JP3536728B2 - 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置 - Google Patents
半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置Info
- Publication number
- JP3536728B2 JP3536728B2 JP15827999A JP15827999A JP3536728B2 JP 3536728 B2 JP3536728 B2 JP 3536728B2 JP 15827999 A JP15827999 A JP 15827999A JP 15827999 A JP15827999 A JP 15827999A JP 3536728 B2 JP3536728 B2 JP 3536728B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape carrier
- manufacturing
- joint
- recognition
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 119
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 25
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C18/00—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments
- B02C18/0007—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments specially adapted for disintegrating documents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/4985—Flexible insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C18/00—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments
- B02C18/0007—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments specially adapted for disintegrating documents
- B02C2018/0038—Motor drives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
- H01L2224/7965—Means for transporting the components to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
ープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子
機器並びにテープキャリア製造装置に関する。
(Chip Scale/Size Package )が適用されるような小型
の半導体装置の需要が大きい。このような小型の半導体
装置の製造にも、TAB(Tap e Automated Bonding)
技術を適用することができる。TAB技術は、テープキ
ャリアを使用してリール・トゥ・リールの工程を行える
ので、半導体装置の量産に適している。
型の半導体装置を想定して開発されたものではないの
で、さらに改良の余地がある。
される半導体装置は、アウターリードを外部電極とする
が、CSPでは、ハンダボールを外部電極とする。TA
B技術の特徴を生かしながら、ハンダボールを効率的に
設ける方法は、これまでには開発されていなかった。
るテープキャリアの一部に、不良が生じる場合には、不
良個所を切り取ってつなぎ合わせることが必要になる。
配線パターンが密集したテープキャリアでは、切断を配
線パターン上で行わねばならないが、つなぎ目には、つ
なぐための粘着テープなどが設けられる。そのため、つ
なぎ目には半導体チップの搭載やハンダボールの形成を
行えないが、リール・トゥ・リールの工程は連続的に行
われるので、この領域だけを避けることができなかっ
た。
り、その目的は、半導体装置を効率的に製造する方法、
その方法により製造される半導体装置、その方法に用い
られるテープキャリア及びその製造方法、回路基板、電
子機器並びにテープキャリア製造装置を提供することに
ある。
プキャリアの製造方法は、マトリクス状に形成されてな
るボンディング部と少なくとも1種類の認識マークとを
有するテープキャリアを検査する検査工程と、前記検査
工程で発見された不良個所が位置する部分を除去した
後、前記テープキャリアをつなぎ合わせる工程と、前記
つなぎ合わせる工程で形成されたつなぎ目が位置するマ
トリクスを区画するつなぎ目マークを形成する工程と、
を含む。
つの半導体素子が接続される。ボンディング部とは、個
々の半導体素子を接続する部分のことで、例えば、半導
体素子の電極が接合されるランドと、外部電極を形成す
るためのランドと、これらのランドを接続する配線など
を含んでもよい。
に、複数のボンディング部が並べて形成されているの
で、幅方向に複数の半導体素子を搭載することができ、
半導体装置を量産することができる。また、認識マーク
によって区画されるマトリクスごとに、製造工程を進め
ることができる。
査によって発見された不良個所が切断されて、再びつな
ぎ合わされる。その結果、テープキャリアには、つなぎ
目が形成されるが、このつなぎ目が位置するマトリクス
を、つなぎ目マークが表示する。したがって、つなぎ目
マークにて区画されるマトリクスを除いて、その後の工
程を行えば、つなぎ目に設けられる粘着テープなどによ
りハンダボールが流動することを防止できる。こうし
て、半導体装置を効率的に量産することができる。
目マークは、前記認識マークを打ち抜いて形成されても
よい。
ークは、前記ボンディング部と同一材料で同一の方法で
同時に形成されてもよい。
簡単に認識マークを形成することができる。
キャリアは、形状の異なる少なくとも2種類の前記認識
マークを有し、異なる検査手段により前記認識マークを
検出してもよい。
は、マトリクス状に形成された複数のボンディング部と
少なくとも2種類の認識マークとを有するテープキャリ
アを検査する検査工程と、前記検査工程で発見された前
記テープキャリアの不良個所を除去した後、前記テープ
キャリアをつなぎ合わせる工程と、前記つなぎ合わせる
工程で形成されたつなぎ目が位置するマトリクスを区画
するつなぎ目マークを形成する工程と、前記つなぎ目マ
ークにて区画された領域を除いて、前記複数のボンディ
ング部のそれぞれに、複数の半導体素子のそれぞれを電
気的に接続する工程と、を含む。
に、複数のボンディング部が並べて形成されており、そ
れぞれのボンディング部に半導体素子を搭載するので、
幅方向に複数の半導体素子が搭載されることになり、半
導体装置を量産することができる。
リクスごとに、製造工程を進めることができる。
て発見された不良個所が切断されて、再びつなぎ合わさ
れる。その結果、テープキャリアには、つなぎ目が形成
されるが、このつなぎ目が位置するマトリクスを、つな
ぎ目マークが表示する。そして、つなぎ目マークにて区
画されるマトリクスを除いて、それぞれのボンディング
部に半導体素子が搭載される。
て、前記つなぎ目マークにて区画された前記領域を除い
て、それぞれのマトリクスごとに、複数の半導体素子に
ついての複数の外部電極を同時に形成する工程と、を含
んでもよい。
に、複数の半導体素子について複数の外部電極を同時に
形成する。複数の半導体素子について外部電極を同時に
形成することで、量産性が向上する。また、この工程
は、つなぎ目マークにて区画される領域を除いて行われ
る。したがって、つなぎ目に設けられる粘着テープなど
によりハンダボールが流動することを防止できる。こう
して、半導体装置を効率的に量産することができる。
て、前記少なくとも2種類の認識マークは形状が異な
り、異なる検査手段により前記認識マークを検出しても
よい。
トリクス状にボンディング部が基板上に形成されてなる
テープキャリアであって、前記ボンディング部を、複数
行複数列で規則的に区画する認識マークが形成されてな
る。
に、複数のボンディング部が並べて形成されているの
で、幅方向に複数の半導体素子を搭載することができ、
半導体装置を量産することができる。また、認識マーク
によって区画されるマトリクスごとに、製造工程を進め
ることができる。
された部分が接続されることで、つなぎ目が形成されて
なり、前記つなぎ目を有する区画部分には、つなぎ目マ
ークが形成されてもよい。
査によって発見された不良個所が切断されて再びつなぎ
合わされるなどして、テープキャリアにつなぎ目が形成
されている。また、つなぎ目が位置するマトリクスを、
つなぎ目マークが表示する。したがって、つなぎ目マー
クにて区画されるマトリクスを除いて、その後の工程を
行えば、つなぎ目に設けられる粘着テープなどによりハ
ンダボールが流動することを防止できる。こうして、半
導体装置を効率的に量産することができる。
記つなぎ目マークは、前記認識マークを打ち抜いて形成
されてもよい。
形成できるとともに、認識マーク及びつなぎ目マークを
同時に認識することができる。
状の異なる少なくとも2種類の前記認識マークを有し、
異なる検査手段により前記認識マークを検出してもよ
い。
方法により製造される。
導体装置が実装されたものである。
路基板を有する。
装置は、複数の認識マークを有するテープキャリアを搬
送するための搬送手段と、前記複数の認識マークを検出
するための複数の検出手段とを少なくとも有するテープ
キャリア製造装置において、前記複数の検出手段は、異
なる検出方法により認識マークを検出する検出装置であ
る。
いて、前記複数の検出手段のうちの1つは、光による検
出をするための検出装置であってもよい。
いて、前記複数の検出手段のうちの1つは、画像処理に
よる検出をするための検出装置であってもよい。
ークによって認識することができる。
いて、前記複数の検出手段のうちの1つは、ピンによる
検出をするための検出装置であってもよい。
ークによって認識することができる。
について図面を参照して説明する。本実施の形態は、本
発明を適用した半導体装置の製造方法に係るもので、以
下、テープキャリアの製造までの工程と、テープキャリ
アの製造後の工程と、に分けて説明する。
〜図6は、本発明を適用した半導体装置の製造方法にお
けるテープキャリアの製造までの工程を示す図である。
ア10が使用される。図2は図1のII−II線断面図であ
り、図3は図1のIII−III線断面図である。また、各図
面では、説明のために部材の厚みや大きさの比率が実際
のものとは異なるが、本発明はこの比率に限定されるも
のではない。
状の基板12と、基板12の少なくとも一方の面に形成
された複数のボンディング部14と、で構成され、図示
しないリールに巻き取られて用意される。なお、テープ
キャリア10は、基板12に銅箔などの導電箔が接着剤
にて貼り付けられた後、エッチング法などでボンディン
グ部14が形成された3層テープであっても、接着剤を
使用しない2層テープであってもよい。2層テープで
は、スパッタリング等により基板に銅などの導電性の膜
を被着し、これをエッチングしてボンディング部14が
形成されるか、銅箔などの導電箔上にポリイミド樹脂等
の基板となるワニスを塗布してキュアした後、ボンディ
ング部14が形成される。
用される有機系又は樹脂系の材料から形成することがで
きるが、可撓性があれば材料は限定されない。可撓性
は、3層テープよりも、接着剤のない2層テープが一般
的に優れている。さらに、可撓性を増すために、TAB
等で行われるようにして部分的なパンチング、オーバー
ハング等を付加しても良い。
向に沿って連続的にスプロケットホール16が形成され
ている。スプロケットホール16は、テープキャリア1
0を巻き取ったり引き出すときに、図示しないスプロケ
ットに噛み合うようになっている。
に、スルーホール18が形成されている。通常は、ボン
ディング部14の形成面とは逆の面(第2面)に形成さ
れるハンダボールの一部がスルーホール中に入り、ボン
ディング部14と、ハンダボール及びハンダボールが露
出する第2面と、の電気的導通が図られる。別の例とし
ては、図2に示されるように、スルーホール18の内面
に、金や銅などの導電部材19をメッキし、開口部にお
いて、ボンディング部14が導電部材19に電気的に接
続されていてもよい。こうすることで、基板12の一方
の面に形成されたボンディング部14から、スルーホー
ル18の導電部材19を介して電気的に接続をとって、
第2面にハンダボール38(図10参照)を形成するよ
うにしてもよい。これにともなって、第2面側にも、ボ
ンディング部及びハンダボールを受けるランドを形成し
た両面基板を採用してもよい。
に複数形成され、かつ、基板12の長さ方向に繰り返し
て形成されている。一つのボンディング部14には、一
つの半導体素子32(図8(A)参照)が接続される。
ボンディング部14とは、個々の半導体素子32を接続
する部分のことで、例えば、半導体素子32の電極34
が接合されるランドと、外部電極38(図10参照)を
形成するためのランドと、これらのランドを接続する配
線などを含む。なお、図1には、ボンディング部14の
形成領域のみが示されており、詳細を省略してある。そ
れぞれのボンディング部14は、個々の半導体素子32
(図8(A)参照)に対応して、配線パターン及びラン
ドが形成されている。したがって、本実施の形態では、
基板12の幅方向に複数のボンディング部14が形成さ
れているので、基板12の幅方向に複数の半導体素子3
2が搭載される。また、基板12の長さ方向に繰り返し
てボンディング部14が形成されているので、基板12
の長さ方向に繰り返して半導体素子32が搭載される。
ディング部14の位置を認識するための位置決め穴20
が形成されている。詳しくは、位置決め穴20は、基板
12の幅方向に並ぶ一行のボンディング部14のうち、
基板12の幅方向の両外側に位置するボンディング部1
4の、さらに外側に形成されている。また、ボンディン
グ部14の2つの角部付近に一対の位置決め穴20が形
成されている。このように形成された位置決め穴20に
よって、基板12の幅方向に並ぶ一行のボンディング部
14の位置を認識することができる。
認識マーク22が形成されている。認識マーク22は、
複数行複数列で並ぶボンディング部14にて構成される
マトリクス13を区画して認識できるようにする。本実
施の形態では、基板12の長さ方向に4つで基板12の
幅方向に5つの、4×5個のボンディング部14がマト
リクス13となっている。このマトリクス13を区画す
るように、一対のL字状の認識マーク22が形成されて
いる。
的)に認識できるものであるが、検出装置によって検出
するには向いていない場合がある。その場合には、機械
的に認識できる認識マーク27を形成してもよい。例え
ば、穴によって、機械的に認識できる認識マーク27を
形成してもよい。この場合、検出ピンによってあるいは
光の通過によって、認識マーク27の存在を検出するこ
とができる。
ア10を搬送するための搬送手段(例えば図4に示すリ
ール24)や、認識マーク22を画像処理により認識す
るための検査装置(例えばカメラ25)や、認識マーク
27を検出するためのピン29や、認識マーク27を光
によって検査装置(例えば受光素子31)などを含むこ
とが好ましい。
ス13を規則的に繰り返して区画する。例えば、一対の
認識マーク22は、ボンディング部14のうちの基板1
2の幅方向の一行を飛ばして、マトリクス13を区画し
ている。言い換えると、一対の認識マーク22にて区画
されたマトリクス13と、その隣で一対の認識マーク2
2にて区画されたマトリクス13との間には、幅方向一
行のボンディング部14が残るようになっている。この
区画から外れるのは、テープキャリア10のいずれかの
幅方向一行のボンディング部14を基準として、長さ方
向に自然数n×定数k番目の幅方向一行のボンディング
部14である。例えば、図1に示す本実施の形態では、 k=5 である。したがって、いずれかの一行のボンディング部
14を基準として、長さ方向に、5、10、15、2
0、…番目の一行のボンディング部14が、一対の認識
マーク22による区画からはずれる。
14のいずれかは、切断領域として利用することもでき
るが、本実施の形態では、特に必要なものではない。し
たがって、一行のボンディング部14を残さずに、マト
リクス13を区画してもよい。
るマトリクス13を構成するボンディング部14の個数
及び認識マーク22の形状は、任意に決めることができ
る。また、2層テープが使用される場合には、認識マー
ク22は、ボンディング部14の形成と同時に、ボンデ
ィング部14と同じ材料で形成することができる。
程にかけられる。この検査工程では、ボンディング部1
4などの不良を検査する。そして、多数製品にまたがる
ようなテープキャリアの不良が発見されたような場合、
不良個所は切断される。
する工程を示す図である。同図に示すように、テープキ
ャリア10は、リール24に巻き取られて用意されてい
る。そしてテープキャリア10を、リール24から引き
出して、カッターなどの切断治具26にて不良個所28
を切断して除去する。図5には、テープキャリア10か
ら不良個所28が除去される工程が示されている。図5
に示されるように、2つの切断治具を用いて一度に不良
個所を除去しても良いし、1つの切断治具を2回用いて
不良個所を除去しても良い。
にて区画された領域内で、テープキャリア10を切断す
る。詳しくは、切断されたテープキャリア10が再度つ
なぎ合わされたときに、マトリクス13の規則的な繰り
返しが維持される位置で切断を行う。すなわち、不良個
所28を除去するために2箇所でテープキャリア10を
切断するときに、一方の切断端部に最も近い認識マーク
22と、他方の切断端部に最も近い認識マーク22と
で、上述したマトリクス13を区画する位置で、テープ
キャリア10を切断する。しかも、本実施の形態では、
隣同士のマトリクス13間に一行のボンディング部14
が配置させる。こうすることで、マトリクス13の規則
的な繰り返しが維持され、その後の規則的な工程、特に
テープ・トゥ・リールの工程を行うことができる。
プキャリア10をつなぎ合わせる。詳しくは、図5に示
す不良個所28を除去して、切断部同士を接続して、図
示しない粘着テープなどを貼り付ける。切断部同士を重
ねずに切断端面同士を接触させて、切断部の表裏少なく
ともいずれか一方の面に粘着テープで貼り付ければ、テ
ープキャリア10の基板12の段差が生じない。一般的
に、粘着テープの貼り付けられた場所及びその付近は、
実装基板として機能しなくなる。
ア10によれば、つなぎ目21が形成されている。本実
施の形態では、つなぎ目21を認識しやすくするため
に、つなぎ目マーク23を形成する。つなぎ目マーク2
3は、例えば認識マーク22を打ち抜くことで形成でき
る。この場合には、つなぎ目マーク23は、認識マーク
22の機能を兼ねる。なお、つなぎ目マーク23は、切
断されたテープキャリア10がつなぎ合わされてから形
成してもよいが、その前に形成してもよい。例えば、図
5に示すようにテープキャリア10から不良個所28が
切断除去された後、テープキャリア10がつなぎ合わさ
れる前に、つなぎ目マーク23を形成してもよい。ある
いは、検査工程で、不良個所が発見された後で切断前
に、予めつなぎ合わされることになる位置を把握して、
つなぎ目マーク23を形成してもよい。
ことで、このつなぎ目マーク23を例えば光電センサで
認識させ、後の工程の機械に自動的につなぎ目21を認
識させることができる。すなわち、実装不能マトリクス
を認識させることができる。
0において、つなぎ目21が位置するマトリクス13
も、他のマトリクス13と同様に、4×5個のボンディ
ング部14が配置されている。さらに、隣同士のマトリ
クス13間に1行のボンディング部14が形成されてい
るだけで、不規則な間隔が形成されない。すなわち、テ
ープキャリア10は、粘着テープなどで接続されたつな
ぎ目21が形成され、このつなぎ目21の存在を示すつ
なぎ目マーク23が形成されている点を除いて、図1に
示すテープキャリア10と変わりがない。
2層又は3層テープのほかに、両面配線テープ、ビルド
アップ配線テープ、ガラスエポキシ系テープなど、リー
ルで供給可能なものであればいずれのものを使用しても
よい。言い換えると、テープの材料にはリールで巻き取
りが可能な程度のフレキシブル性を有する材料で且つ配
線形成が可能な材料であれば、いかなるものでもよい。
図7〜図13は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法におけるテープキャリアの製造後の工程を示す図であ
る。
所28(図5参照)の除去及び再つなぎが行われたテー
プキャリア10に異方性導電膜を設ける。
設ける工程を示す図である。テープキャリア10は、図
7に示すように、リール24に巻かれて用意され、他の
リール24にて巻き取られるようになっている。すなわ
ち、本実施の形態では、リール・トゥ・リールの工程が
適用される。そして、2つのリール24間で、異方性導
電膜30が、テープキャリア10に貼り付けられる。こ
の場合には、異方性導電膜30は、テープ状をなしてリ
ール124に巻かれて用意されることが好ましい。そし
て、テープキャリア10に連続的に異方性導電膜30を
貼り付けたら一旦テープキャリア10を巻き取る。
インダ)に導電粒子(導電フィラー)が分散されたもの
で、分散剤が添加される場合もある。異方性導電膜30
は、予めシート状に形成されてからテープキャリア10
に貼り付けてもよく、あるいは液状のまま設けてもよ
い。なお、異方性導電膜30の接着剤として、熱硬化性
の接着剤が使用されることが多い。異方性導電膜30
は、少なくとも各ボンディング部14上に設けられる。
また、異方性導電膜30は、つなぎ目マーク23によっ
てつなぎ目21が存在することを示しているマトリクス
13を構成するボンディング部14を避けて設けても良
い。
電膜30上に、複数の半導体素子32を載せる。上述し
たように、テープキャリア10には、マトリクス13を
構成する複数行複数列でボンディング部14が形成され
ており、各ボンディング部14上に個々の半導体素子3
2を載せる。ただし、つなぎ目マーク23にて区画され
たマトリクス13を構成するボンディング部14上には
半導体素子32を載せない。
られており、電極34が設けられた面36を異方性導電
膜30上に載せる。また、ボンディング部14は、電極
34の配置に応じた形状になっており、電極34を位置
合わせして半導体素子32を載せる。その位置合わせに
は、位置決め穴20を利用することができる。なお、ボ
ンディング部14には、電極34に対応する位置に、他
の部分よりも幅の広いランドが形成されることが好まし
い。
を1個ずつ載せてもよいし、複数の半導体素子32を同
時に載せてもよい。例えば、マトリクス13を構成する
複数のボンディング部14に対応する個数の半導体素子
32を同時に載せてもよい。
34が形成されたものであっても、四辺に電極34が形
成されたものでもよい。電極34は、金又はハンダ等の
突起をAlパッド上に設けたものを用いることが多い
が、ボンディング部14に突起を設けたり又はボンディ
ング部14をエッチングして突起を形成してもよい。
34が形成された面36と、矩形基板のボンディング部
14が形成された面と、の間に異方性導電膜30が介在
する。半導体素子32を1個ずつ載せる場合であって
も、全ての半導体素子32を載せ終えてから次の工程に
進むことが好ましい。また、以上の工程を一旦を終え
て、リール24にてテープキャリア10を巻き取ってか
ら、次の工程に進むことが好ましい。
を、半導体素子32の電極34が形成された面36とは
反対の面に押しつけて、半導体素子32をボンディング
部14の方向に加圧する。治具40は、図示しないヒー
タを内蔵しており、半導体素子32を加熱する。なお、
図示するように、複数の半導体素子32を一括圧着して
も良いし、各半導体素子32を1個づつ圧着してもよ
い。
ボンディング部14とは、異方性導電膜30の導電粒子
を介して電気的に導通する。本実施形態によれば、異方
性導電膜30によってボンディング部14と電極34と
を電気的に導通させるのと同時に、半導体素子32と基
板12の間の樹脂充填を同時に行えるので、信頼性及び
生産性に優れた方法で半導体装置を製造することができ
る。
加熱されているので、異方性導電膜30の接着剤は、少
なくとも半導体素子32の面36との接触領域において
硬化する。ただし、熱硬化性の接着剤が使用されている
ことが前提となる。異方性導電膜30の硬化メカニズム
が異なれば、それに応じたエネルギー印加手段を用い
て、異方性導電性を発現させる。
プキャリア10を示す図である。同図において、上述し
たように、つなぎ目マーク23によってつなぎ目21が
位置することを示しているマトリクス13を構成するボ
ンディング部14には、半導体素子32が搭載されてい
ない。また、隣同士のマトリクス13間で、基板12の
幅方向一行のボンディング部14上にも半導体素子32
が搭載されていない。この状態で、テープキャリア10
をリール24に巻き取って次に工程に進む。
は、工程検査用として、半導体素子を実装することとし
ても良いし、その場所全てを不良個所として、半導体素
子を実装しないか、または全て不良の半導体素子を実装
することとしてもよい。いずれにしろ、予めつなぎ目マ
ーク23を検出する手段を用意し、このつなぎ目マーク
23を検出したらどうするかの手順を決めておく。
ア10に外部電極を設ける。外部電極としてハンダボー
ル38が使用される。ハンダボール38は、テープキャ
リア10の基板12におけるボンディング部14とは反
対側の面で、スルーホール18上に搭載されて、スルー
ホール18の内面に形成された導電部材19に電気的に
接続される。この場合には、位置決め穴20を利用し
て、ハンダボール38の位置合わせを行うことができ
る。なお、テープキャリア10には、導電部材19に接
続されるランドを、ハンダボール38が搭載される面に
形成してもよい。
22にて区画されたマトリクス13ごとに、対応する複
数の半導体素子32について、同時にハンダボール38
を搭載する。すなわち、マトリクス13を構成する4×
5個のボンディング部14についての全てのハンダボー
ル38を、同時に搭載する。こうすることで、ハンダボ
ール38の搭載に要する時間を短縮し、量産性を向上す
ることができる。
13を単位として、ハンダボール38を搭載するが、図
9に示すつなぎ目21の上は、粘着テープなどが存在す
るため、ハンダボール38を搭載することができない。
このつなぎ目21の付近のみを避けてハンダボール38
を搭載することも考えられるが、その場合には、マトリ
クス13を単位として工程を処理することができない。
の位置するマトリクス13については、つなぎ目マーク
23を検出する手段を工程中で用意して、つなぎ目21
の位置するボンディング部14のみならず、そのマトリ
クス13の全体にハンダボールを搭載しない。すなわ
ち、図9に示すつなぎ目マーク23にて区画されたマト
リクス13については、ハンダボール38を搭載しな
い。そして、つなぎ目21の位置するマトリクス13を
除くマトリクス13について、ハンダボール38を搭載
する。こうすることで、つなぎ目21に設けられた粘着
テープなどの上に、ハンダボール38を搭載することを
避けることができる。その結果、ハンダボール38が他
の部分に流れてボンディング部14をショートさせるこ
とを防止できる。
の代わりに、例えば印刷法によりクリームハンダを設け
てもよい。
38が設けられたテープキャリア10は、リール24に
巻き取られて次の工程に進む。なお、必要に応じて、ハ
ンダボール38の形成後、洗浄、マーキング及びキュア
を行う。これらの工程でも、必要に応じて位置決め穴2
0を利用して位置合わせを行うことができる。
テープキャリア10には、各ボンディング部14ごとに
半導体素子32が搭載されている。また、半導体素子3
2の電極34とボンディング部14とが異方性導電膜3
0を介して電気的に接続されている。基板12における
ボンディング部14とは反対側の面に、スルーホール1
8の内面の導電部材19を介してボンディング部14に
電気的に接続される版だボール38が設けられている。
したがって、複数行複数列の半導体素子32のそれぞれ
のついて、電極34に電気的に接続されるハンダボール
38を有する。したがって、各半導体素子32ごとに、
半導体装置が構成されている。したがって、個々の半導
体素子32ごとに、テープキャリア10を個片に打ち抜
くと、この個片が完成品としての半導体装置となる。テ
ープキャリア10を打ち抜くときには、位置決め穴20
を利用して、位置合わせを行うことができる。
ち抜く工程を示す図である。同図において、基板12に
おける各半導体素子32の周囲を、固定刃等の固定治具
44が挟んで固定している。そして、可動刃等の可動治
具46にて、半導体素子32の周囲を打ち抜く。こうし
て、個片すなわち半導体装置50が得られる。
て、外観検査、電気特性の検査、バーンイン等を行う。
によってボンディング部14と電極34とを電気的に導
通させるので、信頼性及び生産性に優れた方法で半導体
装置50を製造することができる。また、テープキャリ
ア10の幅方向には、複数のボンディング部14が並べ
て形成され、各ボンディング部14ごとに半導体素子3
2が接続される。したがって、マトリクス状に複数の半
導体素子32が搭載されるので、本実施の形態は、半導
体装置50の量産に適している。
取られて用意され、異方性導電膜30の貼り付け、半導
体素子32の搭載及び押圧、外部電極38の形成、個片
への打ち抜きがリール・トゥ・リールで行われる。な
お、このような全ての工程をリール・トゥ・リールで行
うのではなく、いずれかの時点で、テープキャリア10
を矩形基板に切断してもよい。切断の時期は、例えば、
異方性導電膜30を設けた後で半導体素子32を載せる
前、半導体素子32を載せた後で半導体素子32を押圧
する前、半導体素子32を押圧した後でハンダボール3
8を搭載する前、ハンダボール39を搭載した後で個片
に打ち抜く前のいずれの時点でもよい。矩形基板への切
断位置として、隣同士のマトリクス13間に形成された
幅方向1行のボンディング部14上を選択してもよい。
22によって区画されるマトリクス13ごとに、製造工
程を進めることができる。例えば、それぞれのマトリク
ス13ごとに、複数の半導体素子32について複数のハ
ンダボール38を同時に形成することができる。複数の
半導体素子32についてハンダボール38を同時に形成
することで、量産性が向上する。また、この工程でも、
つなぎ目マーク23を検出する手段を用意し、つなぎ目
マーク23にて区画されるマトリクス13を除いて行わ
れる。したがって、つなぎ目21に設けられる粘着テー
プなどによりハンダボール38が流動することを防止で
きる。こうして、半導体装置50を効率的に量産するこ
とができる。
によって製造された半導体装置1100を実装した回路
基板1000が示されている。回路基板1000には例
えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが
一般的である。回路基板1000には、例えば銅からな
るボンディング部が所望の回路となるように形成されて
いる。そして、ボンディング部と半導体装置1100の
外部電極とを機械的に接続することでそれらの電気的導
通が図られる。
ベアチップにて実装する面積にまで小さくすることがで
きるので、この回路基板1000を電子機器に用いれば
電子機器自体の小型化が図れる。また、同一面積内にお
いてはより実装スペースを確保することができ、高機能
化を図ることも可能である。
子機器として、図14には、ノート型パーソナルコンピ
ュータ1200が示されている。
々の面実装用の電子部品に本発明を応用することもでき
る。電子部品として、例えば、抵抗器、コンデンサ、コ
イル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バ
リスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
法におけるテープキャリアの製造までの工程を示す図で
ある。
法におけるテープキャリアの製造までの工程を示す図で
ある。
法におけるテープキャリアの製造までの工程を示す図で
ある。
法におけるテープキャリアの製造までの工程を示す図で
ある。
法におけるテープキャリアの製造までの工程を示す図で
ある。
法におけるテープキャリアの製造までの工程を示す図で
ある。
法におけるテープキャリアの製造後の工程を示す図であ
る。
た半導体装置の製造方法におけるテープキャリアの製造
後の工程を示す図である。
法におけるテープキャリアの製造後の工程を示す図であ
る。
造方法におけるテープキャリアの製造後の工程を示す図
である。
造方法におけるテープキャリアの製造後の工程を示す図
である。
造方法におけるテープキャリアの製造後の工程を示す図
である。
装された回路基板を示す図である。
装された回路基板を備える電子機器を示す図である。
Claims (18)
- 【請求項1】 マトリクス状に形成されてなるボンディ
ング部と少なくとも1種類の認識マークとを有するテー
プキャリアを検査する検査工程と、 前記検査工程で発見された不良個所が位置する部分を除
去した後、前記テープキャリアをつなぎ合わせる工程
と、 前記つなぎ合わせる工程で形成されたつなぎ目が位置す
るマトリクスを区画するつなぎ目マークを形成する工程
と、 を含むテープキャリアの製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載のテープキャリアの製造方
法において、 前記つなぎ目マークは、前記認識マークを打ち抜いて形
成されるテープキャリアの製造方法。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2記載のテープキャ
リアの製造方法において、 前記認識マークは、前記ボンディング部と同一材料で同
一の方法で同時に形成されるテープキャリアの製造方
法。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
のテープキャリアの製造方法において、 前記テープキャリアは、形状の異なる少なくとも2種類
の前記認識マークを有し、異なる検査手段により前記認
識マークを検出するテープキャリアの製造方法。 - 【請求項5】 マトリクス状に形成された複数のボンデ
ィング部と少なくとも2種類の認識マークとを有するテ
ープキャリアを検査する検査工程と、 前記検査工程で発見された前記テープキャリアの不良個
所を除去した後、前記テープキャリアをつなぎ合わせる
工程と、 前記つなぎ合わせる工程で形成されたつなぎ目が位置す
るマトリクスを区画するつなぎ目マークを形成する工程
と、 前記つなぎ目マークにて区画された領域を除いて、前記
複数のボンディング部のそれぞれに、複数の半導体素子
のそれぞれを電気的に接続する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 請求項5記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記つなぎ目マークにて区画された前記領域を除いて、
それぞれのマトリクスごとに、複数の半導体素子につい
ての複数の外部電極を同時に形成する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 請求項5又は請求項6記載の半導体装置
の製造方法において、 前記少なくとも2種類の認識マークは形状が異なり、異
なる検査手段により前記認識マークを検出する半導体装
置の製造方法。 - 【請求項8】 マトリクス状にボンディング部が基板上
に形成されてなるテープキャリアであって、 前記ボンディング部を、複数行複数列で規則的に区画す
る認識マークが形成されてなるテープキャリア。 - 【請求項9】 請求項8記載のテープキャリアにおい
て、 切断された部分が接続されることで、つなぎ目が形成さ
れてなり、 前記つなぎ目を有する区画部分には、つなぎ目マークが
形成されたテープキャリア。 - 【請求項10】 請求項9記載のテープキャリアにおい
て、 前記つなぎ目マークは、前記認識マークを打ち抜いて形
成されるテープキャリア。 - 【請求項11】 請求項8から請求項10記載のテープ
キャリアにおいて、 形状の異なる少なくとも2種類の前記認識マークを有
し、異なる検査手段により前記認識マークを検出するテ
ープキャリア。 - 【請求項12】 請求項5から請求項7のいずれかに記
載の方法により製造された半導体装置。 - 【請求項13】 請求項12記載の半導体装置が実装さ
れた回路基板。 - 【請求項14】 請求項13記載の回路基板を有する電
子機器。 - 【請求項15】 複数の認識マークを有するテープキャ
リアを搬送するための搬送手段と、前記複数の認識マー
クを検出するための複数の検出手段とを少なくとも有す
るテープキャリア製造装置において、 前記複数の検出手段は、異なる検出方法により認識マー
クを検出する検出装置であるテープキャリア製造装置。 - 【請求項16】 請求項15記載のテープキャリア製造
装置において、 前記複数の検出手段のうちの1つは、光による検出をす
るための検出装置であるテープキャリア製造装置。 - 【請求項17】 請求項15又は請求項16記載のテー
プキャリア製造装置において、 前記複数の検出手段のうちの1つは、画像処理による検
出をするための検出装置であるテープキャリア製造装
置。 - 【請求項18】 請求項15から請求項17のいずれか
に記載のテープキャリア製造装置において、 前記複数の検出手段のうちの1つは、ピンによる検出を
するための検出装置であるテープキャリア製造装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15827999A JP3536728B2 (ja) | 1998-07-31 | 1999-06-04 | 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置 |
US09/358,537 US6200824B1 (en) | 1998-07-31 | 1999-07-22 | Semiconductor device and tape carrier, and method of manufacturing the same, circuit board, electronic instrument, and tape carrier manufacturing device |
TW088112716A TW452946B (en) | 1998-07-31 | 1999-07-27 | Tape carrier and the manufacturing method thereof, tape carrier manufacturing device and manufacturing method for semiconductor device |
TW090112935A TW535267B (en) | 1998-07-31 | 1999-07-27 | Semiconductor device |
KR10-1999-0031345A KR100509299B1 (ko) | 1998-07-31 | 1999-07-30 | 반도체 장치 및 테이프 캐리어의 제조 방법 |
CNB991118863A CN1171299C (zh) | 1998-07-31 | 1999-08-02 | 半导体装置和载带及其制造方法、电路基板、电子装置 |
US09/768,165 US6506980B2 (en) | 1998-07-31 | 2001-01-24 | Semiconductor device and tape carrier, and method of manufacturing the same, circuit board, electronic instrument, and tape carrier manufacturing device |
US10/303,829 US20030075795A1 (en) | 1998-07-31 | 2002-11-26 | Semiconductor device and tape carrier, and method of manufacturing the same, circuit board, electronic instrument, and tape carrier manufacturing device |
KR1020050007118A KR100555337B1 (ko) | 1998-07-31 | 2005-01-26 | 테이프 캐리어 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-230342 | 1998-07-31 | ||
JP23034298 | 1998-07-31 | ||
JP15827999A JP3536728B2 (ja) | 1998-07-31 | 1999-06-04 | 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000106387A JP2000106387A (ja) | 2000-04-11 |
JP3536728B2 true JP3536728B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=26485452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15827999A Expired - Fee Related JP3536728B2 (ja) | 1998-07-31 | 1999-06-04 | 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6200824B1 (ja) |
JP (1) | JP3536728B2 (ja) |
KR (2) | KR100509299B1 (ja) |
CN (1) | CN1171299C (ja) |
TW (2) | TW535267B (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6100113A (en) * | 1998-07-13 | 2000-08-08 | Institute Of Microelectronics | Very thin multi-chip-package and method of mass producing the same |
JP3536728B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2004-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置 |
US6133634A (en) * | 1998-08-05 | 2000-10-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | High performance flip chip package |
WO2000054323A1 (fr) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Seiko Epson Corporation | Substrat de cablage flexible, bande porte-puce, dispositif a semiconducteur de type bandes, dispositif a semiconducteur, procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, carte de circuit imprime, et appareil electronique |
US7247035B2 (en) * | 2000-06-20 | 2007-07-24 | Nanonexus, Inc. | Enhanced stress metal spring contactor |
US7382142B2 (en) | 2000-05-23 | 2008-06-03 | Nanonexus, Inc. | High density interconnect system having rapid fabrication cycle |
US6812718B1 (en) | 1999-05-27 | 2004-11-02 | Nanonexus, Inc. | Massively parallel interface for electronic circuits |
JP3544895B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
US7952373B2 (en) * | 2000-05-23 | 2011-05-31 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
JP2004501517A (ja) * | 2000-06-20 | 2004-01-15 | ナノネクサス インコーポレイテッド | 集積回路をテスト及びパッケージングするためのシステム |
JP4475761B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-06-09 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体パッケージ用絶縁フィルム及びその製造方法 |
US6576496B1 (en) | 2000-08-21 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for encapsulating a multi-chip substrate array |
JP2002190674A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Sony Chem Corp | 多層フレキシブル配線板の製造方法 |
US6668449B2 (en) * | 2001-06-25 | 2003-12-30 | Micron Technology, Inc. | Method of making a semiconductor device having an opening in a solder mask |
US6894374B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package insulation film and manufacturing method thereof |
US6977436B2 (en) * | 2002-02-14 | 2005-12-20 | Macronix International Co. Ltd. | Semiconductor packaging device |
US6570263B1 (en) * | 2002-06-06 | 2003-05-27 | Vate Technology Co., Ltd. | Structure of plated wire of fiducial marks for die-dicing package |
JP3716413B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2005-11-16 | 三井金属鉱業株式会社 | 電子部品実装用フィルムキャリアテープの検査装置および検査方法 |
WO2006112383A1 (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子回路装置およびその製造方法 |
CN101460897B (zh) * | 2006-06-07 | 2013-03-27 | 株式会社V技术 | 曝光方法以及曝光装置 |
JP4378387B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2009-12-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP4386929B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2009-12-16 | 日東電工株式会社 | Tab用テープキャリアの製造方法 |
CA2694713C (en) * | 2007-07-27 | 2013-01-15 | Saint-Gobain Abrasifs | Abrasive products with splice marks and automated splice detection |
DE102007046520A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Flächenelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Flächenelementes |
DE102008016830A1 (de) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Smartrac Ip B.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Applikation eines Chipmoduls |
US8430264B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-04-30 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
US8205766B2 (en) * | 2009-05-20 | 2012-06-26 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
CN102157390B (zh) * | 2011-01-25 | 2013-03-27 | 日月光半导体(昆山)有限公司 | 自动去除半导体封装不良品的机台及方法 |
US20140332940A1 (en) * | 2013-05-07 | 2014-11-13 | Sts Semiconductor & Telecommunications Co., Ltd. | Quad Flat No-Lead Integrated Circuit Package and Method for Manufacturing the Package |
JP6193665B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-09-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN105323945A (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-10 | 讯忆科技股份有限公司 | 智能卡晶片连续条状载板及所用的长条带与形成方法 |
CN105329850B (zh) * | 2015-10-21 | 2017-03-08 | 美新半导体(无锡)有限公司 | 圆片级芯片尺寸封装的测试方法 |
JP6848244B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2021-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
TWI638410B (zh) * | 2017-11-14 | 2018-10-11 | 蔡宜興 | 降低封裝基板翹曲的方法及半成品結構 |
JP7193920B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-12-21 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
JP2021150370A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
TWI738504B (zh) * | 2020-09-11 | 2021-09-01 | 頎邦科技股份有限公司 | 電路板捲帶及其對接方法 |
CN113212892A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-06 | 深圳市奥尼电通有限公司 | 一种半导体检测编带工艺及系统 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2751450B2 (ja) * | 1989-08-28 | 1998-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | テープキャリアの実装構造及びその実装方法 |
JPH03104252A (ja) | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Seiko Epson Corp | テープキャリアの製造方法 |
JP2861304B2 (ja) * | 1990-07-06 | 1999-02-24 | 松下電器産業株式会社 | アウターリードボンディング方法 |
JPH04124846A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-24 | Nippon Steel Corp | テープキャリヤ |
JP3104252B2 (ja) | 1990-11-22 | 2000-10-30 | 日立化成工業株式会社 | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
US5506444A (en) * | 1990-12-11 | 1996-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tape carrier semiconductor device |
KR960006970B1 (ko) * | 1993-05-03 | 1996-05-25 | 삼성전자주식회사 | 필름 캐리어 및 그 제조방법 |
SG68542A1 (en) * | 1993-06-04 | 1999-11-16 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
MY126138A (en) * | 1993-09-07 | 2006-09-29 | Lintec Corp | Tape winding apparatus and tape winding method. |
JP2998515B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2000-01-11 | 安藤電気株式会社 | 測定前後のtabを画像認識するtab試験装置 |
JP2852178B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | フィルムキャリアテープ |
JPH0823160A (ja) * | 1994-05-06 | 1996-01-23 | Seiko Epson Corp | プリント配線板と電子部品の接続方法 |
JPH09129686A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Toshiba Microelectron Corp | テープキャリヤ及びその実装構造 |
JP3454400B2 (ja) * | 1996-02-16 | 2003-10-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 繰返しパターンの検査方法 |
JP3482779B2 (ja) * | 1996-08-20 | 2004-01-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5767107A (en) * | 1996-09-03 | 1998-06-16 | Basf Corporation | Compositions containing gluten and polysaccharides that contain uronic acid residues useful for encapsulating fats, oils and solids |
JP3520186B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2004-04-19 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | フィルムキャリアテープの製造方法、フィルムキャリアテープの製造装置 |
JPH10116861A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Texas Instr Japan Ltd | キャリアテープ、及びキャリアテープ製造方法 |
KR100455492B1 (ko) * | 1996-10-22 | 2005-01-13 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 필름캐리어테이프및그제조방법,테이프캐리어반도체장치어셈블리의제조방법,반도체장치및그제조방법,실장기판및전자기기 |
DE19717078A1 (de) * | 1997-04-23 | 1998-10-29 | Bhs Corr Masch & Anlagenbau | Vorrichtung zum Schneiden einer Papierbahn und zum Anbringen eines Klebebandes an der Schnittkante der Papierbahn |
US5887343A (en) * | 1997-05-16 | 1999-03-30 | Harris Corporation | Direct chip attachment method |
US6100113A (en) * | 1998-07-13 | 2000-08-08 | Institute Of Microelectronics | Very thin multi-chip-package and method of mass producing the same |
JP3536728B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2004-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置 |
-
1999
- 1999-06-04 JP JP15827999A patent/JP3536728B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-22 US US09/358,537 patent/US6200824B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-27 TW TW090112935A patent/TW535267B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-07-27 TW TW088112716A patent/TW452946B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-07-30 KR KR10-1999-0031345A patent/KR100509299B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-08-02 CN CNB991118863A patent/CN1171299C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-24 US US09/768,165 patent/US6506980B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-11-26 US US10/303,829 patent/US20030075795A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-01-26 KR KR1020050007118A patent/KR100555337B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050024471A (ko) | 2005-03-10 |
KR100509299B1 (ko) | 2005-08-18 |
CN1244028A (zh) | 2000-02-09 |
KR100555337B1 (ko) | 2006-02-24 |
TW535267B (en) | 2003-06-01 |
TW452946B (en) | 2001-09-01 |
US6506980B2 (en) | 2003-01-14 |
KR20000012108A (ko) | 2000-02-25 |
US20030075795A1 (en) | 2003-04-24 |
US6200824B1 (en) | 2001-03-13 |
US20010039076A1 (en) | 2001-11-08 |
JP2000106387A (ja) | 2000-04-11 |
CN1171299C (zh) | 2004-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3536728B2 (ja) | 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置 | |
US6555200B2 (en) | Method of making semiconductor devices, semiconductor device, circuit board, and electronic apparatus | |
US6426564B1 (en) | Recessed tape and method for forming a BGA assembly | |
US6448634B1 (en) | Tape carrier, semiconductor assembly, semiconductor device and electronic instrument | |
KR100556240B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
US7229018B2 (en) | Manufacture of RFID tags and intermediate products therefor | |
US6808866B2 (en) | Process for massively producing tape type flexible printed circuits | |
JP3626742B2 (ja) | テープ型フレクシブルプリント回路の量産方法 | |
JP2003110240A (ja) | 複合配線基板及びその製造方法 | |
JP4257534B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100780172B1 (ko) | 탭용 테이프 캐리어 | |
US20220361329A1 (en) | Method for Forming Flipped-Conductor-Patch | |
JP2733359B2 (ja) | テストヘッド構造 | |
CN118555765A (zh) | 软硬结合电路板的生产工艺及软硬结合电路板 | |
JP2002222895A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH02307236A (ja) | 半導体搭載装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120326 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120326 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 10 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |