JPS6341054A - 混成集積回路の接着方法 - Google Patents
混成集積回路の接着方法Info
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- JPS6341054A JPS6341054A JP61184710A JP18471086A JPS6341054A JP S6341054 A JPS6341054 A JP S6341054A JP 61184710 A JP61184710 A JP 61184710A JP 18471086 A JP18471086 A JP 18471086A JP S6341054 A JPS6341054 A JP S6341054A
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- injection hole
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は混成集積回路の接着方法に関する。
(ロ)従来の技術
従来の混成集積回路は第2図a及びbに示す如く、良熱
伝導性の優れた二枚の金属基板(11)(12)、例え
ばアルミニウム基板の表面を陽極酸化に2)、例えばア
ルミニウム基板の表面を陽極酸化にて酸化アルミニウム
膜の酸化膜を形成し、二枚の基板(11)(12)を離
間させポリイミド等の絶縁フィルム(13)を二枚の基
板(11>(12)上に貼着し、その絶縁フィルム(1
3)上に導電路(14)及び外部リード(15)を半田
付けするパッドを形成する。
伝導性の優れた二枚の金属基板(11)(12)、例え
ばアルミニウム基板の表面を陽極酸化に2)、例えばア
ルミニウム基板の表面を陽極酸化にて酸化アルミニウム
膜の酸化膜を形成し、二枚の基板(11)(12)を離
間させポリイミド等の絶縁フィルム(13)を二枚の基
板(11>(12)上に貼着し、その絶縁フィルム(1
3)上に導電路(14)及び外部リード(15)を半田
付けするパッドを形成する。
次に導電路(14)上に回路素子(16)を固着し、パ
ッド上に外部リード(15)を半田付けした後、基板(
11)(12)の絶縁フィルム(13)を曲折させて基
板(11)(12)の反対主面を当接きせ樹脂(17)
でモールドを行い、二枚の基板の接着固定を行なってい
た。
ッド上に外部リード(15)を半田付けした後、基板(
11)(12)の絶縁フィルム(13)を曲折させて基
板(11)(12)の反対主面を当接きせ樹脂(17)
でモールドを行い、二枚の基板の接着固定を行なってい
た。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
従来の方法では二枚の基板を樹脂でモールドして接着固
定を行なっていた。しかしながら、この様な方法では樹
脂モールド工程で作業時間を費しコスト高となり、また
放熱作用が悪くなる欠点があった。更に基板間の接若力
が弱く剥れる゛欠点がある。
定を行なっていた。しかしながら、この様な方法では樹
脂モールド工程で作業時間を費しコスト高となり、また
放熱作用が悪くなる欠点があった。更に基板間の接若力
が弱く剥れる゛欠点がある。
(ニ)問題点を解決するための手段
本発明は上述した点に鑑みてな許れたものであり、第1
図aに示す如く、離間して配置した二枚の金属基板(1
)(2)上に絶縁フィルム(3)を貼着し、その絶縁フ
ィルム(3)上に所望形状の導電路(4)を形成する。
図aに示す如く、離間して配置した二枚の金属基板(1
)(2)上に絶縁フィルム(3)を貼着し、その絶縁フ
ィルム(3)上に所望形状の導電路(4)を形成する。
次に第1図すに示す如く、金属基板(1)(2)間の絶
縁フィルム(3)に接着剤を注入する注入孔(6)を形
成する。次に第1図Cに示す如く、導電路(4)上に回
路素子(7)及び外部リード(5)を固着する。次に第
1図dに示す如く、金属基板(1)(2)間の絶縁フィ
ルム(3)を曲折させて金属基板<1)(2)の反対主
面を当接させて、第1図eに示す如く、注入孔(6)か
ら接着剤を注入して金属基板(1)(2)を接着して一
体化する。
縁フィルム(3)に接着剤を注入する注入孔(6)を形
成する。次に第1図Cに示す如く、導電路(4)上に回
路素子(7)及び外部リード(5)を固着する。次に第
1図dに示す如く、金属基板(1)(2)間の絶縁フィ
ルム(3)を曲折させて金属基板<1)(2)の反対主
面を当接させて、第1図eに示す如く、注入孔(6)か
ら接着剤を注入して金属基板(1)(2)を接着して一
体化する。
(ホ)作用
この様に金属基板(1)(2)間の絶縁フィルム(3)
に接着剤を注入する注入孔(6)を形成し、金属基vi
(1)(2)の反対主面を当接させた後、注入孔(6)
から接着剤を注入して金属基板(1)(2)を接着する
ことで、従来より容易に強力な接着が行なえる。
に接着剤を注入する注入孔(6)を形成し、金属基vi
(1)(2)の反対主面を当接させた後、注入孔(6)
から接着剤を注入して金属基板(1)(2)を接着する
ことで、従来より容易に強力な接着が行なえる。
(へ)実施例
詳細に説明する。
第1図a乃至第1図eは本発明の実施例を示す混成集積
回路の接着方法である。
回路の接着方法である。
先ず、第1 FIA aに示す如く、金属基板(1)(
2)の夫々の厚みだけ金属基板(1)(2)を離間させ
る。金属基板(1)(2)は良熱伝導性の優れた厚さ0
.5〜1.0m厚のアルミニウム基板を用いてその表面
に酸化アルミニウム膜を被覆した後、金属基板(1)(
2)を結合する様に金属基板(1)(2)上にポリイミ
ド樹脂等の絶縁フィルム(3)を貼着し、その絶縁フィ
ルム(3)上に導電路(4)となる銅箔を貼着して銅箔
を選択的にエツチングして所望形状の導電路(4)を形
成する。導電路り4)は一方の基板(2)の端部に外部
リードを並べるパッドを設け、そのパッドから導電路(
4)を絶縁フィルム(3)上に延在させる。
2)の夫々の厚みだけ金属基板(1)(2)を離間させ
る。金属基板(1)(2)は良熱伝導性の優れた厚さ0
.5〜1.0m厚のアルミニウム基板を用いてその表面
に酸化アルミニウム膜を被覆した後、金属基板(1)(
2)を結合する様に金属基板(1)(2)上にポリイミ
ド樹脂等の絶縁フィルム(3)を貼着し、その絶縁フィ
ルム(3)上に導電路(4)となる銅箔を貼着して銅箔
を選択的にエツチングして所望形状の導電路(4)を形
成する。導電路り4)は一方の基板(2)の端部に外部
リードを並べるパッドを設け、そのパッドから導電路(
4)を絶縁フィルム(3)上に延在させる。
次に第1図すに示す如く、本発明の特徴である接着剤を
注入する注入孔(6)を形成する。注入孔(6〉は金属
基板(1)(2)間の絶縁フィルム(3)の導電路(4
)が形成きれない領域にドリル、パンチング路(4)が
形成きれない領域にドリル、パンチングあるいはレザー
等を用いて形成する。
注入する注入孔(6)を形成する。注入孔(6〉は金属
基板(1)(2)間の絶縁フィルム(3)の導電路(4
)が形成きれない領域にドリル、パンチング路(4)が
形成きれない領域にドリル、パンチングあるいはレザー
等を用いて形成する。
次に第1図Cに示す如く、導電路(4)上にトランジス
タ、チップ抵抗あるいはチップコンデンサー等の複数の
回路素子(7)及び一方の金属基板(2)の端部に外部
リード(5)を固着する。
タ、チップ抵抗あるいはチップコンデンサー等の複数の
回路素子(7)及び一方の金属基板(2)の端部に外部
リード(5)を固着する。
次に第1図dに示す如く、金属基板(1)(2)間の絶
縁フィルム(3)を折曲げ金属基板(1)<2)の反対
主面を当接させる。
縁フィルム(3)を折曲げ金属基板(1)<2)の反対
主面を当接させる。
最後に第1図eに示す如く、絶縁フィルム(3)に設け
た注入孔(6)に接着剤を注入する。その結果、注入き
れた接着剤が毛細管現象により金属基板(IO2)間に
浸透して金属基板(1)(2)を接着一体止する。
た注入孔(6)に接着剤を注入する。その結果、注入き
れた接着剤が毛細管現象により金属基板(IO2)間に
浸透して金属基板(1)(2)を接着一体止する。
断る本発明に依れば、接着剤で基板を接着するので接着
力が強力になり従来発生していた基板の剥れを防止する
ことができる。また樹脂を使用しないので作業工程数を
減少できる。
力が強力になり従来発生していた基板の剥れを防止する
ことができる。また樹脂を使用しないので作業工程数を
減少できる。
(ト)発明の効果
上述の如く、本発明によれば基板間の絶縁フィルムに注
入孔を形成し、その注入孔から接着剤を注入して基板を
接着することにより、従来の様な樹脂モールドを必要と
しないので作業工程数を減少できコストダウンが図れる
。また接着剤で接着するので従来より強力な接着が行な
える。
入孔を形成し、その注入孔から接着剤を注入して基板を
接着することにより、従来の様な樹脂モールドを必要と
しないので作業工程数を減少できコストダウンが図れる
。また接着剤で接着するので従来より強力な接着が行な
える。
第1図a乃至第1図eは本発明の実施例を示す断面図、
第2図a乃至第2図すは従来例を示す断面図である。 (1)(2)・・・金属基板、 (3)・・・絶縁フィ
ルム、(4)・・・導電路、 (5)・・・外部リード
、 (6)・・・注入孔、 (7)・・・回路素子。 出願人 三洋電機株式会社外1名 代理人 弁理士 西野卓嗣 外1名 第 1 図 a 第1図す 第 1;2IC 第1図d 第 11 e
第2図a乃至第2図すは従来例を示す断面図である。 (1)(2)・・・金属基板、 (3)・・・絶縁フィ
ルム、(4)・・・導電路、 (5)・・・外部リード
、 (6)・・・注入孔、 (7)・・・回路素子。 出願人 三洋電機株式会社外1名 代理人 弁理士 西野卓嗣 外1名 第 1 図 a 第1図す 第 1;2IC 第1図d 第 11 e
Claims (1)
- (1)離間して配置した二枚の金属基板上に絶縁フィル
ムを貼着し、該絶縁フィルム上に所望形状の導電路を形
成し、該導電路上に回路素子等を固着した混成集積回路
において、前記金属基板間の絶縁フィルムに少なくとも
1コの注入孔を形成し、前記金属基板間の絶縁フィルム
を曲折し、前記金属基板の反対主面を当接させ前記注入
孔から接着剤を注入して前記二枚の金属基板を接着し一
体化することを特徴とする混成集積回路の接着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61184710A JPS6341054A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 混成集積回路の接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61184710A JPS6341054A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 混成集積回路の接着方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6341054A true JPS6341054A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=16158013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61184710A Pending JPS6341054A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 混成集積回路の接着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6341054A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5362656A (en) * | 1992-12-02 | 1994-11-08 | Intel Corporation | Method of making an electronic assembly having a flexible circuit wrapped around a substrate |
CN104465548A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种三维柔性封装结构及其注塑成型方法 |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP61184710A patent/JPS6341054A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5362656A (en) * | 1992-12-02 | 1994-11-08 | Intel Corporation | Method of making an electronic assembly having a flexible circuit wrapped around a substrate |
CN104465548A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种三维柔性封装结构及其注塑成型方法 |
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