JPH0442938Y2 - - Google Patents
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- JPH0442938Y2 JPH0442938Y2 JP1986194762U JP19476286U JPH0442938Y2 JP H0442938 Y2 JPH0442938 Y2 JP H0442938Y2 JP 1986194762 U JP1986194762 U JP 1986194762U JP 19476286 U JP19476286 U JP 19476286U JP H0442938 Y2 JPH0442938 Y2 JP H0442938Y2
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- insulating film
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- film
- conductive path
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Links
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は混成集積回路に関し、特に二枚の金属
基板から成り高密度集積化に適合した混成集積回
路の改良に関する。
基板から成り高密度集積化に適合した混成集積回
路の改良に関する。
(ロ) 従来の技術
従来絶縁フイルムを用いた折曲げ基板は第2図
に示す如く、二枚の金属基板11,12と、基板
11,12を接続する絶縁フイルム13と、フイ
ルム13上に設けた導電路14と、導電路14上
に固着した半導体集積回路、チツプ抵抗あるいは
チツプコンデンサー等の複数の回路素子15とを
具備している。
に示す如く、二枚の金属基板11,12と、基板
11,12を接続する絶縁フイルム13と、フイ
ルム13上に設けた導電路14と、導電路14上
に固着した半導体集積回路、チツプ抵抗あるいは
チツプコンデンサー等の複数の回路素子15とを
具備している。
金属基板11,12は0.5〜1.0mm厚の良熱伝導
性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の
接着剤により基板11,12を夫々の厚みだけ離
間させてポリイミド等の絶縁フイルム13で接続
する。絶縁フイルム13の反対主面には導電路1
4となる銅箔を貼着しておき 銅箔を選択的にエ
ツチングして所望形状の導電路14を形成する。
導電路14は第3図からも明らかな様に一方の基
板12の端部に外部リード16を半田付けするパ
ツド17を並べ、パツド17から導電路14を絶
縁フイルム13上に延在させる。回路素子15を
固着する導電路14の部分は両方の基板11,1
2上に位置する様に設計し、基板11,12の離
間部分には折り曲げのため回路素子15を設けな
い。
性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の
接着剤により基板11,12を夫々の厚みだけ離
間させてポリイミド等の絶縁フイルム13で接続
する。絶縁フイルム13の反対主面には導電路1
4となる銅箔を貼着しておき 銅箔を選択的にエ
ツチングして所望形状の導電路14を形成する。
導電路14は第3図からも明らかな様に一方の基
板12の端部に外部リード16を半田付けするパ
ツド17を並べ、パツド17から導電路14を絶
縁フイルム13上に延在させる。回路素子15を
固着する導電路14の部分は両方の基板11,1
2上に位置する様に設計し、基板11,12の離
間部分には折り曲げのため回路素子15を設けな
い。
回路素子15を組込んだ後、基板11,12の
離間部分で絶縁フイルム13を折り曲げて第4図
に示す如く、基板11,12の夫々の反対主面を
ちようど当接させて、外部リード16を残して全
体を樹脂18でモールドする。
離間部分で絶縁フイルム13を折り曲げて第4図
に示す如く、基板11,12の夫々の反対主面を
ちようど当接させて、外部リード16を残して全
体を樹脂18でモールドする。
以上した技術は特公昭60−11809号公報に記載
されている。
されている。
また二枚基板からなる混成集積回路は第5図に
示す如く、回路素子20が固着された二枚の混成
集積回路基板21,21を枠状のケース材22に
挿入した後、固着される。二枚の混成集積回路基
板21,21の導通はリード23で行われ、基板
21,21とケース材22との間に樹脂24を充
填して一体化する。
示す如く、回路素子20が固着された二枚の混成
集積回路基板21,21を枠状のケース材22に
挿入した後、固着される。二枚の混成集積回路基
板21,21の導通はリード23で行われ、基板
21,21とケース材22との間に樹脂24を充
填して一体化する。
この様な混成集積回路は実公昭55−8316号公報
に記載されている。
に記載されている。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
しかしながら、従来の混成集積回路は種々の問
題点を有している。
題点を有している。
先ず第2図に示した折り曲げ基板は本来小型化
の混成集積回路を目的とするものであり、放熱板
となる金属基板が密接しているため、発熱を伴う
回路素子を実装するのに不向きであり、高出力タ
イプの混成集積回路を提供することができない問
題点があつた。
の混成集積回路を目的とするものであり、放熱板
となる金属基板が密接しているため、発熱を伴う
回路素子を実装するのに不向きであり、高出力タ
イプの混成集積回路を提供することができない問
題点があつた。
第5図に示した混成集積回路は金属基板が表面
に露出する構造であり、上述の問題点は解消する
ことができる。しかしながら、二枚の基板の導通
がリードによつて半田接続されるので作業性及び
信頼性が低下する問題点を有していた。
に露出する構造であり、上述の問題点は解消する
ことができる。しかしながら、二枚の基板の導通
がリードによつて半田接続されるので作業性及び
信頼性が低下する問題点を有していた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は上述した問題点に鑑みて為されたもの
であり、第1図に示す如く、絶縁フイルム2によ
つて離間結合された夫々の金属基板1,1の周端
部に剥離膜3を設け、回路素子5が対向する様に
基板間の絶縁フイルム2を折り曲げ解決する。
であり、第1図に示す如く、絶縁フイルム2によ
つて離間結合された夫々の金属基板1,1の周端
部に剥離膜3を設け、回路素子5が対向する様に
基板間の絶縁フイルム2を折り曲げ解決する。
(ホ) 作用
本考案に依れば絶縁フイルムによつて結合され
た夫々の金属基板の周端部に剥離膜を設け、回路
素子が対向する如く折り曲げ配置することによ
り、剥離膜を設けた部分の金属基板上には絶縁フ
イルムが貼着されず、折り曲げ時の金属基板間の
離間距離を調整することができる。
た夫々の金属基板の周端部に剥離膜を設け、回路
素子が対向する如く折り曲げ配置することによ
り、剥離膜を設けた部分の金属基板上には絶縁フ
イルムが貼着されず、折り曲げ時の金属基板間の
離間距離を調整することができる。
(ヘ) 実施例
以下に第1図に示した実施例に基づいて本考案
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
本考案の混成集積回路は第1図に示す如く、二
枚の金属基板1,1と、二枚の金属基板1,1を
離間結合する絶縁フイルム2と、折り曲げ部の金
属基板1,1の周端部に設けられた剥離膜3とか
ら構成される。
枚の金属基板1,1と、二枚の金属基板1,1を
離間結合する絶縁フイルム2と、折り曲げ部の金
属基板1,1の周端部に設けられた剥離膜3とか
ら構成される。
二枚の金属基板1,1は良熱伝導性のアルミニ
ウムで形成され、その表面は陽極酸化により酸化
アルミニウム膜が形成される。金属基板1,1は
所定間隔離間して配置し、絶縁フイルム2が折り
曲げされる側の金属基板1,1の周端部には所定
の幅を有して剥離膜3が形成される。
ウムで形成され、その表面は陽極酸化により酸化
アルミニウム膜が形成される。金属基板1,1は
所定間隔離間して配置し、絶縁フイルム2が折り
曲げされる側の金属基板1,1の周端部には所定
の幅を有して剥離膜3が形成される。
剥離膜3はシリコン系の樹脂が用いられ、上述
した金属基板1,1の周端部の全域に塗布して形
成した後、金属基板1,1を結合する絶縁フイル
ム2が貼着される。
した金属基板1,1の周端部の全域に塗布して形
成した後、金属基板1,1を結合する絶縁フイル
ム2が貼着される。
絶縁フイルム2はポリイミド樹脂等の樹脂が用
いられ、その絶縁フイルム2にはあらかじめ導電
路4を形成するための銅箔が一体化されており、
上述の如く、二枚の金属基板1,1の全面に貼着
し、絶縁フイルム2上の銅箔を選択的にエツチン
グして所望の導電路4が形成される。このとき導
電路4は金属基板1,1にまたがる様に形成さ
れ、その導電路4上にパワー半導体素子、チツプ
抵抗あるいはチツプコンデンサ等の複数の回路素
子5が固着され、更に外部リード6が固着され
る。
いられ、その絶縁フイルム2にはあらかじめ導電
路4を形成するための銅箔が一体化されており、
上述の如く、二枚の金属基板1,1の全面に貼着
し、絶縁フイルム2上の銅箔を選択的にエツチン
グして所望の導電路4が形成される。このとき導
電路4は金属基板1,1にまたがる様に形成さ
れ、その導電路4上にパワー半導体素子、チツプ
抵抗あるいはチツプコンデンサ等の複数の回路素
子5が固着され、更に外部リード6が固着され
る。
二枚の金属基板1,1間の絶縁フイルム2を折
り曲げ回路素子5が対向する如く配置することに
より、剥離膜3が設けられた部分は絶縁フイルム
2が剥離した状態となり、その剥離した距離分だ
け基板1,1間の離間を調整することができる。
また基板1,1はケース材7で離間される。
り曲げ回路素子5が対向する如く配置することに
より、剥離膜3が設けられた部分は絶縁フイルム
2が剥離した状態となり、その剥離した距離分だ
け基板1,1間の離間を調整することができる。
また基板1,1はケース材7で離間される。
(ト) 考案の効果
以上に詳述した如く、本考案に依れば、折り曲
げ部側の金属基板の周端に剥離膜を設けることに
より、剥離膜を設けた部分に絶縁フイルムが貼着
されず剥離した部だけ二枚の基板の離間距離を調
整することができる。
げ部側の金属基板の周端に剥離膜を設けることに
より、剥離膜を設けた部分に絶縁フイルムが貼着
されず剥離した部だけ二枚の基板の離間距離を調
整することができる。
第1図は本考案の実施例を示す断面図、第2図
乃至第5図は従来例の図である。 1……金属基板、2……絶縁フイルム、3……
剥離膜。
乃至第5図は従来例の図である。 1……金属基板、2……絶縁フイルム、3……
剥離膜。
Claims (1)
- 二枚の金属基板と、前記金属基板を離間して配
置し、両基板をその同一主面で結合する絶縁フイ
ルムと、前記基板が結合された反主面側のフイル
ム上に設けた所望形状の導電路と、前記導電路上
に固着される少なくとも発熱を有する複数の回路
素子とを具備し、前記金属基板間の絶縁フイルム
を折曲し前記回路素子が対向する様に配置した混
成集積回路において、前記絶縁フイルムを折り曲
げた際に露出する金属基板面の端部に所定幅のシ
リコン系樹脂よりなる膜を設けたことを特徴とす
る混成集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986194762U JPH0442938Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986194762U JPH0442938Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6398653U JPS6398653U (ja) | 1988-06-25 |
JPH0442938Y2 true JPH0442938Y2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=31152034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986194762U Expired JPH0442938Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0442938Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0717168Y2 (ja) * | 1990-06-13 | 1995-04-19 | 山武ハネウエル株式会社 | 高密度パツケージング |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP1986194762U patent/JPH0442938Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6398653U (ja) | 1988-06-25 |
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