JPS6027438U - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPS6027438U
JPS6027438U JP12002983U JP12002983U JPS6027438U JP S6027438 U JPS6027438 U JP S6027438U JP 12002983 U JP12002983 U JP 12002983U JP 12002983 U JP12002983 U JP 12002983U JP S6027438 U JPS6027438 U JP S6027438U
Authority
JP
Japan
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integrated circuit
hybrid integrated
circuit device
coated
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP12002983U
Other languages
English (en)
Inventor
牛込　雅夫
佐藤　晃郎
優治 後藤
重徳 山岡
後藤　建夫
Original Assignee
日本電気株式会社
住友ベークライト株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP12002983U priority Critical patent/JPS6027438U/ja
Publication of JPS6027438U publication Critical patent/JPS6027438U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来構造のＳＩＰ型混成集積回路の断面図、第
２図は本考案のＳＩＰ型混成集積回路の断面図、第３図
は本考案のＤＩＰ型混成集積回路の断面図、である。 なお図において、１・・・・・・基板、２・・・・・・
半導体チップ、３・・・・・・他の搭載部品（コンデン
サー）、４・・・・・・外部端子、５・・・・・・半導
体チップコートのシリコン樹脂、６・・・・・・基板コ
ートあシリコン樹脂、７・・・・・・外装エポキシ樹脂
、８・・・・・・半導体チップコートノフェノール樹脂
、９・・・・・・外装フェノール樹脂、である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に搭載された１個以上の半導体チップめ電極
    と基板側電極が電気的に接続された混成集積回路に於い
    て、少なくとも前記半導体チップを予めフェノール樹脂
    で被覆し、しかる後基板全体をフェノール樹脂で被覆し
    たことを特徴とする混成集積回路装置。
JP12002983U 1983-08-01 1983-08-01 混成集積回路装置 Pending JPS6027438U (ja)

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JP12002983U JPS6027438U (ja) 1983-08-01 1983-08-01 混成集積回路装置

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JPS6027438U true JPS6027438U (ja) 1985-02-25

Family

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014116409A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Denso Corp 電子装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5280780A (en) * 1975-12-27 1977-07-06 Fujitsu Ltd Semiconductor device

Patent Citations (1)

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JPS5280780A (en) * 1975-12-27 1977-07-06 Fujitsu Ltd Semiconductor device

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