JPH0357248A - テープキャリア方式による樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
テープキャリア方式による樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0357248A JPH0357248A JP1191496A JP19149689A JPH0357248A JP H0357248 A JPH0357248 A JP H0357248A JP 1191496 A JP1191496 A JP 1191496A JP 19149689 A JP19149689 A JP 19149689A JP H0357248 A JPH0357248 A JP H0357248A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はテープキャリア方式による樹脂封止型半導体装
置に関し、当該装置の熱抵抗を低減させる技術に関する
． ［従来の技術］ ポリイミドフィルムなどの絶縁性機料よりなるテープに
，半導体素子を有するチップ（以下チップという）を実
装するためのデバイスホールを孔設し，表面に銅箔なと
の半電性機料をエッチングして複数のリードを形成し、
両側端に送り位置合せ用のスプロケットホールを孔設し
，前記デバイスホールに突出したリードの先端部に、チ
ップをギャクボンディングしていく実装方式は，テープ
キャリア、ＴＡ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）あるいはフィルムキャリア方式と称
されている。
置に関し、当該装置の熱抵抗を低減させる技術に関する
． ［従来の技術］ ポリイミドフィルムなどの絶縁性機料よりなるテープに
，半導体素子を有するチップ（以下チップという）を実
装するためのデバイスホールを孔設し，表面に銅箔なと
の半電性機料をエッチングして複数のリードを形成し、
両側端に送り位置合せ用のスプロケットホールを孔設し
，前記デバイスホールに突出したリードの先端部に、チ
ップをギャクボンディングしていく実装方式は，テープ
キャリア、ＴＡ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）あるいはフィルムキャリア方式と称
されている。
当該方式では、チップ側に、突起電極（バンプ）を形成
したり，リード側にバンプを形成したりして，いずれに
しても、当該リードにチップを熱圧着でボンデイングし
ていく。
したり，リード側にバンプを形成したりして，いずれに
しても、当該リードにチップを熱圧着でボンデイングし
ていく。
このように絶縁性テープにチップを組込みしたのは、次
いで，ポッテイング技術などにより、レジンでチップな
どを被覆して，樹脂封止のテープキャリアタイプパッケ
ージとされる。
いで，ポッテイング技術などにより、レジンでチップな
どを被覆して，樹脂封止のテープキャリアタイプパッケ
ージとされる。
尚，テープキャリアについて述べた文献の例としては、
（株）日経マグロウヒル社刊「日経マイクロデバイセＸ
ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳＪ １
９ ８６年３月号Ｐ１２８〜１３５が挙げられる．［発
明が解決しようとする課題］ しかし、上記パッケージ（半導体装置）では、チップか
ら発生した熱は，バンプからしか放熱されることができ
ないために、熱抵抗が大で、チップ内半導体素子の温度
特性を不安定にし，その結果，温度依存性のある電気的
特性に悪影響を及ぼし，半導体装置の信頼性を低下させ
ることがある。
（株）日経マグロウヒル社刊「日経マイクロデバイセＸ
ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳＪ １
９ ８６年３月号Ｐ１２８〜１３５が挙げられる．［発
明が解決しようとする課題］ しかし、上記パッケージ（半導体装置）では、チップか
ら発生した熱は，バンプからしか放熱されることができ
ないために、熱抵抗が大で、チップ内半導体素子の温度
特性を不安定にし，その結果，温度依存性のある電気的
特性に悪影響を及ぼし，半導体装置の信頼性を低下させ
ることがある。
本発明はかかる従来技術の有する欠点を解消し、熱抵抗
の低減を図り、温度依存性のある電気的特性を安定化し
、信頼性を向上させしめることのできる技術を提供する
ことを目的とする．［１題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば，下記のとおりである。
の低減を図り、温度依存性のある電気的特性を安定化し
、信頼性を向上させしめることのできる技術を提供する
ことを目的とする．［１題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば，下記のとおりである。
本発明では、テープキャリア方式に基づいてチップとリ
ードを接続する際のバンプ数を通常のバンプ数よりも増
加させ、増加部分のバンプを放熱用のダミーバンプとし
，これに伴ないリード数も通常のリード数よりも増加し
て，これらリードと、これらバンプとをギャングボンデ
ィングする。
ードを接続する際のバンプ数を通常のバンプ数よりも増
加させ、増加部分のバンプを放熱用のダミーバンプとし
，これに伴ないリード数も通常のリード数よりも増加し
て，これらリードと、これらバンプとをギャングボンデ
ィングする。
［作用コ
当該パッケージの放熱は、前記の如くバンプを介して行
われるので，熱抵抗はバンプ数（リード接続数）に反比
例して減少する。従って，ダミーバンプ、ダミーリード
を設けることにより熱抵抗が減少し、放熱効果を向上さ
せることができる。
われるので，熱抵抗はバンプ数（リード接続数）に反比
例して減少する。従って，ダミーバンプ、ダミーリード
を設けることにより熱抵抗が減少し、放熱効果を向上さ
せることができる。
このため、温度に依存する電気的特性の安定化を図るこ
とができ，信頼性の向上を可能とする．［実施例コ 次に、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
とができ，信頼性の向上を可能とする．［実施例コ 次に、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第ｌ図は本発明の一実施例におけるチップとリードとの
接続関係を示す平面図で、また、第２図は第１図Ａ−Ａ
線に沿う樹脂封止後のテープキャリア方式による半導体
装置の断面図である。
接続関係を示す平面図で、また、第２図は第１図Ａ−Ａ
線に沿う樹脂封止後のテープキャリア方式による半導体
装置の断面図である。
これら図において、ｌはダミーバンプ、２はダミーリー
ド，３は通常のバンプ，４は通常のリード、５はチップ
、６は樹脂封止体、７はテープである。
ド，３は通常のバンプ，４は通常のリード、５はチップ
、６は樹脂封止体、７はテープである。
第１図に示すように、チップ５には複数の通常のバンプ
３・・・が間に、複数のダミーバンプ１を配設して，バ
ンプ数を全体に増加し，これら通常のバンプ３・・・を
、複数の通常のりード４・・・と熱圧着ボンディングす
るとともに，これらダミーバンプｌ・・・を、複数のダ
ミーリード２と同様にボンディングしてある。
３・・・が間に、複数のダミーバンプ１を配設して，バ
ンプ数を全体に増加し，これら通常のバンプ３・・・を
、複数の通常のりード４・・・と熱圧着ボンディングす
るとともに，これらダミーバンプｌ・・・を、複数のダ
ミーリード２と同様にボンディングしてある。
これらダミーバンプ１・・・は、信号の入出力と無関係
に，単に放熱用としてのみ設置することができる． これらバンプｌ、３は、例えば、Ｃ ｒ ／ Ｎ ｉの
パリヤ金属を介してＡｕやＰｂ／Ｓｎのバンプ金属によ
り半球状の突起電極を構威してなるものを例示すること
ができる， 当該チップ５は、例えばシリコン単結晶基板から成り，
周知の技術によってこのチップ内には多数の回路素子が
形威され、１つの回路機能が与えられている。回路素子
の具体例は，例えばＭＯＳトランジスタから或り、これ
らの回路素子によって，例えば論理回路およびメモリの
回路機能が形成されている。
に，単に放熱用としてのみ設置することができる． これらバンプｌ、３は、例えば、Ｃ ｒ ／ Ｎ ｉの
パリヤ金属を介してＡｕやＰｂ／Ｓｎのバンプ金属によ
り半球状の突起電極を構威してなるものを例示すること
ができる， 当該チップ５は、例えばシリコン単結晶基板から成り，
周知の技術によってこのチップ内には多数の回路素子が
形威され、１つの回路機能が与えられている。回路素子
の具体例は，例えばＭＯＳトランジスタから或り、これ
らの回路素子によって，例えば論理回路およびメモリの
回路機能が形成されている。
これらリード２，４を有するテープキャリアは、例えば
，ポリイミドフィルムよりなるテープ７に、スプロケッ
トホールとデバイスホールをパンチングして，次いで．
１箔をラミネートして，ホトレジスト技術，エッチング
技術を用いて所望のリードパターン２，４を形成するこ
とにより得ることができる． 樹脂封止体６を４ｉ！ｊ或するレジンには、例えばエポ
キン樹脂を用いることができ、当該封止体６は例えば当
該レジンを含む樹脂溶液をポッティングすることにより
形成することができる。
，ポリイミドフィルムよりなるテープ７に、スプロケッ
トホールとデバイスホールをパンチングして，次いで．
１箔をラミネートして，ホトレジスト技術，エッチング
技術を用いて所望のリードパターン２，４を形成するこ
とにより得ることができる． 樹脂封止体６を４ｉ！ｊ或するレジンには、例えばエポ
キン樹脂を用いることができ、当該封止体６は例えば当
該レジンを含む樹脂溶液をポッティングすることにより
形成することができる。
本発明によれば、当該樹脂封止後にあっても、放熱用ダ
ミーバンプ１，ダミーリード２が通常のバンプ３、リー
ド４に加えて設けられているので、放熱効果が上り、全
体の放熱抵抗を低減させ，素子特性が安定化し、当該半
導体装置の信頼性を向上させることができた。
ミーバンプ１，ダミーリード２が通常のバンプ３、リー
ド４に加えて設けられているので、放熱効果が上り、全
体の放熱抵抗を低減させ，素子特性が安定化し、当該半
導体装置の信頼性を向上させることができた。
以上本発明にによってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない． 以上の説明では、チップ側にバンプを形成する例につい
て述べたが、リード側にバンプを設けるテープキャリア
方式について本発明を適用することができる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない． 以上の説明では、チップ側にバンプを形成する例につい
て述べたが、リード側にバンプを設けるテープキャリア
方式について本発明を適用することができる。
［発明の効果］
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る． 本発明は樹脂封止のテープキャリアタイプパッケージに
おける熱抵抗を低減させることができた．
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る． 本発明は樹脂封止のテープキャリアタイプパッケージに
おける熱抵抗を低減させることができた．
第１図は本発明の実施例を示す平面図、は本発明の実施
例を示す断面図である。 １・・ダミーバンプ ２・・ダミーリード ３・・バンプ ４・・リード ５・・チップ ６・・樹脂封正体 ７・・テープ 第２図
例を示す断面図である。 １・・ダミーバンプ ２・・ダミーリード ３・・バンプ ４・・リード ５・・チップ ６・・樹脂封正体 ７・・テープ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性テープ類に半導体素子を有するチップを実装
するためのデバイスホールを孔設しかつ該デバイスホー
ル内に当該テープ類表面に形成したリードの先端部を突
出してなるテープキャリアの該リード先端部に、半導体
素子を有するチップを、突起電極（以下バンプという）
を介して接続するとともに樹脂封止を行ってなるテープ
キャリア方式による樹脂封止型半導体装置において、該
当バンプに放熱用のダミーバンプを設け、かつ、前記リ
ードに放熱用のダミーリードを設けて成ることを特徴と
するテープキャリア方式による樹脂封止型半導体装置。 ２、放熱用のダミーバンプを、半導体素子を有するチッ
プ側に設けて成る、請求項１１に記載のテープキャリア
方式による樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191496A JPH0357248A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | テープキャリア方式による樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191496A JPH0357248A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | テープキャリア方式による樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357248A true JPH0357248A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16275613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1191496A Pending JPH0357248A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | テープキャリア方式による樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0357248A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060770A (en) * | 1997-01-31 | 2000-05-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and process for producing the same |
| US6642083B2 (en) | 1996-03-22 | 2003-11-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7091620B2 (en) | 1996-03-22 | 2006-08-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100859297B1 (ko) * | 2005-12-05 | 2008-09-19 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 테이프 캐리어 패키지 및 그것을 탑재한 표시 장치 |
| US7903226B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-03-08 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method of making the same |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP1191496A patent/JPH0357248A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6642083B2 (en) | 1996-03-22 | 2003-11-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6664135B2 (en) | 1996-03-22 | 2003-12-16 | Renesas Technology Corporation | Method of manufacturing a ball grid array type semiconductor package |
| US7091620B2 (en) | 1996-03-22 | 2006-08-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7420284B2 (en) | 1996-03-22 | 2008-09-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6060770A (en) * | 1997-01-31 | 2000-05-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and process for producing the same |
| US6278176B1 (en) | 1997-01-31 | 2001-08-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and process for producing the same |
| US6476467B2 (en) | 1997-01-31 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and process for producing the same |
| KR100572946B1 (ko) * | 1997-01-31 | 2006-06-21 | 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 | 반도체장치및그제조방법 |
| KR100859297B1 (ko) * | 2005-12-05 | 2008-09-19 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 테이프 캐리어 패키지 및 그것을 탑재한 표시 장치 |
| US7821115B2 (en) | 2005-12-05 | 2010-10-26 | Nec Electronics Corporation | Tape carrier package including a heat dissipation element |
| US7903226B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-03-08 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method of making the same |
| US8081288B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-12-20 | Nlt Technologies, Ltd. | Method of making a liquid crystal display device having a heat dissipation pattern |
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