JPS61193471A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61193471A
JPS61193471A JP3270285A JP3270285A JPS61193471A JP S61193471 A JPS61193471 A JP S61193471A JP 3270285 A JP3270285 A JP 3270285A JP 3270285 A JP3270285 A JP 3270285A JP S61193471 A JPS61193471 A JP S61193471A
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resin
heat sink
case
hollow partitions
semiconductor device
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JP3270285A
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原田　英次
Ryuichiro Sakai
酒井　隆一郎
Hitoshi Matsuzaki
均 松崎
Kenji Hozuki
保月　健司
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体装置に係り、特に充填樹脂の熱収縮に伴
う半導体装置の変形防止構造に関する。
〔発明の背景〕
第２図に示す従来の半導体装置（特開昭５９−８４４５
８号公報参照）はヒートシンク１上に絶縁板２を介して
半導体素子３を搭載しケース４をかぶせ半導体素子３周
辺に弾性率の小さいレジン５を充填しさらに封止用とし
てエポキシ等の強固なレジン６ｆｆ：充填硬化させた構
成となっている。７ぼケース４の蓋であり、半導体素子
３のリードの位置決め用孔７ａｖジン５．６の注入ロア
ｂを有している。尚、９はヒートシンク１とケース４の
接合部から水分が浸入することを防ぐために絶縁板２周
辺に充填硬化された強固なレジンである。
レジン硬化後冷却すると強固なレジン６の熱収縮力がケ
ース４、リード８を介してヒートシンク１に伝わり、ヒ
ートシンク１が変形し、実用に供することができないと
いう欠点があった。これにヒートシンク１より強固なレ
ジン６の熱膨張係数が一般にに金属性ヒートシンク１の
２二５倍と大きａために発生するものである。
〔発明の目的〕
本発明の目的ぽ、前記しｆ（レジン６の熱収縮力により
ヒートシンク１が変形するという問題を除去した半導体
装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成する本発明の特徴とするところは、封Ｉ
Ｆ用の強固なレジン中にレジンを分断し、該レジンの熱
膨張を吸収する中空仕切壁を設けたことにある。
〔発明の実施例〕
第１図に示した一実施例に基いて、本発明を説明する。
鋼材から成るヒートシンク１上にセラミック絶縁板２を
介して半導体素子３を搭載し、第３図に示すごとく、２
ケ所にＵ字形の中空仕切壁１０を一体成形で設けたレジ
ンケース４をヒートシンク１上に配置し、ケース蓋７を
孔７ａにり一ド８を通しながらかぶせ各々接着剤で接着
し、強固なレジン９を絶縁板２の周囲に充填し硬化させ
てから、弾性率の小さいシリコンレジン５を中空仕切壁
１０に十分達するまで注入し硬化させ、その後エポキシ
レジン６を別々に設けた注入孔７ｂから注入し硬化させ
た。本半導体装置は冷却後も全くヒートシンク１、ケー
ス４の変形は認められなかった。
その理由は、中空仕切壁１０を設けたため、レジン６が
３分割され、かつ、熱収縮力が中空仕切壁１０の弾力性
で吸収されるためである。
レジン６と蓋７の界面に水分が浸入しても、中空仕切壁
１０の中空部ｔＯａに水分がためられ、半導体素子３に
至らない確率が高く、このため、本装置の耐湿性に高い
。
第１図、第３図に示した実施例に、ケース４０幅方向に
２個の中空仕切壁を設けているが、個数ば、レジン６の
熱収縮量によって決まるものであり、２個に制限される
もので汀ない。また、ケース４の技手方向に沿った中空
仕切壁を設けても良い。中空仕切壁全溝酸する材料げ注
入硬化されるレジン６とよく接着するものが良い。中空
仕切壁の形状ＨＵ字状に限定されるものではなく、コ字
状、７字状でも何でもよい。
実施例でにケース４に蓋７を設けているが、これに省略
しても良い。その場合、中空仕切壁１０内にレジン６が
注入硬化されていなければ良い。
半導体素子３は絶縁板２を介さず、ヒートシンク１に直
接あるいに、電極板を介して搭載されていてもよいし、
半導体素子以外の回路素子が固定されて、所定の回路が
絶縁板上に形成されていてもよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ヒートシンクの変形等不具合を除去し
た半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
ｖＪ１図に本発明の一実施例を示す半導体装置の縦断面
図、第２図は従来の半導体装置の縦断面図、第３図ぼ第
１図に示した半導体装置に用いられるケースの斜視図で
ある。 １・・・ヒートシンク、２・・・絶縁板、３・・・半導
体素子、４・・・ケース、５，６．９・・・レジン、７
・・・蓋、８・・・リード、１０・・・中空仕切壁。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ヒートシンク５上のケース内に搭載された半導体素
    子、これを覆うように注入硬化された低弾性率のレジン
    、その上部を訂正するため注入硬化された強固なレジン
    を有する半導体装置において、強固なレジン内に該レジ
    ンを分断し、かつ、その硬化時熱収縮を吸収する中空仕
    切壁が設けられていることを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、中空仕切壁はケー
    スと一体化していることを特徴とする半導体装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、中空仕切壁はＵ字
    状であり、低弾性率のレジンに接していることを特徴と
    する半導体装置。
JP3270285A 1985-02-22 1985-02-22 半導体装置 Granted JPS61193471A (ja)

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JP3270285A JPS61193471A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 半導体装置

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JP3270285A JPS61193471A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS61193471A true JPS61193471A (ja) 1986-08-27
JPH0351299B2 JPH0351299B2 (ja) 1991-08-06

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ID=12366179

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JP3270285A Granted JPS61193471A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0718886A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-26 IXYS Semiconductor GmbH Leistungshalbleitermodul
DE10340328A1 (de) * 2003-08-29 2005-03-24 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Vergußschale

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59136953A (ja) * 1983-01-25 1984-08-06 Fuji Electric Co Ltd 複合素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59136953A (ja) * 1983-01-25 1984-08-06 Fuji Electric Co Ltd 複合素子

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0718886A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-26 IXYS Semiconductor GmbH Leistungshalbleitermodul
DE10340328A1 (de) * 2003-08-29 2005-03-24 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Vergußschale
US7566836B2 (en) 2003-08-29 2009-07-28 Endress + Hauser Gmbh +Co. Kg Potting shell

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JPH0351299B2 (ja) 1991-08-06

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