JPH0249728Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案はハイブリツドICの外装構造に関す
る。

（従来の技術） 従来、ハイブリツドICの外装構造としては、
エポキシ粉体等による樹脂塗装するものと、金属
あるいは樹脂ケース内に樹脂を封入するものとが
ある。例えば、「集積回路ハンドブツク発行所丸
善株式会社（昭和43年11月25日発行第414〜第424
頁）」に記載されている。

（考案が解決しようとする問題点） ハイブリツドICの搭載部品がDIP型ICあるいは
チツプキヤリア等の大型部品の場合、ハイブリツ
ドICの入出力ピン数は多くなり、基板も大型化
してくる。従つて、エポキシ粉体等樹脂塗装法で
は樹脂で完全にハイブリツドICを覆うことは難
しく、また塗布樹脂と基板との熱膨張係数の差に
より、塗布樹脂にクラツクが発生し易い等の問題
点があつた。

なお、前記問題点を解決する構造として第２図
のように、ハイブリツドIC基板１の端面２を樹
脂ケース４で支え、可とう性樹脂３（例えば、シ
リコーン樹脂）を注入充てんし硬化させる方法が
考えられるが、注入された樹脂３が硬化する際に
気泡が発生し易い為、真空脱泡を長時間する必要
がある。なお、気泡があつた場合は、ハイブリツ
ドICが低温にさらされた場合、気泡の内部で結
露を生じ、回路に悪影響を与える可能性がある。

また、第２図の構造では、発熱素子を搭載した
場合、熱が内部にこもる可能性があり、重量も大
きくなる等の欠点があつた。

次に、上記欠点を解決する方法として、第３図
のようにハイブリツドIC基板１を可とう性樹脂
（例えば、シリコーン樹脂）膜５で覆う方法があ
るが、製造組立時の外部からの機械治具、人手の
接触により容易に可とう性樹脂膜５がはく離、欠
損する可能性があつた。

（問題点を解決するための手段） 本考案は、基板上にハイブリツドIC回路を形
成し、その基板上に可とう性樹脂で前記ハイブリ
ツドICを覆い、前記基板上のハイブリツドICを
覆うケースには、前記基板に係止する弾性係止部
を有する。前記ケースは合成樹脂により形成す
る。このようにしてハイブリツドICの外装構造
を得る。

（作用） 基板はハイブリツドICを形成すべきベースと
なつており、そのハイブリツドICを覆つている
可とう性樹脂はハイブリツドICを保護し熱放射
を妨げないようになつている。そして、ケースは
可とう性樹脂のはく離、欠損を防止している。ケ
ースが有している弾性係止部はそれ自身の弾性に
より、ケースと基板とが脱落しないように係止し
ている。

（実施例） 第１図は、一実施例を示す図であり、第１図ａ
は斜視図、第１図ｂは断面図、第１図ｃは底面図
である。

ハイブリツドIC基板１は可とう性樹脂膜５で
覆われており、合成樹脂ケース４の弾性係止部４
ａ，４ｂで係止され、容易にハイブリツドIC基
板１からはずれない様にしている。弾性係止部４
ａ，４ｂは合成樹脂ケース４と一体に形成してお
り、ケース４の壁面の一部を切り欠いた２つの溝
の間に１つの弾性係止部を得る。そして、柔軟性
を得るため、弾性係止部４ａ，４ｂを形成する片
の中央部分に角穴を設けている。この弾性係止部
は第１図に示すように、ハイブリツドIC基板１
の外部リード端子を設けていない対向２辺に対応
する辺に設ける。また、弾性係止部４ａ，４ｂの
端部にはケース４の内部に向けて係止突起４１
ａ，４１ｂを設けている。また、合成樹脂ケース
４の突き当て部４ｃ，４ｄは合成樹脂ケース４に
ハイブリツドIC基板１を挿入したとき、ハイブ
リツドIC基板１に搭載された部品の突出部６と
合成樹脂ケース４の底面４ｅとの間に適当な空間
を保ち、且つ弾性係止部４ａ，４ｂとハイブリツ
ドIC基板１とのガタつきを調整する。

ハイブリツドIC基板１の辺部は合成樹脂ケー
ス４の弾性係止部４ａ，４ｂにより両方向（矢印
方向）から挾まれ固定される。弾性係止部４ａ，
４ｂの係止突起４１ａ，４１ｂは、ハイブリツド
IC基板１がはずれないように補助している。こ
のように、弾性係止部４ａ，４ｂがハイブリツド
IC基板１を固定しているため、合成樹脂ケース
４の固定壁４ｆ，４ｇから隔離されている。従つ
て、ハイブリツドIC基板１と合成樹脂ケース４
との熱膨張係数の差による寸法差が生じた場合で
も、弾性係止部４ａ，４ｂのばね変位により応力
を吸収できる。

なお、可とう性樹脂膜５は、実施例ではハイブ
リツドIC基板１の全面に覆つているが、部品が
搭載されない面を覆わない場合もある。

（考案の効果） この考案は、可とう性樹脂膜で覆われたハイブ
リツドIC基板に合成樹脂製ケースを係止装着し
ているため、ケースにハイブリツドIC基板を入
れ可とう性樹脂を注入した場合よりも重量及び放
熱性の点で有利である。

また、合成樹脂製ケースで外装保護を行つてい
るため、外部からの機械的作用により、可とう性
樹脂膜がはく離、欠損することがなく、ハイブリ
ツドIC基板とケースとの熱膨張係数の差による
寸法変化は合成樹脂製ケースに設けられた弾性係
止部により吸収することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂ，ｃはこの考案の一実施例を示す
図であり、同図ａは斜視図、同図ｂは断面図、同
図ｃは底面図である。第２図、第３図は従来の技
術を説明する斜視図である。 １……ハイブリツドIC基板、４……合成樹脂
製ケース、４ａ，４ｂ……弾性係止部、４ｃ，４
ｄ……突き当て部、４ｅ……底面、４ｆ，４ｇ…
…固定壁、４１ａ，４１ｂ……係止突起。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 DIP型の外部リード端子を有するハイブリツド
   ICにおいて、 部品搭載面を可とう性樹脂膜で覆つたハイブリ
   ツドIC基板と、 このハイブリツドIC基板に係止するための弾
   性係止部を有する合成樹脂製ケースとからなり、 前記弾性係止部は前記ハイブリツドIC基板の
   外部リード端子を設けていない対向２辺に対応す
   る辺に設けることを特徴とするハイブリツドIC
   の外装構造。