JP2538636B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2538636B2 JP2538636B2 JP63074109A JP7410988A JP2538636B2 JP 2538636 B2 JP2538636 B2 JP 2538636B2 JP 63074109 A JP63074109 A JP 63074109A JP 7410988 A JP7410988 A JP 7410988A JP 2538636 B2 JP2538636 B2 JP 2538636B2
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- JP
- Japan
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- metal
- case
- hole
- insulating substrate
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は複数個の半導体チップを含む電子部品を備
えたパワートランジスタモジュール，混成集積回路など
の複合化半導体装置に関する。
えたパワートランジスタモジュール，混成集積回路など
の複合化半導体装置に関する。
このような半導体装置として、金属基板の一主面が絶
縁膜で被覆されてなる金属絶縁基板と、この絶縁膜上に
固着され所要のパターン形状を有する金属導体と、この
金属導体上に配設固着されかつ内部リードで所要の電気
的接続がなされた複数個の半導体チップを含む電子部品
と、前記金属導体，電子部品，内部リードを収納しかつ
密封するように金属絶縁基板に接着される絶縁材料から
なるケースと、ケース内部の金属導体にその一端が接続
され他端がケースから外部へ引き出されている外部導出
端子とからなるものが知られている。
縁膜で被覆されてなる金属絶縁基板と、この絶縁膜上に
固着され所要のパターン形状を有する金属導体と、この
金属導体上に配設固着されかつ内部リードで所要の電気
的接続がなされた複数個の半導体チップを含む電子部品
と、前記金属導体，電子部品，内部リードを収納しかつ
密封するように金属絶縁基板に接着される絶縁材料から
なるケースと、ケース内部の金属導体にその一端が接続
され他端がケースから外部へ引き出されている外部導出
端子とからなるものが知られている。
このような構成の半導体装置は通常その両端部にケー
スおよび金属絶縁基板を連通して形成されている２個の
取り付け穴よりねじ等の螺着手段によって金属絶縁基板
の外部に露出している金属基板面が冷却体に接触するよ
うに取り付けられ、半導体チップから発生する熱を装置
外部へ冷却体により良好に放散できるような状態にして
使用される。
スおよび金属絶縁基板を連通して形成されている２個の
取り付け穴よりねじ等の螺着手段によって金属絶縁基板
の外部に露出している金属基板面が冷却体に接触するよ
うに取り付けられ、半導体チップから発生する熱を装置
外部へ冷却体により良好に放散できるような状態にして
使用される。
ところが、このように複合化された半導体装置はその
形状が大型化するので、その両端部で冷却体に取り付け
られた場合、この装置が熱膨張などによってもなお冷却
体の取り付け面が充分平坦である場合には放熱は良好に
行われるが、通常は平坦度が確保しにくく、例えばケー
スと金属絶縁基板との熱膨張係数の違いにより基板にそ
りなどが生じるので、接触が悪くなり放熱特性が低下す
るという欠点があった。さらに、最近の半導体装置のパ
ワーはますます大きくなる傾向にあり、それと共に前記
欠点がより顕著に現れがちであった。そのためその放熱
特性の改善が要望されているが、冷却体との接触熱抵抗
をより下げるには上記のような取り付け方法では困難で
あった。
形状が大型化するので、その両端部で冷却体に取り付け
られた場合、この装置が熱膨張などによってもなお冷却
体の取り付け面が充分平坦である場合には放熱は良好に
行われるが、通常は平坦度が確保しにくく、例えばケー
スと金属絶縁基板との熱膨張係数の違いにより基板にそ
りなどが生じるので、接触が悪くなり放熱特性が低下す
るという欠点があった。さらに、最近の半導体装置のパ
ワーはますます大きくなる傾向にあり、それと共に前記
欠点がより顕著に現れがちであった。そのためその放熱
特性の改善が要望されているが、冷却体との接触熱抵抗
をより下げるには上記のような取り付け方法では困難で
あった。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであっ
て、冷却体への放熱が充分良好に行われ、かつ、小型化
が可能な構造の半導体装置を提供することを目的とす
る。
て、冷却体への放熱が充分良好に行われ、かつ、小型化
が可能な構造の半導体装置を提供することを目的とす
る。
上記の目的を達成するために、この発明によれば、金
属基板の一主面が絶縁膜で被覆されてなる金属絶縁基板
と、この絶縁膜上に固着される所要のパターン形状を有
する金属導体と、この金属導体上に配設固着されかつ内
部リードで所要の電気的接続がなされた複数個の半導体
チップを含む電子部品と、前記金属導体，電子部品，内
部リードを収納しかつ密封するように前記金属絶縁基板
上に接着される絶縁材料からなるケースと、このケース
内部の前記金属導体にその一端が接続され他端がケース
から外部へ引き出されている外部導出端子とからなるも
のにおいて、冷却体への取り付けの穴が前記半導体チッ
プの間の金属絶縁基板に設けられ、さらにこの穴と中心
が一致し連通する円筒状延長部が前記ケースに設けら
れ、該穴と円筒状延長部とが同じ取り付け応力が加えら
れて冷却体に固着され、かつ、前記金属絶縁基板の穴と
前記円筒状延長部とからなる取り付け穴が前記ケースの
長手方向に２個以上形成されている半導体装置とする。
属基板の一主面が絶縁膜で被覆されてなる金属絶縁基板
と、この絶縁膜上に固着される所要のパターン形状を有
する金属導体と、この金属導体上に配設固着されかつ内
部リードで所要の電気的接続がなされた複数個の半導体
チップを含む電子部品と、前記金属導体，電子部品，内
部リードを収納しかつ密封するように前記金属絶縁基板
上に接着される絶縁材料からなるケースと、このケース
内部の前記金属導体にその一端が接続され他端がケース
から外部へ引き出されている外部導出端子とからなるも
のにおいて、冷却体への取り付けの穴が前記半導体チッ
プの間の金属絶縁基板に設けられ、さらにこの穴と中心
が一致し連通する円筒状延長部が前記ケースに設けら
れ、該穴と円筒状延長部とが同じ取り付け応力が加えら
れて冷却体に固着され、かつ、前記金属絶縁基板の穴と
前記円筒状延長部とからなる取り付け穴が前記ケースの
長手方向に２個以上形成されている半導体装置とする。
このように冷却体への取り付け穴を半導体チップの間
に位置させることにより、取り付け穴間距離が短くなる
と共に、半導体チップ近傍で取り付けられているので半
導体チップ下部近傍に金属基板と冷却体の取り付け面と
の接触が極めて良好で確実な部分が存在することとなり
接触熱抵抗が低減されるので、半導体チップの発熱が効
果的に冷却体に伝導され放熱されることになる。
に位置させることにより、取り付け穴間距離が短くなる
と共に、半導体チップ近傍で取り付けられているので半
導体チップ下部近傍に金属基板と冷却体の取り付け面と
の接触が極めて良好で確実な部分が存在することとなり
接触熱抵抗が低減されるので、半導体チップの発熱が効
果的に冷却体に伝導され放熱されることになる。
また、回路パターンのロススペースを取り付け穴の位
置として有効に活用することが可能となり、従来、半導
体装置の両端部に取り付け穴を形成するためにとってい
たスペースが不要となるので装置の小型化が可能とな
る。
置として有効に活用することが可能となり、従来、半導
体装置の両端部に取り付け穴を形成するためにとってい
たスペースが不要となるので装置の小型化が可能とな
る。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す
立体図で、第１図（ａ）はケース，第１図（ｂ）は装置
内部を示す。第１図（ｂ）において、金属絶縁基板１は
金属基板11の一主面が絶縁膜12で被覆されてなる。この
絶縁膜12上に固着され所要のパターンにパターニングさ
れた金属導体３の所定位置に複数個の半導体チップ４
（図では６個の場合を示す），外部導出端子６が固着さ
れ、内部リード５により所要の電気的接続がなされてい
る。これらの半導体チップの間の絶縁膜12の露呈してい
る位置に複数個の取り付け穴7b（図では２個の場合を示
す）が設けられている。第１図（ａ）に示したケース２
の上面にはこの第１図（ｂ）の取り付け穴7bと連通する
位置に取り付け穴7aが設けられ、さらにこの取り付け穴
7aはケース２を基板１上に載せた時、この取り付け穴7a
からの円筒状延長部（図示せず）と基板１の取り付け穴
7bとが中心を一致させるように接触する。また、さらに
この実施例のように外部導出端子６を引き出すための開
口部21が電子部品収納部とは別個に設けられてもよい。
このように金属絶縁基板１上に形成された回路部分が収
納されるケース２はその周縁部および前記円筒状延長部
で基板１と接着され、電子部品収納部とは別個の開口部
21が樹脂で密閉封止されて半導体装置とされる。このよ
うにして得られた半導体装置は金属基板の外面が冷却体
の取り付け面と接触するように取り付け穴を利用して取
り付けられ使用される。
立体図で、第１図（ａ）はケース，第１図（ｂ）は装置
内部を示す。第１図（ｂ）において、金属絶縁基板１は
金属基板11の一主面が絶縁膜12で被覆されてなる。この
絶縁膜12上に固着され所要のパターンにパターニングさ
れた金属導体３の所定位置に複数個の半導体チップ４
（図では６個の場合を示す），外部導出端子６が固着さ
れ、内部リード５により所要の電気的接続がなされてい
る。これらの半導体チップの間の絶縁膜12の露呈してい
る位置に複数個の取り付け穴7b（図では２個の場合を示
す）が設けられている。第１図（ａ）に示したケース２
の上面にはこの第１図（ｂ）の取り付け穴7bと連通する
位置に取り付け穴7aが設けられ、さらにこの取り付け穴
7aはケース２を基板１上に載せた時、この取り付け穴7a
からの円筒状延長部（図示せず）と基板１の取り付け穴
7bとが中心を一致させるように接触する。また、さらに
この実施例のように外部導出端子６を引き出すための開
口部21が電子部品収納部とは別個に設けられてもよい。
このように金属絶縁基板１上に形成された回路部分が収
納されるケース２はその周縁部および前記円筒状延長部
で基板１と接着され、電子部品収納部とは別個の開口部
21が樹脂で密閉封止されて半導体装置とされる。このよ
うにして得られた半導体装置は金属基板の外面が冷却体
の取り付け面と接触するように取り付け穴を利用して取
り付けられ使用される。
この発明による半導体装置は半導体チップの間に位置
する複数個の取り付け穴により冷却体に確実に装着され
て使用される。従って、冷却体の取り付け面が充分平坦
でない場合でも、半導体チップの下部近傍に金属基板面
と冷却体の取り付け面との接触が極めて良好な箇所が存
在することになり、半導体チップの発熱が効果的に冷却
体に伝導され良好な放熱が行われることになる。
する複数個の取り付け穴により冷却体に確実に装着され
て使用される。従って、冷却体の取り付け面が充分平坦
でない場合でも、半導体チップの下部近傍に金属基板面
と冷却体の取り付け面との接触が極めて良好な箇所が存
在することになり、半導体チップの発熱が効果的に冷却
体に伝導され良好な放熱が行われることになる。
また、半導体装置内部の回路パターンのロススペース
を取り付け穴として利用することが可能となり、従来、
半導体装置の両端部に取り付け穴を形成するために設け
ていたスペースが不要となり半導体装置を小型化するこ
とが可能となる。
を取り付け穴として利用することが可能となり、従来、
半導体装置の両端部に取り付け穴を形成するために設け
ていたスペースが不要となり半導体装置を小型化するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す分解立
体図で、第１図（ａ）はケース、第１図（ｂ）は装置内
部を示す。 １……金属絶縁基板、２……ケース、３……金属導体、
４……半導体チップ、５……内部リード、６……外部導
出端子、7a,7b……取り付け穴、11……金属基板、12…
…絶縁膜、21……開口部。
体図で、第１図（ａ）はケース、第１図（ｂ）は装置内
部を示す。 １……金属絶縁基板、２……ケース、３……金属導体、
４……半導体チップ、５……内部リード、６……外部導
出端子、7a,7b……取り付け穴、11……金属基板、12…
…絶縁膜、21……開口部。
Claims (1)
- 【請求項１】金属基板の一主面が絶縁膜で被覆されてな
る金属絶縁基板と、この絶縁膜上に固着される所要のパ
ターン形状を有する金属導体と、この金属導体上に配設
固着されかつ内部リードで所要の電気的接続がなされた
複数個の半導体チップを含む電子部品と、前記金属導
体，電子部品，内部リードを収納しかつ密封するように
前記金属絶縁基板上に接着される絶縁材料からなるケー
スと、このケース内部の前記金属導体にその一端が接続
され他端がケースから外部へ引き出されている外部導出
端子とからなるものにおいて、冷却体への取り付けの穴
が前記半導体チップの間の金属絶縁基板に設けられ、さ
らにこの穴と中心が一致し連通する円筒状延長部が前記
ケースに設けられ、該穴と円筒状延長部とが同じ取り付
け応力が加えられて冷却体に固着され、かつ、前記金属
絶縁基板の穴と前記円筒状延長部とからなる取り付け穴
が前記ケースの長手方向に２個以上形成されていること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074109A JP2538636B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074109A JP2538636B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246857A JPH01246857A (ja) | 1989-10-02 |
| JP2538636B2 true JP2538636B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=13537700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074109A Expired - Lifetime JP2538636B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538636B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2513079B2 (ja) * | 1990-11-02 | 1996-07-03 | 三菱電機株式会社 | インテリジェントパワ―モジュ―ルの製造方法 |
| US6166464A (en) * | 1998-08-24 | 2000-12-26 | International Rectifier Corp. | Power module |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884451A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-20 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63074109A patent/JP2538636B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884451A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-20 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01246857A (ja) | 1989-10-02 |
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