JP2770485B2 - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JP2770485B2 JP2770485B2 JP26452589A JP26452589A JP2770485B2 JP 2770485 B2 JP2770485 B2 JP 2770485B2 JP 26452589 A JP26452589 A JP 26452589A JP 26452589 A JP26452589 A JP 26452589A JP 2770485 B2 JP2770485 B2 JP 2770485B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- electronic component
- circuit
- wire
- plastic sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、回路基板に関するものであり、更に詳しく
は、電子部品がワイヤボィンディングによって実装され
た回路基板に関するものである。
は、電子部品がワイヤボィンディングによって実装され
た回路基板に関するものである。
［従来の技術］ 電気、電子工業分野において、機器やシステムの小形
化、高密度化の観点から、電子部品を実装した回路基板
が多用されている。
化、高密度化の観点から、電子部品を実装した回路基板
が多用されている。
電子部品を回路基板に組み込んだものとしては、ある
機能をパッケージした、いわゆるICパッケジングを回路
に組み込んだもの、電子部品をワイヤボンディングによ
って組み込んだもの、電子部品をワイヤレスボンディン
グによって組み込んだものが知られているが、回路全体
の薄形化、小形化や、作業性、信頼性の面からワイヤボ
ンディングによって電子部品を回路基板に組み込んだも
のが最も多く用いられている。
機能をパッケージした、いわゆるICパッケジングを回路
に組み込んだもの、電子部品をワイヤボンディングによ
って組み込んだもの、電子部品をワイヤレスボンディン
グによって組み込んだものが知られているが、回路全体
の薄形化、小形化や、作業性、信頼性の面からワイヤボ
ンディングによって電子部品を回路基板に組み込んだも
のが最も多く用いられている。
従来、電子部品をワイヤボンディングで実装された回
路基板は、第２図に示すように平面上に実装されたもの
が多用されている。
路基板は、第２図に示すように平面上に実装されたもの
が多用されている。
一方、ガラス繊維シートにエポキシ樹脂を含浸したガ
ラスエポキシ板の回路基板の表面の一部を削り、窪みを
形成し、該窪み部に電子部品を組み込んでワイヤボンデ
ィングして接合した回路基板も知られている。
ラスエポキシ板の回路基板の表面の一部を削り、窪みを
形成し、該窪み部に電子部品を組み込んでワイヤボンデ
ィングして接合した回路基板も知られている。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の第２図に示す回路基板は、電子部品の上部から
回路までのワイヤが長く、かつ曲率が大きいため、回路
基板に折り曲げや振動などの衝撃力が加わった時に、ワ
イヤに応力が加わり電子部品が破損したり、ワイヤが切
断したりし、回路基板の機能を消失するという問題点が
あった。特に、ICカードなどの用途では回路基板に柔軟
性が要求されるため、ワイヤが長く曲率の大きな従来の
回路基板では上記の問題点はより重要である。
回路までのワイヤが長く、かつ曲率が大きいため、回路
基板に折り曲げや振動などの衝撃力が加わった時に、ワ
イヤに応力が加わり電子部品が破損したり、ワイヤが切
断したりし、回路基板の機能を消失するという問題点が
あった。特に、ICカードなどの用途では回路基板に柔軟
性が要求されるため、ワイヤが長く曲率の大きな従来の
回路基板では上記の問題点はより重要である。
また、ガラスエポキシの回路基板に窪み部を設け、該
窪み部に電子部品を組み込んだ回路基板は、ワイヤが短
かく、曲率も小さくできるために上記の問題点は解消さ
れるが、窪み部を形成させる技術が難しく、コストが高
く、基板の柔軟性に乏しい。
窪み部に電子部品を組み込んだ回路基板は、ワイヤが短
かく、曲率も小さくできるために上記の問題点は解消さ
れるが、窪み部を形成させる技術が難しく、コストが高
く、基板の柔軟性に乏しい。
本発明は、以上のような問題点を解消し、回路基板に
柔軟性をもたせ、折り曲げ、振動などの応力が加わって
も電子部品の破損やワイヤの切断などによる機能の消失
がない回路基板を提供することを目的とする。
柔軟性をもたせ、折り曲げ、振動などの応力が加わって
も電子部品の破損やワイヤの切断などによる機能の消失
がない回路基板を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、プラスチックシートに電気回路が形成され
てなる回路基板であって、その表面には窪み部を有し、
該窪み部に電子部品が組み込まれ、かつワイヤボンディ
ングによって該電子部品と電気回路が電気的に結合され
てなる回路基板である。
てなる回路基板であって、その表面には窪み部を有し、
該窪み部に電子部品が組み込まれ、かつワイヤボンディ
ングによって該電子部品と電気回路が電気的に結合され
てなる回路基板である。
本発明のプラスチックシートとは、合成高分子物質か
らなるシートであり、例えば、ポリエステル、ポリフェ
ニレンスルフィド、ポリエーテルスルンホン、ポリエー
テルイミド、芳香族系ポリアミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリアミドイミドなどのフィルムやシート、
これらのフィルムやシートの２種以上の積層体、及び上
記のポリマからなる繊維シートに熱硬化性樹脂（例え
ば、エポキシ、シリコン、フェノール、ウレタンなど）
を含浸したものなどを挙げることができる。更に上記の
シートの熱安定性、成形性、難燃性などの向上を目的に
無機や有機の添加剤を添加したり、接着性の向上を目的
にコロナ処理やプラズマ処理、マット処理及び化学的処
理等の表面処理が単一又は組み合わせて行なわれていて
もよい。更に該シートの180℃、30分間の条件下の熱収
縮率が５％以下の耐熱性を有するものが、ワイヤボンデ
ィングの加工性の点で好ましい。
らなるシートであり、例えば、ポリエステル、ポリフェ
ニレンスルフィド、ポリエーテルスルンホン、ポリエー
テルイミド、芳香族系ポリアミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリアミドイミドなどのフィルムやシート、
これらのフィルムやシートの２種以上の積層体、及び上
記のポリマからなる繊維シートに熱硬化性樹脂（例え
ば、エポキシ、シリコン、フェノール、ウレタンなど）
を含浸したものなどを挙げることができる。更に上記の
シートの熱安定性、成形性、難燃性などの向上を目的に
無機や有機の添加剤を添加したり、接着性の向上を目的
にコロナ処理やプラズマ処理、マット処理及び化学的処
理等の表面処理が単一又は組み合わせて行なわれていて
もよい。更に該シートの180℃、30分間の条件下の熱収
縮率が５％以下の耐熱性を有するものが、ワイヤボンデ
ィングの加工性の点で好ましい。
本発明の回路基板は、上記のプラスチックシートの少
なくとも片方の面に銅やアルミニウムなどの金属又は、
カーボンや銀ペーストなどの導電性塗料によって、電気
回路が設けられているか、上記の金属及び導電性塗料を
組み合わせた形で電気回路が設けられているものであ
る。更に本発明の回路基板は、表面に窪み部を有し、電
子部品が組み込まれている。
なくとも片方の面に銅やアルミニウムなどの金属又は、
カーボンや銀ペーストなどの導電性塗料によって、電気
回路が設けられているか、上記の金属及び導電性塗料を
組み合わせた形で電気回路が設けられているものであ
る。更に本発明の回路基板は、表面に窪み部を有し、電
子部品が組み込まれている。
ここで、電子部品とは、電気回路を形成する素子で、
電気的な機能を有するものを言い、厚さ1mm以下のもの
が好ましい。また、大きさや形状は特に限定されない。
具体的には、ICで代表される集積回路、コンデンサ、抵
抗体、トランジスタ、電池、コイル、ダイオード、バリ
コン、トランス、などであり、好ましくはICで代表され
る集積回路である。
電気的な機能を有するものを言い、厚さ1mm以下のもの
が好ましい。また、大きさや形状は特に限定されない。
具体的には、ICで代表される集積回路、コンデンサ、抵
抗体、トランジスタ、電池、コイル、ダイオード、バリ
コン、トランス、などであり、好ましくはICで代表され
る集積回路である。
本発明でいう窪み部は、例えば第１図に示すように絞
り成形によって該回路基板に形成されているものであ
り、回路基板に電子部品をワイヤボンディングによって
組み込む場合、該ワイヤの長さが短くできかつ、曲率を
小さくできるように窪み部に電子部品が組み込まれる構
造になっている。なお、回路基板の柔軟性、及び加工性
の点から第１図のようにして窪みが形成されているのが
好ましい。更に該窪み部は、回路基板の同一平面上に２
個以上設けられてあってもよい。また、回路基板の両面
に設けられてあってもよい。更に該窪み部の大きさは、
用いる電子部品の大きさや形状によって変わるが、窪み
部の深さは組み込む電子部品の厚さの1/2〜3/2が好まし
く、大きさは電子部品の上部からみた面積の1.1〜2.5倍
の範囲が、ワイヤボンディング後のワイヤの曲率を小さ
くし、衝撃力による電子部品の破損、ワイヤの切断防止
のうえで好ましい。また、該窪みの形状は特に限定され
ないが、通常は電子部品の形状と同一のものが加工性の
点で用いられる。
り成形によって該回路基板に形成されているものであ
り、回路基板に電子部品をワイヤボンディングによって
組み込む場合、該ワイヤの長さが短くできかつ、曲率を
小さくできるように窪み部に電子部品が組み込まれる構
造になっている。なお、回路基板の柔軟性、及び加工性
の点から第１図のようにして窪みが形成されているのが
好ましい。更に該窪み部は、回路基板の同一平面上に２
個以上設けられてあってもよい。また、回路基板の両面
に設けられてあってもよい。更に該窪み部の大きさは、
用いる電子部品の大きさや形状によって変わるが、窪み
部の深さは組み込む電子部品の厚さの1/2〜3/2が好まし
く、大きさは電子部品の上部からみた面積の1.1〜2.5倍
の範囲が、ワイヤボンディング後のワイヤの曲率を小さ
くし、衝撃力による電子部品の破損、ワイヤの切断防止
のうえで好ましい。また、該窪みの形状は特に限定され
ないが、通常は電子部品の形状と同一のものが加工性の
点で用いられる。
上記窪み部に組み込まれた該電子部品は、ハンダや導
電性樹脂などで電子部品の底部を接着して固定されてい
ることが好ましい。
電性樹脂などで電子部品の底部を接着して固定されてい
ることが好ましい。
更に本発明の回路基板に組み込まれる電子部品はワイ
ヤボンディングによって、例えば第１図に示すように電
子部品と電気回路がワイヤによって電気的に接続されて
いる。ワイヤボンディングとは、電子部品の電極部と電
気回路部をワイヤによって接続する方法で、例えば15〜
300μφ程度の金やアルミニウム製のワイヤを数本〜数
十本（多いものでは数百本〜数千本）熱圧着法、超音波
法、サーモソニック法などの周知の方法で接合されてい
るものである。更にエポキシ系などの耐熱樹脂で、組み
込まれた電子部品をモールドされたものも本発明に含ま
れる。
ヤボンディングによって、例えば第１図に示すように電
子部品と電気回路がワイヤによって電気的に接続されて
いる。ワイヤボンディングとは、電子部品の電極部と電
気回路部をワイヤによって接続する方法で、例えば15〜
300μφ程度の金やアルミニウム製のワイヤを数本〜数
十本（多いものでは数百本〜数千本）熱圧着法、超音波
法、サーモソニック法などの周知の方法で接合されてい
るものである。更にエポキシ系などの耐熱樹脂で、組み
込まれた電子部品をモールドされたものも本発明に含ま
れる。
次に本発明の回路基板の製造方法について述べる。電
子部品として、ICを用いる場合を例として挙げるが、本
発明はこれに限定されるものではない。
子部品として、ICを用いる場合を例として挙げるが、本
発明はこれに限定されるものではない。
本発明の回路基板の代表的な実施態様を第１図に示
し、絞り成型により形成された回路基板の製造方法につ
いて述べる。
し、絞り成型により形成された回路基板の製造方法につ
いて述べる。
かかる実施態様においては、前述のプラスチックシー
トの熱変形温度が300℃以下の耐熱シートを用いること
が好ましい。熱変形温度が300℃を越えるものは実質的
に絞り成形が困難である。これらのプラスチックシート
の例としては、ポリエステルやポリフェニレンスルフィ
ドからなるフィルムなどが挙げられる。更にこれらのシ
ートの積層フィルムを用いることもできる。更に該シー
トの厚さは、10〜700μｍの範囲が好ましい。10μｍ未
満であると本発明で言う窪み部の絞り成形性が悪くなっ
たり、シートの腰が弱くなり、本発明の目的である衝撃
力に対するICやワイヤの破損を防止する効果に欠ける。
逆に700μｍを越える厚さになると、腰が強くなり回路
基板の曲げ応力が大きく本発明の目的が達成しにくくな
る。
トの熱変形温度が300℃以下の耐熱シートを用いること
が好ましい。熱変形温度が300℃を越えるものは実質的
に絞り成形が困難である。これらのプラスチックシート
の例としては、ポリエステルやポリフェニレンスルフィ
ドからなるフィルムなどが挙げられる。更にこれらのシ
ートの積層フィルムを用いることもできる。更に該シー
トの厚さは、10〜700μｍの範囲が好ましい。10μｍ未
満であると本発明で言う窪み部の絞り成形性が悪くなっ
たり、シートの腰が弱くなり、本発明の目的である衝撃
力に対するICやワイヤの破損を防止する効果に欠ける。
逆に700μｍを越える厚さになると、腰が強くなり回路
基板の曲げ応力が大きく本発明の目的が達成しにくくな
る。
上記のプラスチックシートに、導電性塗料や金属箔で
電気回路を形成する。導電性塗料を用いて回路を形成す
る場合は、シルク印刷などを通常用い、必要に応じて該
導電性塗料を熱硬化させる。
電気回路を形成する。導電性塗料を用いて回路を形成す
る場合は、シルク印刷などを通常用い、必要に応じて該
導電性塗料を熱硬化させる。
一方、金属箔で回路を形成する場合では、エポキシ
系、アクリル系などの耐熱型の接着剤を介して、上記の
プラスチックシートと積層し、塩化第２鉄水溶液などで
所望の回路パターンにエッチング加工する方法が通常用
いられる。また、上記の金属層との積層は、プラスチッ
クシートの表面に真空蒸着やメッキなどの方法で製造す
ることもできる。
系、アクリル系などの耐熱型の接着剤を介して、上記の
プラスチックシートと積層し、塩化第２鉄水溶液などで
所望の回路パターンにエッチング加工する方法が通常用
いられる。また、上記の金属層との積層は、プラスチッ
クシートの表面に真空蒸着やメッキなどの方法で製造す
ることもできる。
このようにして得られた回路基板のICが実装される位
置を絞り成形加工する。絞り成形は、常温で成形する冷
間成形法、又は、使用しているプラスチックシートの熱
変形温度以上の温度で成形する熱間成形法を用いること
ができるが、成形品の熱安定性の点で熱間成形の方が好
ましい。また、成形部の深さは、実装されるICの厚さの
1/2〜3/2の範囲内が、また、該成形部の大きさは、ICの
上部の面積の1.1〜2.5倍の範囲内が本発明の目的を達成
するうえで好ましい。更に該成形部の形は特に限定され
ない。
置を絞り成形加工する。絞り成形は、常温で成形する冷
間成形法、又は、使用しているプラスチックシートの熱
変形温度以上の温度で成形する熱間成形法を用いること
ができるが、成形品の熱安定性の点で熱間成形の方が好
ましい。また、成形部の深さは、実装されるICの厚さの
1/2〜3/2の範囲内が、また、該成形部の大きさは、ICの
上部の面積の1.1〜2.5倍の範囲内が本発明の目的を達成
するうえで好ましい。更に該成形部の形は特に限定され
ない。
次に得られた上記の成形部にICを固定する。ICを固定
する方法は、共晶合金法、ハンダ接続法、導電性樹脂接
着法などがあるが、ハンダ接続法、導電性樹脂接着法な
どの300℃以下の低温で接合する方法が好ましい。ここ
に、ハンダ接続法とは、あらかじめICの裏面に金やニッ
ケルなどの被膜を形成させ、200〜300℃のハンダで接合
する方法である。また、導電性樹脂接着法は、金や銀を
含むエポキシ系などの接着剤で接着する方法で、100〜2
00℃の熱硬化を必要に応じて行なう。
する方法は、共晶合金法、ハンダ接続法、導電性樹脂接
着法などがあるが、ハンダ接続法、導電性樹脂接着法な
どの300℃以下の低温で接合する方法が好ましい。ここ
に、ハンダ接続法とは、あらかじめICの裏面に金やニッ
ケルなどの被膜を形成させ、200〜300℃のハンダで接合
する方法である。また、導電性樹脂接着法は、金や銀を
含むエポキシ系などの接着剤で接着する方法で、100〜2
00℃の熱硬化を必要に応じて行なう。
次に、上記の固定されたICのリード線と回路とをワイ
ヤボンディングして接続する。ワイヤボンディングする
方法としては、300℃前後の温度で圧力を加えてリード
線を接続する熱圧着法、超音波エネルギーを利用する超
音波ボンディング法、上記の両方の方法を組み合わせた
サーモソニックワイヤボンディング法などを用いること
ができる。更に必要に応じて、エポキシ樹脂などでIC全
体をモールドする。
ヤボンディングして接続する。ワイヤボンディングする
方法としては、300℃前後の温度で圧力を加えてリード
線を接続する熱圧着法、超音波エネルギーを利用する超
音波ボンディング法、上記の両方の方法を組み合わせた
サーモソニックワイヤボンディング法などを用いること
ができる。更に必要に応じて、エポキシ樹脂などでIC全
体をモールドする。
このようにして得られた回路基板は、ベースに用いた
プラスチックシートの厚さが薄いものでも製造できるの
で、回路基板が柔軟性に富む。また製造が比較的簡単で
あるなどの利点がある。なお、例えばポリイミドフィル
ムのように超耐熱性を有るプラスチックシートをベース
とする場合は、絞り成形しにくい。
プラスチックシートの厚さが薄いものでも製造できるの
で、回路基板が柔軟性に富む。また製造が比較的簡単で
あるなどの利点がある。なお、例えばポリイミドフィル
ムのように超耐熱性を有るプラスチックシートをベース
とする場合は、絞り成形しにくい。
［発明の効果］ 本発明の回路基板は、以上のような構成としたため、
回路基板が柔軟性を有し、曲げや振動などの衝撃力が加
わっても電子部品の破損やワイヤの切断がないものにな
った。
回路基板が柔軟性を有し、曲げや振動などの衝撃力が加
わっても電子部品の破損やワイヤの切断がないものにな
った。
［用途］ 本発明の回路基板は、コンピューター、カメラ、時計
などに用いられる電子回路基板をはじめ、ICカードの回
路基板などにも適している。
などに用いられる電子回路基板をはじめ、ICカードの回
路基板などにも適している。
［実施例］ 次に実施例を挙げて詳細に説明する。
実施例１ （１） 回路基板の準備 プラスチックシートとして、75μｍ厚さの２軸配向ポ
リフェニレンスルフィドフィルム（以下PPSフィルムと
略称することがある）“トレリナ”タイプ3030（東レ
（株）製）を用いた。
リフェニレンスルフィドフィルム（以下PPSフィルムと
略称することがある）“トレリナ”タイプ3030（東レ
（株）製）を用いた。
上記のPPSフィルムのコロナ処理面に下記の接着剤を
塗布し、35μｍ厚さの圧延銅箔を積層した。
塗布し、35μｍ厚さの圧延銅箔を積層した。
接着剤；“ケミットエポキシ"TE−5920（東レ（株）
製）固形分濃度30wt％ 接着剤の配合;A剤/B剤＝15/100 上記の接着剤をグラビアロール法で塗布し、100℃、
３分間の条件で乾燥し、乾燥後の接着剤の塗布厚みが15
μｍになるように調整した。更に該接着剤を介して、上
記の銅箔を温度120℃、圧2kg/cmの条件で積層し、更に1
50℃、１時間の条件で接着剤を熱硬化せしめた。
製）固形分濃度30wt％ 接着剤の配合;A剤/B剤＝15/100 上記の接着剤をグラビアロール法で塗布し、100℃、
３分間の条件で乾燥し、乾燥後の接着剤の塗布厚みが15
μｍになるように調整した。更に該接着剤を介して、上
記の銅箔を温度120℃、圧2kg/cmの条件で積層し、更に1
50℃、１時間の条件で接着剤を熱硬化せしめた。
このようにして得られた銅張りフィルムを塩化第２鉄
水溶液でエッチングし、電気回路を形成した。
水溶液でエッチングし、電気回路を形成した。
更に、上記の回路基板の一部に8mm角の四角形で深さ
0.5mmの大きさに絞り成形し、第１図に示すような回路
基板を作製した。成形条件は、金型温度が220℃のプレ
ス成形で、成形後２分間熱固定した。
0.5mmの大きさに絞り成形し、第１図に示すような回路
基板を作製した。成形条件は、金型温度が220℃のプレ
ス成形で、成形後２分間熱固定した。
（２） ICの実装 （１）で作製した回路基板の窪み部に、6mm×6mmの角
形で、厚さ0.5mmのICを導電性接着剤（“ハイソール"TD
−6203東レ（株）製）で第１図に示すように接合した。
該接着剤の硬化条件は、150℃で20分間であった。更に
該ICを９本の金製のワイヤ（50μφ）を超音波でボンデ
ィングした。
形で、厚さ0.5mmのICを導電性接着剤（“ハイソール"TD
−6203東レ（株）製）で第１図に示すように接合した。
該接着剤の硬化条件は、150℃で20分間であった。更に
該ICを９本の金製のワイヤ（50μφ）を超音波でボンデ
ィングした。
比較例１ 実施例１のプラスチックシートを用い、実施例１の条
件で電気回路を形成し、更に該回路基板に実施例１の条
件でICをワイヤボンディングし、第２図に示すような回
路基板を作製した。
件で電気回路を形成し、更に該回路基板に実施例１の条
件でICをワイヤボンディングし、第２図に示すような回
路基板を作製した。
（評価） 実施例１及び比較例１で作製した回路基板をICの実装
部分を中心に100mm角に切断した。更にICの実装部を上
下に10mmずつ振動する5mm幅の板に固定し、また該回路
基板の２辺を別の治具に固定し、ICの部分を振動させて
IC及びワイヤの破損状態を観察した。
部分を中心に100mm角に切断した。更にICの実装部を上
下に10mmずつ振動する5mm幅の板に固定し、また該回路
基板の２辺を別の治具に固定し、ICの部分を振動させて
IC及びワイヤの破損状態を観察した。
比較例１の回路基板は、50回の振動でICの電極部のワ
イヤが３ヶ所破損した。一方、実施例１の本発明の回路
基板は300回の振動に対しても、IC及びワイヤの破損は
見られなかった。
イヤが３ヶ所破損した。一方、実施例１の本発明の回路
基板は300回の振動に対しても、IC及びワイヤの破損は
見られなかった。
第１図は、本発明の回路基板の一実施態様の断面図、第
２図は、従来の回路基板の断面図を示したものである。 1:プラスチックシート 2:窪み部 3:電気回路 4:電子部品 5:ワイヤ
２図は、従来の回路基板の断面図を示したものである。 1:プラスチックシート 2:窪み部 3:電気回路 4:電子部品 5:ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 301
Claims (2)
- 【請求項１】熱変形温度が300℃以下のプラスチックシ
ートに電気回路が形成されてなる回路基板であって、そ
の表面には絞り成型加工された窪み部を有し、該窪み部
に電子部品が組み込まれ、かつワイヤボンディングによ
って該電子部品と電気回路が電気的に接合されてなる回
路基板。 - 【請求項２】プラスチックシートがポリエステルまたは
ポリフェニレンスルフィドからなるフィルムである請求
項１記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26452589A JP2770485B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26452589A JP2770485B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126234A JPH03126234A (ja) | 1991-05-29 |
| JP2770485B2 true JP2770485B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=17404470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26452589A Expired - Fee Related JP2770485B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770485B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007082113A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 無線モジュール素子及びその実装方法 |
| GB2521619A (en) * | 2013-12-23 | 2015-07-01 | Nokia Technologies Oy | An apparatus and associated methods for flexible carrier substrates |
| CN113321177B (zh) * | 2021-05-28 | 2023-03-10 | 北京京东方技术开发有限公司 | 柔性mems器件和电子设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5494553A (en) * | 1978-01-10 | 1979-07-26 | Teijin Ltd | Polyester resin composition |
| JPS59125645A (ja) * | 1983-01-07 | 1984-07-20 | Toshiba Corp | 半導体モジユ−ル |
| JPH02198147A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | Omron Tateisi Electron Co | Ｉｃパッケージ |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP26452589A patent/JP2770485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03126234A (ja) | 1991-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3838331B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP3502776B2 (ja) | バンプ付き金属箔及び回路基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH07307574A (ja) | 多層金属プリント基板とモールドモジュール | |
| WO2001071806A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteur, procede de realisation d'un dispositif electronique, dispositif electronique, et terminal d'informations portable | |
| JPS59198790A (ja) | プリント配線基板 | |
| JP2770485B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2001036246A (ja) | 配線基板およびこれを用いた多層配線基板 | |
| JPS6386491A (ja) | 金属コアプリント配線板 | |
| CN219124435U (zh) | 一种刚挠结合板和电子装置 | |
| JPH02164096A (ja) | 多層電子回路基板とその製造方法 | |
| JPS6286888A (ja) | 金属ベ−ス基板 | |
| JP2000174168A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2740976B2 (ja) | 電子部品塔載用基板 | |
| JPH08148781A (ja) | 金属ベース多層回路基板 | |
| JPH118449A (ja) | フレキシブル配線基板 | |
| JPH06181268A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5967687A (ja) | プリント配線基板 | |
| JPH0360191B2 (ja) | ||
| JPH0719858B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0687486B2 (ja) | Ｉｃカード用モジュール | |
| JPS61239693A (ja) | 多層配線板とその製法 | |
| JPH05226518A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS61287132A (ja) | 電子素子用チツプキヤリアの製造方法 | |
| JPS59201488A (ja) | プリント基板 | |
| JPS61287192A (ja) | 電子素子用チツプキヤリア |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |