JPH0536861A - 半導体デバイス - Google Patents
半導体デバイスInfo
- Publication number
- JPH0536861A JPH0536861A JP21266391A JP21266391A JPH0536861A JP H0536861 A JPH0536861 A JP H0536861A JP 21266391 A JP21266391 A JP 21266391A JP 21266391 A JP21266391 A JP 21266391A JP H0536861 A JPH0536861 A JP H0536861A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- semiconductor device
- semiconductor
- resin
- groove
- Prior art date
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップを樹脂封止してなる半導体デバ
イスの耐湿性並びに耐熱衝撃性を向上させる。 【構成】 半導体チップ１の周縁部近傍の領域に、その
領域の機械的強度を劣化させるような溝14が形成されて
いる。 【効果】 半導体デバイスの外部から作用した変形応力
が半導体チップ１に形成された溝14の部分で吸収される
ので、半導体チップの機能領域と封止用樹脂との剥離が
防止される。
イスの耐湿性並びに耐熱衝撃性を向上させる。 【構成】 半導体チップ１の周縁部近傍の領域に、その
領域の機械的強度を劣化させるような溝14が形成されて
いる。 【効果】 半導体デバイスの外部から作用した変形応力
が半導体チップ１に形成された溝14の部分で吸収される
ので、半導体チップの機能領域と封止用樹脂との剥離が
防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスに関す
る。より詳細には、本発明は、樹脂封止によりデバイス
化された半導体装置の新規な構成に関する。
る。より詳細には、本発明は、樹脂封止によりデバイス
化された半導体装置の新規な構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の半導体デバイスは、通常、半導体
ウェハ等の上に複数まとめて形成した半導体装置をダイ
シングにより切り分けて得られた半導体チップをひとつ
ずつパッケージングして出荷される。半導体チップと外
部との電気的な接続は、基板に装着された外部端子やリ
ードフレームを介して行われる。
ウェハ等の上に複数まとめて形成した半導体装置をダイ
シングにより切り分けて得られた半導体チップをひとつ
ずつパッケージングして出荷される。半導体チップと外
部との電気的な接続は、基板に装着された外部端子やリ
ードフレームを介して行われる。
【０００３】図２は、上述のような半導体デバイスのひ
とつの典型的な構成を示す断面図である。
とつの典型的な構成を示す断面図である。
【０００４】図２(a) に断面図をもって示すように、こ
の半導体デバイスは、半導体チップ１をリードフレーム
２に搭載した上で、半導体チップ１とリードフレーム２
とをボンディングワイヤにより接続し、更に、これらを
樹脂４により封止して構成されている。
の半導体デバイスは、半導体チップ１をリードフレーム
２に搭載した上で、半導体チップ１とリードフレーム２
とをボンディングワイヤにより接続し、更に、これらを
樹脂４により封止して構成されている。
【０００５】図２(b) は、図２(a) に示した半導体デバ
イスで使用されている半導体チップ１の構成を示す図で
ある。
イスで使用されている半導体チップ１の構成を示す図で
ある。
【０００６】同図に示すように、半導体チップ１は、そ
のほぼ中央に集積回路を含む機能領域11を形成されてお
り、この機能領域11にボンディングワイヤを接続するた
めのパッド12も併せて形成されている。また、半導体チ
ップ１の周縁部には、半導体ウェハからこの半導体チッ
プを切り分けたときのスクライブライン13が残ってい
る。
のほぼ中央に集積回路を含む機能領域11を形成されてお
り、この機能領域11にボンディングワイヤを接続するた
めのパッド12も併せて形成されている。また、半導体チ
ップ１の周縁部には、半導体ウェハからこの半導体チッ
プを切り分けたときのスクライブライン13が残ってい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のような各種の構
成の半導体デバイスにおいて、半導体チップ１を封止し
ている樹脂４は、半導体チップ２を物理的および化学的
に保護する目的で使用されている。しかしながら、実際
には、経時的に半導体デバイスの特性は劣化し、特に、
高温多湿な環境においては、その劣化は急速に進行する
ことが知られている。また、半田耐熱試験等の結果によ
れば、封止用樹脂に対する熱衝撃も、半導体デバイスの
寿命に深く影響を与えていることが判っている。
成の半導体デバイスにおいて、半導体チップ１を封止し
ている樹脂４は、半導体チップ２を物理的および化学的
に保護する目的で使用されている。しかしながら、実際
には、経時的に半導体デバイスの特性は劣化し、特に、
高温多湿な環境においては、その劣化は急速に進行する
ことが知られている。また、半田耐熱試験等の結果によ
れば、封止用樹脂に対する熱衝撃も、半導体デバイスの
寿命に深く影響を与えていることが判っている。
【０００８】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、樹脂封止により構成された半導体デバイスの
経時劣化を有効に低減することができる、半導体デバイ
スの新規な構成を提供することをその目的としている。
を解決し、樹脂封止により構成された半導体デバイスの
経時劣化を有効に低減することができる、半導体デバイ
スの新規な構成を提供することをその目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
半導体チップを樹脂封止してなる半導体デバイスにおい
て、該半導体チップの周縁部近傍の領域に、該半導体チ
ップのその領域の機械的強度を劣化させるような溝が形
成されていることを特徴とする半導体デバイスが提供さ
れる。
半導体チップを樹脂封止してなる半導体デバイスにおい
て、該半導体チップの周縁部近傍の領域に、該半導体チ
ップのその領域の機械的強度を劣化させるような溝が形
成されていることを特徴とする半導体デバイスが提供さ
れる。
【００１０】
【作用】本発明に係る半導体デバイスは、半導体チップ
の周縁部の機械的強度を意図的に劣化させている点にそ
の主要な特徴がある。
の周縁部の機械的強度を意図的に劣化させている点にそ
の主要な特徴がある。
【００１１】即ち、従来の半導体デバイスでは、半導体
チップと封止用樹脂との熱膨張率差や弾力性の差異のた
めに、半導体デバイスに対して応力や熱衝撃が作用した
場合に、半導体デバイス内部で半導体チップと封止用樹
脂との剥離が生じ易かった。このため、半導体チップ上
の機能領域の腐食やボンディングワイヤの脱落等によ
り、特に湿度の高い環境や温度変化の激しい等では半導
体デバイスの機能の劣化が急速に進行する場合があっ
た。
チップと封止用樹脂との熱膨張率差や弾力性の差異のた
めに、半導体デバイスに対して応力や熱衝撃が作用した
場合に、半導体デバイス内部で半導体チップと封止用樹
脂との剥離が生じ易かった。このため、半導体チップ上
の機能領域の腐食やボンディングワイヤの脱落等によ
り、特に湿度の高い環境や温度変化の激しい等では半導
体デバイスの機能の劣化が急速に進行する場合があっ
た。
【００１２】これに対して、本発明に係る半導体デバイ
スにおいては、半導体チップの周縁部近傍に溝が形成さ
れており、この部分で半導体チップの機械的強度が意図
的に劣化されている。このため、半導体デバイスにスト
レスが印加された場合、この溝の形成された領域でスト
レスが吸収され、半導体チップ中央の機能領域には変形
が生じない。従って、半導体チップ上の機能領域では、
半導体チップと基板との剥離が生じることがなく、機能
領域は封止用樹脂によりよく保護される。
スにおいては、半導体チップの周縁部近傍に溝が形成さ
れており、この部分で半導体チップの機械的強度が意図
的に劣化されている。このため、半導体デバイスにスト
レスが印加された場合、この溝の形成された領域でスト
レスが吸収され、半導体チップ中央の機能領域には変形
が生じない。従って、半導体チップ上の機能領域では、
半導体チップと基板との剥離が生じることがなく、機能
領域は封止用樹脂によりよく保護される。
【００１３】以下、実施例を参照して本発明をより具体
的に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
的に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００１４】
【実施際】図１は、本発明に係る半導体デバイスの構成
例を示す断面図である。尚、図１において、図２と同じ
構成要素には同じ参照番号を付している。
例を示す断面図である。尚、図１において、図２と同じ
構成要素には同じ参照番号を付している。
【００１５】図１(b) に示すように、本発明に係る半導
体デバイスで使用される半導体チップ１ａは、その周縁
部にスクライブライン13が残り、その中央部にパッド12
を含む機能領域11を備えている点では図２に示した従来
のものと共通している。
体デバイスで使用される半導体チップ１ａは、その周縁
部にスクライブライン13が残り、その中央部にパッド12
を含む機能領域11を備えている点では図２に示した従来
のものと共通している。
【００１６】但し、この半導体チップには、同図に示す
ように、機能領域11を包囲する４本の溝14が形成されて
いる。この溝14を形成された部分では、半導体チップ１
ａの厚さが薄くなっており、当然、その部分の機械強度
は他の領域よりも低くなっている。
ように、機能領域11を包囲する４本の溝14が形成されて
いる。この溝14を形成された部分では、半導体チップ１
ａの厚さが薄くなっており、当然、その部分の機械強度
は他の領域よりも低くなっている。
【００１７】以上のような半導体チップ１ａを使用し
て、図１(a) に示すような半導体デバイスを作製するこ
とができる。
て、図１(a) に示すような半導体デバイスを作製するこ
とができる。
【００１８】即ち、この半導体デバイスは、基本的には
図２(a) に示した従来の半導体デバイスと同じ構造であ
るが、使用されている半導体チップ１ａには、既に説Ｌ
したように溝14が形成されている。
図２(a) に示した従来の半導体デバイスと同じ構造であ
るが、使用されている半導体チップ１ａには、既に説Ｌ
したように溝14が形成されている。
【００１９】以上のように構成された半導体デバイスに
対して熱衝撃等による変形応力が封止陽樹脂４に作用し
た場合、封止用樹脂４を介して半導体チップ１ａに作用
する応力は、半導体チップ１ａの溝14の部分で吸収さ
れ、機能領域11の搭載された半導体チップ１ａの中央部
分には及ばない。従って、半導体チップ１ａの機能領域
11とその直上の封止用樹脂４との間には変形応力は作用
せず、両者が剥離することもない。
対して熱衝撃等による変形応力が封止陽樹脂４に作用し
た場合、封止用樹脂４を介して半導体チップ１ａに作用
する応力は、半導体チップ１ａの溝14の部分で吸収さ
れ、機能領域11の搭載された半導体チップ１ａの中央部
分には及ばない。従って、半導体チップ１ａの機能領域
11とその直上の封止用樹脂４との間には変形応力は作用
せず、両者が剥離することもない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体デバイスにおいては、使用されている半導体チップの
周縁部に意図的に強度を低下させた部分を有しているの
で、応力が作用した場合にも、半導体チップの機能領域
に変形が及ばない。従って、すくなくとも機能領域にお
いては、半導体チップと封止用樹脂との剥離が生じるこ
とがなく、半導体チップの機能領域は封止用樹脂により
効果的に保護される。
体デバイスにおいては、使用されている半導体チップの
周縁部に意図的に強度を低下させた部分を有しているの
で、応力が作用した場合にも、半導体チップの機能領域
に変形が及ばない。従って、すくなくとも機能領域にお
いては、半導体チップと封止用樹脂との剥離が生じるこ
とがなく、半導体チップの機能領域は封止用樹脂により
効果的に保護される。
【００２１】以上のような機能を有する本発明に係る半
導体デバイスは、屋外で携帯して使用される通信機器等
のように多湿な環境で使用される装置や人工衛星等のよ
うに激しい熱履歴や衝撃に曝される装置等のような劣悪
な環境での使用に有利に適用することができる。
導体デバイスは、屋外で携帯して使用される通信機器等
のように多湿な環境で使用される装置や人工衛星等のよ
うに激しい熱履歴や衝撃に曝される装置等のような劣悪
な環境での使用に有利に適用することができる。
【図１】本発明に係る半導体デバイスの具体的な構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】従来の半導体デバイスの典型的な構成を示す断
面図である。
面図である。
１、１ａ 半導体チップ、 ２ リードフレーム、 ３ ボンディングワイヤ、 ４ 封止用樹脂 11 機能領域、 12 パッド、 13 スクライブライン、 14 溝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】半導体チップを樹脂封止してなる半導体デ
バイスにおいて、該半導体チップの周縁部近傍の領域
に、その領域の機械的強度を劣化させるような溝が形成
されていることを特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21266391A JPH0536861A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21266391A JPH0536861A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536861A true JPH0536861A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16626345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21266391A Withdrawn JPH0536861A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536861A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001048815A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | Stress isolated integrated circuit and manufacturing method thereof |
| JP2002190553A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Toshiba Components Co Ltd | 樹脂封止型半導体素子及びその製造方法 |
| US8358514B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-01-22 | Denso Corporation | Electronic control device |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP21266391A patent/JPH0536861A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001048815A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | Stress isolated integrated circuit and manufacturing method thereof |
| JP2002190553A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Toshiba Components Co Ltd | 樹脂封止型半導体素子及びその製造方法 |
| US8358514B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-01-22 | Denso Corporation | Electronic control device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |