JPS59193033A - 半導体素子の封止方法 - Google Patents
半導体素子の封止方法Info
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- JPS59193033A JPS59193033A JP6734883A JP6734883A JPS59193033A JP S59193033 A JPS59193033 A JP S59193033A JP 6734883 A JP6734883 A JP 6734883A JP 6734883 A JP6734883 A JP 6734883A JP S59193033 A JPS59193033 A JP S59193033A
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Classifications
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子を使用する電子回路全般に用いるこ
とができる半導体素子の封止方法に関するものである。
とができる半導体素子の封止方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年電子機器の小型化が進み、半導体素子の高密度実装
か計られており、その半導体素子封止のためにしばしば
ペレットが用いられている。
か計られており、その半導体素子封止のためにしばしば
ペレットが用いられている。
以下、図面を参照しながら従来の半導体素子の封止方法
について説明する。第１図は従来のペレットを用いた半
導体素子の封止方法を示すものである。第１図において
、１は配線基板、２は半導体素子、３は流れ止め枠、４
は接着剤、５はペレットである。あらかじめ流れ止め枠
３を配線基板１上に接着剤４で固定し、ペレット５を半
４体素子２の上へ塔載する。これを加熱し、半導体素子
２を封止する。第２図は半導体素子２を封止した状態を
示すものである。
について説明する。第１図は従来のペレットを用いた半
導体素子の封止方法を示すものである。第１図において
、１は配線基板、２は半導体素子、３は流れ止め枠、４
は接着剤、５はペレットである。あらかじめ流れ止め枠
３を配線基板１上に接着剤４で固定し、ペレット５を半
４体素子２の上へ塔載する。これを加熱し、半導体素子
２を封止する。第２図は半導体素子２を封止した状態を
示すものである。
しかしながら、このような構造ではペレットヲ半導体素
子上に塔載する際、位置ずれが生し／こり、ペレット５
を構成する樹脂組成物が均一に流れなかったりする／と
めに、配線基板１上にあらがしめ流れ止め枠３を設置し
ておかなければならない。
子上に塔載する際、位置ずれが生し／こり、ペレット５
を構成する樹脂組成物が均一に流れなかったりする／と
めに、配線基板１上にあらがしめ流れ止め枠３を設置し
ておかなければならない。
そのため、半導体素子２を封止するのに工数かがかる。
−まだ、配線基板１との界面から水分か侵入しやすく、
半導体素子２の信頼性が悪くなるという欠点を有してい
た。
半導体素子２の信頼性が悪くなるという欠点を有してい
た。
発明の目的
本発明はこのような従来の欠点をことことく除去するも
のであり、より正確で容易に半導体装置を封止すること
ができ、かつ信頼性の高い半導体素子の封止方法を提供
するものである。
のであり、より正確で容易に半導体装置を封止すること
ができ、かつ信頼性の高い半導体素子の封止方法を提供
するものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の半導体素子の封１１
一方法は、四部を有する配線基板の前記凹部に、流れ止
め枠と加熱溶融する樹脂組成物を一体化した半導体素子
封止用ベレットの前記流れ止め枠部を挿入し、この状態
で加熱することにより前記樹脂組成物を溶融させて硬化
するものである。
一方法は、四部を有する配線基板の前記凹部に、流れ止
め枠と加熱溶融する樹脂組成物を一体化した半導体素子
封止用ベレットの前記流れ止め枠部を挿入し、この状態
で加熱することにより前記樹脂組成物を溶融させて硬化
するものである。
この構成によって、前記半導体素子封止用ペレットヲ容
易に半導体素子上に塔載することができ加熱するだけで
半導体素子を封止するととができる。
易に半導体素子上に塔載することができ加熱するだけで
半導体素子を封止するととができる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第３図は本発明に用いる配線基板を示すものである。第
３図において、６は凹部６ａを有するセラミック基板で
ある。
３図において、６は凹部６ａを有するセラミック基板で
ある。
第４図は前記四部６ａを有するセラミック基板６の前記
凹部６ａに本発明の流れ止め枠と加熱溶融する樹脂組成
物を一体化した半導体素子封止用ペレットの前記流れ止
め枠部を挿入した状態を示すものである。第４図におい
て、７は流れ１トめ枠、８は加熱溶融する樹脂組成物で
ある。流れ止め枠７としては、たとえばポリエチレンテ
レフタレート樹脂などがあげられる。加熱溶融する樹脂
組成物８としては、たとえばエポキシ樹脂などがあげら
れる。第５図はこれを加熱し、半導体素子２を封止し、
た状態を示すものである。
凹部６ａに本発明の流れ止め枠と加熱溶融する樹脂組成
物を一体化した半導体素子封止用ペレットの前記流れ止
め枠部を挿入した状態を示すものである。第４図におい
て、７は流れ１トめ枠、８は加熱溶融する樹脂組成物で
ある。流れ止め枠７としては、たとえばポリエチレンテ
レフタレート樹脂などがあげられる。加熱溶融する樹脂
組成物８としては、たとえばエポキシ樹脂などがあげら
れる。第５図はこれを加熱し、半導体素子２を封止し、
た状態を示すものである。
次に、本発明の半導体素子の封止方法によって半導体素
子を封止したものを実施例１とし、セラミック基板上に
ポリエチレンテレフタレート樹脂からなる流れ止め枠を
エポキシ樹脂からなる接着剤で固定し、従来のペレット
を用いて半導体素子を封止したものを比較例とし、両者
の信頼性評価を行なった。信頼性評価項目としては、（
１）プレッシャークツカー試験、（２）高温高湿バイア
ス試験、（曇温度ザイクル試験について行なった。その
結果を表１に示した。なお、半導体素子としては、３咽
角２２ピンのＣＭＯ３のＬＳＴ チップを用いた。
子を封止したものを実施例１とし、セラミック基板上に
ポリエチレンテレフタレート樹脂からなる流れ止め枠を
エポキシ樹脂からなる接着剤で固定し、従来のペレット
を用いて半導体素子を封止したものを比較例とし、両者
の信頼性評価を行なった。信頼性評価項目としては、（
１）プレッシャークツカー試験、（２）高温高湿バイア
ス試験、（曇温度ザイクル試験について行なった。その
結果を表１に示した。なお、半導体素子としては、３咽
角２２ピンのＣＭＯ３のＬＳＴ チップを用いた。
なお、本実施例では凹部６ａを有する配線基板をセラミ
ック基板６としたか、ガラスエポキシ基板など有機基板
であってもか１わない。
ック基板６としたか、ガラスエポキシ基板など有機基板
であってもか１わない。
（以下余白）
発明の効果
以上のよう（て本発明の半導体素子の封止方法によれは
、配線基板の凹部に、流れ止め枠と加熱溶融する樹脂組
成物とを一体化した半導体素子封止用ペレットの前記流
れ止め枠部を挿入するため、前記ペレットの塔載が非常
に容易で、加熱するだけで半導体素子を封止することが
でき、封止に要する工数が減少する。
、配線基板の凹部に、流れ止め枠と加熱溶融する樹脂組
成物とを一体化した半導体素子封止用ペレットの前記流
れ止め枠部を挿入するため、前記ペレットの塔載が非常
に容易で、加熱するだけで半導体素子を封止することが
でき、封止に要する工数が減少する。
また、実施例から明らかなように、半導体素子の信頼性
が高くなる。これは、封止樹脂と配線基板の界面が長く
なり、水分が侵入しにくくなるためである。
が高くなる。これは、封止樹脂と配線基板の界面が長く
なり、水分が侵入しにくくなるためである。
一！た、前記加熱溶融する樹脂組成物中のアルカリイオ
ンやハロゲンイオンなどの不純物イオンを少なくしたり
、シランカップリング剤を添加するなどで配線基板など
への密着性を高めることによって、半導体素子の信頼性
を向上することができ、今後益々発展する半導体素子を
使用する電子回路分野において企業的価値の犬なるもの
である。
ンやハロゲンイオンなどの不純物イオンを少なくしたり
、シランカップリング剤を添加するなどで配線基板など
への密着性を高めることによって、半導体素子の信頼性
を向上することができ、今後益々発展する半導体素子を
使用する電子回路分野において企業的価値の犬なるもの
である。
第１図は従来のペレノトヲ用いた半導体素子の封止方法
を示す断面図、第２図は従来のペレ７）を用いて半導体
素子を封止した状態を示す断面図、第３図は本発明の封
止方法に用いる配線基板の一例を示す断面図、第４図は
その配線基板に流れ止め枠と加熱溶融する樹脂組成物と
を一体化した半導体封止用ペレットヲ塔載した状態を示
す断面図、第５図は本発明の半導体素子の封止方法によ
って半導体素子を封止した状態を示す断面図である。 ２・・・・・・半導体素子、６・・−・・セラミック基
板、６ａ・・・・凹部、了・・・・・流れ止め枠、８
・・・樹脂組成物、。
を示す断面図、第２図は従来のペレ７）を用いて半導体
素子を封止した状態を示す断面図、第３図は本発明の封
止方法に用いる配線基板の一例を示す断面図、第４図は
その配線基板に流れ止め枠と加熱溶融する樹脂組成物と
を一体化した半導体封止用ペレットヲ塔載した状態を示
す断面図、第５図は本発明の半導体素子の封止方法によ
って半導体素子を封止した状態を示す断面図である。 ２・・・・・・半導体素子、６・・−・・セラミック基
板、６ａ・・・・凹部、了・・・・・流れ止め枠、８
・・・樹脂組成物、。
Claims (1)
- 凹部を有する配線基板の前記凹部に、流れ止め枠と加熱
溶融する樹脂組成物を一体化した半導体素子封止用ベレ
ットの前記流れ止め枠部を挿入し、この状態で加熱する
ことにより前記樹脂組成物を溶融させて硬化する半導体
素子の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6734883A JPS59193033A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体素子の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6734883A JPS59193033A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体素子の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193033A true JPS59193033A (ja) | 1984-11-01 |
Family
ID=13342420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6734883A Pending JPS59193033A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体素子の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193033A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120360A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JPH07169785A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Nec Corp | 実装基板の製造方法 |
| EP0771029A3 (en) * | 1995-10-24 | 1997-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device with improved structure to avoid cracks and manufacturing process |
| DE102011088442B4 (de) | 2011-01-17 | 2022-06-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP6734883A patent/JPS59193033A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120360A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JPH07169785A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Nec Corp | 実装基板の製造方法 |
| EP0771029A3 (en) * | 1995-10-24 | 1997-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device with improved structure to avoid cracks and manufacturing process |
| US5864174A (en) * | 1995-10-24 | 1999-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin |
| EP1039540A1 (en) * | 1995-10-24 | 2000-09-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same |
| US6177725B1 (en) | 1995-10-24 | 2001-01-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same |
| US6459145B1 (en) | 1995-10-24 | 2002-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and improved small-sized semiconductor |
| US6569755B2 (en) | 1995-10-24 | 2003-05-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small sized semiconductor and method of manufacturing the same |
| DE102011088442B4 (de) | 2011-01-17 | 2022-06-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
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