JPH01246857A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01246857A JPH01246857A JP7410988A JP7410988A JPH01246857A JP H01246857 A JPH01246857 A JP H01246857A JP 7410988 A JP7410988 A JP 7410988A JP 7410988 A JP7410988 A JP 7410988A JP H01246857 A JPH01246857 A JP H01246857A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting holes
- metal
- insulating film
- semiconductor chips
- case
- Prior art date
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は複数個の半導体チップを含む電子部品を備え
たパワ−トランジスタモジニール２混成集積回路などの
複合化半導体装置に関する。
たパワ−トランジスタモジニール２混成集積回路などの
複合化半導体装置に関する。
このような半導体装置として、金属基板の一主面が絶縁
膜で被覆されてなる金属絶縁基板と、この絶縁膜上に固
着され所要のパターン形状を有する金属導体上にさらに
配設固着されかつ内部リードで所要の電気的接続がなさ
れた複数個の半導体チップを含む電子部品と、前記金属
導体、電子部品、内部リードを収納しかつ密封するよう
に金属絶縁基板に接着される絶縁材料からなるケースと
、ケース内部の金属導体にその一端が接続され他端がケ
ースから外部へ引き出されている外部導出端子とからな
るものが知られている。
膜で被覆されてなる金属絶縁基板と、この絶縁膜上に固
着され所要のパターン形状を有する金属導体上にさらに
配設固着されかつ内部リードで所要の電気的接続がなさ
れた複数個の半導体チップを含む電子部品と、前記金属
導体、電子部品、内部リードを収納しかつ密封するよう
に金属絶縁基板に接着される絶縁材料からなるケースと
、ケース内部の金属導体にその一端が接続され他端がケ
ースから外部へ引き出されている外部導出端子とからな
るものが知られている。
このような構成の半導体装置は通常その両端部にケース
および金属絶縁基板を連通して形成されている２個の取
り付け穴により金属絶縁基板の外部に露出している金属
基板面が冷却体に接触するように取り付けられ、半導体
チップから発生する熱を装置外部へ良好に放散できるよ
うな状態にして使用される。
および金属絶縁基板を連通して形成されている２個の取
り付け穴により金属絶縁基板の外部に露出している金属
基板面が冷却体に接触するように取り付けられ、半導体
チップから発生する熱を装置外部へ良好に放散できるよ
うな状態にして使用される。
ところが、このように複合化された半導体装置はその形
状が大型化するので、その両端部で冷却体に取り付けら
れた場合、この装置が熱膨張などによってもなお冷却体
の取り付け面が充分平坦である場合には放熱は良好に行
われるが、通常は平坦度が確保しに＜＜、例えば基板に
そりなどが生じるので、接触が悪くなり放熱特性が低下
するという欠点があった。さらに、最近の半導体装置の
パワーはますます大きくなる傾向にあり、それと共に前
記欠点がより顕著に現れがちであった。そのためその放
熱特性の改善が要望されているが、冷却体との接触熱抵
抗をより下げるには上記のような取り付け方法では困難
であった。
状が大型化するので、その両端部で冷却体に取り付けら
れた場合、この装置が熱膨張などによってもなお冷却体
の取り付け面が充分平坦である場合には放熱は良好に行
われるが、通常は平坦度が確保しに＜＜、例えば基板に
そりなどが生じるので、接触が悪くなり放熱特性が低下
するという欠点があった。さらに、最近の半導体装置の
パワーはますます大きくなる傾向にあり、それと共に前
記欠点がより顕著に現れがちであった。そのためその放
熱特性の改善が要望されているが、冷却体との接触熱抵
抗をより下げるには上記のような取り付け方法では困難
であった。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、
冷却体への放熱が充分良好に行われ、かつ、小型化が可
能な構造の半導体装置を提供することを目的とする。
冷却体への放熱が充分良好に行われ、かつ、小型化が可
能な構造の半導体装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、この発明によれば、金属
基板の一主面が絶縁膜で被覆されてなる金属絶縁基板と
、この絶縁膜上に固着される所要のパターン形状を有す
る金属導体上ににさらに配設固着されかつ内部リードで
所要の電気的接続がなされた複数個の半導体チップを含
む電子部品と、前記金属導体、電子部品、内部リードを
収納しかつ密封するように前記金属絶縁基板上に接着さ
れる絶縁材料からなるケースと、このケース内部の前記
金属導体にその一端が接続され他端がケースから外部へ
引き出されている外部導出端子とからなるものにおいて
、冷却体への取り付け穴が前記半導体チップ間に設けら
れ、さらにこの穴は前記ケースからの円筒状延長部と金
属絶縁基板の穴とを中心を一致させて連通ずるように形
成され、かつ、このような取り付け穴が２個以上形成さ
れている半導体装置とする。
基板の一主面が絶縁膜で被覆されてなる金属絶縁基板と
、この絶縁膜上に固着される所要のパターン形状を有す
る金属導体上ににさらに配設固着されかつ内部リードで
所要の電気的接続がなされた複数個の半導体チップを含
む電子部品と、前記金属導体、電子部品、内部リードを
収納しかつ密封するように前記金属絶縁基板上に接着さ
れる絶縁材料からなるケースと、このケース内部の前記
金属導体にその一端が接続され他端がケースから外部へ
引き出されている外部導出端子とからなるものにおいて
、冷却体への取り付け穴が前記半導体チップ間に設けら
れ、さらにこの穴は前記ケースからの円筒状延長部と金
属絶縁基板の穴とを中心を一致させて連通ずるように形
成され、かつ、このような取り付け穴が２個以上形成さ
れている半導体装置とする。
このように冷却体への取り付け穴を半導体チップの間に
位置させることにより、取り付け穴間距離が短くなると
共に、半導体チップ近傍で取り付けられているので半導
体チップ下部近傍に金属基板と冷却体の取り付け面との
接触が極めて良好で確実な部分が存在することとなり接
触熱抵抗が低減されるので、半導体チップの発熱が効果
的に冷却体に伝導され放熱されることになる。
位置させることにより、取り付け穴間距離が短くなると
共に、半導体チップ近傍で取り付けられているので半導
体チップ下部近傍に金属基板と冷却体の取り付け面との
接触が極めて良好で確実な部分が存在することとなり接
触熱抵抗が低減されるので、半導体チップの発熱が効果
的に冷却体に伝導され放熱されることになる。
また、回路パターンのロススペースを取り付け穴の位置
として有効に活用することが可能となり、従来、半導体
装置の両端部に取り付け穴を形成するためにとっていた
スペースが不要となるので装置の小型化が可能となる。
として有効に活用することが可能となり、従来、半導体
装置の両端部に取り付け穴を形成するためにとっていた
スペースが不要となるので装置の小型化が可能となる。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す立
体図で、第１図（ａ）はケース、第１図（ｂ）は装置内
部を示す。第１図ら）において、金属絶縁基板１は金属
基板１１の一主面が絶縁膜１２で被覆されてなる。この
絶縁膜１２上に固着され所要のパターンにバターニング
された金属導体３の所定位置に複数個の半導体チップ４
（図では６個の場合を示す）、外部導出端子６が固着さ
れ、内部リード５により所要の電気的接続がなされてい
る。これらの半導体チップの間の絶縁膜１２の露呈して
いる位置に複数個の取り付け穴７ｂ（図では２個の場合
を示す）が設けられている。第１図（ａ）に示したケー
ス２の上面にはこの第１図（ｂ）の取り付け穴７ｂと連
通ずる位置に取り付け穴７ａが設けられ、さらにこの取
り付け穴７ａはケース２を基板ｌ上に載せた時、この取
り付け穴７ａからの円筒状延長部（図示せず）と基板１
の取り付け穴７ｂとが中心を一致させるように接触する
。また、さらにこの実施例のように外部導出端子６を引
き出すための開口部２１が電子部品収納部とは別個に設
けられてもよい。このように金属絶縁基板１上に形成さ
れた回路部分が収納されるケース２はその周縁部および
前記円筒状延長部で基板１と接着され、電子部品収納部
とは別個の開口部２１が樹脂で密閉封止されて半導体装
置とされる。このようにして得られた半導体装置は金属
基板の外面が冷却体の取り付け面と接触するように取り
付け穴を利用して取り付けられ使用される。
体図で、第１図（ａ）はケース、第１図（ｂ）は装置内
部を示す。第１図ら）において、金属絶縁基板１は金属
基板１１の一主面が絶縁膜１２で被覆されてなる。この
絶縁膜１２上に固着され所要のパターンにバターニング
された金属導体３の所定位置に複数個の半導体チップ４
（図では６個の場合を示す）、外部導出端子６が固着さ
れ、内部リード５により所要の電気的接続がなされてい
る。これらの半導体チップの間の絶縁膜１２の露呈して
いる位置に複数個の取り付け穴７ｂ（図では２個の場合
を示す）が設けられている。第１図（ａ）に示したケー
ス２の上面にはこの第１図（ｂ）の取り付け穴７ｂと連
通ずる位置に取り付け穴７ａが設けられ、さらにこの取
り付け穴７ａはケース２を基板ｌ上に載せた時、この取
り付け穴７ａからの円筒状延長部（図示せず）と基板１
の取り付け穴７ｂとが中心を一致させるように接触する
。また、さらにこの実施例のように外部導出端子６を引
き出すための開口部２１が電子部品収納部とは別個に設
けられてもよい。このように金属絶縁基板１上に形成さ
れた回路部分が収納されるケース２はその周縁部および
前記円筒状延長部で基板１と接着され、電子部品収納部
とは別個の開口部２１が樹脂で密閉封止されて半導体装
置とされる。このようにして得られた半導体装置は金属
基板の外面が冷却体の取り付け面と接触するように取り
付け穴を利用して取り付けられ使用される。
この発明による半導体装置は半導体チップの間に位置す
る複数個の取り付け穴により冷却体に確実に装着されて
使用される。従って、冷却体の取り付け面が充分平坦で
ない場合でも、半導体チップの下部近傍に金属基板面と
冷却体の取り付け面との接触が極めて良好な箇所が存在
することになり、半導体チップの発熱が効果的に冷却体
に伝導され良好な放熱が行われることになる。
る複数個の取り付け穴により冷却体に確実に装着されて
使用される。従って、冷却体の取り付け面が充分平坦で
ない場合でも、半導体チップの下部近傍に金属基板面と
冷却体の取り付け面との接触が極めて良好な箇所が存在
することになり、半導体チップの発熱が効果的に冷却体
に伝導され良好な放熱が行われることになる。
また、半導体装置内部の回路パターンのロススペースを
取り付け穴として利用することが可能となり、従来、半
導体装置の両端部に取り付け穴を形成するために設けて
いたスペースが不要となり半導体装置を小型化すること
が可能となる。
取り付け穴として利用することが可能となり、従来、半
導体装置の両端部に取り付け穴を形成するために設けて
いたスペースが不要となり半導体装置を小型化すること
が可能となる。
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す分解立
体図で、第１図（ａ）はケース、第１図ら）は装置内部
を示す。 ｌ 金属絶縁基板、２ ケース、３ 金属導体、４ 半
導体チップ、５ 内部リード、６ 外部導出端子、７ａ
、７ｂ 取り付け穴、ＩＩ 金属基板、１２ 絶
縁膜、２１ 開口部。
体図で、第１図（ａ）はケース、第１図ら）は装置内部
を示す。 ｌ 金属絶縁基板、２ ケース、３ 金属導体、４ 半
導体チップ、５ 内部リード、６ 外部導出端子、７ａ
、７ｂ 取り付け穴、ＩＩ 金属基板、１２ 絶
縁膜、２１ 開口部。
Claims (1)
- １）金属基板の一主面が絶縁膜で被覆されてなる金属絶
縁基板と、この絶縁膜上に固着される所要のパターン形
状を有する金属導体上にさらに配設固着されかつ内部リ
ードで所要の電気的接続がなされた複数個の半導体チッ
プを含む電子部品と、前記金属導体、電子部品、内部リ
ードを収納しかつ密封するように前記金属絶縁基板上に
接着される絶縁材料からなるケースと、このケース内部
の前記金属導体にその一端が接続され他端がケースから
外部へ引き出されている外部導出端子とからなるものに
おいて、冷却体への取り付け穴が前記半導体チップ間に
設けられ、さらにこの穴は前記ケースからの円筒状延長
部と金属絶縁基板の穴とを中心を一致させて連通するよ
うに形成され、かつ、このような取り付け穴が２個以上
形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074109A JP2538636B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074109A JP2538636B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246857A true JPH01246857A (ja) | 1989-10-02 |
| JP2538636B2 JP2538636B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=13537700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074109A Expired - Lifetime JP2538636B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538636B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04171754A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | インテリジェントパワーモジュールの製造方法 |
| US6166464A (en) * | 1998-08-24 | 2000-12-26 | International Rectifier Corp. | Power module |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884451A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-20 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63074109A patent/JP2538636B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884451A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-20 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04171754A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | インテリジェントパワーモジュールの製造方法 |
| US6166464A (en) * | 1998-08-24 | 2000-12-26 | International Rectifier Corp. | Power module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2538636B2 (ja) | 1996-09-25 |
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Legal Events
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