JPH0546098B2 - - Google Patents

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JPH0546098B2
JPH0546098B2 JP59027095A JP2709584A JPH0546098B2 JP H0546098 B2 JPH0546098 B2 JP H0546098B2 JP 59027095 A JP59027095 A JP 59027095A JP 2709584 A JP2709584 A JP 2709584A JP H0546098 B2 JPH0546098 B2 JP H0546098B2
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semiconductor pellet
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Hitachi Ltd
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に、新規なペレ
ツト付構造を有する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
〔背景技術〕
従来の半導体プラスチツクパツケージは、リー
ドフレームのタブに半導体ペレツト（チツプ）を
マウントし、この半導体ペレツトとリードフレー
ムのリードとをコネクタワイヤによりワイヤボン
デイングし、樹脂封止を行う構造のものが一般的
であつた。
しかし、半導体ペレツトは増々大形化する傾向
にあり、小さいプラスチツクパツケージ内に大ペ
レツトを収納せざるを得ない。このような小パツ
ケージに大ペレツトを収納するパツケージ構造で
は、樹脂封止されたリード部分（インナーリー
ド）が短くなり、機械的強度の点で問題を生じて
きた。
〔発明の目的〕
本発明は、大型の半導体ペレツトを実装するこ
とができ、機械的強度を低減させることなく、む
しろ機械的強度を向上させた半導体装置を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、タブを従来のものより小さくし、か
つインナーリード部分を長くして半導体ペレツト
をタブおよびインナーリードの先端部分にマウン
トすることにより、上記目的を達成するものであ
る。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に従い説明する。
第１図はDIP（Dual In−Line Package）タイ
プの半導体プラスチツクパツケージの断面図、第
２図はリードフレームの平面図であり、本発明に
よる半導体装置は、その半導体ペレツト１がタブ
２上に接合材料３により固着（マウント）されて
いるほか、インナーリード４上に絶縁層５を介し
て固着（マウント）されている。すなわち、本発
明半導体装置はこのようなペレツト付構造を有し
てなる。
上記半導体ペレツト１たとえばシリコン単結晶
基板から構成され、周知の技術によつて、このペ
レツト内には多数の回路素子が形成され、１つの
回路機能を与えている。回路素子はたとえば絶縁
ゲート型電界効果トランジスタ（MOSトランジ
スタ）からなり、これらの回路素子によつて、た
とえば論理回路およびメモリ回路機能が形成され
ている。
第２図に示すように、半導体ペレツト１を搭載
しているタブ２はタブ吊りリード６により支持さ
れており、リードフレーム７はこのタブ２、タブ
吊りリード６、インナーリード４、アウターリー
ド８およびフレーム枠９より構成される。
前記タブ２は、タブ吊りリード６のリード幅寸
法、インナーリードのリード幅寸法の夫々に比べ
て、各辺の長さが長く構成される。このタブ２の
各辺に沿つた周囲にはインナーリード４が複数本
配列される。
当該リードフレームはたとえば４２アロイ合金
などの金属材料により構成される。
半導体ペレツト１をタブ２上に固着させる接合
材料３には、Au／Si共晶、ハンダ、Agペースト
等の樹脂接着材等が使用できる。但しAu／Si共
晶、ハンダ、Agペースト等で、ペレツト１とタ
ブ２間の導電性をとる必要がある場合、あらかじ
めペレツト１の裏面周辺、あるいはインナーリー
ド４の先端に絶縁層５を形成しておかねばならな
い。ペレツト１とタブ２間に導電性が必要ない場
合、絶縁層５は接合材料３と同じ、例えばポリイ
ミド又はエポキシ樹脂あるいは絶縁性ペーストな
どの絶縁性接着材を用い、ペレツト付けと同時に
形成させることもできる。あるいは従来半導体ペ
レツト裏面の酸化膜を除去してから、ペレツト付
けをおこなつているが、この酸化膜を残しておく
など、何らかの絶縁処理を施しておくこともよ
い。
半導体素子１をタブ２およびインナーリード４
上にマウント後、第１図に示すように、半導体素
子１の電極（パツト）１０に、たとえばAu線で
構成されるコネクタワイヤ１１の端部を接続し、
コネクタワイヤ１１の他端部をインナーリード４
上に接続し、半導体素子１からの信号をインナー
リード４およびアウターリード８を通して外部に
導出する。
前記タブ２の面積、具体的にはタブ２の半導体
ペレツト１を搭載した際の半導体ペレツト１と重
なる部分の面積は、この半導体ペレツト１の重ね
られる表面の全体の面積に比べて小さく構成され
る。この結果、インナーリード４はタブ２側に長
くできる。
このようなワイヤボンデイング後、トランスフ
アーモールドなどにより樹脂封止を行い、樹脂封
止体１２を形成する。ここに使用される樹脂には
たとえばエポキシ樹脂があげられる。
〔効果〕
(1) タブを小さくし、その分インナーリードを長
くしたので、インナーリードが樹脂封止体中深
く埋め込まれ、したがつて従来インナーリード
が大ペレツトの搭載に従い増々短くなる傾向に
あり、リードの機械強度が問題となつていたが
これを解消できた。すなわち、高信頼度の半導
体装置を提供できた。
(2) 半導体素子をタブおよびインナーリードに搭
載した構造と成したので大口径の半導体ペレツ
トにあつても、実装可能と成すことができる。
(3) タブを省略して半導体ペレツトをリード上に
固着してなる半導体装置よりもタブを有してい
る分半導体ペレツトの放熱性がよく、またペレ
ツト付の作業性も良く、さらにボンデイング作
業もし易くなつた。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
もとずき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。たとえば半導体ペレツトとリードとの接続
は、上述のワイヤボンデイングの他に、フエイス
ダウン方式にてペレツトの各電極をリードに直接
的に固定することも可能である。
半導体ペレツト１は通常、素子形成面に、電極
（パツト）１０を除いて、絶縁物である最終保護
膜が形成される。前記フエースダウン方式の場
合、半導体ペレツト１は、素子形成面の前記最終
保護膜を下にして、タブ２上に接合材料３により
固着（マウント）される。そして、素子形成面の
各電極（パツト）１０は、インナーリード４に直
接的に固定される。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその背景となつた利用分野であるDIP
のプラスチツクスタイプパツケージについて適用
した例を示したが、フラツトパツクタイプパツケ
ージやサーデイツプタイプパツケージなどについ
ても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例を示す断面図、第２
図は、本発明の実施例を示す平面図である。 １……半導体ペレツト、２……タブ、３……接
合材料、４……インナーリード、５……絶縁（処
理）層、６……タブ吊りリード、７……リードフ
レーム、８……アウターリード、９……フレーム
枠、１０……電極（パツド）、１１……コネクタ
ワイヤ、１２……樹脂封止体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 一端側、他端側の夫々が少なくとも平面方形
    状の封止体の周縁まで延在し、かつ中央部分の表
    面上に半導体ペレツトを搭載する第１のリード
    と、一端側が前記封止体中で前記半導体ペレツト
    の電極に接続され、かつ他端側が前記封止体の周
    縁からこの封止体の外部に突出されると共に、前
    記半導体ペレツトの周囲に複数本配列される第２
    のリードとを有する半導体装置において、前記第
    １のリードの半導体ペレツトと重なる部分の面積
    を、この半導体ペレツトが第１のリードの表面に
    重ねられる面側全体の面積より小さくし、前記半
    導体ペレツトの周縁が第１のリードから突出する
    部分を構成し、前記複数本の第２のリードのう
    ち、少なくとも封止体の平面方形状の辺の中央部
    分に配列される１本又は複数本の第２のリード
    を、前記半導体ペレツトの周縁が第１のリードか
    ら突出する部分に重ね合せたことを特徴とする半
    導体装置。
JP59027095A 1984-02-17 1984-02-17 半導体装置 Granted JPS60171733A (ja)

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