JPH10209344A - 樹脂封止型回路装置 - Google Patents
樹脂封止型回路装置Info
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- JPH10209344A JPH10209344A JP9017905A JP1790597A JPH10209344A JP H10209344 A JPH10209344 A JP H10209344A JP 9017905 A JP9017905 A JP 9017905A JP 1790597 A JP1790597 A JP 1790597A JP H10209344 A JPH10209344 A JP H10209344A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止型回路装置において半導体素子を支
持板に固着する半田にクラックが生じることがあった。 【解決手段】 放熱性を有する支持板１上に半田２によ
って半導体素子３を固着し、また半田４によって回路基
板５を固着する。半導体素子３とこの周辺を第１の保護
樹脂層１２ａで被覆する。第１の保護樹脂層１２ａ、回
路基板５及びこれ等の間の支持板１の表面を第２の保護
樹脂層１３ａで被覆する。第１及び第２の保護樹脂層１
２ａ、１３ａをポリイミド又はポリエーテルアミド系樹
脂とする。第１の保護樹脂層１２ａの弾性係数を第２の
保護樹脂層１３ａのそれよりも大きくする。第２の保護
樹脂層１３ａを覆うようにエポキシ樹脂から成る樹脂封
止体１４を設ける。
持板に固着する半田にクラックが生じることがあった。 【解決手段】 放熱性を有する支持板１上に半田２によ
って半導体素子３を固着し、また半田４によって回路基
板５を固着する。半導体素子３とこの周辺を第１の保護
樹脂層１２ａで被覆する。第１の保護樹脂層１２ａ、回
路基板５及びこれ等の間の支持板１の表面を第２の保護
樹脂層１３ａで被覆する。第１及び第２の保護樹脂層１
２ａ、１３ａをポリイミド又はポリエーテルアミド系樹
脂とする。第１の保護樹脂層１２ａの弾性係数を第２の
保護樹脂層１３ａのそれよりも大きくする。第２の保護
樹脂層１３ａを覆うようにエポキシ樹脂から成る樹脂封
止体１４を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱性を有する金属支
持板上に半導体素子及び回路基板が固着され、これ等が
樹脂で封止された形式の樹脂封止型回路装置に関する。
持板上に半導体素子及び回路基板が固着され、これ等が
樹脂で封止された形式の樹脂封止型回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型回路装置（ハイブリッ
ドＩＣ）は、図１に示すように、放熱性を有する金属製
の支持板１と、この支持板１上に導電性接合材としての
半田２で固着されたチップ状の半導体素子３と、支持板
１上に導電性接合材としての半田４で固着された回路基
板５と、この回路基板５上に固着された回路素子として
のフリップチップ６と、回路基板５上の配線導体７と半
導体素子３とを接続するリード細線８と、回路基板５上
の配線導体９と支持板１に非連結の外部リード１０との
間を接続する内部リード細線１１と、半導体素子３を被
覆するように配置されたポリイミド系樹脂から成る第１
の保護樹脂層１２と、回路素子６、配線導体７、９及び
回路基板５の上面を被覆するように配置されたシリコー
ン樹脂から成る第２の保護樹脂層１３と、第１及び第２
の保護樹脂層１２、１３、支持板１、及び外部リード１
０の一部を被覆するように配置されたエポキシ系樹脂か
ら成る樹脂封止体１４とによって構成されている。な
お、半導体素子３は例えばトランジスタであって、ＰＮ
接合を含む半導体基板、この基板の下面及び上面に形成
された金属電極等を含むが、図１ではこれ等の詳細は省
略されている。また、フリップチップ６は板状本体部６
ａとバンプ電極６ｂとを有し、バンプ電極６ｂが回路基
板５の配線導体（図示せず）に半田で固着されている。
また、回路基板５の下面には金属層が設けられている
が、図１では省略されている。また、支持板１から導出
された連結外部リード１ａが設けられ、複数本の非連結
外部リード１０が連結外部リード１ａに平行に配置され
ている。
ドＩＣ）は、図１に示すように、放熱性を有する金属製
の支持板１と、この支持板１上に導電性接合材としての
半田２で固着されたチップ状の半導体素子３と、支持板
１上に導電性接合材としての半田４で固着された回路基
板５と、この回路基板５上に固着された回路素子として
のフリップチップ６と、回路基板５上の配線導体７と半
導体素子３とを接続するリード細線８と、回路基板５上
の配線導体９と支持板１に非連結の外部リード１０との
間を接続する内部リード細線１１と、半導体素子３を被
覆するように配置されたポリイミド系樹脂から成る第１
の保護樹脂層１２と、回路素子６、配線導体７、９及び
回路基板５の上面を被覆するように配置されたシリコー
ン樹脂から成る第２の保護樹脂層１３と、第１及び第２
の保護樹脂層１２、１３、支持板１、及び外部リード１
０の一部を被覆するように配置されたエポキシ系樹脂か
ら成る樹脂封止体１４とによって構成されている。な
お、半導体素子３は例えばトランジスタであって、ＰＮ
接合を含む半導体基板、この基板の下面及び上面に形成
された金属電極等を含むが、図１ではこれ等の詳細は省
略されている。また、フリップチップ６は板状本体部６
ａとバンプ電極６ｂとを有し、バンプ電極６ｂが回路基
板５の配線導体（図示せず）に半田で固着されている。
また、回路基板５の下面には金属層が設けられている
が、図１では省略されている。また、支持板１から導出
された連結外部リード１ａが設けられ、複数本の非連結
外部リード１０が連結外部リード１ａに平行に配置され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１の樹脂
封止型回路装置において、図２に拡大図示するように樹
脂封止体１４と第２の保護樹脂層１３との間にすき間１
５が生じ、これにより半導体素子３の樹脂封止体１４に
よる押え付けが弱くなり、温度サイクル試験（低温と高
温との温度サイクルを繰返して回路装置に加える試験）
等によって半田２にクラックが生じることがある。この
理由を更に詳しく説明する。回路基板５はアルミナ（酸
化アルミニウム）を主成分としたセラミック板であり、
その線膨張係数は７ppm オーダである。これに対して、
エポキシ系樹脂から成る樹脂封止体１４の線膨張係数は
１７〜２０ppm と大きい。このため、温度サイクル（高
温から低温への移行時）に伴う熱収縮量は、樹脂封止体
１４の方が回路基板５よりも大きい。従って、温度サイ
クルによって樹脂封止体１４の回路基板５を覆っている
部分にすき間１５が生じ易い。また、樹脂封止体１４の
支持板１に対する密着性は、樹脂封止体１４の第２の保
護樹脂層１３に対する密着性よりも優れている。このた
め、半導体素子３と回路基板５との間に露出した支持板
１の主面に樹脂封止体１４が直接に固着されている場合
には、支持板１と樹脂封止体１４との間のすき間の発生
は抑制される。しかしながら、回路基板５の上面を被覆
する第２の保護樹脂層１３がその硬化時等に支持板１の
上面に垂れることがあり、樹脂封止体１４がこの垂れた
第２の保護樹脂層１３を介して支持板１に固着されるこ
とがある。この場合には、樹脂封止体１４を支持板１に
対して強固に固着することができないので、すき間１５
が生じ易い。すき間１５が生じると、樹脂封止体１４の
支持板１に対する密着性、換言すれば樹脂封止体１４に
よる半導体素子３の押え付けが弱くなり、半田２にクラ
ックが生じる。
封止型回路装置において、図２に拡大図示するように樹
脂封止体１４と第２の保護樹脂層１３との間にすき間１
５が生じ、これにより半導体素子３の樹脂封止体１４に
よる押え付けが弱くなり、温度サイクル試験（低温と高
温との温度サイクルを繰返して回路装置に加える試験）
等によって半田２にクラックが生じることがある。この
理由を更に詳しく説明する。回路基板５はアルミナ（酸
化アルミニウム）を主成分としたセラミック板であり、
その線膨張係数は７ppm オーダである。これに対して、
エポキシ系樹脂から成る樹脂封止体１４の線膨張係数は
１７〜２０ppm と大きい。このため、温度サイクル（高
温から低温への移行時）に伴う熱収縮量は、樹脂封止体
１４の方が回路基板５よりも大きい。従って、温度サイ
クルによって樹脂封止体１４の回路基板５を覆っている
部分にすき間１５が生じ易い。また、樹脂封止体１４の
支持板１に対する密着性は、樹脂封止体１４の第２の保
護樹脂層１３に対する密着性よりも優れている。このた
め、半導体素子３と回路基板５との間に露出した支持板
１の主面に樹脂封止体１４が直接に固着されている場合
には、支持板１と樹脂封止体１４との間のすき間の発生
は抑制される。しかしながら、回路基板５の上面を被覆
する第２の保護樹脂層１３がその硬化時等に支持板１の
上面に垂れることがあり、樹脂封止体１４がこの垂れた
第２の保護樹脂層１３を介して支持板１に固着されるこ
とがある。この場合には、樹脂封止体１４を支持板１に
対して強固に固着することができないので、すき間１５
が生じ易い。すき間１５が生じると、樹脂封止体１４の
支持板１に対する密着性、換言すれば樹脂封止体１４に
よる半導体素子３の押え付けが弱くなり、半田２にクラ
ックが生じる。
【０００４】そこで、本発明の目的は、半導体素子と支
持板との間の導電性接合材におけるクラックの発生を防
止することができる樹脂封止型回路装置を提供すること
にある。
持板との間の導電性接合材におけるクラックの発生を防
止することができる樹脂封止型回路装置を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、放熱性を有する金属製
の支持板と、前記支持板上に導電性接合材によって固着
された半導体素子と、前記支持板上に導電性接合材によ
って固着された回路基板と、前記回路基板上に固着され
た回路素子と、前記半導体素子及び前記半導体素子の周
辺の前記支持板の表面部分を連続的に被覆するように配
置されたポリイミド又はポリエーテルアミド系樹脂から
成る第１の保護樹脂層と、前記回路素子、前記回路基
板、前記第１の保護樹脂層、及び少なくとも前記半導体
素子と前記回路基板との間の前記支持板の表面部分を連
続的に被覆するように配置されたポリイミド又はポリエ
ーテルアミド系樹脂から成る第２の保護樹脂層と、前記
第２の保護樹脂層を被覆するように配置されたエポキシ
系樹脂から成る樹脂封止体とを備え、前記第１の保護樹
脂層が前記第２の保護樹脂層の体積弾性係数よりも大き
い体積弾性係数を有していることを特徴とする樹脂封止
型回路装置に係わるものである。
目的を達成するための本発明は、放熱性を有する金属製
の支持板と、前記支持板上に導電性接合材によって固着
された半導体素子と、前記支持板上に導電性接合材によ
って固着された回路基板と、前記回路基板上に固着され
た回路素子と、前記半導体素子及び前記半導体素子の周
辺の前記支持板の表面部分を連続的に被覆するように配
置されたポリイミド又はポリエーテルアミド系樹脂から
成る第１の保護樹脂層と、前記回路素子、前記回路基
板、前記第１の保護樹脂層、及び少なくとも前記半導体
素子と前記回路基板との間の前記支持板の表面部分を連
続的に被覆するように配置されたポリイミド又はポリエ
ーテルアミド系樹脂から成る第２の保護樹脂層と、前記
第２の保護樹脂層を被覆するように配置されたエポキシ
系樹脂から成る樹脂封止体とを備え、前記第１の保護樹
脂層が前記第２の保護樹脂層の体積弾性係数よりも大き
い体積弾性係数を有していることを特徴とする樹脂封止
型回路装置に係わるものである。
【０００６】
【発明の作用及び効果】本発明における第１の保護樹脂
層と第２の保護樹脂層は、いずれもポリイミド又はポリ
エーテルアミド系樹脂から成るので、両者は強固に密着
する。また、半導体素子は第１の保護樹脂層と第２の保
護樹脂層で２重に被覆されている。また、第１の保護樹
脂層は半導体の周辺部分も被覆している。また、第２の
保護樹脂層は半導体素子の上方のみでなく、回路基板の
上及び半導体素子と回路基板の間の支持板の上を連続的
に被覆している。また、第２の保護樹脂層はポリイミド
又はポリエーテルアミド系樹脂から成るので、樹脂封止
体及び支持板に対する密着性が良く、第２の保護樹脂層
と樹脂封止体及び支持板との間にすき間が生じにくい。
従って、半導体素子を支持板に固着している導電性接合
材に隣接したクラックの発生が抑制され、半導体素子の
押え付けが十分になされ、導電性接合材にクラックが発
生しにくい。また、第１の保護樹脂層の体積弾性係数
（弾性率又は剛性率）は第２の保護樹脂層の体積弾性係
数よりも大きいので、第１の保護樹脂層の半導体素子を
支持板に対して押え付ける作用は大きい。このため、半
導体素子の下の導電性接合材にクラックが発生し難い。
なお、弾性係数をＥ、圧力又は応力をδ、ひずみをεと
すればδ＝Ｅεの関係があるので、弾性係数Ｅが大きい
ということは、変形し難いことを意味する。また、第２
の保護樹脂層は弾性係数が相対的に小さいので、樹脂封
止体と回路基板との線膨張係数の差に起因する応力（基
板及び支持板と樹脂封止体との間にすき間を発生させる
力）を緩和する働きを有し、すき間が抑制される。上述
のようにすき間が防止されると、半導体素子の下の導電
性接合材（例えば半田）にクラックが発生しなくなり、
半導体素子の接続の信頼性が高くなる。
層と第２の保護樹脂層は、いずれもポリイミド又はポリ
エーテルアミド系樹脂から成るので、両者は強固に密着
する。また、半導体素子は第１の保護樹脂層と第２の保
護樹脂層で２重に被覆されている。また、第１の保護樹
脂層は半導体の周辺部分も被覆している。また、第２の
保護樹脂層は半導体素子の上方のみでなく、回路基板の
上及び半導体素子と回路基板の間の支持板の上を連続的
に被覆している。また、第２の保護樹脂層はポリイミド
又はポリエーテルアミド系樹脂から成るので、樹脂封止
体及び支持板に対する密着性が良く、第２の保護樹脂層
と樹脂封止体及び支持板との間にすき間が生じにくい。
従って、半導体素子を支持板に固着している導電性接合
材に隣接したクラックの発生が抑制され、半導体素子の
押え付けが十分になされ、導電性接合材にクラックが発
生しにくい。また、第１の保護樹脂層の体積弾性係数
（弾性率又は剛性率）は第２の保護樹脂層の体積弾性係
数よりも大きいので、第１の保護樹脂層の半導体素子を
支持板に対して押え付ける作用は大きい。このため、半
導体素子の下の導電性接合材にクラックが発生し難い。
なお、弾性係数をＥ、圧力又は応力をδ、ひずみをεと
すればδ＝Ｅεの関係があるので、弾性係数Ｅが大きい
ということは、変形し難いことを意味する。また、第２
の保護樹脂層は弾性係数が相対的に小さいので、樹脂封
止体と回路基板との線膨張係数の差に起因する応力（基
板及び支持板と樹脂封止体との間にすき間を発生させる
力）を緩和する働きを有し、すき間が抑制される。上述
のようにすき間が防止されると、半導体素子の下の導電
性接合材（例えば半田）にクラックが発生しなくなり、
半導体素子の接続の信頼性が高くなる。
【０００７】
【実施例】次に、図３を参照して本発明の実施例に係わ
る樹脂封止型回路装置即ち混成集積回路装置を説明す
る。但し、図３において図１と実質的に同一の部分には
同一の符号を付してその説明を省略する。図３の樹脂封
止型回路装置も、図１と同様に金属製支持板１、導電性
接合材としての半田２で固着された半導体素子３、半田
４で固着された回路基板５、回路素子としてのフリップ
チップ６、配線導体７、リード細線８、配線導体９、外
部リード１０、リード細線１１、及びエポキシ樹脂から
成る樹脂封止体１４を有し、これ等は図１と同様に構成
及び配置されている。図３の樹脂封止型回路装置が図１
と異なる点は、第１及び第２の保護樹脂層１２ａ、１３
ａの材質及びこの配置である。
る樹脂封止型回路装置即ち混成集積回路装置を説明す
る。但し、図３において図１と実質的に同一の部分には
同一の符号を付してその説明を省略する。図３の樹脂封
止型回路装置も、図１と同様に金属製支持板１、導電性
接合材としての半田２で固着された半導体素子３、半田
４で固着された回路基板５、回路素子としてのフリップ
チップ６、配線導体７、リード細線８、配線導体９、外
部リード１０、リード細線１１、及びエポキシ樹脂から
成る樹脂封止体１４を有し、これ等は図１と同様に構成
及び配置されている。図３の樹脂封止型回路装置が図１
と異なる点は、第１及び第２の保護樹脂層１２ａ、１３
ａの材質及びこの配置である。
【０００８】図３の第１の保護樹脂層１２ａは半導体素
子３の上面のみでなく、この周辺の支持板１の上も被覆
している。第２の保護樹脂層１３ａは回路基板５、フリ
ップチップ６、配線導体７、９の上のみでなく、第１の
保護樹脂層１２ａの上及び半導体素子３と回路基板５と
の間の支持板１の上も連続的に被覆し、更にリード細線
８、１１の一部も被覆している。なお、第２の保護樹脂
層１３ａの平面的に見た被覆面積は、支持板１の上面の
総面積の半分以上の約７０％である。
子３の上面のみでなく、この周辺の支持板１の上も被覆
している。第２の保護樹脂層１３ａは回路基板５、フリ
ップチップ６、配線導体７、９の上のみでなく、第１の
保護樹脂層１２ａの上及び半導体素子３と回路基板５と
の間の支持板１の上も連続的に被覆し、更にリード細線
８、１１の一部も被覆している。なお、第２の保護樹脂
層１３ａの平面的に見た被覆面積は、支持板１の上面の
総面積の半分以上の約７０％である。
【０００９】第１及び第２の保護樹脂層１２ａ、１３ａ
は共にポリイミド又はポリエーテルアミド系樹脂（ポリ
イミド又はポリエーテルアミドと呼ばれる主骨格構造を
有する樹脂）から成るが、体積弾性係数は互いに相違
し、第１の保護樹脂層１２ａの体積弾性係数が第２の保
護樹脂層１３ａの体積弾性係数よりも大きい。この体積
弾性係数の相違は、保護樹脂中に含まれるシロキサン変
成量の相違によって生じている。即ち、シロキサン変成
量は第１の保護樹脂層１２ａに比べて第２の保護樹脂層
１３ａが大きいので、第１の保護樹脂層１２ａの弾性係
数が第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数よりも大きい。
具体的には、第１の保護樹脂層１２ａの弾性係数は２５
０kg／mm2 、第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数は５０
kg／mm2 である。
は共にポリイミド又はポリエーテルアミド系樹脂（ポリ
イミド又はポリエーテルアミドと呼ばれる主骨格構造を
有する樹脂）から成るが、体積弾性係数は互いに相違
し、第１の保護樹脂層１２ａの体積弾性係数が第２の保
護樹脂層１３ａの体積弾性係数よりも大きい。この体積
弾性係数の相違は、保護樹脂中に含まれるシロキサン変
成量の相違によって生じている。即ち、シロキサン変成
量は第１の保護樹脂層１２ａに比べて第２の保護樹脂層
１３ａが大きいので、第１の保護樹脂層１２ａの弾性係
数が第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数よりも大きい。
具体的には、第１の保護樹脂層１２ａの弾性係数は２５
０kg／mm2 、第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数は５０
kg／mm2 である。
【００１０】第１の保護樹脂層１２ａの弾性係数が２０
０kg／mm2 を下回ると柔軟性が高くなり、半導体素子３
を支持板１に押え付ける力が低下して望ましくない。一
方、第１の保護樹脂層１２ａの弾性係数が３００kg／mm
2 を上回ると、柔軟性が乏しくなり、温度サイクル試験
で割れが生じ易く、半導体素子の表面を傷つけるおそれ
があり望ましくない。従って、第１の保護樹脂層１２ａ
の弾性係数を２００〜３００kg／mm2 に設定するのが望
ましい。
０kg／mm2 を下回ると柔軟性が高くなり、半導体素子３
を支持板１に押え付ける力が低下して望ましくない。一
方、第１の保護樹脂層１２ａの弾性係数が３００kg／mm
2 を上回ると、柔軟性が乏しくなり、温度サイクル試験
で割れが生じ易く、半導体素子の表面を傷つけるおそれ
があり望ましくない。従って、第１の保護樹脂層１２ａ
の弾性係数を２００〜３００kg／mm2 に設定するのが望
ましい。
【００１１】また、第２の保護樹脂層１２ａの弾性係数
が１００kg／mm2 を上回ると樹脂が硬くなりすぎて前述
した応力緩和効果が十分に得られず、樹脂封止体１４と
第２の保護樹脂層１３ａとの間にすき間が生じることが
ある。一方、第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数が２０
kg／mm2 を下回ると樹脂の柔軟性が高すぎて、第２の保
護樹脂層１３ａを支持板１及び第１の保護樹脂層１２ａ
の上面に適度な厚さで被覆することができなくなり望ま
しくない。従って、第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数
を２０〜１００kg／mm2 とするのが望ましい。
が１００kg／mm2 を上回ると樹脂が硬くなりすぎて前述
した応力緩和効果が十分に得られず、樹脂封止体１４と
第２の保護樹脂層１３ａとの間にすき間が生じることが
ある。一方、第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数が２０
kg／mm2 を下回ると樹脂の柔軟性が高すぎて、第２の保
護樹脂層１３ａを支持板１及び第１の保護樹脂層１２ａ
の上面に適度な厚さで被覆することができなくなり望ま
しくない。従って、第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数
を２０〜１００kg／mm2 とするのが望ましい。
【００１２】エポキシ樹脂から成る樹脂封止体１４は第
２の保護樹脂層１３ａ及び支持板１の露出表面及び連結
外部リード１ａと非連結外部リード１０の一部とを被覆
している。
２の保護樹脂層１３ａ及び支持板１の露出表面及び連結
外部リード１ａと非連結外部リード１０の一部とを被覆
している。
【００１３】第１及び第２の保護樹脂層１２ａ、１３ａ
を図３に示すように配置し、且つそれ等の材料を上述し
たように決定すれば、発明の作用及び効果の欄で説明し
た作用効果即ち半田２のクラック防止が達成される。ま
た、第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数が小さいので、
フリップチップ６のバンプ電極６ｂをつぶすような力が
フリップチップ６に作用しない。
を図３に示すように配置し、且つそれ等の材料を上述し
たように決定すれば、発明の作用及び効果の欄で説明し
た作用効果即ち半田２のクラック防止が達成される。ま
た、第２の保護樹脂層１３ａの弾性係数が小さいので、
フリップチップ６のバンプ電極６ｂをつぶすような力が
フリップチップ６に作用しない。
【００１４】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 半導体素子３はダイオード、ＦＥＴ等であって
もよい。 （２） 回路基板５上の回路素子はフリップチップ６に
限ることなく、厚膜抵抗、コンデンサチップ、ＩＣチッ
プ、トランジスタチップ等又はこれ等の組み合せであっ
てもよい。 （３） 樹脂封止体１４を支持板１の下面側には設けな
いようにすることができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 半導体素子３はダイオード、ＦＥＴ等であって
もよい。 （２） 回路基板５上の回路素子はフリップチップ６に
限ることなく、厚膜抵抗、コンデンサチップ、ＩＣチッ
プ、トランジスタチップ等又はこれ等の組み合せであっ
てもよい。 （３） 樹脂封止体１４を支持板１の下面側には設けな
いようにすることができる。
【図１】従来の樹脂封止型回路装置を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の実施例の樹脂封止型回路装置を示す断
面図である。
面図である。
１ 支持板 ２ 半田 ３ 半導体素子 ５ 回路基板 １２ａ 第１の保護樹脂層 １３ａ 第２の保護樹脂層 １４ 樹脂封止体
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年３月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、放熱性を有する金属製
の支持板と、前記支持板上に導電性接合材によって固着
された半導体素子と、前記支持板上に固着された回路基
板と、前記回路基板上に固着された回路素子と、前記半
導体素子及び前記半導体素子の周辺の前記支持板の表面
部分を連続的に被覆するように配置されたポリイミド又
はポリエーテルアミド系樹脂から成る第１の保護樹脂層
と、前記回路素子、前記回路基板、前記第１の保護樹脂
層、及び少なくとも前記半導体素子と前記回路基板との
間の前記支持板の表面部分を連続的に被覆するように配
置されたポリイミド又はポリエーテルアミド系樹脂から
成る第２の保護樹脂層と、前記第２の保護樹脂層を被覆
するように配置されたエポキシ系樹脂から成る樹脂封止
体とを備え、前記第１の保護樹脂層が前記第２の保護樹
脂層の体積弾性係数よりも大きい体積弾性係数を有して
いることを特徴とする樹脂封止型回路装置に係わるもの
である。
目的を達成するための本発明は、放熱性を有する金属製
の支持板と、前記支持板上に導電性接合材によって固着
された半導体素子と、前記支持板上に固着された回路基
板と、前記回路基板上に固着された回路素子と、前記半
導体素子及び前記半導体素子の周辺の前記支持板の表面
部分を連続的に被覆するように配置されたポリイミド又
はポリエーテルアミド系樹脂から成る第１の保護樹脂層
と、前記回路素子、前記回路基板、前記第１の保護樹脂
層、及び少なくとも前記半導体素子と前記回路基板との
間の前記支持板の表面部分を連続的に被覆するように配
置されたポリイミド又はポリエーテルアミド系樹脂から
成る第２の保護樹脂層と、前記第２の保護樹脂層を被覆
するように配置されたエポキシ系樹脂から成る樹脂封止
体とを備え、前記第１の保護樹脂層が前記第２の保護樹
脂層の体積弾性係数よりも大きい体積弾性係数を有して
いることを特徴とする樹脂封止型回路装置に係わるもの
である。
Claims (1)
- 【請求項１】 放熱性を有する金属製の支持板と、 前記支持板上に導電性接合材によって固着された半導体
素子と、 前記支持板上に導電性接合材によって固着された回路基
板と、 前記回路基板上に固着された回路素子と、 前記半導体素子及び前記半導体素子の周辺の前記支持板
の表面部分を連続的に被覆するように配置されたポリイ
ミド又はポリエーテルアミド系樹脂から成る第１の保護
樹脂層と、 前記回路素子、前記回路基板、前記第１の保護樹脂層、
及び少なくとも前記半導体素子と前記回路基板との間の
前記支持板の表面部分を連続的に被覆するように配置さ
れたポリイミド又はポリエーテルアミド系樹脂から成る
第２の保護樹脂層と、 前記第２の保護樹脂層を被覆するように配置されたエポ
キシ系樹脂から成る樹脂封止体とを備え、前記第１の保
護樹脂層が前記第２の保護樹脂層の体積弾性係数よりも
大きい体積弾性係数を有していることを特徴とする樹脂
封止型回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01790597A JP3196821B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 樹脂封止型回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01790597A JP3196821B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 樹脂封止型回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209344A true JPH10209344A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3196821B2 JP3196821B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=11956769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01790597A Expired - Fee Related JP3196821B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 樹脂封止型回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196821B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179538A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| US8492784B2 (en) | 2011-02-09 | 2013-07-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for producing the same, and power supply |
| DE112018001053T5 (de) | 2017-02-28 | 2019-12-19 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitereinheit und verfahren zur herstellung einer halbleitereinheit |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP01790597A patent/JP3196821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179538A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| US8492784B2 (en) | 2011-02-09 | 2013-07-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for producing the same, and power supply |
| DE112018001053T5 (de) | 2017-02-28 | 2019-12-19 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitereinheit und verfahren zur herstellung einer halbleitereinheit |
| US11004761B2 (en) | 2017-02-28 | 2021-05-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Packaging of a semiconductor device with dual sealing materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3196821B2 (ja) | 2001-08-06 |
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