JP2906635B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JP2906635B2 JP2906635B2 JP2275851A JP27585190A JP2906635B2 JP 2906635 B2 JP2906635 B2 JP 2906635B2 JP 2275851 A JP2275851 A JP 2275851A JP 27585190 A JP27585190 A JP 27585190A JP 2906635 B2 JP2906635 B2 JP 2906635B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- integrated circuit
- hybrid integrated
- circuit device
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は混成集積回路装置に関し、特にパワー回路部
を有する混成集積回路装置に関する。
を有する混成集積回路装置に関する。
従来、この種の混成集積回路装置の構造は、小信号回
路部とパワー回路部は、分離されているが、ヒートシン
クの同一平面上に搭載するのが通常である。小信号回路
部は、通常厚膜基板上に素子を搭載し、半田で接続固定
したものを接着樹脂を使ってヒートシンク上に固定す
る。パワー回路部は、放熱片の上にパワー素子を固定し
たものを絶縁基板を介してヒートシンク上に半田で固定
する。
路部とパワー回路部は、分離されているが、ヒートシン
クの同一平面上に搭載するのが通常である。小信号回路
部は、通常厚膜基板上に素子を搭載し、半田で接続固定
したものを接着樹脂を使ってヒートシンク上に固定す
る。パワー回路部は、放熱片の上にパワー素子を固定し
たものを絶縁基板を介してヒートシンク上に半田で固定
する。
上述した従来の混成集積回路装置のヒートシンクの構
造では、放熱効果が低く、パワー素子の発熱により、混
成集積回路装置が昇温し、特性が変化するという信頼性
上の問題点があった。
造では、放熱効果が低く、パワー素子の発熱により、混
成集積回路装置が昇温し、特性が変化するという信頼性
上の問題点があった。
本発明の目的は、放熱効果に優れた信頼性の高い混成
集積回路装置を提供することにある。
集積回路装置を提供することにある。
本発明は、直方体又は立方体の１つの面をヒートシン
クとし、前記１つの面の外周と接する４つの面を外壁と
し、前記ヒートシンクにパワー素子と小信号回路基板と
が搭載された混成集積回路装置において、前記ヒートシ
ンクは板厚の厚い第１の領域と前記第１の領域に比べ板
厚の厚くない第２の領域とからなり、前記第１の領域に
は前記パワー素子が搭載され、前記第２の領域には前記
小信号回路基板が前記第１の領域と前記第２の領域とを
仕切る境界線と１つ以上の前記外壁とに接して搭載され
ることを特徴とする。
クとし、前記１つの面の外周と接する４つの面を外壁と
し、前記ヒートシンクにパワー素子と小信号回路基板と
が搭載された混成集積回路装置において、前記ヒートシ
ンクは板厚の厚い第１の領域と前記第１の領域に比べ板
厚の厚くない第２の領域とからなり、前記第１の領域に
は前記パワー素子が搭載され、前記第２の領域には前記
小信号回路基板が前記第１の領域と前記第２の領域とを
仕切る境界線と１つ以上の前記外壁とに接して搭載され
ることを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の一部
切欠き平面図及び断面図である。
切欠き平面図及び断面図である。
第１の実施例は、第１図（ａ），（ｂ）に示すよう
に、まず、金属ケース１の底部のパワー素子２搭載部に
ヒートシンクの底厚を厚くした部分５を形成し、放熱効
果を高めてパワー素子２を搭載する。
に、まず、金属ケース１の底部のパワー素子２搭載部に
ヒートシンクの底厚を厚くした部分５を形成し、放熱効
果を高めてパワー素子２を搭載する。
次に、小信号回路部を構成している小信号構成基板３
をヒートシンクの底厚を厚くした部分５とリード接続タ
ーミナル４と金属ケースの外壁6,7に囲まれ位置決めさ
れた部分に搭載する。
をヒートシンクの底厚を厚くした部分５とリード接続タ
ーミナル４と金属ケースの外壁6,7に囲まれ位置決めさ
れた部分に搭載する。
第２図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例の一部
切欠き平面図及び断面図である。
切欠き平面図及び断面図である。
第２の実施例は、第２図（ａ），（ｂ）に示すよう
に、まず、モールド枠18の底部に設けられたヒートシン
ク11のパワー素子２搭載部にヒートシンクの厚さを厚く
した部分14を形成し、放熱効果を高めてパワー素子２を
搭載する。
に、まず、モールド枠18の底部に設けられたヒートシン
ク11のパワー素子２搭載部にヒートシンクの厚さを厚く
した部分14を形成し、放熱効果を高めてパワー素子２を
搭載する。
次に、小信号回路部を構成している小信号構成基板３
をヒートシンクの厚さを厚くした部分14とモールド樹脂
枠18とモールド外壁15,16に囲まれ位置決めされた部分
に搭載する。
をヒートシンクの厚さを厚くした部分14とモールド樹脂
枠18とモールド外壁15,16に囲まれ位置決めされた部分
に搭載する。
以上説明したように本発明は、金属ケースの底部にヒ
ートシンクの底厚を厚くした部分、または、モールド枠
底部のヒートシンクにヒートシンクの厚さを厚くした部
分を形成してパワー素子を搭載することにより、放熱効
果を高め、特性の変化を防止し信頼性を高める効果があ
る。
ートシンクの底厚を厚くした部分、または、モールド枠
底部のヒートシンクにヒートシンクの厚さを厚くした部
分を形成してパワー素子を搭載することにより、放熱効
果を高め、特性の変化を防止し信頼性を高める効果があ
る。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の一部切
欠き平面図及び断面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明
の第２の実施例の一部切欠き平面図及び断面図である。 １……金属ケース、２……パワー素子、３……小信号構
成基板、４……リード接続ターミナル、５……ヒートシ
ンクの底厚を厚くした部分、6,7……金属ケース外壁、
8,17……外部リード、11……ヒートシンク、14……ヒー
トシンクの厚さを厚くした部分、15,16……モールド外
壁、18……モールド枠、19……充填樹脂、20……蓋。
欠き平面図及び断面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明
の第２の実施例の一部切欠き平面図及び断面図である。 １……金属ケース、２……パワー素子、３……小信号構
成基板、４……リード接続ターミナル、５……ヒートシ
ンクの底厚を厚くした部分、6,7……金属ケース外壁、
8,17……外部リード、11……ヒートシンク、14……ヒー
トシンクの厚さを厚くした部分、15,16……モールド外
壁、18……モールド枠、19……充填樹脂、20……蓋。
Claims (1)
- 【請求項１】直方体又は立方体の１つの面をヒートシン
クとし、前記１つの面の外周と接する４つの面を外壁と
し、前記ヒートシンクにパワー素子と小信号回路基板と
が搭載された混成集積回路装置において、前記ヒートシ
ンクは板厚の厚い第１の領域と前記第１の領域に比べ板
厚の厚くない第２の領域とからなり、前記第１の領域に
は前記パワー素子が搭載され、前記第２の領域には前記
小信号回路基板が前記第１の領域と前記第２の領域とを
仕切る境界線と１つ以上の前記外壁とに接して搭載され
ることを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2275851A JP2906635B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2275851A JP2906635B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04151859A JPH04151859A (ja) | 1992-05-25 |
| JP2906635B2 true JP2906635B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17561322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2275851A Expired - Lifetime JP2906635B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906635B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2766051B1 (fr) * | 1997-07-09 | 1999-10-15 | Sagem | Ensemble d'une carte de circuit imprime associee a des moyens de dissipation de l'energie thermique du circuit |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP2275851A patent/JP2906635B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04151859A (ja) | 1992-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0383368A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59132155A (ja) | 半導体装置用容器 | |
| JP2570861B2 (ja) | インバータ装置 | |
| JP2906635B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH04368155A (ja) | 半導体装置および電子装置 | |
| JPH0773122B2 (ja) | 封止型半導体装置 | |
| JPH0736468U (ja) | 電子部品の放熱構造 | |
| JPH01186700A (ja) | プリント配線板構造体 | |
| JP2524482B2 (ja) | Ｑｆｐ構造半導体装置 | |
| JPH09246433A (ja) | モジュールの放熱構造 | |
| JPH0922970A (ja) | 電子部品 | |
| JP2748778B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2831971B2 (ja) | 半導体素子搭載用プリント配線板およびその製造方法 | |
| JPS63190363A (ja) | パワ−パツケ−ジ | |
| JPH06112674A (ja) | 電子部品搭載装置用のヒートシンク | |
| JPH0331092Y2 (ja) | ||
| JP2538636B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6139554A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2530987Y2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JP2571814Y2 (ja) | 面実装型半導体装置 | |
| JPH0412677Y2 (ja) | ||
| JPH06824Y2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS598364Y2 (ja) | 電子機器用絶縁ケ−ス | |
| JPH04124860A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2736155B2 (ja) | ハイブリッドモジュール回路装置 |