JPH04368155A - 半導体装置および電子装置 - Google Patents
半導体装置および電子装置Info
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- JPH04368155A JPH04368155A JP14453191A JP14453191A JPH04368155A JP H04368155 A JPH04368155 A JP H04368155A JP 14453191 A JP14453191 A JP 14453191A JP 14453191 A JP14453191 A JP 14453191A JP H04368155 A JPH04368155 A JP H04368155A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置および電子
装置に係り、特に、熱抵抗の低減を図るのに好適な半導
体装置および電子装置に関する。
装置に係り、特に、熱抵抗の低減を図るのに好適な半導
体装置および電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化が進むに従い、半
導体装置の蓄熱が問題となっている。この問題を回避す
る方法には、例えば、特開平１−３１４４３号公報のよ
うに、半導体装置上にフィンを設けることが挙げられる
。また、他の方法は、半導体装置を実装する基板に熱を
逃がす手段を備えるなどがある。例えば、特開昭６３−
２０７１６１号公報は、信号用リードとして用いないリ
ードを基板に接続し、放熱を図るものであり、特開平２
−６２０６６号公報は、半導体装置と基板との間に柔軟
で熱伝導率の良い物質をはさみ放熱を図るものである。
導体装置の蓄熱が問題となっている。この問題を回避す
る方法には、例えば、特開平１−３１４４３号公報のよ
うに、半導体装置上にフィンを設けることが挙げられる
。また、他の方法は、半導体装置を実装する基板に熱を
逃がす手段を備えるなどがある。例えば、特開昭６３−
２０７１６１号公報は、信号用リードとして用いないリ
ードを基板に接続し、放熱を図るものであり、特開平２
−６２０６６号公報は、半導体装置と基板との間に柔軟
で熱伝導率の良い物質をはさみ放熱を図るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術はそれぞ
れ以下の点に問題があったので、それを順に説明する。
れ以下の点に問題があったので、それを順に説明する。
【０００４】まず、特開平１−３１４４３号公報では、
半導体装置上にフィンを設けて放熱を図るため、半導体
装置の厚さが大きくなるという問題がある。
半導体装置上にフィンを設けて放熱を図るため、半導体
装置の厚さが大きくなるという問題がある。
【０００５】次に、特開昭６３−２０７１６号公報では
、信号用として用いない放熱専用のリードを備えるため
、半導体装置の寸法が大型化するという問題がある。近
年、半導体装置の高集積化によって、リードの本数は増
大する傾向にある。その反面、半導体装置の外形は高密
度実装上の要求から自由に拡大できないか、或いは、逆
に小型化される傾向がある。従って、半導体装置の寸法
が一定のままで、信号用リードの他に放熱専用のリード
を設けるならば、リード幅や間隔の減少等によって信頼
上に問題が生じる可能性もある。また、一たん基板に実
装した後に予想外の発熱などによってさらに放熱を図ら
なければならないような場合には対処することができな
い。
、信号用として用いない放熱専用のリードを備えるため
、半導体装置の寸法が大型化するという問題がある。近
年、半導体装置の高集積化によって、リードの本数は増
大する傾向にある。その反面、半導体装置の外形は高密
度実装上の要求から自由に拡大できないか、或いは、逆
に小型化される傾向がある。従って、半導体装置の寸法
が一定のままで、信号用リードの他に放熱専用のリード
を設けるならば、リード幅や間隔の減少等によって信頼
上に問題が生じる可能性もある。また、一たん基板に実
装した後に予想外の発熱などによってさらに放熱を図ら
なければならないような場合には対処することができな
い。
【０００６】最後に、特開平２−６２０６６号公報記載
の半導体装置のように、高熱伝導性グリース等を半導体
装置と基板の間にはさむ場合の問題点について説明する
。一般に、半導体装置を基板に実装する場合、リフロー
はんだ付けが行われるが、このとき基板は２００℃程度
になる。これは、グリースの耐熱温度を上回っており、
半導体装置を基板に実装する前に、グリースを挿入する
ことはできない。また、実装後の半導体装置と基板との
間に高粘度のグリースを挿入することも困難である。さ
らに、最近広く用いられる小型の半導体装置では、半導
体装置と基板との対向面積が非常に小さく、グリースを
挿入したとしても、放熱効果は小さい。
の半導体装置のように、高熱伝導性グリース等を半導体
装置と基板の間にはさむ場合の問題点について説明する
。一般に、半導体装置を基板に実装する場合、リフロー
はんだ付けが行われるが、このとき基板は２００℃程度
になる。これは、グリースの耐熱温度を上回っており、
半導体装置を基板に実装する前に、グリースを挿入する
ことはできない。また、実装後の半導体装置と基板との
間に高粘度のグリースを挿入することも困難である。さ
らに、最近広く用いられる小型の半導体装置では、半導
体装置と基板との対向面積が非常に小さく、グリースを
挿入したとしても、放熱効果は小さい。
【０００７】本発明の目的は、これらの問題点を克服し
、任意の寸法の半導体装置の熱抵抗を低減することが可
能で、半導体装置を大幅に大型化することのない、半導
体装置および、電子装置を提供することにある。
、任意の寸法の半導体装置の熱抵抗を低減することが可
能で、半導体装置を大幅に大型化することのない、半導
体装置および、電子装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体装置表面に接着した放熱部材を、
半導体装置を実装する基板まで連続的に設け、基板に接
触または接着する。
に、本発明は、半導体装置表面に接着した放熱部材を、
半導体装置を実装する基板まで連続的に設け、基板に接
触または接着する。
【０００９】また、上記目的を達成するために、本発明
は、半導体装置表面に接触させた放熱部材を、半導体装
置を実装する基板まで連続的に設け、基板に接着する。
は、半導体装置表面に接触させた放熱部材を、半導体装
置を実装する基板まで連続的に設け、基板に接着する。
【００１０】さらに、上記目的を達成するために、本発
明は、放熱部材として金属箔または金属薄板、またはプ
ラスチックフィルム、あるいは、プラスチックフィルム
と金属箔の重ね合わせ材を使用する。
明は、放熱部材として金属箔または金属薄板、またはプ
ラスチックフィルム、あるいは、プラスチックフィルム
と金属箔の重ね合わせ材を使用する。
【００１１】
【作用】上記手段をとれば、半導体装置の内部から発生
した熱は、半導体装置表面の放熱部材を伝って基板に達
し、半導体装置の熱抵抗を低減することができる。
した熱は、半導体装置表面の放熱部材を伝って基板に達
し、半導体装置の熱抵抗を低減することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に従って説明す
る。図１は、本発明の一実施例の半導体装置を基板に実
装した電子装置の斜視図である。半導体装置本体１の上
面には、金属箔又は金属薄板よりなる放熱部材４が接着
剤５により接着されている。放熱部材４は、半導体装置
本体１のリード３のない方向に、基板２まで連続的に存
在し、基板２と接着剤５で接着される。そうすることに
より、半導体装置内部で発生した熱は、放熱部材４を伝
って基板２に達し、半導体装置の熱抵抗を低減すること
ができる。ここで、放熱部材４は、半導体装置本体１の
上面にあらかじめ接着しておいても良いし、基板２に半
導体装置本体１を実装してから、その上面に接着しても
良い。前者の場合は接着剤を用いる他、例えば、樹脂封
止型半導体装置であれば、放熱部材４もいっしょにモー
ルドすることにより接着できる。その際、放熱部材４の
接着面あるいは側面に凹凸を設ければ、より強固に接着
することができる。また、放熱部材４と基板２とは、接
着剤５で接着するばかりではなく、はんだ接合しても良
い。この場合、リード３を基板２にはんだ接合するのと
同時に行えば工程が増えることもない。また、グリース
等を用い基板２と接触しているだけでも良い。逆に、放
熱部材４と基板２とを接着するならば、放熱部材４と半
導体装置本体１とは接触しているだけでも良い。放熱部
材４の材質は、銅，アルミニウムおよびそれぞれの材料
の合金などの高熱伝導性金属材料が望ましい。ただし、
各種鉄鋼材料やニッケル合金等他の金属材料でも放熱効
果を得ることはできる。放熱部材４の厚さは、放熱部材
４と半導体装置本体１および放熱部材４と基板２のいず
れもが接着しているならば、３０μｍ〜１００μｍ程度
で良い。また、いずれか一方が接着，他の一方が接触し
ている場合には１００μｍ〜３００μｍ程度の厚さで十
分放熱効果が得られる。
る。図１は、本発明の一実施例の半導体装置を基板に実
装した電子装置の斜視図である。半導体装置本体１の上
面には、金属箔又は金属薄板よりなる放熱部材４が接着
剤５により接着されている。放熱部材４は、半導体装置
本体１のリード３のない方向に、基板２まで連続的に存
在し、基板２と接着剤５で接着される。そうすることに
より、半導体装置内部で発生した熱は、放熱部材４を伝
って基板２に達し、半導体装置の熱抵抗を低減すること
ができる。ここで、放熱部材４は、半導体装置本体１の
上面にあらかじめ接着しておいても良いし、基板２に半
導体装置本体１を実装してから、その上面に接着しても
良い。前者の場合は接着剤を用いる他、例えば、樹脂封
止型半導体装置であれば、放熱部材４もいっしょにモー
ルドすることにより接着できる。その際、放熱部材４の
接着面あるいは側面に凹凸を設ければ、より強固に接着
することができる。また、放熱部材４と基板２とは、接
着剤５で接着するばかりではなく、はんだ接合しても良
い。この場合、リード３を基板２にはんだ接合するのと
同時に行えば工程が増えることもない。また、グリース
等を用い基板２と接触しているだけでも良い。逆に、放
熱部材４と基板２とを接着するならば、放熱部材４と半
導体装置本体１とは接触しているだけでも良い。放熱部
材４の材質は、銅，アルミニウムおよびそれぞれの材料
の合金などの高熱伝導性金属材料が望ましい。ただし、
各種鉄鋼材料やニッケル合金等他の金属材料でも放熱効
果を得ることはできる。放熱部材４の厚さは、放熱部材
４と半導体装置本体１および放熱部材４と基板２のいず
れもが接着しているならば、３０μｍ〜１００μｍ程度
で良い。また、いずれか一方が接着，他の一方が接触し
ている場合には１００μｍ〜３００μｍ程度の厚さで十
分放熱効果が得られる。
【００１３】
【表１】
【００１４】以下は、放熱部材４と半導体装置本体１お
よび放熱部材４と基板２とがいずれも接着している場合
について説明する。
よび放熱部材４と基板２とがいずれも接着している場合
について説明する。
【００１５】図２は、その他の実施例の半導体装置を基
板に実装した電子装置を示す平面図である。半導体装置
本体１の四方からリード３が出ている場合等は、図示し
たように、半導体装置本体１の上面に接着した放熱部材
４をリード３の上から基板２に接着する。この場合、あ
らかじめ放熱部材４に電気的絶縁部材６を設けておけば
、万一、放熱部材４とリード３とが接触しても短絡する
ことはない。放熱部材４は、その短絡を生じる可能性の
ある一部のみに絶縁部材を備えても良い。また、図３の
本発明の一実施例の放熱部材の斜視図に示したように、
絶縁フィルム７上に金属箔８を接着したものを用いても
良い。図４に示したように半導体装置本体１と金属箔８
および基板と金属箔８とが絶縁フィルム７を介して接着
される場合、接着面積が広ければ、放熱効果を得ること
ができる。
板に実装した電子装置を示す平面図である。半導体装置
本体１の四方からリード３が出ている場合等は、図示し
たように、半導体装置本体１の上面に接着した放熱部材
４をリード３の上から基板２に接着する。この場合、あ
らかじめ放熱部材４に電気的絶縁部材６を設けておけば
、万一、放熱部材４とリード３とが接触しても短絡する
ことはない。放熱部材４は、その短絡を生じる可能性の
ある一部のみに絶縁部材を備えても良い。また、図３の
本発明の一実施例の放熱部材の斜視図に示したように、
絶縁フィルム７上に金属箔８を接着したものを用いても
良い。図４に示したように半導体装置本体１と金属箔８
および基板と金属箔８とが絶縁フィルム７を介して接着
される場合、接着面積が広ければ、放熱効果を得ること
ができる。
【００１６】さらに、図１，図２，図４に示した実施例
では、放熱部材４と基板２とを半導体装置本体１の二方
向で接着しているが、三方向以上でも、一方向でも良い
し、また、接着部分を細かく分割し、複数箇所で接着し
ても良い。例えば、図５に示すように、半導体装置本体
１の四隅で放熱部材４と基板２とを接着すれば、実装に
要する面積があまり増大することもない。また、実装す
る高さに余裕がある場合には、図６に示すように、金属
箔８上にフィン９を接着した放熱部材４を用い、半導体
装置本体１と基板２とをつなげば、さらに、放熱効果は
向上する。
では、放熱部材４と基板２とを半導体装置本体１の二方
向で接着しているが、三方向以上でも、一方向でも良い
し、また、接着部分を細かく分割し、複数箇所で接着し
ても良い。例えば、図５に示すように、半導体装置本体
１の四隅で放熱部材４と基板２とを接着すれば、実装に
要する面積があまり増大することもない。また、実装す
る高さに余裕がある場合には、図６に示すように、金属
箔８上にフィン９を接着した放熱部材４を用い、半導体
装置本体１と基板２とをつなげば、さらに、放熱効果は
向上する。
【００１７】本発明の各実施例によれば、半導体装置内
部で発生した熱は装置表面の放熱部材を伝って基板に達
するので、任意の寸法の半導体装置の熱抵抗を低減する
ことができる。また、例えば、半導体装置の発熱量が設
計値よりも大きかった場合等、基板に実装した後の半導
体装置であっても容易に熱抵抗を低減できる。また、放
熱部材と基板とを接着すれば、基板が変形した場合等、
従来リードの基板接合部に加わる力を放熱部材が緩和す
るため、信頼性にも優れた半導体装置および電子装置が
得られる。
部で発生した熱は装置表面の放熱部材を伝って基板に達
するので、任意の寸法の半導体装置の熱抵抗を低減する
ことができる。また、例えば、半導体装置の発熱量が設
計値よりも大きかった場合等、基板に実装した後の半導
体装置であっても容易に熱抵抗を低減できる。また、放
熱部材と基板とを接着すれば、基板が変形した場合等、
従来リードの基板接合部に加わる力を放熱部材が緩和す
るため、信頼性にも優れた半導体装置および電子装置が
得られる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、任意の寸法の半導体装
置の熱抵抗を容易に低減することができる。また、基板
に実装した後の半導体装置の熱抵抗も容易に低減するこ
とができる。
置の熱抵抗を容易に低減することができる。また、基板
に実装した後の半導体装置の熱抵抗も容易に低減するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置を基板に実
装した電子装置の斜視図。
装した電子装置の斜視図。
【図２】本発明の第二の実施例による半導体装置を基板
に実装した電子装置の平面図。
に実装した電子装置の平面図。
【図３】本発明の一実施例の放熱部材の斜視図。
【図４】本発明の第三の実施例による半導体装置を基板
に実装した電子装置の平面図。
に実装した電子装置の平面図。
【図５】本発明の第二の実施例による半導体装置を基板
に実装した電子装置の斜視図。
に実装した電子装置の斜視図。
【図６】本発明の第三の実施例による半導体装置を基板
に実装した電子装置の斜視図。
に実装した電子装置の斜視図。
１…半導体装置本体、２…基板、３…リード、４…放熱
部材、５…接着剤、６…絶縁部材、７…絶縁フィルム、
８…金属箔、９…フィン。
部材、５…接着剤、６…絶縁部材、７…絶縁フィルム、
８…金属箔、９…フィン。
Claims (5)
- 【請求項１】放熱部材を備えた半導体装置において、前
記放熱部材が、前記半導体装置の表面に接着され、前記
半導体装置を実装する基板まで連続的に存在し、前記基
板に接触または接着する手段を備えたことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記放熱部材として、
金属箔または金属薄板または、プラスチックフィルム、
あるいはプラスチックフィルムと金属箔の重ね合わせ材
を用いた半導体装置。 - 【請求項３】放熱部材を備え、半導体装置を基板に実装
した電子装置において、前記放熱部材が、前記半導体装
置の表面に接触し、かつ、前記基板まで連続的に存在し
、前記基板に接着する手段を備えたことを特徴とする電
子装置。 - 【請求項４】請求項３において、前記放熱部材として、
金属箔または金属薄板または、プラスチックフィルム、
あるいは、プラスチックフィルムと金属箔の重ね合わせ
材を用いた電子装置。 - 【請求項５】請求項１または２において、前記半導体装
置の少なくとも一つを基板に実装した電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14453191A JPH04368155A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体装置および電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14453191A JPH04368155A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体装置および電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04368155A true JPH04368155A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15364488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14453191A Pending JPH04368155A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体装置および電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04368155A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004271819A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置ならびに投射型表示装置および電子機器 |
| ITMI20111208A1 (it) * | 2011-06-30 | 2012-12-31 | St Microelectronics Srl | Sistema con dissipatore di calore stabilizzato |
| ITMI20111217A1 (it) * | 2011-06-30 | 2012-12-31 | St Microelectronics Srl | Sistema contenitore/dissipatore per componente elettronico |
| US8723311B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-05-13 | Stmicroelectronics S.R.L. | Half-bridge electronic device with common heat sink on mounting surface |
| US8755188B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-06-17 | Stmicroelectronics S.R.L. | Half-bridge electronic device with common auxiliary heat sink |
| US8817475B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-08-26 | Stmicroelectronics S.R.L. | System with shared heatsink |
| US8837153B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-09-16 | Stmicroelectronics S.R.L. | Power electronic device having high heat dissipation and stability |
| US8860192B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-10-14 | Stmicroelectronics S.R.L. | Power device having high switching speed |
| US9275943B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-03-01 | Stmicroelectronics S.R.L. | Power device having reduced thickness |
| WO2018159453A1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP14453191A patent/JPH04368155A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004271819A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置ならびに投射型表示装置および電子機器 |
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