導体装置を提供するにある。
上記目的を達成する本発明の特徴とするところ
は、封止用のレジンに接して、該レジンの熱膨張
を吸収する中空部を設けたことにある。
は、封止用のレジンに接して、該レジンの熱膨張
を吸収する中空部を設けたことにある。
第1図に示した一実施例に基いて、本発明を説
明する。銅材から成るヒートシンク1上にセラミ
ツク絶縁板2を介して半導体素子3を搭載し、第
3図に示すごとく、2ヶ所にU次形の中空仕切壁
10を一体成形で設けたレジンケース4をヒート
シンク1上に配置し、ケース蓋7を孔7aにリー
ド8を通しながらかぶせ各々接着剤で接着し、強
固なレジン9を絶縁板2の周囲に充填し硬化させ
てから、弾性率の小さいシリコンレジン5を中空
仕切壁10に十分達するまで注入し硬化させ、そ
の後エポキシレジン6を別々に設けた注入孔7b
から注入し硬化させた。本半導体装置は冷却後も
全くヒートシンク1、ケース4の変形は認められ
なかつた。
明する。銅材から成るヒートシンク1上にセラミ
ツク絶縁板2を介して半導体素子3を搭載し、第
3図に示すごとく、2ヶ所にU次形の中空仕切壁
10を一体成形で設けたレジンケース4をヒート
シンク1上に配置し、ケース蓋7を孔7aにリー
ド8を通しながらかぶせ各々接着剤で接着し、強
固なレジン9を絶縁板2の周囲に充填し硬化させ
てから、弾性率の小さいシリコンレジン5を中空
仕切壁10に十分達するまで注入し硬化させ、そ
の後エポキシレジン6を別々に設けた注入孔7b
から注入し硬化させた。本半導体装置は冷却後も
全くヒートシンク1、ケース4の変形は認められ
なかつた。
その理由は、中空仕切壁10を設けたため、レ
ジン6が3分割され、かつ、熱収縮力が中空仕切
壁10の弾力性で吸収されるためである。
ジン6が3分割され、かつ、熱収縮力が中空仕切
壁10の弾力性で吸収されるためである。
レジン6と蓋7の界面に水分が浸入しても、中
空仕切壁10の中空部10aに水分がためられ、
半導体素子3に至らない確率が高く、このため、
本装置は耐湿性は高い。
空仕切壁10の中空部10aに水分がためられ、
半導体素子3に至らない確率が高く、このため、
本装置は耐湿性は高い。
第1図、第3図に示した実施例は、ケース4の
幅方向に2個の中空仕切壁を設けているが、個数
は、レジン6の熱収縮量によつて決まるものであ
り、2個に制限されるものではない。また、ケー
ス4の長手方向に沿つた中空仕切壁を設けても良
い。中空仕切壁を構成する材料は注入硬化される
レジン6とよく接着するものが良い。中空仕切壁
の形状はU字状に限定されるものではなく、コ字
状、V字状でも何でもよい。
幅方向に2個の中空仕切壁を設けているが、個数
は、レジン6の熱収縮量によつて決まるものであ
り、2個に制限されるものではない。また、ケー
ス4の長手方向に沿つた中空仕切壁を設けても良
い。中空仕切壁を構成する材料は注入硬化される
レジン6とよく接着するものが良い。中空仕切壁
の形状はU字状に限定されるものではなく、コ字
状、V字状でも何でもよい。
実施例ではケース4に蓋7を設けているが、こ
れは省略しても良い。その場合、中空仕切壁10
内にレジン6が注入硬化されていなければ良い。
れは省略しても良い。その場合、中空仕切壁10
内にレジン6が注入硬化されていなければ良い。
半導体素子3は絶縁板2を介さず、ヒートシン
ク1に直接あるいは、電極板を介して搭載されて
いてもよいし、半導体素子以外の回路素子が固定
されて、所定の回路が絶縁板上に形成されていて
もよい。
ク1に直接あるいは、電極板を介して搭載されて
いてもよいし、半導体素子以外の回路素子が固定
されて、所定の回路が絶縁板上に形成されていて
もよい。
本発明によれば、ヒートシンクの変形等不具合
を除去した半導体装置を得ることができる。
を除去した半導体装置を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体装置の
縦断面図、第2図は従来の半導体装置の縦断面
図、第3図は第1図に示した半導体装置に用いら
れるケースの斜視図である。 1……ヒートシンク、2……絶縁板、3……半
導体素子、4……ケース、5,6,9……レジ
ン、7……蓋、8……リード、10……中空仕切
壁。
縦断面図、第2図は従来の半導体装置の縦断面
図、第3図は第1図に示した半導体装置に用いら
れるケースの斜視図である。 1……ヒートシンク、2……絶縁板、3……半
導体素子、4……ケース、5,6,9……レジ
ン、7……蓋、8……リード、10……中空仕切
壁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ケースと、ケース内に搭載された半導体基体
と、半導体基体に接続されケース外に伸びるリー
ドと、ケース内に充填され、その中に半導体基体
が位置する低弾性率の第1のレジン部分と、第1
のレジン部分の表面を覆う第1のレジン部分より
機械的強度の大きい第2のレジン部分とを有する
半導体装置において、第2のレジン部分に接し、
第2のレジン部分表面から深さ方向に伸びて第1
のレジン部分に達し第2のレジン部分を分割する
中空部が設けられていることを特徴とする半導体
装置。 2 特許請求の範囲第1項において、中空部を形
成している部材はケースと一体化していることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3270285A JPS61193471A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3270285A JPS61193471A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61193471A JPS61193471A (ja) | 1986-08-27 |
JPH0351299B2 true JPH0351299B2 (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=12366179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3270285A Granted JPS61193471A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61193471A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4446527A1 (de) * | 1994-12-24 | 1996-06-27 | Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
DE10340328A1 (de) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Vergußschale |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59136953A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-06 | Fuji Electric Co Ltd | 複合素子 |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP3270285A patent/JPS61193471A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59136953A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-06 | Fuji Electric Co Ltd | 複合素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61193471A (ja) | 1986-08-27 |
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