JPH0428598A - メモリカードの製造方法 - Google Patents
メモリカードの製造方法Info
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- JPH0428598A JPH0428598A JP2133854A JP13385490A JPH0428598A JP H0428598 A JPH0428598 A JP H0428598A JP 2133854 A JP2133854 A JP 2133854A JP 13385490 A JP13385490 A JP 13385490A JP H0428598 A JPH0428598 A JP H0428598A
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- memory card
- epoxy resin
- resin
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非接触型メモリカードの製造方法に関するも
のである。
のである。
従来カード内部に樹脂を充填する構造のメモリカードの
製造方法は、第３図に示すごとく、回路基板１に電子部
品２を実装した電子モジュール乙の外周にＡＢＳ樹脂を
成型された外装ケース４で覆い、該外装ケース４の側壁
に設けた小穴５よりエポキシ樹脂（図示せず）を充填す
る。
製造方法は、第３図に示すごとく、回路基板１に電子部
品２を実装した電子モジュール乙の外周にＡＢＳ樹脂を
成型された外装ケース４で覆い、該外装ケース４の側壁
に設けた小穴５よりエポキシ樹脂（図示せず）を充填す
る。
そして、外装ケース４内壁と電子モジュール３との空間
をエポキシ樹脂で満たした後、所定条件の温度によりエ
ポキシ樹脂を加熱し硬化させる製造方法が取られている
。
をエポキシ樹脂で満たした後、所定条件の温度によりエ
ポキシ樹脂を加熱し硬化させる製造方法が取られている
。
しかし、上記のごとき製造方法によるメモリカードは、
カード内部に充填したエポキシ樹脂を硬化させる際に硬
化収縮が発生し、また回路基板とエポキシ樹脂の線膨張
係数の違いなどからメモリカードに反り応力が発生する
。
カード内部に充填したエポキシ樹脂を硬化させる際に硬
化収縮が発生し、また回路基板とエポキシ樹脂の線膨張
係数の違いなどからメモリカードに反り応力が発生する
。
この反り応力がメモリカードの使用環境の急激な変化等
によって外装ケースに作用し、外装ケースにひび割れの
発生原因となり、耐環境、耐静電気、防滴等のカード信
頼性を著しく低下させる問題があった。
によって外装ケースに作用し、外装ケースにひび割れの
発生原因となり、耐環境、耐静電気、防滴等のカード信
頼性を著しく低下させる問題があった。
本発明の目的は、メモリカード内部に充填したエポキシ
樹脂を硬化させる際の硬化収縮と、また回路基板とエポ
キシ樹脂の線膨張係数の違い、などから発生するメモリ
カードの反り応力を緩和し、メモリカードの使用環境の
急激な変化等によっても外装ケースにひび割れが発生せ
ず、耐環境、耐静電気、防滴等のメモリカード信頼性を
損なわないメモリカードの製造方法を提供するものであ
る。
樹脂を硬化させる際の硬化収縮と、また回路基板とエポ
キシ樹脂の線膨張係数の違い、などから発生するメモリ
カードの反り応力を緩和し、メモリカードの使用環境の
急激な変化等によっても外装ケースにひび割れが発生せ
ず、耐環境、耐静電気、防滴等のメモリカード信頼性を
損なわないメモリカードの製造方法を提供するものであ
る。
上記目的を達成するため、メモリカードの反り応力を緩
和する製造方法として、メモリカードの電子モジュール
を構成する回路基板に任意間隔でスリットを設け、回路
基板とエポキシ樹脂の線膨張係数差を低減することによ
り、メモリカードの反り応力を緩和した事を特徴として
いる。
和する製造方法として、メモリカードの電子モジュール
を構成する回路基板に任意間隔でスリットを設け、回路
基板とエポキシ樹脂の線膨張係数差を低減することによ
り、メモリカードの反り応力を緩和した事を特徴として
いる。
また、メモリカード内部に充填したエポキシ樹脂を硬化
させる際に発生する硬化収縮量を低減する方法として、
外装ケース内部壁面に所定間隔で充填樹脂分割壁を設け
、樹脂の硬化収縮量を分散させメモリカードの反り応力
を緩和した事を特徴としている。
させる際に発生する硬化収縮量を低減する方法として、
外装ケース内部壁面に所定間隔で充填樹脂分割壁を設け
、樹脂の硬化収縮量を分散させメモリカードの反り応力
を緩和した事を特徴としている。
以下本発明の実施例を図面に基づき説明する。
第１図（ａ）は、本発明の実施例を示すメモリカードの
外観図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の構成部品であ
る電子モジュール乙の外観図である。第１図（ａ）に示
すごとくメモリカード１０は、電子モジュール６、カー
ド内空間を封止するエポキシ樹脂（図示せず）、小穴５
を有する外装ケース４から構成されている。
外観図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の構成部品であ
る電子モジュール乙の外観図である。第１図（ａ）に示
すごとくメモリカード１０は、電子モジュール６、カー
ド内空間を封止するエポキシ樹脂（図示せず）、小穴５
を有する外装ケース４から構成されている。
第１図（ｂ）に示すごとく電子モジュール３は電子部品
２、回路基板１かも構成され、また回路基板１には任意
間隔でスリット８が設けられている。
２、回路基板１かも構成され、また回路基板１には任意
間隔でスリット８が設けられている。
次にこのメモリカード１０の製造方法を説明する。
まず第１図（ａ）に示すごとく、任意間隔でスリット８
が設けられている回路基板１に電子部品２を実装した電
子モジー−ル乙の外周に、ＡＢＳ樹脂で成型された外装
ケース４で覆い、該外装ケース４の側壁に設けた小穴５
よりエポキシ樹脂を充填する。
が設けられている回路基板１に電子部品２を実装した電
子モジー−ル乙の外周に、ＡＢＳ樹脂で成型された外装
ケース４で覆い、該外装ケース４の側壁に設けた小穴５
よりエポキシ樹脂を充填する。
外装ケース４の内壁と電子モジュール６との空間をエポ
キシ樹脂で満たした後、所定条件の温度によりエポキシ
樹脂を加熱し硬化させる製造方法が取られる。
キシ樹脂で満たした後、所定条件の温度によりエポキシ
樹脂を加熱し硬化させる製造方法が取られる。
この加熱時に発生する回路基板１の熱膨張を回路基板１
に設けたスリッ）Ｋより緩和され、エポキシ樹脂と回路
基板の線膨張係数差から発生する反り応力の低減が図れ
るものである。
に設けたスリッ）Ｋより緩和され、エポキシ樹脂と回路
基板の線膨張係数差から発生する反り応力の低減が図れ
るものである。
第２図（ａｔは、本発明の他の実施例を示すメモリカー
ドの外観図、 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の構成部品である外装ケ
ース４内部の外観図である。
ドの外観図、 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の構成部品である外装ケ
ース４内部の外観図である。
第２図（ａ）に示すごとくメモリカード１０は、電子モ
ジュール３、カード内空間を封止するエポキシ樹脂（図
示せず）、外装ケース１１から構成されている。
ジュール３、カード内空間を封止するエポキシ樹脂（図
示せず）、外装ケース１１から構成されている。
第２図（ｂ）に示すごとく外装ケース１１内壁には分離
壁９が設けられている。
壁９が設けられている。
次にこのメモリカード１０の製造方法を説明する。第２
図（ａ）に示すごとく、回路基板１に電子部品２を実装
した電子モジュール乙の外周を、外装ケース内部壁面に
所定間隔で充填樹脂分割壁９を設けたＡＢＳ樹脂製の外
装ケース１１で覆い、該外装ケース１１の側壁に設けた
小穴５よりエポキシ樹脂（図示せず）を充填する。
図（ａ）に示すごとく、回路基板１に電子部品２を実装
した電子モジュール乙の外周を、外装ケース内部壁面に
所定間隔で充填樹脂分割壁９を設けたＡＢＳ樹脂製の外
装ケース１１で覆い、該外装ケース１１の側壁に設けた
小穴５よりエポキシ樹脂（図示せず）を充填する。
外装ケース内壁と電子モジュールとの空間をエポキシ樹
脂で満たした後、所定条件の温度によりエポキシ樹脂を
加熱し硬化させる製造方法が取られる。
脂で満たした後、所定条件の温度によりエポキシ樹脂を
加熱し硬化させる製造方法が取られる。
この加熱時に発生する充填樹脂の硬化収縮を外装ケース
内部壁面に設けた充填樹脂分割壁９により分割すること
により、メモリカードの反り応力の低減が図れるもので
ある。
内部壁面に設けた充填樹脂分割壁９により分割すること
により、メモリカードの反り応力の低減が図れるもので
ある。
前記のごとく本発明のメモリカード製造方法によれば、
メモリカードの使用環境の急激な変化等によっても外装
ケースにひび割れが発生せず、耐静電気、防滴等のメモ
リカード耐環境性を損なわない事により、作業環境の良
ぐない分野ｆもＦ、Ａ、ＯＡの導入を可能とし、その効
果は広範囲に渡るものである。
メモリカードの使用環境の急激な変化等によっても外装
ケースにひび割れが発生せず、耐静電気、防滴等のメモ
リカード耐環境性を損なわない事により、作業環境の良
ぐない分野ｆもＦ、Ａ、ＯＡの導入を可能とし、その効
果は広範囲に渡るものである。
第１図（ａ）、（ｂ）は、電子モジュールを構成する回
路基板にスリットを設けた構造のメモリカード外観図、
第２図（ａ）、（ｂｌは外装ケース内壁に分割壁を設け
た構造のメモリカード外観図、第３図（ａ）、（ｂｌは
従来の製造方法によるメモリカードの外観図を示す。 １・・・・・・回路基板、 ２・・・・・・電子部品、 ６・・・・・・電子モジュール、 ４．１１・・・・・・外装ケース、 ５・・・・・・小穴、 ６・・・・・・エポキシ樹脂、 ８・・・・・・スリット、 ９・・・・・・充填樹脂分割壁、 １０・・・・・・メモリカード。 第 図 宅さ部品 ８３色基校 又υント 第 図 （ｂ） 外弦ケー人 法会 第 図 手続補正書 （方式） １、事件の表示 平成２年 特 許 願 第 号 ２、発明の名称 メモリカードの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係
路基板にスリットを設けた構造のメモリカード外観図、
第２図（ａ）、（ｂｌは外装ケース内壁に分割壁を設け
た構造のメモリカード外観図、第３図（ａ）、（ｂｌは
従来の製造方法によるメモリカードの外観図を示す。 １・・・・・・回路基板、 ２・・・・・・電子部品、 ６・・・・・・電子モジュール、 ４．１１・・・・・・外装ケース、 ５・・・・・・小穴、 ６・・・・・・エポキシ樹脂、 ８・・・・・・スリット、 ９・・・・・・充填樹脂分割壁、 １０・・・・・・メモリカード。 第 図 宅さ部品 ８３色基校 又υント 第 図 （ｂ） 外弦ケー人 法会 第 図 手続補正書 （方式） １、事件の表示 平成２年 特 許 願 第 号 ２、発明の名称 メモリカードの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係
Claims (2)
- （１）回路基板上に電子部品を実装し電子モジュールを
構成後、該電子モジュールを外装ケース内へ装填し、そ
の後外装ケース内部に樹脂を充填する構造のメモリカー
ドに於いて、前記回路基板にスリットを設けた事を特徴
とするメモリカード。 - （２）回路基板上に電子部品を実装し電子モジュールを
構成後、該電子モジュールを外装ケース内へ装填し、そ
の後外装ケース内部に樹脂を充填する構造のメモリカー
ドに於いて、前記外装ケーケ内部に充填樹脂分割壁を設
けたことを特徴とするメモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133854A JPH0428598A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | メモリカードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133854A JPH0428598A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | メモリカードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428598A true JPH0428598A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15114590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133854A Pending JPH0428598A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | メモリカードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0428598A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007123143A1 (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Panasonic Corporation | メモリカード |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP2133854A patent/JPH0428598A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007123143A1 (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Panasonic Corporation | メモリカード |
| JP4867990B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2012-02-01 | パナソニック株式会社 | メモリカード |
| US8599571B2 (en) | 2006-04-21 | 2013-12-03 | Panasonic Corporation | Memory card |
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