JP2736155B2 - ハイブリッドモジュール回路装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はハイブリッドモジュール回路装置のに係り、
特にメタルキャップによってハーメチックシールされた
比較的発熱密度の高いハイブリッドIC素子を含む複数個
の電子部品を実装するハイブリッドモジュール回路装置
に関する。

（従来の技術） たとえばセラミック配線基板面に、IC素子などの能動
素子および抵抗体などの受動素子とともに、少くとも１
個のメタルキャップによってハーメチックシールされた
比較的発熱密度の高いハイブリッドIC素子を実装して成
るハイブリッドモジュール回路装置が、小型多機能ボー
ドとして知られている。

第２図は、従来知られている小型多機能ボードの構成
を断面的に示したもので、１はセラミック基板、２はハ
ーメチックシールされた比較的発熱密度の高いハイブリ
ッドIC素子、３はフラットパッケージ型素子、４はチッ
プ型電子部品、５は接続半田層、６は前記比較的発熱密
度の高いハイブリッドIC素子２に放熱のため良熱伝導性
エポキシ樹脂７で取着されたヒートシンクである。

しかして、上記ハイブリッドモジュール回路装置は、
一般に次のようにして製造されている。すなわち、セラ
ミック配線基板１の所定領域面に、フラットパッケージ
型素子３、チップ型電子部品４などを半田付け５して実
装する一方、予め所定のヒートシンク６を取着した比較
的発熱密度の高いハイブリッドIC素子２の実装を行って
いる。

（発明が解決しようとする課題） しかし、上記構成のハイブリッドモジュール回路装置
の構成ないし構造の場合は、次のような不都合がある。
先ず第１点として、上記比較的発熱密度の高いハイブリ
ッドIC素子２の実装個数が多くなるに伴い、それらのハ
イブリッド素子２がそれぞれ具備するヒートシンク６の
形状などによって、実装スペースの効率が低下し、小型
・高密度化を図り得ない。第２点として、前記比較的発
熱密度の高いハイブリッドIC素子２の発熱が多いため、
大型のヒートシンク６が取着されている場合、耐振動・
衝撃に問題がある。また、第３点として、ハイブリッド
モジュール回路装置（小型多機能ボード）の耐ノイズ性
が劣るという問題がある。

本発明は、上記事情に対処してなされたもので、実装
効率が高く、耐振動・衝撃および耐ノイズ性も良好なハ
イブリッドモジュール回路装置の提供を目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明のハイブリッドモジュール回路装置は、配線基
板と、前記配線基板面上に一体的に取着された所定領域
が選択的に開口する第１の金属板と、前記第１の金属板
の開口により露出する配線基板面に実装された比較的発
熱密度の高いハイブリッドIC素子以外の能動素子および
受動素子と、前記装着した第１の金属板上の所定領域に
実装されたメタルキャップでハーメチックシールされた
比較的発熱密度の高いハイブリッドIC素子と、前記比較
的発熱密度の高いハイブリッドIC素子のキャップ面が内
壁面に対接しかつ開口端面を第１の金属板面に一体化さ
せて取着した皿状の第２の金属板とを具備して成ること
を特徴とする。

（作 用） 上記構成によれば、比較的発熱密度の高いメタルキャ
ップでハーメチックシールしたハイブリッドICは、両面
側を金属板で挟持された形となり、これらによって効果
的な放熱がなされるとともに、固定・保持されすぐれた
耐振動・衝撃性を呈する。また、実装された各電子部品
素子は、全体的に金属板で囲繞それた形となるため、耐
ノイズ性の向上も図られる。

（実施例） 以下第１図を参照して本発明の実施例を説明する。第
１図は本発明に係るハイブリッドモジュール回路装置の
要部構成例を断面的に示したもので、１はセラミック配
線基板、８は前記セラミック配線基板１面上に耐熱絶縁
接着剤９によって一体的に取着された所定領域が選択的
に開口8aする第１の金属板である。しかして、前記第１
の金属板８の開口8aにより露出するセラミック配線基板
１面には、比較的発熱密度の高いハイブリッドIC素子２
以外の能動素子および受動素子として、たとえばフラッ
トパッケージ型素子３やキャップ封止型素子４がそれぞ
れ半田付け６によって実装されている。また、２は前記
装着した第１の金属板８上の所定領域に良熱伝導性接着
剤層７によって装着されたメタルキャップでハーメチッ
クシールされた比較的発熱密度の高いハイブリッドIC素
子であり、10は前記比較的発熱密度の高いハイブリッド
IC素子２のメタルキャップ2a面が良熱伝導性接着剤層７
を介して内壁面に対接しかつ開口端面を第１の金属板８
面に一体化させて取着した皿状の第２の金属板である。
なお、第１図にいおいて、2bは比較的発熱密度の高いハ
イブリッドIC素子２のリードを、11はセラミック配線基
板１と皿状の第２の金属板10とを一体化するボルトをそ
れぞれ示す。

次に、本発明に係るハイブリッドモジュール回路装置
の製造例について説明する。

先ず所要の配線基板たとえば、セラミック配線基板１
を用意し、このセラミック配線基板１面の所定領域に比
較的発熱密度の高いハイブリッドIC素子２以外の能動素
子および受動素子として、たとえばフラットパッケージ
型素子３やキャップ封止型素子４がそれぞれ半田付け６
によって実装する。

一方、予め用意しておいた、前記フラットパッケージ
型素子３およびキャップ封止型素子４を実装した領域に
対応する部分を選択的に開口8aさせた第１の金属板８
を、耐熱絶縁接着剤９によってセラミック配線基板１面
に一体的に取着する。次いで、前記装着した第１の金属
板８上の所定領域に良熱伝導性接着剤層７を介してメタ
ルキャップでハーメチックシールされた比較的発熱密度
の高いハイブリッドIC素子を装着する。

しかる後、前記装着した比較的発熱密度の高いハイブ
リッドIC素子２のメタルキャップ2a面に良熱伝導性接着
剤層７を配設し、皿状の第２の金属板10を、その内壁面
を前記メタルキャップ2a面に良熱伝導性接着剤層７に対
接させ、かつ開口端面を第１の金属板８面対接させた状
態に配設して、ボルト11締めによってセラミック配線基
板１と一体化させることにより製造し得る。

上記においては、本発明に係るハイブリッドモジュー
ル回路装置の一構成例を挙げて本発明を説明したが、本
発明は上記例示に限定されるものでなく、たとえばセラ
ミック配線基板の代りにガラス系もしくは樹脂系の配線
基板を用いてもよい。つまり、前記本発明の構成手段な
いし趣旨に沿って、例示した以外の構成も採り得る。

［発明の効果］ 上記本発明に係る構成によれば、ハイブリッドモジュ
ール回路装置の薄型・小形化が可能であるばかりでな
く、放熱特性の向上も図られる。また、実装された各種
電子部品の中、特にメタルキャップでハーメチックシー
ルされた比較的発熱密度の高いハイブリッドIC素子は、
ヒートシンクを成す金属板で挟持された形を保持するた
め、良好な耐振動・衝撃性を発揮する。さらに、前記実
装された各種電子部品は、第１および第２の金属板によ
ってシールされた形となっているため、そのシールド効
果で大幅に向上した耐ノイズ性を呈する。かくして、本
発明に係るハイブリッドモジュール回路装置は、実用上
多くの利点をもたらすものといえる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明に係るハイブリッドモジュール回路装置
の要部構成例を示す断面図、第２図は従来のハイブリッ
ドモジュール回路装置の要部構成を示す断面図である。 １……セラミック配線基板 ２……メタルキャップでハーメチックシールされた比較
的発熱密度の高いハイブリッドIC素子 2a……メタルキャップ ３……フラットパッケージ型素子 ４……キャップ型素子 ５……半田付け ７……良熱伝導性接着層 ８……第１の金属板 ９……耐熱絶縁接着剤層 10……第２の金属板 11……ボルト

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】配線基板と、前記配線基板面上に一体的に
   取着された所定領域が選択的に開口する第１の金属板
   と、前記第１の金属板の開口により露出する配線基板面
   に実装された比較的発熱密度の高いハイブリッドIC素子
   以外の能動素子および受動素子と、前記装着した第１の
   金属板上の所定領域に実装されたメタルキャップでハー
   メチックシールされた比較的発熱密度の高いハイブリッ
   ドIC素子と、前記比較的発熱密度の高いハイブリッドIC
   素子のキャップ面が内壁面に対接しかつ開口端面を第１
   の金属板面に一体化させて取着した皿状の第２の金属板
   とを具備して成ることを特徴とするハイブリッドモジュ
   ール回路装置。