JPH0719858B2 - 混成集積回路装置の製造方法 - Google Patents
混成集積回路装置の製造方法Info
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- JPH0719858B2 JPH0719858B2 JP26043385A JP26043385A JPH0719858B2 JP H0719858 B2 JPH0719858 B2 JP H0719858B2 JP 26043385 A JP26043385 A JP 26043385A JP 26043385 A JP26043385 A JP 26043385A JP H0719858 B2 JPH0719858 B2 JP H0719858B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は混成集積回路装置の製造方法に関し、特に混成
集積回路装置の折り曲げ法に関する。
集積回路装置の折り曲げ法に関する。
（ロ）従来の技術 従来の混成集積回路装置は第２図に示す如く、二枚の金
属基板（11）（12）と、基板（11）（12）を接続する絶
縁フイルム（13）と、フイルム（13）上に設けた導電路
（14）と、導電路（14）上に固着した半導体集積回路、
チツプ抵抗あるいはチツプコンデンサー等の複数の回路
素子（15）と、回路素子（15）を被覆する樹脂膜（16）
とを具備している。
属基板（11）（12）と、基板（11）（12）を接続する絶
縁フイルム（13）と、フイルム（13）上に設けた導電路
（14）と、導電路（14）上に固着した半導体集積回路、
チツプ抵抗あるいはチツプコンデンサー等の複数の回路
素子（15）と、回路素子（15）を被覆する樹脂膜（16）
とを具備している。
金属基板（11）（12）は0.5〜1.0mm厚の良熱伝導性のア
ルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の接着剤により
基板（11）（12）を夫々の厚みだけ離間させてポリイミ
ド等の絶縁フイルム（13）で接続する。絶縁フイルム
（13）の反応主面には導電路（14）となる銅箔を貼着し
ておき、銅箔を選択的にエツチングして所望形状の導電
路（14）を形成する。導電路（14）は一方の基板（12）
の端部に外部リード（17）を半田付けするパツドを並
べ、パツドから導電路（14）を絶縁フイルム（13）上に
延在させる。回路素子（15）を固着する導電部（14）の
部分は両方の基板（11）（12）上に位置する様に設計
し、基板（11）（12）の離間部分には折曲げのために回
路素子（15）を設けない。回路素子（15）を固着した
後、回路素子（15）を保護するために回路素子（15）上
にエポキシ樹脂等を塗布し樹脂膜（16）を形成する。し
かる後、基板（11）（12）の離間部分の絶縁フイルム
（13）を折曲げ配置するものである。
ルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の接着剤により
基板（11）（12）を夫々の厚みだけ離間させてポリイミ
ド等の絶縁フイルム（13）で接続する。絶縁フイルム
（13）の反応主面には導電路（14）となる銅箔を貼着し
ておき、銅箔を選択的にエツチングして所望形状の導電
路（14）を形成する。導電路（14）は一方の基板（12）
の端部に外部リード（17）を半田付けするパツドを並
べ、パツドから導電路（14）を絶縁フイルム（13）上に
延在させる。回路素子（15）を固着する導電部（14）の
部分は両方の基板（11）（12）上に位置する様に設計
し、基板（11）（12）の離間部分には折曲げのために回
路素子（15）を設けない。回路素子（15）を固着した
後、回路素子（15）を保護するために回路素子（15）上
にエポキシ樹脂等を塗布し樹脂膜（16）を形成する。し
かる後、基板（11）（12）の離間部分の絶縁フイルム
（13）を折曲げ配置するものである。
上述した同様の技術は特願昭55-169868号（特開昭57-92
852号）公報に記載されている。
852号）公報に記載されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 上述した従来の技術では、回路素子を保護するために塗
布していた樹脂膜（16）が第３図に示す様に基板（11）
（12）の離間部まで流出して基板を折曲げるのに必要な
折曲げ距離が短くなり基板の折曲げが行なえなくなる欠
点があった。
布していた樹脂膜（16）が第３図に示す様に基板（11）
（12）の離間部まで流出して基板を折曲げるのに必要な
折曲げ距離が短くなり基板の折曲げが行なえなくなる欠
点があった。
（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、第１
図に示す如く、金属基板（１）上に回路素子（５）を組
込んだ後、基板（１）（２）間の離間部上にシリコン系
樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設けた後、回路素子
（５）を保護する樹脂膜（６）を形成する。
図に示す如く、金属基板（１）上に回路素子（５）を組
込んだ後、基板（１）（２）間の離間部上にシリコン系
樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設けた後、回路素子
（５）を保護する樹脂膜（６）を形成する。
（ホ）作用 この様に本発明によれば、基板（１）（２）間の離間部
上にシリコン系樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設け
ることにより、樹脂膜（６）の流出を防げるものであ
る。
上にシリコン系樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設け
ることにより、樹脂膜（６）の流出を防げるものであ
る。
（ヘ）実施例 以下に図面に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例を示す混成集積回路装置であ
る。
る。
本発明の混成集積回路装置は二枚の金属基板（１）
（２）と基板（１）（２）を接続する絶縁フイルム
（３）と、フイルム（３）上に設けた導電路（４）と、
導電路（４）上に固着した半導体集積回路、チツプ抵抗
あるいはチツプコンデンサー等の複数の回路素子（５）
と、回路素子（５）を被覆する樹脂膜（６）と、樹脂止
め部（７）とを具備している。
（２）と基板（１）（２）を接続する絶縁フイルム
（３）と、フイルム（３）上に設けた導電路（４）と、
導電路（４）上に固着した半導体集積回路、チツプ抵抗
あるいはチツプコンデンサー等の複数の回路素子（５）
と、回路素子（５）を被覆する樹脂膜（６）と、樹脂止
め部（７）とを具備している。
金属基板（１）（２）は0.5〜1.0mm厚の良熱伝導性のア
ルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の接着剤により
基板（１）（２）を夫々の厚みだけ離間させてポリイミ
ド等の絶縁フイルム（３）で接続する。
ルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の接着剤により
基板（１）（２）を夫々の厚みだけ離間させてポリイミ
ド等の絶縁フイルム（３）で接続する。
絶縁フイルム（３）の反対主面には導電路（４）となる
銅箔を貼着しておき、銅箔を選択的にエツチングして所
望形状の導電路（４）を形成する。導電路（４）は一方
の基板（２）の端部に外部リード（８）を半田付けする
パツドを並べ、パツドから導電路（４）を絶縁フイルム
（３）上に延在させる。回路素子（５）を固着する導電
路（４）の部分は両方の基板（１）（２）上に位置する
様に設計し、基板（１）（２）の離間部分には折曲げの
ために回路素子（５）を設けない。
銅箔を貼着しておき、銅箔を選択的にエツチングして所
望形状の導電路（４）を形成する。導電路（４）は一方
の基板（２）の端部に外部リード（８）を半田付けする
パツドを並べ、パツドから導電路（４）を絶縁フイルム
（３）上に延在させる。回路素子（５）を固着する導電
路（４）の部分は両方の基板（１）（２）上に位置する
様に設計し、基板（１）（２）の離間部分には折曲げの
ために回路素子（５）を設けない。
回路素子（５）を固着した後、本発明の特徴である樹脂
止め部（７）を設ける。樹脂止め部（７）には接着性の
無いシリコン系樹脂を用い、基板（１）（２）間の離間
部上にシリコン系樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設
ける。樹脂止め部（７）はシリコン系樹脂を用いている
ため、硬化しても弾性力を有しているので基板（１）
（２）を折曲げ配置する時にはなんら支承はない。
止め部（７）を設ける。樹脂止め部（７）には接着性の
無いシリコン系樹脂を用い、基板（１）（２）間の離間
部上にシリコン系樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設
ける。樹脂止め部（７）はシリコン系樹脂を用いている
ため、硬化しても弾性力を有しているので基板（１）
（２）を折曲げ配置する時にはなんら支承はない。
樹脂止め部（７）を設けた後、従来と同様に回路素子
（５）を保護するためにエポキシ系の樹脂を塗布し樹脂
膜（６）を形成して回路素子（５）を保護する。しかる
後、基板（１）（２）の離間部分の絶縁フイルム（３）
を折曲げ配置する。
（５）を保護するためにエポキシ系の樹脂を塗布し樹脂
膜（６）を形成して回路素子（５）を保護する。しかる
後、基板（１）（２）の離間部分の絶縁フイルム（３）
を折曲げ配置する。
斯る本発明に依れば、基板（１）（２）の離間部上に樹
脂止め部（７）を設けることにより、樹脂膜（６）の流
出が防げ基板（１）（２）の折曲げ配置がスムーズに行
なえる。
脂止め部（７）を設けることにより、樹脂膜（６）の流
出が防げ基板（１）（２）の折曲げ配置がスムーズに行
なえる。
（ト）発明の効果 上述した如く、本発明に依れば、基板の離間部にシリコ
ン系の樹脂を塗布し樹脂止め部を設けることにより、回
路素子を保護する樹脂膜を形成しても樹脂膜の流出を防
ぐことができるので、従来発生していた基板の折曲げが
行なえない欠点を補うことができ生産能率が向上するも
のである。
ン系の樹脂を塗布し樹脂止め部を設けることにより、回
路素子を保護する樹脂膜を形成しても樹脂膜の流出を防
ぐことができるので、従来発生していた基板の折曲げが
行なえない欠点を補うことができ生産能率が向上するも
のである。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図および第
３図は従来例を示す断面図である。 （１）（２）…金属基板、（３）…絶縁フイルム、
（４）…導電路、（５）…回路素子、（６）…樹脂膜、
（７）…樹脂止め部、（８）…外部リード。
３図は従来例を示す断面図である。 （１）（２）…金属基板、（３）…絶縁フイルム、
（４）…導電路、（５）…回路素子、（６）…樹脂膜、
（７）…樹脂止め部、（８）…外部リード。
Claims (1)
- 【請求項１】所望形状の導電路を有した絶縁フィルムを
主面に貼着して所定の間隔で配置したことで間に離間部
を設けた２枚の基板を用意する工程と、 前記基板上に位置する前記導電路に回路素子を固着する
工程と、 前記基板の離間部に対応した前記絶縁フィルム上に弾力
性のある樹脂止め樹脂を設ける工程と、 前記離間部付近の前記基板上に設けられた前記回路素子
を保護する樹脂膜を前記回路素子に形成する工程と、 前記基板を前記離間部の絶縁フィルムを介して折り曲げ
する工程とを少なくとも有したことを特徴とした混成集
積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043385A JPH0719858B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043385A JPH0719858B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120054A JPS62120054A (ja) | 1987-06-01 |
| JPH0719858B2 true JPH0719858B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17347866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26043385A Expired - Lifetime JPH0719858B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719858B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3332654B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2002-10-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置用基板、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US6022763A (en) * | 1996-05-10 | 2000-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP26043385A patent/JPH0719858B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62120054A (ja) | 1987-06-01 |
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