JPH1145905A - Ｉｃチップの接点変換構造と該接点変換構造の形成法 - Google Patents
Ｉｃチップの接点変換構造と該接点変換構造の形成法Info
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- H05K3/4084—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by deforming at least one of the conductive layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明はフェースダウン方式により、ＩＣチッ
プの電極群のピッチ変換と形状変換を行なう場合に有利
に実施でき、従来のフェースダウン方式による接点変換
構造におけるインターポーザ基板を用いずに、簡素な構
造で且つ高信頼の接続が果たせ、加えてロ−コストで済
むＩＣチップの接点変換構造を提供する。 【解決手段】ＩＣチップ１の電極２群を配置した側の表
面に該電極２群を覆う絶縁シート３を貼り合せ、該絶縁
シート３の該貼り合せ面とは反対側の表面に外部接点５
群を有するリード４群を配し、該リード４群の局部を上
記絶縁シート３を通し上記電極２群へ向け塑性曲げ加工
して突曲部６群を形成し、該突曲部６群が上記電極２群
と電気的に接続しているＩＣチップの接点変換構造。
プの電極群のピッチ変換と形状変換を行なう場合に有利
に実施でき、従来のフェースダウン方式による接点変換
構造におけるインターポーザ基板を用いずに、簡素な構
造で且つ高信頼の接続が果たせ、加えてロ−コストで済
むＩＣチップの接点変換構造を提供する。 【解決手段】ＩＣチップ１の電極２群を配置した側の表
面に該電極２群を覆う絶縁シート３を貼り合せ、該絶縁
シート３の該貼り合せ面とは反対側の表面に外部接点５
群を有するリード４群を配し、該リード４群の局部を上
記絶縁シート３を通し上記電極２群へ向け塑性曲げ加工
して突曲部６群を形成し、該突曲部６群が上記電極２群
と電気的に接続しているＩＣチップの接点変換構造。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】ＩＣチップの電極群による接
続位置を、電極群を配置した平面上において再配置する
ための接点変換構造に関する。
続位置を、電極群を配置した平面上において再配置する
ための接点変換構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報化機器に代表される電子機器の小形
化、高性能化に伴ない、ＩＣチップは益々高集積化し、
１つのＩＣチップが所有する電極数は大幅に増加してお
り、その接点変換構造（ピッチ変換構造と形状変換構
造）として、技術的、コスト的に有利なフェースダウン
方式を採用したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）の普及が急速に進んでいる。
化、高性能化に伴ない、ＩＣチップは益々高集積化し、
１つのＩＣチップが所有する電極数は大幅に増加してお
り、その接点変換構造（ピッチ変換構造と形状変換構
造）として、技術的、コスト的に有利なフェースダウン
方式を採用したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）の普及が急速に進んでいる。
【０００３】図１に示すように、従来行なわれているフ
ェースダウン方式のＣＳＰはガラスクロス入りエポキシ
樹脂等から成る剛性の絶縁基板１の一方の表面に、上記
ＩＣチップ２の電極３群に対応したフェースダウン用電
極４群を配し、他方の表面に該フェースダウン用電極４
群と基板１を通し接続した外部接点５群を持つリード群
を配したインターポーザ基板を用い、該インターポーザ
基板のフェースダウン用電極４群とＩＣチップ２の電極
３群とを位置合せし、異方性導電膜を介し熱圧着により
電極３，４群同士を電気的に接続する方法である。
ェースダウン方式のＣＳＰはガラスクロス入りエポキシ
樹脂等から成る剛性の絶縁基板１の一方の表面に、上記
ＩＣチップ２の電極３群に対応したフェースダウン用電
極４群を配し、他方の表面に該フェースダウン用電極４
群と基板１を通し接続した外部接点５群を持つリード群
を配したインターポーザ基板を用い、該インターポーザ
基板のフェースダウン用電極４群とＩＣチップ２の電極
３群とを位置合せし、異方性導電膜を介し熱圧着により
電極３，４群同士を電気的に接続する方法である。
【０００４】その後、場合によっては上記電極群同士の
接続を補強し耐湿性を向上するため、ＩＣチップ群の周
辺を接着剤６を介してインターポーザ基板に接着してい
る。
接続を補強し耐湿性を向上するため、ＩＣチップ群の周
辺を接着剤６を介してインターポーザ基板に接着してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】而して、上記従来法は
フェースダウン用電極４群と外部接点５群を持ち、両者
を電気的に接続したインターポーザ基板を用意しなけれ
ばならず、その製造工数も多くコスト高を招く。
フェースダウン用電極４群と外部接点５群を持ち、両者
を電気的に接続したインターポーザ基板を用意しなけれ
ばならず、その製造工数も多くコスト高を招く。
【０００６】即ち、微細なフェースダウン用電極４とＩ
Ｃチップ２の電極３とを高精度に位置合せしなければな
らないが、それにはインターポーザ基板を高精度で、ソ
リや歪みのない微細配線の高価な基板にする必要があ
る。又電極３から外部接点５に至る接続点の数が多く位
置合せ不良による接続不良を招く恐れを有しており、信
頼性を低下させる原因となっている。
Ｃチップ２の電極３とを高精度に位置合せしなければな
らないが、それにはインターポーザ基板を高精度で、ソ
リや歪みのない微細配線の高価な基板にする必要があ
る。又電極３から外部接点５に至る接続点の数が多く位
置合せ不良による接続不良を招く恐れを有しており、信
頼性を低下させる原因となっている。
【０００７】本発明は上記フェースダウン方式により、
ＩＣチップの電極群のピッチ変換と形状変換を行なう場
合に有利に実施でき、上記した従来のフェースダウン方
式による接点変換構造の問題点を有効に解消する。
ＩＣチップの電極群のピッチ変換と形状変換を行なう場
合に有利に実施でき、上記した従来のフェースダウン方
式による接点変換構造の問題点を有効に解消する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＩＣチップ
は、該ＩＣチップの電極群を配置した側の表面に該電極
群を覆う絶縁シートが貼り合せられ、該絶縁シートの該
貼り合せ面とは反対側の表面に外部接点群を有するリー
ド群が配されている。そして該リード群の局部が上記絶
縁シートを通し上記電極群へ向け塑性曲げ加工されて突
曲部群を形成しており、該突曲部群が上記電極群と電気
的に接続し、接点変換構造を形成している。
は、該ＩＣチップの電極群を配置した側の表面に該電極
群を覆う絶縁シートが貼り合せられ、該絶縁シートの該
貼り合せ面とは反対側の表面に外部接点群を有するリー
ド群が配されている。そして該リード群の局部が上記絶
縁シートを通し上記電極群へ向け塑性曲げ加工されて突
曲部群を形成しており、該突曲部群が上記電極群と電気
的に接続し、接点変換構造を形成している。
【０００９】適例として、上記突曲部群を電極群とは導
電ペースト又は低融点金属を介して強固に接続する。
電ペースト又は低融点金属を介して強固に接続する。
【００１０】上記突曲部群は電極群に到達させず、両者
間に僅かな間隙を形成し、この間隙に上記導電ペースト
又は低融点金属を介在し上記接合を図る。又は突曲部群
を電極群に到達させ、両者間を導電ペースト又は低融点
金属を介し接合する。
間に僅かな間隙を形成し、この間隙に上記導電ペースト
又は低融点金属を介在し上記接合を図る。又は突曲部群
を電極群に到達させ、両者間を導電ペースト又は低融点
金属を介し接合する。
【００１１】上記絶縁シートとしては好ましくは液晶ポ
リマーを用いる。
リマーを用いる。
【００１２】又本発明は多数のＩＣチップで区画された
ＩＣウエハ上において上記ＩＣチップの接点変換構造を
形成する方法を提供する。
ＩＣウエハ上において上記ＩＣチップの接点変換構造を
形成する方法を提供する。
【００１３】この方法は絶縁シートに導電箔を積層する
工程を有する。
工程を有する。
【００１４】又上記絶縁シートをＩＣウエハに積層して
ＩＣウエハの電極群を該絶縁シートの絶縁面で覆う工程
を有する。上記導電箔は該絶縁シートをＩＣウエハに積
層する前又は積層した後に、絶縁シートに積層される。
ＩＣウエハの電極群を該絶縁シートの絶縁面で覆う工程
を有する。上記導電箔は該絶縁シートをＩＣウエハに積
層する前又は積層した後に、絶縁シートに積層される。
【００１５】又絶縁シートに積層した導電箔をパターン
ニングしてリード群を形成する工程を有する。好ましく
はこの導電箔をパターンニングする工程は、絶縁シート
がＩＣウエハに積層され、この絶縁シートに導電箔が積
層されている状態で行ない、ＩＣウエハの電極に対する
リード群の相対位置を適正に確保する。
ニングしてリード群を形成する工程を有する。好ましく
はこの導電箔をパターンニングする工程は、絶縁シート
がＩＣウエハに積層され、この絶縁シートに導電箔が積
層されている状態で行ない、ＩＣウエハの電極に対する
リード群の相対位置を適正に確保する。
【００１６】又上記絶縁シートをＩＣウエハに積層する
前に、ＩＣウエハの電極群に導電ペースト又は低融点金
属を配設する工程を有する。
前に、ＩＣウエハの電極群に導電ペースト又は低融点金
属を配設する工程を有する。
【００１７】又上記導電箔又はリード群の局部を多点に
おいて加熱しつつ塑性曲げ加工して突曲部群を形成し、
該突曲部群を上記導電ペースト又は低融点金属を介して
電極群に接合し電気的接続を得る工程を有する。
おいて加熱しつつ塑性曲げ加工して突曲部群を形成し、
該突曲部群を上記導電ペースト又は低融点金属を介して
電極群に接合し電気的接続を得る工程を有する。
【００１８】換言すると導電箔をパターンニングしてリ
ード群を形成し、該リード群の局部を上記塑性曲げ加工
するか、又は導電箔に上記突曲部を塑性曲げ加工した後
に、該導電箔をパターンニングしリード群を形成する。
従って何れの場合も、上記突曲部群を塑性曲げ加工して
電極群と接合する工程は、絶縁シートをＩＣウエハ上に
貼り合せ、該絶縁シート上に導電箔又はリード群が存在
する時になされる。
ード群を形成し、該リード群の局部を上記塑性曲げ加工
するか、又は導電箔に上記突曲部を塑性曲げ加工した後
に、該導電箔をパターンニングしリード群を形成する。
従って何れの場合も、上記突曲部群を塑性曲げ加工して
電極群と接合する工程は、絶縁シートをＩＣウエハ上に
貼り合せ、該絶縁シート上に導電箔又はリード群が存在
する時になされる。
【００１９】上記リード群の局部に上記突曲部が塑性曲
げ加工されている状態を形成した後に、ＩＣウエハをＩ
Ｃチップ毎に分割し、目的とする接点変換構造を持った
ＩＣチップを得る。
げ加工されている状態を形成した後に、ＩＣウエハをＩ
Ｃチップ毎に分割し、目的とする接点変換構造を持った
ＩＣチップを得る。
【００２０】
【作用】外部接点群を有するリード群の局部を塑性曲げ
加工して突曲部を形成するのみで、ＩＣチップの電極群
との接合が果たせ、従来の図１に示すインターポーザ基
板を用いたフェースダウン方式のＩＣチップに比べ、接
点変換構造の著しい簡素化とコストダウンが図れる。
加工して突曲部を形成するのみで、ＩＣチップの電極群
との接合が果たせ、従来の図１に示すインターポーザ基
板を用いたフェースダウン方式のＩＣチップに比べ、接
点変換構造の著しい簡素化とコストダウンが図れる。
【００２１】又ＩＣチップの電極から外部接点群に到る
経路中の接続点の数を最小限にできると共に、ＩＣチッ
プの電極群と突曲部群との対応状態を適正に確保でき、
信頼性の高い接点変換構造を形成できる。
経路中の接続点の数を最小限にできると共に、ＩＣチッ
プの電極群と突曲部群との対応状態を適正に確保でき、
信頼性の高い接点変換構造を形成できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図２において、１はＩＣチップを
示し、該ＩＣチップ１は以下に述べる接点変換構造を有
する。
示し、該ＩＣチップ１は以下に述べる接点変換構造を有
する。
【００２３】上記ＩＣチップ１の一方の表面には多数の
電極２が一体に配置され、該電極２群を配置したＩＣチ
ップ１の表面に絶縁シート３を貼り合せ、上記電極２群
を覆っている。
電極２が一体に配置され、該電極２群を配置したＩＣチ
ップ１の表面に絶縁シート３を貼り合せ、上記電極２群
を覆っている。
【００２４】又上記絶縁シート３の上記貼り合せ面とは
反対側の表面には多数のリード４が並列状態で一体に密
着されており、該リード４群には外部接点５群が一体に
形成されている。
反対側の表面には多数のリード４が並列状態で一体に密
着されており、該リード４群には外部接点５群が一体に
形成されている。
【００２５】上記外部接点５の個々は一例として各リー
ド４の個々の表面に一体に付着した半田等の低融点金属
から成るボール形外部接点５ａ等で形成する。
ド４の個々の表面に一体に付着した半田等の低融点金属
から成るボール形外部接点５ａ等で形成する。
【００２６】上記リード４群の局部を上記絶縁シート３
を通し、上記電極２群へ向け塑性曲げ加工して突曲部６
群を形成し、該突曲部６群の各々を上記電極２群の各々
に電気的に接続している。
を通し、上記電極２群へ向け塑性曲げ加工して突曲部６
群を形成し、該突曲部６群の各々を上記電極２群の各々
に電気的に接続している。
【００２７】上記突曲部６群の各々は、その頂部を上記
電極２群の各々の表面に塑性曲げ加工と同時に圧接し電
気的接続を得ることができる。
電極２群の各々の表面に塑性曲げ加工と同時に圧接し電
気的接続を得ることができる。
【００２８】この電気的接続を高信頼なものとするため
に、図３に示すように、上記突曲部６群の各々と電極２
群の各々とを低融点金属又は導電ペースト７を介して接
合し電気的接続を図る。
に、図３に示すように、上記突曲部６群の各々と電極２
群の各々とを低融点金属又は導電ペースト７を介して接
合し電気的接続を図る。
【００２９】又は図４に示すように、上記絶縁シート３
に多数の貫通孔８を予じめ穿けて置き、この貫通孔８群
の各々を通して、上記突曲部６を塑性曲げ加工し、上記
電極２群の各々との電気的接続を図る。
に多数の貫通孔８を予じめ穿けて置き、この貫通孔８群
の各々を通して、上記突曲部６を塑性曲げ加工し、上記
電極２群の各々との電気的接続を図る。
【００３０】この場合、図３、図４に示すように、突曲
部６と電極２との間に僅かな間隙９を形成し、この間隙
９内に上記低融点金属又は導電ペースト７を介在し、突
曲部６と電極２とを接合し、電気的接続を図る。
部６と電極２との間に僅かな間隙９を形成し、この間隙
９内に上記低融点金属又は導電ペースト７を介在し、突
曲部６と電極２とを接合し、電気的接続を図る。
【００３１】上記突曲部６群と外部接点５群とはリード
４の延在長における夫々別の位置に形成する。例えば、
図５に示すように、各リード４の一端に各突曲部６を形
成し、他端に各外部接点５を形成し、このリード４を介
して外部接点５群による電極２群の配置を変換してい
る。
４の延在長における夫々別の位置に形成する。例えば、
図５に示すように、各リード４の一端に各突曲部６を形
成し、他端に各外部接点５を形成し、このリード４を介
して外部接点５群による電極２群の配置を変換してい
る。
【００３２】次に、上記ＩＣチップ１の接点変換構造を
ＩＣウエハ１′上において形成する方法を図６に基いて
説明する。
ＩＣウエハ１′上において形成する方法を図６に基いて
説明する。
【００３３】既知のようにＩＣウエハ１′は多数のＩＣ
チップ１で区画されている。図６Ａに示すように、絶縁
シート３の一方の表面に銅箔等の導電箔４′を貼り合せ
積層構造にしたものを準備する。
チップ１で区画されている。図６Ａに示すように、絶縁
シート３の一方の表面に銅箔等の導電箔４′を貼り合せ
積層構造にしたものを準備する。
【００３４】図６Ｂに示すように、上記絶縁シート３
を、上記導電箔４′を貼り合せた側と反対側の絶縁面を
以って、上記ＩＣウエハ１′の電極２群を配置した側の
表面に貼り合せ、電極２群を絶縁シート３で覆う。
を、上記導電箔４′を貼り合せた側と反対側の絶縁面を
以って、上記ＩＣウエハ１′の電極２群を配置した側の
表面に貼り合せ、電極２群を絶縁シート３で覆う。
【００３５】図６Ａ′に示すように、ＩＣウエハ１′の
電極２群を配置した側の表面に絶縁シート３を貼り合
せ、次に該絶縁シート３の外表面に導電箔４′を貼り合
せ、ＩＣウエハ１′と絶縁シート３と導電箔４′の三層
の積層構造を形成することができる。
電極２群を配置した側の表面に絶縁シート３を貼り合
せ、次に該絶縁シート３の外表面に導電箔４′を貼り合
せ、ＩＣウエハ１′と絶縁シート３と導電箔４′の三層
の積層構造を形成することができる。
【００３６】次に図６Ｃに示すように、上記導電箔４′
の局部を多点において、絶縁シート３を通し上記電極２
群へ向け塑性曲げ加工し、突曲部６群を形成する。この
突曲部６群の各々は上記絶縁シート３を通し電極２群の
各々に電気的に接続する。上記突曲部６群の各々と電極
２群の各々を電気的に接続する手段として、上記突曲部
６群を電極２群の表面に到達する深さに塑性曲げ加工し
て、突曲部６群の各々の頂部を電極２群の各々の表面に
直接的に圧接し電気的接続を図る方法を採ることができ
る。
の局部を多点において、絶縁シート３を通し上記電極２
群へ向け塑性曲げ加工し、突曲部６群を形成する。この
突曲部６群の各々は上記絶縁シート３を通し電極２群の
各々に電気的に接続する。上記突曲部６群の各々と電極
２群の各々を電気的に接続する手段として、上記突曲部
６群を電極２群の表面に到達する深さに塑性曲げ加工し
て、突曲部６群の各々の頂部を電極２群の各々の表面に
直接的に圧接し電気的接続を図る方法を採ることができ
る。
【００３７】この電気的接続の信頼性を向上する手段と
して、図６ＡとＡ′に示すように、絶縁シート３をＩＣ
ウエハ１′に貼り合せる前に、上記電極２群の各々の表
面に低融点金属又は導電ペースト７を付設して置く。
して、図６ＡとＡ′に示すように、絶縁シート３をＩＣ
ウエハ１′に貼り合せる前に、上記電極２群の各々の表
面に低融点金属又は導電ペースト７を付設して置く。
【００３８】そして図６Ｃに示すように、低融点金属又
は導電ペースト７を覆うように、上記絶縁シート３と導
電箔４′を貼り合せ、次で図６Ｄに示すように導電箔
４′の局部に多点において塑性曲げ加工を施し、上記突
曲部６群を絶縁シート３内へ突入させつつ、その各々を
上記低融点金属又は導電ペースト７を介し電極２群の各
々に接合し電気的に接続する。
は導電ペースト７を覆うように、上記絶縁シート３と導
電箔４′を貼り合せ、次で図６Ｄに示すように導電箔
４′の局部に多点において塑性曲げ加工を施し、上記突
曲部６群を絶縁シート３内へ突入させつつ、その各々を
上記低融点金属又は導電ペースト７を介し電極２群の各
々に接合し電気的に接続する。
【００３９】この場合、図３、図４に示すように、突曲
部６群の塑性曲げ加工深さを電極２群に到達しない深さ
に設定して各電極２と各突曲部６間に僅かな間隙９を形
成し、この間隙９内に低融点金属又は導電ペースト７を
介在し、各電極２と各突曲部６とを接合する。
部６群の塑性曲げ加工深さを電極２群に到達しない深さ
に設定して各電極２と各突曲部６間に僅かな間隙９を形
成し、この間隙９内に低融点金属又は導電ペースト７を
介在し、各電極２と各突曲部６とを接合する。
【００４０】次で図６Ｅに示すように、上記突曲部６群
を形成して電極２群との接続を図った後、上記導電箔
４′にパターンニングを施してリード４群を形成する。
を形成して電極２群との接続を図った後、上記導電箔
４′にパターンニングを施してリード４群を形成する。
【００４１】次で上記ＩＣウエハ１′をＩＣチップ１毎
に分割し、図２乃至図４に示した接点変換構造を有する
ＩＣチップ１を得る。
に分割し、図２乃至図４に示した接点変換構造を有する
ＩＣチップ１を得る。
【００４２】図６Ｃ、Ｄは導電箔４′の局部に多点にお
いて上記突曲部６群を形成した例を示したが、他例とし
て図６Ｃ′に示すように、図６Ｂの導電箔４′にエッチ
ング等によるパターンニングを施してリード４群を形成
した後、図６Ｄ′に示すように、このリード４群の個々
に突曲部６を塑性曲げ加工し、電極２群との前記した直
接的又は間接的な電気的接続を図ることができる。
いて上記突曲部６群を形成した例を示したが、他例とし
て図６Ｃ′に示すように、図６Ｂの導電箔４′にエッチ
ング等によるパターンニングを施してリード４群を形成
した後、図６Ｄ′に示すように、このリード４群の個々
に突曲部６を塑性曲げ加工し、電極２群との前記した直
接的又は間接的な電気的接続を図ることができる。
【００４３】図６ＣとＤ′において、１０は上記突曲部
６群を塑性曲げ加工する成形板である。上記成形板１０
はその一方の表面に多数の先細の突起１１を有し、この
成形板１０により図６Ｃにおける導電箔４′を加圧し
て、該導電箔４′に突起１１群に対応した前記突曲部６
群を形成する。
６群を塑性曲げ加工する成形板である。上記成形板１０
はその一方の表面に多数の先細の突起１１を有し、この
成形板１０により図６Ｃにおける導電箔４′を加圧し
て、該導電箔４′に突起１１群に対応した前記突曲部６
群を形成する。
【００４４】又は図６Ｄ′に示すように、リード４群を
成形板１０により加圧して、該リード群に前記突曲部６
群を形成する。上記成形板１０はヒータにより加熱しつ
つ、上記突曲部６群を塑性曲げ加工する。
成形板１０により加圧して、該リード群に前記突曲部６
群を形成する。上記成形板１０はヒータにより加熱しつ
つ、上記突曲部６群を塑性曲げ加工する。
【００４５】上記高温に加熱された成形板１０によって
絶縁シート３及び低融点金属と導電ペースト７を加熱
し、突曲部６群の各々と電極２群の各々との接合を得
る。
絶縁シート３及び低融点金属と導電ペースト７を加熱
し、突曲部６群の各々と電極２群の各々との接合を得
る。
【００４６】図４に示すように、上記図６Ａ又はＡ′に
示す絶縁シート３に予じめ多数の貫通孔８を設けて置
き、この貫通孔８群を通して、図６Ｄ又はＤ′に示すよ
うに、突曲部６群を塑性曲げ加工し、電極２群との前記
電気的接続を図ることができる。貫通孔８群を通して突
曲部６群を形成することにより、電極２群の各々と突曲
部６群の各々間に絶縁物を介在させずに両者２，６を接
続できる。
示す絶縁シート３に予じめ多数の貫通孔８を設けて置
き、この貫通孔８群を通して、図６Ｄ又はＤ′に示すよ
うに、突曲部６群を塑性曲げ加工し、電極２群との前記
電気的接続を図ることができる。貫通孔８群を通して突
曲部６群を形成することにより、電極２群の各々と突曲
部６群の各々間に絶縁物を介在させずに両者２，６を接
続できる。
【００４７】上記図６に基き説明した、ＩＣウエハ上に
おいてＩＣチップの接点変換構造を形成する方法は、少
なくとも以下に述べる工程を含んでいる。 （ａ）この方法は絶縁シート３に導電箔４′を積層する
工程を有する。 （ｂ）又上記絶縁シート３をＩＣウエハ１′に積層して
ＩＣウエハ１′の電極２群を該絶縁シート３の絶縁面で
覆う工程を有する。上記導電箔４′は絶縁シート３をＩ
Ｃウエハ１′に積層する前又は積層した後に、絶縁シー
ト３に積層される。 （ｃ）又絶縁シート３に積層した導電箔４′をパターン
ニングしてリード４群を形成する工程を有する。好まし
くはこの導電箔４′をパターンニングする工程は、絶縁
シート３がＩＣウエハ１′に積層され、この絶縁シート
３に導電箔４′が積層されている状態で行ない、ＩＣウ
エハ１′の電極に対するリード４群の相対位置を適正に
確保する。 （ｄ）又上記絶縁シート３をＩＣウエハ１′に積層する
前に、ＩＣウエハ１′の電極群に導電ペースト又は低融
点金属７を配設する工程を有する。 （ｅ）又上記導電箔４′又はリード４群の局部を多点に
おいて加熱しつつ塑性曲げ加工して突曲部６群を形成
し、該突曲部６群を上記導電ペースト又は低融点金属７
を介して電極２群に接合し電気的接続を得る工程を有す
る。
おいてＩＣチップの接点変換構造を形成する方法は、少
なくとも以下に述べる工程を含んでいる。 （ａ）この方法は絶縁シート３に導電箔４′を積層する
工程を有する。 （ｂ）又上記絶縁シート３をＩＣウエハ１′に積層して
ＩＣウエハ１′の電極２群を該絶縁シート３の絶縁面で
覆う工程を有する。上記導電箔４′は絶縁シート３をＩ
Ｃウエハ１′に積層する前又は積層した後に、絶縁シー
ト３に積層される。 （ｃ）又絶縁シート３に積層した導電箔４′をパターン
ニングしてリード４群を形成する工程を有する。好まし
くはこの導電箔４′をパターンニングする工程は、絶縁
シート３がＩＣウエハ１′に積層され、この絶縁シート
３に導電箔４′が積層されている状態で行ない、ＩＣウ
エハ１′の電極に対するリード４群の相対位置を適正に
確保する。 （ｄ）又上記絶縁シート３をＩＣウエハ１′に積層する
前に、ＩＣウエハ１′の電極群に導電ペースト又は低融
点金属７を配設する工程を有する。 （ｅ）又上記導電箔４′又はリード４群の局部を多点に
おいて加熱しつつ塑性曲げ加工して突曲部６群を形成
し、該突曲部６群を上記導電ペースト又は低融点金属７
を介して電極２群に接合し電気的接続を得る工程を有す
る。
【００４８】換言すると導電箔４′をエッチング等によ
りパターンニングしてリード４群を形成し、該リード４
群の局部に上記塑性曲げ加工するか、又は導電箔４′に
上記突曲部６を塑性曲げ加工した後に、該導電箔４′を
パターンニングしリード４群を形成する。従って何れの
場合も、上記突曲部６群を塑性曲げ加工して電極２群と
接合する工程は、絶縁シート３をＩＣウエハ１′上に貼
り合せ、該絶縁シート３上に導電箔４′又はリード４群
が存在する時になされる。
りパターンニングしてリード４群を形成し、該リード４
群の局部に上記塑性曲げ加工するか、又は導電箔４′に
上記突曲部６を塑性曲げ加工した後に、該導電箔４′を
パターンニングしリード４群を形成する。従って何れの
場合も、上記突曲部６群を塑性曲げ加工して電極２群と
接合する工程は、絶縁シート３をＩＣウエハ１′上に貼
り合せ、該絶縁シート３上に導電箔４′又はリード４群
が存在する時になされる。
【００４９】上記リード４群の局部に上記突曲部６が塑
性曲げ加工されている状態を形成した後に、ＩＣウエハ
１′をＩＣチップ１毎に分割し、目的とする接点変換構
造を持ったＩＣチップ１を得る。
性曲げ加工されている状態を形成した後に、ＩＣウエハ
１′をＩＣチップ１毎に分割し、目的とする接点変換構
造を持ったＩＣチップ１を得る。
【００５０】上記図２乃至図６において説明した絶縁シ
ート３は、適材として液晶ポリマーを用いる。この液晶
ポリマーは柔軟性と寸法安定性に優れており、熱に対す
る伸縮が非常に少ない。加えて、吸湿性が極端に少ない
特性を有している。この液晶ポリマーを使用し、上記Ｉ
Ｃチップ接点変換構造に適性を付加し、ＩＣチップ１の
電極２群と突曲部６群の接続を健全に維持する。
ート３は、適材として液晶ポリマーを用いる。この液晶
ポリマーは柔軟性と寸法安定性に優れており、熱に対す
る伸縮が非常に少ない。加えて、吸湿性が極端に少ない
特性を有している。この液晶ポリマーを使用し、上記Ｉ
Ｃチップ接点変換構造に適性を付加し、ＩＣチップ１の
電極２群と突曲部６群の接続を健全に維持する。
【図１】従来のＩＣチップの接点変換構造を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明に係るＩＣチップの接点変換構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】図２における突曲部群と電極群の電気的接続構
造の一例を示す要部断面図である。
造の一例を示す要部断面図である。
【図４】同他例を示す要部断面図である。
【図５】上記ＩＣチップの接点変換構造におけるリード
の両端に突曲部と外部接点を形成した例を示す平面図で
ある。
の両端に突曲部と外部接点を形成した例を示す平面図で
ある。
【図６】Ａ乃至Ｅ及びＡ′、Ｂ、Ｃ′、Ｄ′、Ｅは上記
ＩＣチップの接点変換構造をＩＣウエハ上において形成
する方法を工程順を追って示す断面図である。
ＩＣチップの接点変換構造をＩＣウエハ上において形成
する方法を工程順を追って示す断面図である。
１ ＩＣチップ １′ ＩＣウエハ ２ 電極 ３ 絶縁シート ４ リード ４′ 導電箔 ５ 外部接点 ５ａ ボール形外部接点 ６ 突曲部 ７ 導電ペースト又は低融点金属 ８ 貫通孔 ９ 間隙 １０ 成形板 １１ 突起
Claims (5)
- 【請求項１】ＩＣチップの電極群を配置した側の表面に
該電極群を覆う絶縁シートが貼り合せられ、該絶縁シー
トの該貼り合せ面とは反対側の表面に外部接点群を有す
るリード群が配され、該リード群の局部が上記絶縁シー
トを通し上記電極群へ向け塑性曲げ加工されて突曲部群
を形成しており、該突曲部群が上記電極群と電気的に接
続していることを特徴とするＩＣチップの接点変換構
造。 - 【請求項２】上記突曲部群と電極群とが導電ペースト又
は低融点金属を介して接続されていることを特徴とする
請求項１記載のＩＣチップの接点変換構造。 - 【請求項３】上記絶縁シートが液晶ポリマーから成るこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のＩＣチップの接点
変換構造。 - 【請求項４】多数のＩＣチップで区画されたＩＣウエハ
上においてＩＣチップの接点変換構造を形成する方法で
あって、以下の（ａ）乃至（ｅ）の工程を含むＩＣチッ
プの接点変換構造の形成法。 （ａ）絶縁シートに導電箔を積層する工程、（ｂ）絶縁
シートをＩＣウエハに積層してＩＣウエハの電極群を該
絶縁シートの絶縁面で覆う工程、（ｃ）絶縁シートに積
層した導電箔をパターンニングしてリード群を形成する
工程、（ｄ）ＩＣウエハの電極群に導電ペースト又は低
融点金属を配設する工程、（ｅ）導電箔又はリード群の
局部を多点において加熱しつつ塑性曲げ加工して突曲部
群を形成し、該突曲部群を上記導電ペースト又は低融点
金属を介して電極群に接合し電気的接続を得る工程。 - 【請求項５】上記絶縁シートが液晶ポリマーから成るこ
とを特徴とする請求項４記載のＩＣチップの接点変換構
造の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9198944A JPH1145905A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Ｉｃチップの接点変換構造と該接点変換構造の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9198944A JPH1145905A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Ｉｃチップの接点変換構造と該接点変換構造の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145905A true JPH1145905A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16399566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9198944A Pending JPH1145905A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Ｉｃチップの接点変換構造と該接点変換構造の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1145905A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7036216B2 (en) | 2000-03-23 | 2006-05-02 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for connecting at least one chip to an external wiring configuration |
| US7964493B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-06-21 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP9198944A patent/JPH1145905A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7036216B2 (en) | 2000-03-23 | 2006-05-02 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for connecting at least one chip to an external wiring configuration |
| US7964493B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-06-21 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
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