JPS6225891Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6225891Y2 JPS6225891Y2 JP1982036717U JP3671782U JPS6225891Y2 JP S6225891 Y2 JPS6225891 Y2 JP S6225891Y2 JP 1982036717 U JP1982036717 U JP 1982036717U JP 3671782 U JP3671782 U JP 3671782U JP S6225891 Y2 JPS6225891 Y2 JP S6225891Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid
- case
- resin
- board
- silicone resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
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Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はデユアルインラインパツケージ型(以
下DIP型という)IC等の大型部品が搭載された場
合でも部品あるいは基板に損傷を与えることのな
いハイブリツトICのケース封入構造に関するも
のである。
下DIP型という)IC等の大型部品が搭載された場
合でも部品あるいは基板に損傷を与えることのな
いハイブリツトICのケース封入構造に関するも
のである。
従来、ハイブリツトICの封入構造としては、
エポキシ粉体等による樹脂塗装と、金属あるいは
樹脂ケース内に樹脂を封入するものとがある。し
かるに、ハイブリツトICの搭載部品がDIP型ICあ
るいはコイル等の大型部品の場合には、エポキシ
粉体等の樹脂塗装法では樹脂で完全に大型部品を
覆うことは困難であり、また樹脂にクラツクが発
生し易い等、技術上の問題がある。従つて、この
ような場合には、粉体塗装よりも金属あるいは樹
脂ケース内に封入する方法が多く用いられてい
る。
エポキシ粉体等による樹脂塗装と、金属あるいは
樹脂ケース内に樹脂を封入するものとがある。し
かるに、ハイブリツトICの搭載部品がDIP型ICあ
るいはコイル等の大型部品の場合には、エポキシ
粉体等の樹脂塗装法では樹脂で完全に大型部品を
覆うことは困難であり、また樹脂にクラツクが発
生し易い等、技術上の問題がある。従つて、この
ような場合には、粉体塗装よりも金属あるいは樹
脂ケース内に封入する方法が多く用いられてい
る。
金属あるいは樹脂ケース内にハイブリツトIC
を封入する構造としては、第1図のように、ハイ
ブリツトIC基板1の端面2を支え、樹脂3を封
入接着し、ケース4内の空間を保つ構造がある
が、これはケース加工に時間を要し、高価とな
り、且つ空間の場合はハイブリツトIC全体が低
温にさらされた場合、ケース内部で結露を生じ、
回路上に悪影響を与える等の欠点がある。
を封入する構造としては、第1図のように、ハイ
ブリツトIC基板1の端面2を支え、樹脂3を封
入接着し、ケース4内の空間を保つ構造がある
が、これはケース加工に時間を要し、高価とな
り、且つ空間の場合はハイブリツトIC全体が低
温にさらされた場合、ケース内部で結露を生じ、
回路上に悪影響を与える等の欠点がある。
これに対処する方法として、第2図のようなケ
ース4内に接着性シリコン樹脂5をポツテイング
し、ケース4とシリコン樹脂5及びシリコン樹脂
5とハイブリツトIC基板1をそれぞれ接着、一
体とする方法がある。しかしながら、第2図のよ
うにハイブリツトIC基板1と部品間に空間を有
する、DIP型ICのような大型部品6が搭載された
場合には、空間に入り込んだ接着性シリコン樹脂
は低温になつた時に収縮の力が発生し、ハイブリ
ツトIC基板1と大型部品6を引き付ける方向に
力が加わり、ハイブリツトIC基板1または大型
部品6に亀裂等の損傷が生じることが多い。
ース4内に接着性シリコン樹脂5をポツテイング
し、ケース4とシリコン樹脂5及びシリコン樹脂
5とハイブリツトIC基板1をそれぞれ接着、一
体とする方法がある。しかしながら、第2図のよ
うにハイブリツトIC基板1と部品間に空間を有
する、DIP型ICのような大型部品6が搭載された
場合には、空間に入り込んだ接着性シリコン樹脂
は低温になつた時に収縮の力が発生し、ハイブリ
ツトIC基板1と大型部品6を引き付ける方向に
力が加わり、ハイブリツトIC基板1または大型
部品6に亀裂等の損傷が生じることが多い。
本考案は従来の上記諸欠点を除去する為になさ
れたものであり、従つて本考案の目的は、DIP型
IC等の大型部品が搭載された場合でも部品ある
いは基板に損傷を与えることのないハイブリツト
ICの新規なケース封入構造を提供することにあ
る。
れたものであり、従つて本考案の目的は、DIP型
IC等の大型部品が搭載された場合でも部品ある
いは基板に損傷を与えることのないハイブリツト
ICの新規なケース封入構造を提供することにあ
る。
本考案の上記目的は、金属製あるいは樹脂製ケ
ース内部に、プライマを塗布後、無接着性シリコ
ン樹脂によりポツテイングを行なうことを特徴と
するハイブリツトICのケース封入構造、によつ
て達成される。
ース内部に、プライマを塗布後、無接着性シリコ
ン樹脂によりポツテイングを行なうことを特徴と
するハイブリツトICのケース封入構造、によつ
て達成される。
以下、本考案をその良好な一実施例について図
面に従つて詳細に説明する。
面に従つて詳細に説明する。
第3図は本考案の一実施例を示す要部断面斜視
図である。図において、金属あるいは樹脂にて形
成されたケース4の内側に、無接着性シリコン樹
脂7との接着をもたせるためのプライマ8(例え
ば信越化学(株)製のプライマーA)を塗布し、DIP
型IC等の大型部品6が搭載されたハイブリツト
IC基板1を挿入し、無接着性シリコン樹脂7
(例えば信越化学(株)製のKE−1204)をポツテイン
グしたものである。無接着性シリコン樹脂7をポ
ツテイングした場合における本考案の一実施例の
断面図である第4図に示すごとく、大型部品6と
ハイブリツトIC基板1と間の空間9にも無接着
性シリコン樹脂が挿入されるが、高温でキユアリ
ングすることにより使用温度の低温にさらされ
て、空間9の無接着性シリコン樹脂7が収縮して
も、無接着性であるために、部品6及びハイブリ
ツトIC基板1に与える力はまつたく無く、従つ
て大型部品6及びハイブリツトIC基板1は損傷
を生じることはない。
図である。図において、金属あるいは樹脂にて形
成されたケース4の内側に、無接着性シリコン樹
脂7との接着をもたせるためのプライマ8(例え
ば信越化学(株)製のプライマーA)を塗布し、DIP
型IC等の大型部品6が搭載されたハイブリツト
IC基板1を挿入し、無接着性シリコン樹脂7
(例えば信越化学(株)製のKE−1204)をポツテイン
グしたものである。無接着性シリコン樹脂7をポ
ツテイングした場合における本考案の一実施例の
断面図である第4図に示すごとく、大型部品6と
ハイブリツトIC基板1と間の空間9にも無接着
性シリコン樹脂が挿入されるが、高温でキユアリ
ングすることにより使用温度の低温にさらされ
て、空間9の無接着性シリコン樹脂7が収縮して
も、無接着性であるために、部品6及びハイブリ
ツトIC基板1に与える力はまつたく無く、従つ
て大型部品6及びハイブリツトIC基板1は損傷
を生じることはない。
また、ケース4の内側にはプライマ8を塗布し
ているために、ケース4と無接着性シリコン樹脂
7とが遊離することもない。
ているために、ケース4と無接着性シリコン樹脂
7とが遊離することもない。
以上詳細に述べたごとく、本考案によれば、
DIP型IC等の大型部品が搭載された場合でも基板
あるいは部品に損傷を与えることのないハイブリ
ツトICのケース封入構造を得ることができる。
DIP型IC等の大型部品が搭載された場合でも基板
あるいは部品に損傷を与えることのないハイブリ
ツトICのケース封入構造を得ることができる。
第1図、第2図は従来におけるICの封入構造
の一例を示す一部断面斜視図、第3図は本考案に
よるハイブリツトICの封入構造の一実施例を示
す一部断面斜視図、第4図は本考案による一実施
例の断面図である。 1……ハイブリツトIC基板、2……基板端
部、3……ケース封入樹脂、4……ケース、5…
…接着性シリコン樹脂、6……大型部品、7……
無接着性シリコン樹脂、8……プライマ、9……
部品と基板間空間。
の一例を示す一部断面斜視図、第3図は本考案に
よるハイブリツトICの封入構造の一実施例を示
す一部断面斜視図、第4図は本考案による一実施
例の断面図である。 1……ハイブリツトIC基板、2……基板端
部、3……ケース封入樹脂、4……ケース、5…
…接着性シリコン樹脂、6……大型部品、7……
無接着性シリコン樹脂、8……プライマ、9……
部品と基板間空間。
Claims (1)
- 金属製あるいは樹脂製ケース内部に、プライマ
を塗布後、無接着性シリコン樹脂によりポツテイ
ングを行なうことを特徴とするハイブリツドIC
のケース封入構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3671782U JPS58140642U (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | ハイブリツドicのケ−ス封入構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3671782U JPS58140642U (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | ハイブリツドicのケ−ス封入構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58140642U JPS58140642U (ja) | 1983-09-21 |
JPS6225891Y2 true JPS6225891Y2 (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=30048137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3671782U Granted JPS58140642U (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | ハイブリツドicのケ−ス封入構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58140642U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6177346A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 多重伝送機器の端末器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5222051A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Autohesive silicone rubber composition |
JPS566456A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | Packaging method of semiconductor device |
JPS569183A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-30 | Seiko Instr & Electronics | Airtight chamber |
-
1982
- 1982-03-15 JP JP3671782U patent/JPS58140642U/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5222051A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Autohesive silicone rubber composition |
JPS566456A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | Packaging method of semiconductor device |
JPS569183A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-30 | Seiko Instr & Electronics | Airtight chamber |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58140642U (ja) | 1983-09-21 |
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