JP2852178B2 - フィルムキャリアテープ - Google Patents
フィルムキャリアテープInfo
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- JP2852178B2 JP2852178B2 JP5338593A JP33859393A JP2852178B2 JP 2852178 B2 JP2852178 B2 JP 2852178B2 JP 5338593 A JP5338593 A JP 5338593A JP 33859393 A JP33859393 A JP 33859393A JP 2852178 B2 JP2852178 B2 JP 2852178B2
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- Japan
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- lead
- hole
- slit
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- film carrier
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/464—Additional interconnections in combination with leadframes
- H10W70/466—Tape carriers or flat leads
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テープキャリアパッケ
ージ半導体装置において、特にフィルムキャリアテープ
の形状に関する。
ージ半導体装置において、特にフィルムキャリアテープ
の形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に示すように従来のテープキャリア
パッケージに用いるフィルムキャリアテープは、搬送及
び位置決め用のスプロケットホール２と半導体チップ１
０と接合するための開口部であるデバイスホール３と例
えばプリント基板等に接合するアウターリード６Ｂ部に
設けるアウターリードホール４を有するポリイミド等の
ベースフィルム１上に銅箔等の金属箔を接着し、フォト
リソグラフィ技術により金属箔を選択的にエッチングし
て所望の形状のリード６と電気選別の為のテストパッド
７等を形成する。このフィルムキャリアテープのデバイ
スホール３とアウターリードホール４の間のベースフィ
ルムをサスペンダー５と呼び、アウターリードホール４
エッジから対向するアウターホールエッジまでの距離
（パッケージサイズと呼ぶ）や半導体チップ１０のサイ
ズによって変化するデバイスホールサイズによって前記
サスペンダーの面積及びサスペンダー上のリード配線が
決定される。また、このサスペンダーが有ることによっ
てサスペンダー上のリード配線が決定される。また、こ
のサスペンダーが有ることによってサスペンダー上のリ
ードは固定されているのでリード曲がり等が発生しない
ため複雑な配線が可能となっている。このリード配線
は、ベースフィルム１上のリード６のエッチングを容易
にする為、このリード配線の線幅をできるだけ大きく
し、かつリードピッチを粗くするように可能な限り、広
げて配線する。
パッケージに用いるフィルムキャリアテープは、搬送及
び位置決め用のスプロケットホール２と半導体チップ１
０と接合するための開口部であるデバイスホール３と例
えばプリント基板等に接合するアウターリード６Ｂ部に
設けるアウターリードホール４を有するポリイミド等の
ベースフィルム１上に銅箔等の金属箔を接着し、フォト
リソグラフィ技術により金属箔を選択的にエッチングし
て所望の形状のリード６と電気選別の為のテストパッド
７等を形成する。このフィルムキャリアテープのデバイ
スホール３とアウターリードホール４の間のベースフィ
ルムをサスペンダー５と呼び、アウターリードホール４
エッジから対向するアウターホールエッジまでの距離
（パッケージサイズと呼ぶ）や半導体チップ１０のサイ
ズによって変化するデバイスホールサイズによって前記
サスペンダーの面積及びサスペンダー上のリード配線が
決定される。また、このサスペンダーが有ることによっ
てサスペンダー上のリード配線が決定される。また、こ
のサスペンダーが有ることによってサスペンダー上のリ
ードは固定されているのでリード曲がり等が発生しない
ため複雑な配線が可能となっている。このリード配線
は、ベースフィルム１上のリード６のエッチングを容易
にする為、このリード配線の線幅をできるだけ大きく
し、かつリードピッチを粗くするように可能な限り、広
げて配線する。
【０００３】次に、このフィルムキャリアテープを用い
る組立は、図５（ｂ）に示す如く、半導体チップ１０に
電極上に形成されたバンプ８とインナリード６Ａを接合
する。次いで半導体チップ１０上に保護の為ポッティン
グ方式にて樹脂１４を覆う。
る組立は、図５（ｂ）に示す如く、半導体チップ１０に
電極上に形成されたバンプ８とインナリード６Ａを接合
する。次いで半導体チップ１０上に保護の為ポッティン
グ方式にて樹脂１４を覆う。
【０００４】しかしながら、テープキャリアパッケージ
の樹脂封止を通常のプラスチックパッケージと同様にト
ランスファモールドする場合、特開平２−８９３４９号
公報に提示されているように、図６（ａ）で説明する
と、フィルムキャリアテープの上または下の一方から樹
脂を注入することが多いため、樹脂注入部側に樹脂通過
用の打ち抜き穴であるモールド用スリット１３を設けて
いる。
の樹脂封止を通常のプラスチックパッケージと同様にト
ランスファモールドする場合、特開平２−８９３４９号
公報に提示されているように、図６（ａ）で説明する
と、フィルムキャリアテープの上または下の一方から樹
脂を注入することが多いため、樹脂注入部側に樹脂通過
用の打ち抜き穴であるモールド用スリット１３を設けて
いる。
【０００５】次に図７に示すように、半導体チップ１０
の電極とインナーリード６Ａを接続後、アウターリード
ホール４で切断し、リードフレームアイランド１５Ｉ上
にペースト１６で固定して、リードフレーム１５のイン
ナリード６Ａ′部とアウターリード６Ｂを接合する。こ
れを封止樹脂１７でトランスファモールドする場合、フ
ィルムキャリアテープの上側もしくは下側及び上下側同
時に樹脂封入を行っている。このパッケージは一般にＴ
ＡＢｉｎＱＥＰと呼んでいる。
の電極とインナーリード６Ａを接続後、アウターリード
ホール４で切断し、リードフレームアイランド１５Ｉ上
にペースト１６で固定して、リードフレーム１５のイン
ナリード６Ａ′部とアウターリード６Ｂを接合する。こ
れを封止樹脂１７でトランスファモールドする場合、フ
ィルムキャリアテープの上側もしくは下側及び上下側同
時に樹脂封入を行っている。このパッケージは一般にＴ
ＡＢｉｎＱＥＰと呼んでいる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリアテープを用いてトランスファモールドすると
き、樹脂を上側もしくは下側または上下両側から封入す
るが、フィルムキャリアテープの上下では、構造が異な
ることに加えて、ベースフィルムがあるため、樹脂の封
入速度が上下で異なり、封入後樹脂が未充填であった
り、表面に気泡であるボイドと呼ばれる不良が発生す
る。また、サスペンダーの沈みが発生したインナーリー
ドが半導体チップのエッジ部にタッチし短絡が発生した
り、サスペンダー上下動により接合されているインナー
リードと半導体チップ電極間（ＩＬＢ部）でハガレが生
じたり、インナリードが切断されたりする不良が発生し
てしまう。また、ＴＡＢｉｎＱＥＰ製造工程のＯＬＢに
てテープを切断するときもしくは接合するとき、サスペ
ンダー部が変形し、ＩＬＢ部のハガレが生じたり、リー
ドが切断されたりする不良を発生する問題があった。
ムキャリアテープを用いてトランスファモールドすると
き、樹脂を上側もしくは下側または上下両側から封入す
るが、フィルムキャリアテープの上下では、構造が異な
ることに加えて、ベースフィルムがあるため、樹脂の封
入速度が上下で異なり、封入後樹脂が未充填であった
り、表面に気泡であるボイドと呼ばれる不良が発生す
る。また、サスペンダーの沈みが発生したインナーリー
ドが半導体チップのエッジ部にタッチし短絡が発生した
り、サスペンダー上下動により接合されているインナー
リードと半導体チップ電極間（ＩＬＢ部）でハガレが生
じたり、インナリードが切断されたりする不良が発生し
てしまう。また、ＴＡＢｉｎＱＥＰ製造工程のＯＬＢに
てテープを切断するときもしくは接合するとき、サスペ
ンダー部が変形し、ＩＬＢ部のハガレが生じたり、リー
ドが切断されたりする不良を発生する問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】搬送及び位置決めようの
スプロケットを有するベースフィルム上に半導体チップ
のパッド電極と接続する為に形成された所望の形状のリ
ード配線を有するフィルムキャリアテープにおいて、前
記サスペンダーのコーナー部４ヶ所の内、少なくとも１
ヶ所以上、上下に通じたスリットを設けることを特徴と
するフィルムキャリアテープを用いる。また、このスリ
ットは次のような特徴を有する。
スプロケットを有するベースフィルム上に半導体チップ
のパッド電極と接続する為に形成された所望の形状のリ
ード配線を有するフィルムキャリアテープにおいて、前
記サスペンダーのコーナー部４ヶ所の内、少なくとも１
ヶ所以上、上下に通じたスリットを設けることを特徴と
するフィルムキャリアテープを用いる。また、このスリ
ットは次のような特徴を有する。
【０００８】上記スリット形状が、フィルムキャリアテ
ープのスプロケット側より、デバイスホール内側になる
につれ、大きくなるハート型であることを特徴とする。
更にこのスリットに加え、サスペンダー上の配線リード
下部にスリットを設けてもよい。このスリットを有する
テープを用いて樹脂封入する場合、前記スリットの総面
積が封入後モールド外形面積の３％以上で効果が現れ
る。
ープのスプロケット側より、デバイスホール内側になる
につれ、大きくなるハート型であることを特徴とする。
更にこのスリットに加え、サスペンダー上の配線リード
下部にスリットを設けてもよい。このスリットを有する
テープを用いて樹脂封入する場合、前記スリットの総面
積が封入後モールド外形面積の３％以上で効果が現れ
る。
【０００９】また、半導体チップのパッド電極とフィル
ムキャリアテープのインナーリードを接合後、アウター
リード部で切断し、リードフレームのアイランド上にマ
ウントし、アウターリードをリードフレームのインナー
リードと接合し、樹脂封止するパッケージにおいて、上
記スリットが上方からみて前記リードフレームのアイラ
ンド外形エリアの外側（アウターホール側）に位置させ
ると更に効果がある。
ムキャリアテープのインナーリードを接合後、アウター
リード部で切断し、リードフレームのアイランド上にマ
ウントし、アウターリードをリードフレームのインナー
リードと接合し、樹脂封止するパッケージにおいて、上
記スリットが上方からみて前記リードフレームのアイラ
ンド外形エリアの外側（アウターホール側）に位置させ
ると更に効果がある。
【００１０】同様に、半導体チップのパッド電極とフィ
ルムキャリアテープのインナーリードを接合後、金属板
上にマウントし、次いで樹脂封止するパッケージにおい
て、本発明のスリットが上方からみて前記金属板外形エ
リアより外側（アウターホール側）に位置される。
ルムキャリアテープのインナーリードを接合後、金属板
上にマウントし、次いで樹脂封止するパッケージにおい
て、本発明のスリットが上方からみて前記金属板外形エ
リアより外側（アウターホール側）に位置される。
【００１１】これらのスリットは更に次の特徴を有す
る。
る。
【００１２】ハート型スリットのデバイスホール側の形
状がデバイスホール形状に近似して形成されているこ
と、側面形状がインナーリードからアウターリードまで
配線されているパターンに平行に形成されている。
状がデバイスホール形状に近似して形成されているこ
と、側面形状がインナーリードからアウターリードまで
配線されているパターンに平行に形成されている。
【００１３】また、条件によってはスリットがデバイス
ホールと一体となって形成されてもよい。
ホールと一体となって形成されてもよい。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】図１は、本発明の第１の実施例を示す。半
導体チップが搭載されるデバイスホール３からアウター
ホール４に延出されるリード６を半導体チップの電極ピ
ッチと同ピッチで前記デバイスホールとアウターホール
間距離つまりサスペンダー５幅の１／３以上設け、その
終端より、アウターリード６Ｂに接続するように配線を
施す。この配線手法によりサスペンダー５上のコーナー
部に空間を設け、（１），（２），（３），（４）のよ
うなスリット１１を形成する。このスリット１１の形状
は図１（ｂ）に示す如く、そのデバイスホール３側はデ
バイスホール形状と相似するように形成し、その側面は
リード６配線に沿うように形成する。特に、リードあ６
がアウターホール４内のアウターリード６Ｂにθ２の角
度で配線する場合、スリット１１のθ１をθ２＝θ１と
なるように形成する。このスリットは図８に示す如く、
従来の配線手法のまま形成することもあるが、この場
合、例えばリード６の数が増加した場合、もしくはデバ
イスホール３のサイズが大きくなった場合には、スリッ
ト１１を設ける理由が樹脂封入時の諸問題を解決するこ
とにあるためその位置を移動させる必要が頻雑にでてく
るので、スリット１１の共用化は困難である。それに対
して、図１（ｂ）のようなスリット１１を設けてると、
スリット１１の最低必要な面積分を例えば評価した結
果、封入後のモールド外形面積の３％以上であると効果
が現れる為、その必要な面積だけスリットを設け、かつ
共用しようとする最大リード数の最も外側のリードにあ
わせて形成すれば、図１（ａ）の点線…で示しているデ
バイスホールサイズの変化またはリード数の変化にたい
して最も有効に共用化がはかれる。この為、例えばスリ
ット１１を打ち抜き金型で設ける場合、共用化するパッ
ケージの数だけ金型代の削減が可能となる。
導体チップが搭載されるデバイスホール３からアウター
ホール４に延出されるリード６を半導体チップの電極ピ
ッチと同ピッチで前記デバイスホールとアウターホール
間距離つまりサスペンダー５幅の１／３以上設け、その
終端より、アウターリード６Ｂに接続するように配線を
施す。この配線手法によりサスペンダー５上のコーナー
部に空間を設け、（１），（２），（３），（４）のよ
うなスリット１１を形成する。このスリット１１の形状
は図１（ｂ）に示す如く、そのデバイスホール３側はデ
バイスホール形状と相似するように形成し、その側面は
リード６配線に沿うように形成する。特に、リードあ６
がアウターホール４内のアウターリード６Ｂにθ２の角
度で配線する場合、スリット１１のθ１をθ２＝θ１と
なるように形成する。このスリットは図８に示す如く、
従来の配線手法のまま形成することもあるが、この場
合、例えばリード６の数が増加した場合、もしくはデバ
イスホール３のサイズが大きくなった場合には、スリッ
ト１１を設ける理由が樹脂封入時の諸問題を解決するこ
とにあるためその位置を移動させる必要が頻雑にでてく
るので、スリット１１の共用化は困難である。それに対
して、図１（ｂ）のようなスリット１１を設けてると、
スリット１１の最低必要な面積分を例えば評価した結
果、封入後のモールド外形面積の３％以上であると効果
が現れる為、その必要な面積だけスリットを設け、かつ
共用しようとする最大リード数の最も外側のリードにあ
わせて形成すれば、図１（ａ）の点線…で示しているデ
バイスホールサイズの変化またはリード数の変化にたい
して最も有効に共用化がはかれる。この為、例えばスリ
ット１１を打ち抜き金型で設ける場合、共用化するパッ
ケージの数だけ金型代の削減が可能となる。
【００１６】次に、代２の実施例を図２により説明す
る。この場合は上記のように共用するパッケージのリー
ド６の数があらかじめ決まっている時、側面の角度を設
ける必要がない場合に適用する。
る。この場合は上記のように共用するパッケージのリー
ド６の数があらかじめ決まっている時、側面の角度を設
ける必要がない場合に適用する。
【００１７】また、第３の実施例は、図３に示すよう
に、スリット１１をデバイスホール３と一体とし、より
封入樹脂の上下流動を促進する場合に用いる。
に、スリット１１をデバイスホール３と一体とし、より
封入樹脂の上下流動を促進する場合に用いる。
【００１８】次に第４の実施例を図４により説明する。
第１・２・３の実施例で示したスリット１１に加え、リ
ード配線下にスリット（２）を設けるものである。図４
では、コーナースリット１１と分離しているが、つなが
っていてもよい。また、リード下のスリット（２）はリ
ード６が電極ピッチと同ピッチで配線されている領域に
設けたほうが望ましい。これはリード６の傾斜部にスリ
ットが存在するとリード６の曲がりや垂れが発生し、テ
ープ不良が発生してしまうからである。つまり、不良発
生しない程度でスリット（２）を設ける分には差し支え
ない。
第１・２・３の実施例で示したスリット１１に加え、リ
ード配線下にスリット（２）を設けるものである。図４
では、コーナースリット１１と分離しているが、つなが
っていてもよい。また、リード下のスリット（２）はリ
ード６が電極ピッチと同ピッチで配線されている領域に
設けたほうが望ましい。これはリード６の傾斜部にスリ
ットが存在するとリード６の曲がりや垂れが発生し、テ
ープ不良が発生してしまうからである。つまり、不良発
生しない程度でスリット（２）を設ける分には差し支え
ない。
【００１９】これまで、スリット１１はサスペンダー上
に設けたが、例えばフィルムキャリアテープをトランス
ファモールドする場合は、その樹脂封入口、例えばアウ
ターリードホール横部まで所用のスリットを広げてもよ
い。
に設けたが、例えばフィルムキャリアテープをトランス
ファモールドする場合は、その樹脂封入口、例えばアウ
ターリードホール横部まで所用のスリットを広げてもよ
い。
【００２０】また、上述のスリット１１は、サスペンダ
ー上の４コーナーに設けたが、その結果により、少なく
とも１ヶ所以上を設ければよい。しかしながら、例えば
樹脂封止しないフィルムキャリアパッケージの基板への
実装やＴＡＢｉｎＱＥＰなどのようにアウターリードホ
ール４で切断する場合、その切断時の振動が半導体チッ
プの電極とインナーリードの接合部に伝わることによ
り、また切断時のサスペンダー部の変形による前記接合
部へのストレスにより、ハガレやリードの切れを発生す
ることがある。つまり、このストレスにより、ハガレや
リードの切れを発生することがある。つまり、このスト
レスを緩和する為に、所望の形状のスリットを４ヶ所均
等に設けることが有効である。
ー上の４コーナーに設けたが、その結果により、少なく
とも１ヶ所以上を設ければよい。しかしながら、例えば
樹脂封止しないフィルムキャリアパッケージの基板への
実装やＴＡＢｉｎＱＥＰなどのようにアウターリードホ
ール４で切断する場合、その切断時の振動が半導体チッ
プの電極とインナーリードの接合部に伝わることによ
り、また切断時のサスペンダー部の変形による前記接合
部へのストレスにより、ハガレやリードの切れを発生す
ることがある。つまり、このストレスにより、ハガレや
リードの切れを発生することがある。つまり、このスト
レスを緩和する為に、所望の形状のスリットを４ヶ所均
等に設けることが有効である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フィルム
キャリアテープのサスペンダー部に所望の形状を有する
スリットを設けたことにより、樹脂封入時に生じるサス
ペンダー沈みやモールド後の表面に生じるボイドの発生
を抑制し、製造が高歩留で可能となる。また、アウター
リードと基板もしくはリードフレームのインナーリード
に接合する工程にて発生した接合部のハガレ、リード切
れ等の不良を発生せずに製造可能となる。
キャリアテープのサスペンダー部に所望の形状を有する
スリットを設けたことにより、樹脂封入時に生じるサス
ペンダー沈みやモールド後の表面に生じるボイドの発生
を抑制し、製造が高歩留で可能となる。また、アウター
リードと基板もしくはリードフレームのインナーリード
に接合する工程にて発生した接合部のハガレ、リード切
れ等の不良を発生せずに製造可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すフィルムキャリア
テープの平面図。
テープの平面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示すフィルムキャリア
テープの平面図。
テープの平面図。
【図３】本発明の第３の実施例を示すフィルムキャリア
テープの平面図。
テープの平面図。
【図４】本発明の第４の実施例を示すフィルムキャリア
テープの平面図。
テープの平面図。
【図５】従来の実施例を説明する為の平面図及び断面
図。
図。
【図６】従来の実施例を説明する為の平面図。
【図７】ＴＡＢｉｎＱＥＰの構造を示す断面図。
【図８】本発明を説明する為の平面図。
１ ベースフィルム ２ スプロケットホール ３ デバイスホール ４ アウターリードホール ５ サスペンダー ６ リード ６Ａ インナーリード ６Ａ′ リードフレームインナーリード ６Ｂ アウターリード ７ テストパッド ８ バンプ ９ 金属メッキ １０ 半導体チップ １１ スリット １２ トランスファモールド外形 １３ モールド用スリット １４ ポッティング樹脂 １５ リードフレーム １５Ｉ リードフレームアイランド １６ ペースト １７ 封止樹脂
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−124846（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−154153（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−260343（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−354344（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−95539（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311 W H01L 23/28
Claims (1)
- 【請求項１】 ベースフィルム上に設けられたデバイス
ホールと、前記デバイスホールの周辺に設けられたサス
ペンダー部と、前記サスペンダー部の外周に設けられた
アウターリードホールと、前記デバイスホールから前記
アウターリードホールに延出されるリード配線と、少な
くとも１つの前記サスペンダーのコーナー部に設けられ
たスリットとを有するフィルムキャリアテープにおい
て、 前記リード配線は前記デバイスホールから第１の距離間
は半導体チップの電極ピッチと同ピッチで配線されてそ
れ以降前記アウターリードホールに達する前までの第２
の距離間は放射状に配線され、前記スリットはデバイス
ホール側の形状がデバイスホール形状に相似しその側面
が前記放射状に配線されたリード配線と平行に形成され
たハート型である ことを特徴とするフィルムキャリアテ
ープ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5338593A JP2852178B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フィルムキャリアテープ |
| DE69419127T DE69419127T2 (de) | 1993-12-28 | 1994-12-20 | Filmträgerband für automatische Bandmontage |
| EP94120228A EP0661743B1 (en) | 1993-12-28 | 1994-12-20 | Film carrier tape for use in tape automated bonding |
| KR1019940037558A KR0175676B1 (ko) | 1993-12-28 | 1994-12-27 | 티에이비용 필름캐리어 테이프 |
| US08/364,551 US5686757A (en) | 1993-12-28 | 1994-12-27 | Film carrier tape for use in tape automated bonding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5338593A JP2852178B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フィルムキャリアテープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201925A JPH07201925A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2852178B2 true JP2852178B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=18319635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5338593A Expired - Fee Related JP2852178B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フィルムキャリアテープ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5686757A (ja) |
| EP (1) | EP0661743B1 (ja) |
| JP (1) | JP2852178B2 (ja) |
| KR (1) | KR0175676B1 (ja) |
| DE (1) | DE69419127T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1447098A3 (en) | 1993-01-28 | 2005-06-29 | Boston Scientific Limited | Therapeutic inhibitor of vascular smooth muscle cells |
| JP2891665B2 (ja) | 1996-03-22 | 1999-05-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| US20040061220A1 (en) * | 1996-03-22 | 2004-04-01 | Chuichi Miyazaki | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN1272837C (zh) | 1996-10-17 | 2006-08-30 | 精工爱普生株式会社 | 半导体器件和电路基板 |
| JP3536728B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2004-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置 |
| JP3640155B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2005-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置、回路基板並びに電子機器 |
| JP3360723B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体素子のチップサイズパッケージ |
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