JPH0249728Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0249728Y2 JPH0249728Y2 JP1984107643U JP10764384U JPH0249728Y2 JP H0249728 Y2 JPH0249728 Y2 JP H0249728Y2 JP 1984107643 U JP1984107643 U JP 1984107643U JP 10764384 U JP10764384 U JP 10764384U JP H0249728 Y2 JPH0249728 Y2 JP H0249728Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid
- board
- elastic locking
- case
- synthetic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この考案はハイブリツドICの外装構造に関す
る。
る。
(従来の技術)
従来、ハイブリツドICの外装構造としては、
エポキシ粉体等による樹脂塗装するものと、金属
あるいは樹脂ケース内に樹脂を封入するものとが
ある。例えば、「集積回路ハンドブツク発行所丸
善株式会社(昭和43年11月25日発行第414〜第424
頁)」に記載されている。
エポキシ粉体等による樹脂塗装するものと、金属
あるいは樹脂ケース内に樹脂を封入するものとが
ある。例えば、「集積回路ハンドブツク発行所丸
善株式会社(昭和43年11月25日発行第414〜第424
頁)」に記載されている。
(考案が解決しようとする問題点)
ハイブリツドICの搭載部品がDIP型ICあるいは
チツプキヤリア等の大型部品の場合、ハイブリツ
ドICの入出力ピン数は多くなり、基板も大型化
してくる。従つて、エポキシ粉体等樹脂塗装法で
は樹脂で完全にハイブリツドICを覆うことは難
しく、また塗布樹脂と基板との熱膨張係数の差に
より、塗布樹脂にクラツクが発生し易い等の問題
点があつた。
チツプキヤリア等の大型部品の場合、ハイブリツ
ドICの入出力ピン数は多くなり、基板も大型化
してくる。従つて、エポキシ粉体等樹脂塗装法で
は樹脂で完全にハイブリツドICを覆うことは難
しく、また塗布樹脂と基板との熱膨張係数の差に
より、塗布樹脂にクラツクが発生し易い等の問題
点があつた。
なお、前記問題点を解決する構造として第2図
のように、ハイブリツドIC基板1の端面2を樹
脂ケース4で支え、可とう性樹脂3(例えば、シ
リコーン樹脂)を注入充てんし硬化させる方法が
考えられるが、注入された樹脂3が硬化する際に
気泡が発生し易い為、真空脱泡を長時間する必要
がある。なお、気泡があつた場合は、ハイブリツ
ドICが低温にさらされた場合、気泡の内部で結
露を生じ、回路に悪影響を与える可能性がある。
のように、ハイブリツドIC基板1の端面2を樹
脂ケース4で支え、可とう性樹脂3(例えば、シ
リコーン樹脂)を注入充てんし硬化させる方法が
考えられるが、注入された樹脂3が硬化する際に
気泡が発生し易い為、真空脱泡を長時間する必要
がある。なお、気泡があつた場合は、ハイブリツ
ドICが低温にさらされた場合、気泡の内部で結
露を生じ、回路に悪影響を与える可能性がある。
また、第2図の構造では、発熱素子を搭載した
場合、熱が内部にこもる可能性があり、重量も大
きくなる等の欠点があつた。
場合、熱が内部にこもる可能性があり、重量も大
きくなる等の欠点があつた。
次に、上記欠点を解決する方法として、第3図
のようにハイブリツドIC基板1を可とう性樹脂
(例えば、シリコーン樹脂)膜5で覆う方法があ
るが、製造組立時の外部からの機械治具、人手の
接触により容易に可とう性樹脂膜5がはく離、欠
損する可能性があつた。
のようにハイブリツドIC基板1を可とう性樹脂
(例えば、シリコーン樹脂)膜5で覆う方法があ
るが、製造組立時の外部からの機械治具、人手の
接触により容易に可とう性樹脂膜5がはく離、欠
損する可能性があつた。
(問題点を解決するための手段)
本考案は、基板上にハイブリツドIC回路を形
成し、その基板上に可とう性樹脂で前記ハイブリ
ツドICを覆い、前記基板上のハイブリツドICを
覆うケースには、前記基板に係止する弾性係止部
を有する。前記ケースは合成樹脂により形成す
る。このようにしてハイブリツドICの外装構造
を得る。
成し、その基板上に可とう性樹脂で前記ハイブリ
ツドICを覆い、前記基板上のハイブリツドICを
覆うケースには、前記基板に係止する弾性係止部
を有する。前記ケースは合成樹脂により形成す
る。このようにしてハイブリツドICの外装構造
を得る。
(作用)
基板はハイブリツドICを形成すべきベースと
なつており、そのハイブリツドICを覆つている
可とう性樹脂はハイブリツドICを保護し熱放射
を妨げないようになつている。そして、ケースは
可とう性樹脂のはく離、欠損を防止している。ケ
ースが有している弾性係止部はそれ自身の弾性に
より、ケースと基板とが脱落しないように係止し
ている。
なつており、そのハイブリツドICを覆つている
可とう性樹脂はハイブリツドICを保護し熱放射
を妨げないようになつている。そして、ケースは
可とう性樹脂のはく離、欠損を防止している。ケ
ースが有している弾性係止部はそれ自身の弾性に
より、ケースと基板とが脱落しないように係止し
ている。
(実施例)
第1図は、一実施例を示す図であり、第1図a
は斜視図、第1図bは断面図、第1図cは底面図
である。
は斜視図、第1図bは断面図、第1図cは底面図
である。
ハイブリツドIC基板1は可とう性樹脂膜5で
覆われており、合成樹脂ケース4の弾性係止部4
a,4bで係止され、容易にハイブリツドIC基
板1からはずれない様にしている。弾性係止部4
a,4bは合成樹脂ケース4と一体に形成してお
り、ケース4の壁面の一部を切り欠いた2つの溝
の間に1つの弾性係止部を得る。そして、柔軟性
を得るため、弾性係止部4a,4bを形成する片
の中央部分に角穴を設けている。この弾性係止部
は第1図に示すように、ハイブリツドIC基板1
の外部リード端子を設けていない対向2辺に対応
する辺に設ける。また、弾性係止部4a,4bの
端部にはケース4の内部に向けて係止突起41
a,41bを設けている。また、合成樹脂ケース
4の突き当て部4c,4dは合成樹脂ケース4に
ハイブリツドIC基板1を挿入したとき、ハイブ
リツドIC基板1に搭載された部品の突出部6と
合成樹脂ケース4の底面4eとの間に適当な空間
を保ち、且つ弾性係止部4a,4bとハイブリツ
ドIC基板1とのガタつきを調整する。
覆われており、合成樹脂ケース4の弾性係止部4
a,4bで係止され、容易にハイブリツドIC基
板1からはずれない様にしている。弾性係止部4
a,4bは合成樹脂ケース4と一体に形成してお
り、ケース4の壁面の一部を切り欠いた2つの溝
の間に1つの弾性係止部を得る。そして、柔軟性
を得るため、弾性係止部4a,4bを形成する片
の中央部分に角穴を設けている。この弾性係止部
は第1図に示すように、ハイブリツドIC基板1
の外部リード端子を設けていない対向2辺に対応
する辺に設ける。また、弾性係止部4a,4bの
端部にはケース4の内部に向けて係止突起41
a,41bを設けている。また、合成樹脂ケース
4の突き当て部4c,4dは合成樹脂ケース4に
ハイブリツドIC基板1を挿入したとき、ハイブ
リツドIC基板1に搭載された部品の突出部6と
合成樹脂ケース4の底面4eとの間に適当な空間
を保ち、且つ弾性係止部4a,4bとハイブリツ
ドIC基板1とのガタつきを調整する。
ハイブリツドIC基板1の辺部は合成樹脂ケー
ス4の弾性係止部4a,4bにより両方向(矢印
方向)から挾まれ固定される。弾性係止部4a,
4bの係止突起41a,41bは、ハイブリツド
IC基板1がはずれないように補助している。こ
のように、弾性係止部4a,4bがハイブリツド
IC基板1を固定しているため、合成樹脂ケース
4の固定壁4f,4gから隔離されている。従つ
て、ハイブリツドIC基板1と合成樹脂ケース4
との熱膨張係数の差による寸法差が生じた場合で
も、弾性係止部4a,4bのばね変位により応力
を吸収できる。
ス4の弾性係止部4a,4bにより両方向(矢印
方向)から挾まれ固定される。弾性係止部4a,
4bの係止突起41a,41bは、ハイブリツド
IC基板1がはずれないように補助している。こ
のように、弾性係止部4a,4bがハイブリツド
IC基板1を固定しているため、合成樹脂ケース
4の固定壁4f,4gから隔離されている。従つ
て、ハイブリツドIC基板1と合成樹脂ケース4
との熱膨張係数の差による寸法差が生じた場合で
も、弾性係止部4a,4bのばね変位により応力
を吸収できる。
なお、可とう性樹脂膜5は、実施例ではハイブ
リツドIC基板1の全面に覆つているが、部品が
搭載されない面を覆わない場合もある。
リツドIC基板1の全面に覆つているが、部品が
搭載されない面を覆わない場合もある。
(考案の効果)
この考案は、可とう性樹脂膜で覆われたハイブ
リツドIC基板に合成樹脂製ケースを係止装着し
ているため、ケースにハイブリツドIC基板を入
れ可とう性樹脂を注入した場合よりも重量及び放
熱性の点で有利である。
リツドIC基板に合成樹脂製ケースを係止装着し
ているため、ケースにハイブリツドIC基板を入
れ可とう性樹脂を注入した場合よりも重量及び放
熱性の点で有利である。
また、合成樹脂製ケースで外装保護を行つてい
るため、外部からの機械的作用により、可とう性
樹脂膜がはく離、欠損することがなく、ハイブリ
ツドIC基板とケースとの熱膨張係数の差による
寸法変化は合成樹脂製ケースに設けられた弾性係
止部により吸収することができる。
るため、外部からの機械的作用により、可とう性
樹脂膜がはく離、欠損することがなく、ハイブリ
ツドIC基板とケースとの熱膨張係数の差による
寸法変化は合成樹脂製ケースに設けられた弾性係
止部により吸収することができる。
第1図a,b,cはこの考案の一実施例を示す
図であり、同図aは斜視図、同図bは断面図、同
図cは底面図である。第2図、第3図は従来の技
術を説明する斜視図である。 1……ハイブリツドIC基板、4……合成樹脂
製ケース、4a,4b……弾性係止部、4c,4
d……突き当て部、4e……底面、4f,4g…
…固定壁、41a,41b……係止突起。
図であり、同図aは斜視図、同図bは断面図、同
図cは底面図である。第2図、第3図は従来の技
術を説明する斜視図である。 1……ハイブリツドIC基板、4……合成樹脂
製ケース、4a,4b……弾性係止部、4c,4
d……突き当て部、4e……底面、4f,4g…
…固定壁、41a,41b……係止突起。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 DIP型の外部リード端子を有するハイブリツド
ICにおいて、 部品搭載面を可とう性樹脂膜で覆つたハイブリ
ツドIC基板と、 このハイブリツドIC基板に係止するための弾
性係止部を有する合成樹脂製ケースとからなり、 前記弾性係止部は前記ハイブリツドIC基板の
外部リード端子を設けていない対向2辺に対応す
る辺に設けることを特徴とするハイブリツドIC
の外装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10764384U JPS6127242U (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | ハイブリツドicの外装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10764384U JPS6127242U (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | ハイブリツドicの外装構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6127242U JPS6127242U (ja) | 1986-02-18 |
JPH0249728Y2 true JPH0249728Y2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=30666861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10764384U Granted JPS6127242U (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | ハイブリツドicの外装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6127242U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2506449B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1996-06-12 | 富士通株式会社 | パッケ―ジ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994853A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5222943U (ja) * | 1975-08-06 | 1977-02-18 |
-
1984
- 1984-07-18 JP JP10764384U patent/JPS6127242U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994853A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6127242U (ja) | 1986-02-18 |
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