JPH0870057A - ハイブリッドｉｃ - Google Patents
ハイブリッドｉｃInfo
- Publication number
- JPH0870057A JPH0870057A JP20626994A JP20626994A JPH0870057A JP H0870057 A JPH0870057 A JP H0870057A JP 20626994 A JP20626994 A JP 20626994A JP 20626994 A JP20626994 A JP 20626994A JP H0870057 A JPH0870057 A JP H0870057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid
- protective sheet
- silicone resin
- substrate
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上のチップやＡｌ導線を被覆する軟らかい
シリコーン樹脂を、硬質樹脂あるいは容器蓋を用いない
で保護する。 【構成】ポリイミドあるいはＰＥＴよりなる保護シート
をシリコーン樹脂上面上全面に敷いて保護する。
シリコーン樹脂を、硬質樹脂あるいは容器蓋を用いない
で保護する。 【構成】ポリイミドあるいはＰＥＴよりなる保護シート
をシリコーン樹脂上面上全面に敷いて保護する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に実装された半
導体素体などの電子部品を保護材で被覆したハイブリッ
ドＩＣに関する。
導体素体などの電子部品を保護材で被覆したハイブリッ
ドＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に実装された半導体素体などの電
子部品を基板上の配線あるいはＡｌ導線などを用いて接
続して電子回路を構成するハイブリッドＩＣにおいて
は、基板上の半導体素体あるいは接続のためのＡｌ導線
を水分の侵入あるいは外力による劣化、断線から保護す
る必要がある。このような保護をするために基板上をパ
ッシベーション作用と応力吸収作用を行うシリコーン樹
脂によって被覆する。図３、図４は従来のハイブリッド
ＩＣの二つの例を示し、図３では、銅材で作られた容器
１に収容したセラミック基板２上に半導体チップなどの
電子部品３１、３２、３３を固定し、上部の電極間をＡ
ｌ導線４によって接続している。これらの電子部品３
１、３２、３３、Ａｌ導線４を覆うようにシリコーン樹
脂５を注入し、さらにエポキシ樹脂のような硬質樹脂６
を注入して封止している。図４では、上部の保護に硬質
樹脂６を用いないで、樹脂成型品の蓋７を容器１の上縁
に接着剤８で接着している。
子部品を基板上の配線あるいはＡｌ導線などを用いて接
続して電子回路を構成するハイブリッドＩＣにおいて
は、基板上の半導体素体あるいは接続のためのＡｌ導線
を水分の侵入あるいは外力による劣化、断線から保護す
る必要がある。このような保護をするために基板上をパ
ッシベーション作用と応力吸収作用を行うシリコーン樹
脂によって被覆する。図３、図４は従来のハイブリッド
ＩＣの二つの例を示し、図３では、銅材で作られた容器
１に収容したセラミック基板２上に半導体チップなどの
電子部品３１、３２、３３を固定し、上部の電極間をＡ
ｌ導線４によって接続している。これらの電子部品３
１、３２、３３、Ａｌ導線４を覆うようにシリコーン樹
脂５を注入し、さらにエポキシ樹脂のような硬質樹脂６
を注入して封止している。図４では、上部の保護に硬質
樹脂６を用いないで、樹脂成型品の蓋７を容器１の上縁
に接着剤８で接着している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図３に示したようにエ
ポキシ樹脂等の硬質樹脂６で封止されたハイブリッドＩ
Ｃでは、硬質樹脂６が下部シリコーン樹脂５より熱膨脹
係数が小さいため、温度変化による熱応力がシリコーン
樹脂５との界面にかかり剥離を引き起こす。また、図４
に示したように蓋７を使用する場合には、容器１の上縁
に接着剤８を塗布し、蓋７を容器１の上縁に嵌合させて
接着剤８に圧力を加え、１５０℃程度の高温での接着剤
硬化を行う必要があり、作業工程が長く自動化しにくい
構造である。
ポキシ樹脂等の硬質樹脂６で封止されたハイブリッドＩ
Ｃでは、硬質樹脂６が下部シリコーン樹脂５より熱膨脹
係数が小さいため、温度変化による熱応力がシリコーン
樹脂５との界面にかかり剥離を引き起こす。また、図４
に示したように蓋７を使用する場合には、容器１の上縁
に接着剤８を塗布し、蓋７を容器１の上縁に嵌合させて
接着剤８に圧力を加え、１５０℃程度の高温での接着剤
硬化を行う必要があり、作業工程が長く自動化しにくい
構造である。
【０００４】本発明の目的は、上述の従来の封止構造の
欠点を除去し、温度変化により欠陥が生ぜず、また簡単
に製造できる封止構造をもつハイブリッドＩＣを提供す
ることにある。
欠点を除去し、温度変化により欠陥が生ぜず、また簡単
に製造できる封止構造をもつハイブリッドＩＣを提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上に支持された電子部品およびそ
の電子部品相互の接続のための導線がシリコーン樹脂に
覆われるハイブリッドＩＣにおいて、シリコーン樹脂の
上面全面に近接して保護シートを備えたものとする。保
護シートの外縁が底面上に基板を収容する容器の側壁内
面に接すること、あるいは底面上に基板を収容する容器
の側壁の上縁上に接することが有効である。保護シート
はポリイミドよりなってもポリエチレンテレフタレート
(ＰＥＴ) よりなっても良い。
めに、本発明は、基板上に支持された電子部品およびそ
の電子部品相互の接続のための導線がシリコーン樹脂に
覆われるハイブリッドＩＣにおいて、シリコーン樹脂の
上面全面に近接して保護シートを備えたものとする。保
護シートの外縁が底面上に基板を収容する容器の側壁内
面に接すること、あるいは底面上に基板を収容する容器
の側壁の上縁上に接することが有効である。保護シート
はポリイミドよりなってもポリエチレンテレフタレート
(ＰＥＴ) よりなっても良い。
【０００６】
【作用】シリコーン樹脂の上面に保護シートを近接させ
れば、硬質樹脂あるいは蓋を用いなくても軟質のシリコ
ーン樹脂が外気あるいは外力から保護される。
れば、硬質樹脂あるいは蓋を用いなくても軟質のシリコ
ーン樹脂が外気あるいは外力から保護される。
【０００７】
【実施例】以下、図３、図４と共通の部分に同一の符号
を付した図を引用して本発明の実施例について説明す
る。図１に示す本発明の一実施例のハイブリッドＩＣで
は、金属容器１の底面上に固定されたセラミック基板２
の上に実装された電子部品３１、３２、３３およびそれ
らの上部電極にボンディングされたＡｌ導線４を覆うよ
うにシリコーン樹脂５を注入したことは従来と同様であ
る。シリコーン樹脂５の上面に近接して0.０５〜0.１ｍ
ｍの厚さの保護シート９が押しつけられている。保護シ
ート９はポリイミドあるいはＰＥＴで作られたもので、
周縁は容器１の側壁の内面に接している。
を付した図を引用して本発明の実施例について説明す
る。図１に示す本発明の一実施例のハイブリッドＩＣで
は、金属容器１の底面上に固定されたセラミック基板２
の上に実装された電子部品３１、３２、３３およびそれ
らの上部電極にボンディングされたＡｌ導線４を覆うよ
うにシリコーン樹脂５を注入したことは従来と同様であ
る。シリコーン樹脂５の上面に近接して0.０５〜0.１ｍ
ｍの厚さの保護シート９が押しつけられている。保護シ
ート９はポリイミドあるいはＰＥＴで作られたもので、
周縁は容器１の側壁の内面に接している。
【０００８】図２に示す本発明の別の実施例のハイブリ
ッドＩＣでは、保護シート９の周縁部が折り曲げられて
容器１の側壁の上縁にかぶせられている。その他の点は
図１に示す実施例と同様である。
ッドＩＣでは、保護シート９の周縁部が折り曲げられて
容器１の側壁の上縁にかぶせられている。その他の点は
図１に示す実施例と同様である。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に実装された電
子部品に対するパッシベーション作用および外力緩和作
用をするシリコーン樹脂の保護を、その上面上に敷く保
護シートで行うことにより、硬質樹脂で保護する必要が
なくなり、剥離の問題が除かれた。また、保護のための
工程が簡単で、接着剤を使用しないため、大幅な工数短
縮ができ、自動化への対応も可能になる。これによっ
て、品質が向上し、低コストのハイブリッドＩＣを得る
ことができた。
子部品に対するパッシベーション作用および外力緩和作
用をするシリコーン樹脂の保護を、その上面上に敷く保
護シートで行うことにより、硬質樹脂で保護する必要が
なくなり、剥離の問題が除かれた。また、保護のための
工程が簡単で、接着剤を使用しないため、大幅な工数短
縮ができ、自動化への対応も可能になる。これによっ
て、品質が向上し、低コストのハイブリッドＩＣを得る
ことができた。
【図１】本発明の一実施例のハイブリッドＩＣの断面図
【図２】本発明の別の実施例のハイブリッドＩＣの断面
図
図
【図３】従来のハイブリッドＩＣの断面図
【図４】他の従来のハイブリッドＩＣの断面図
１ 金属容器 ２ セラミック基板 ３１、３２、３３ 電子部品 ４ Ａｌ導線 ５ シリコーン樹脂 ９ 保護シート
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に支持された電子部品およびその電
子部品相互の接続のための導線がシリコーン樹脂に覆わ
れるものにおいて、シリコーン樹脂上面全面に近接して
保護シートを備えたことを特徴とするハイブリッドＩ
Ｃ。 - 【請求項２】保護シートの外縁が底面上に基板を収容す
る容器の側壁内面に近接する請求項１記載のハイブリッ
ドＩＣ。 - 【請求項３】保護シートの外縁が底面上に基板を収容す
る容器の側壁の上縁上に接する請求項１記載のハイブリ
ッドＩＣ。 - 【請求項４】保護シートがポリイミドよりなる請求項１
ないし３のいずれかに記載のハイブリッドＩＣ。 - 【請求項５】保護シートがポリエチレンテレフタレート
よりなる請求項１ないし３のいずれかに記載のハイブリ
ッドＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20626994A JPH0870057A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | ハイブリッドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20626994A JPH0870057A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | ハイブリッドｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870057A true JPH0870057A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16520538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20626994A Pending JPH0870057A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | ハイブリッドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0870057A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014041737A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | コネクタユニットおよびその製造方法 |
| JP2014150204A (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP20626994A patent/JPH0870057A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014041737A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | コネクタユニットおよびその製造方法 |
| JP2014150204A (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5355016A (en) | Shielded EPROM package | |
| US5578874A (en) | Hermetically self-sealing flip chip | |
| US5600181A (en) | Hermetically sealed high density multi-chip package | |
| EP0594395B1 (en) | Semiconductor power module | |
| JPH06209054A (ja) | 半導体装置 | |
| KR960012647B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| US5814882A (en) | Seal structure for tape carrier package | |
| US5951813A (en) | Top of die chip-on-board encapsulation | |
| US5349233A (en) | Lead frame and semiconductor module using the same having first and second islands and three distinct pluralities of leads and semiconductor module using the lead frame | |
| JPS60241237A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| US5093713A (en) | Semiconductor device package | |
| JPH08125071A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0870057A (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| EP0260360B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JP2001196505A (ja) | 半導体チップ表面露出型の樹脂封止半導体パッケージ | |
| JPS6239036A (ja) | ハイブリツドｉｃ | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0778921A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0536861A (ja) | 半導体デバイス | |
| JPH0745751A (ja) | 回路素子の封止構造 | |
| KR100306230B1 (ko) | 반도체 패키지 구조 | |
| KR100198312B1 (ko) | 리드프레임의 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
| JPS617638A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0236280Y2 (ja) | ||
| JPH10209344A (ja) | 樹脂封止型回路装置 |