JPH11145325A - Icパッケージ - Google Patents
IcパッケージInfo
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- JPH11145325A JPH11145325A JP30474697A JP30474697A JPH11145325A JP H11145325 A JPH11145325 A JP H11145325A JP 30474697 A JP30474697 A JP 30474697A JP 30474697 A JP30474697 A JP 30474697A JP H11145325 A JPH11145325 A JP H11145325A
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- JP
- Japan
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- interposer substrate
- base material
- conductive
- package
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ICパッケージにおけるインターポーザ基板の
内外表面間の母材内導電路を適性に形成し、インターポ
ーザ基板への穿孔加工を要せずに、接点変換構造に不可
欠な上記母材内導電路を適切に形成し、又インターポー
ザ基板の熱軟化下で導電子を圧入するだけの非常に簡潔
な方法で上記目的が達成できるようにしたICパッケー
ジにおける接点変換構造を提供する。 【解決手段】ICパッケージにおけるIC11の接点変
換構造であって、IC11に貼り合せられたインターポ
ーザ基板12の母材内に多数の導電子14が多点配置さ
れ、各導電子14がインターポーザ基板12の母材を押
しのけつつ圧入して保持されており、各導電子14の上
記インターポーザ基板12内表面側の内端部に上記IC
11と接続するための内部接点部20bが形成され、各
導電子14の上記インターポーザ基板12外表面側の外
端部に配線回路基板等と接続するための外部接点部20
cが形成されているICパッケージ。
内外表面間の母材内導電路を適性に形成し、インターポ
ーザ基板への穿孔加工を要せずに、接点変換構造に不可
欠な上記母材内導電路を適切に形成し、又インターポー
ザ基板の熱軟化下で導電子を圧入するだけの非常に簡潔
な方法で上記目的が達成できるようにしたICパッケー
ジにおける接点変換構造を提供する。 【解決手段】ICパッケージにおけるIC11の接点変
換構造であって、IC11に貼り合せられたインターポ
ーザ基板12の母材内に多数の導電子14が多点配置さ
れ、各導電子14がインターポーザ基板12の母材を押
しのけつつ圧入して保持されており、各導電子14の上
記インターポーザ基板12内表面側の内端部に上記IC
11と接続するための内部接点部20bが形成され、各
導電子14の上記インターポーザ基板12外表面側の外
端部に配線回路基板等と接続するための外部接点部20
cが形成されているICパッケージ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はICパッケージ、殊
にICパッケージにおける接点変換構造に関する。
にICパッケージにおける接点変換構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来よりICの電極を配線回路基板やI
Cソケットとの接続に適したピッチ、又は形態に変換す
る手段としてインターポーザ基板が用いられている。
Cソケットとの接続に適したピッチ、又は形態に変換す
る手段としてインターポーザ基板が用いられている。
【0003】例えば、従来は図1に示すように、ポリイ
ミド樹脂シートから成るインターポーザ基板2をIC1
の一方の表面に接着剤3を介して貼り合せ、該インター
ポーザ基板2の内表面(貼り合せ面側の表面)に形成さ
れた配線パターン4の端部とIC1の電極6間をワイヤ
ボンディング法により微細配線7を介して接続し、IC
1及び配線7を樹脂モールド8で埋め保護している。
ミド樹脂シートから成るインターポーザ基板2をIC1
の一方の表面に接着剤3を介して貼り合せ、該インター
ポーザ基板2の内表面(貼り合せ面側の表面)に形成さ
れた配線パターン4の端部とIC1の電極6間をワイヤ
ボンディング法により微細配線7を介して接続し、IC
1及び配線7を樹脂モールド8で埋め保護している。
【0004】次にインターポーザ基板2に予じめ穿けら
れた多数の貫通孔9内に半田を充填してそのインターポ
ーザ基板内表面側の内端部10b′を上記基板内表面上
に存する上記配線パターン4に融着しIC1との接続を
図ると共に、インターポーザ基板外表面側において上記
半田10a′を盛り上げて配線回路基板と接続する半田
ボール10c′を形成している。
れた多数の貫通孔9内に半田を充填してそのインターポ
ーザ基板内表面側の内端部10b′を上記基板内表面上
に存する上記配線パターン4に融着しIC1との接続を
図ると共に、インターポーザ基板外表面側において上記
半田10a′を盛り上げて配線回路基板と接続する半田
ボール10c′を形成している。
【0005】即ち、上記従来例は上記インターポーザ基
板2の貫通孔9内に半田10a′を充填することにより
同基板2の母材内に多点配置された導電子10aを形成
し、該各導電子10aの上記インターポーザ基板内表面
側の内端部10b′に上記IC1と接続する内部接点部
10bを形成し、各導電子10aの上記インターポーザ
基板外表面側の外端部に配線回路基板と接続する外部接
点部10cを形成している。
板2の貫通孔9内に半田10a′を充填することにより
同基板2の母材内に多点配置された導電子10aを形成
し、該各導電子10aの上記インターポーザ基板内表面
側の内端部10b′に上記IC1と接続する内部接点部
10bを形成し、各導電子10aの上記インターポーザ
基板外表面側の外端部に配線回路基板と接続する外部接
点部10cを形成している。
【0006】尚上記配線パターン4にはカバーコート5
が施され、インターポーザ基板2は該カバーコート5を
以ってIC1に貼り合せられている。
が施され、インターポーザ基板2は該カバーコート5を
以ってIC1に貼り合せられている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】而して上記従来の接点
変換構造においてはインターポーザ基板を形成するポリ
イミド樹脂シートにレーザ加工、エッチング加工等によ
り無数の孔穿け加工を行なわねばならないため、非常に
コスト高となる。又高度の孔穿け技術と工程及び設備増
を招く問題を有している。
変換構造においてはインターポーザ基板を形成するポリ
イミド樹脂シートにレーザ加工、エッチング加工等によ
り無数の孔穿け加工を行なわねばならないため、非常に
コスト高となる。又高度の孔穿け技術と工程及び設備増
を招く問題を有している。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明はICパッケージ
における上記ICの接点変換構造において、ICに貼り
合せられたインターポーザ基板の母材内に多数の導電子
を多点配置し、各導電子をインターポーザ基板の母材を
押しのけつつ圧入して保持する。
における上記ICの接点変換構造において、ICに貼り
合せられたインターポーザ基板の母材内に多数の導電子
を多点配置し、各導電子をインターポーザ基板の母材を
押しのけつつ圧入して保持する。
【0009】そして各導電子の上記インターポーザ基板
内表面側の内端部で上記ICと接続するための内部接点
部を形成し、各導電子の上記インターポーザ基板外表面
側の外端部に配線回路基板等と接続するための外部接点
部を形成した。
内表面側の内端部で上記ICと接続するための内部接点
部を形成し、各導電子の上記インターポーザ基板外表面
側の外端部に配線回路基板等と接続するための外部接点
部を形成した。
【0010】上記インターポーザ基板は適性材として液
晶ポリマーシートの単層基板又は液晶ポリマーシートと
他の絶縁シートとの複層基板を用いる。
晶ポリマーシートの単層基板又は液晶ポリマーシートと
他の絶縁シートとの複層基板を用いる。
【0011】既知の通り液晶ポリマーはICに有害な吸
湿性が極端に少なく、又接点配置に悪影響を与える熱伸
縮性が殆どなく、加えてフレキシブル性に富む。本発明
はこの適性を活用し、ICパッケージの接点変換構造の
機能向上を図ったものである。
湿性が極端に少なく、又接点配置に悪影響を与える熱伸
縮性が殆どなく、加えてフレキシブル性に富む。本発明
はこの適性を活用し、ICパッケージの接点変換構造の
機能向上を図ったものである。
【0012】上記外部接点部は例えば導電子の外端面に
適性導電金属によるメッキ層を施すか、又はボール形接
点を付設する場合を含む。
適性導電金属によるメッキ層を施すか、又はボール形接
点を付設する場合を含む。
【0013】又は上記各導電子の外端部をインターポー
ザ基板の外表面から突出させ、該突出部で上記外部接点
部を形成することができる。この場合にもこの突出部表
面に相手側との接続において適性なメッキ層を施すこと
ができる。
ザ基板の外表面から突出させ、該突出部で上記外部接点
部を形成することができる。この場合にもこの突出部表
面に相手側との接続において適性なメッキ層を施すこと
ができる。
【0014】又上記各導電子には導電子自身が上記イン
ターポーザ基板の母材内で膨出して母材を押しのけてい
る膨出部を具有せしめ、各導電子を母材内に確実に保持
する。
ターポーザ基板の母材内で膨出して母材を押しのけてい
る膨出部を具有せしめ、各導電子を母材内に確実に保持
する。
【0015】上記インターポーザ基板はその内表面側に
搭載されたICの電極を同外表面側においてピッチ変換
又は形状変換する場合に不可欠となる、該インターポー
ザ基板の内外表面間の母材内導電路の形成手段として同
基板母材の熱軟化下で同母材内へ圧入して保持された導
電子を有する。
搭載されたICの電極を同外表面側においてピッチ変換
又は形状変換する場合に不可欠となる、該インターポー
ザ基板の内外表面間の母材内導電路の形成手段として同
基板母材の熱軟化下で同母材内へ圧入して保持された導
電子を有する。
【0016】即ち、この導電子はインターポーザ基板に
非穿孔状態で、同基板の熱軟化下で圧入保持され母材内
導電路及び内外接点部を形成するものであり、インター
ポーザ基板への穿孔加工を要せずに、接点変換構造に不
可欠な母材内導電路を適切に形成できる。
非穿孔状態で、同基板の熱軟化下で圧入保持され母材内
導電路及び内外接点部を形成するものであり、インター
ポーザ基板への穿孔加工を要せずに、接点変換構造に不
可欠な母材内導電路を適切に形成できる。
【0017】又インターポーザ基板の熱軟化下で導電子
を圧入するだけの非常に簡潔な方法で目的が達成でき、
又インターポーザ基板の内表面に既に存在する配線パタ
ーンの接続部位に向けて導電子を圧入できるから、母材
内導電路を高精度に形成できる。
を圧入するだけの非常に簡潔な方法で目的が達成でき、
又インターポーザ基板の内表面に既に存在する配線パタ
ーンの接続部位に向けて導電子を圧入できるから、母材
内導電路を高精度に形成できる。
【0018】
【発明の実施の形態】図2は本発明に従い形成された接
点変換構造を持つICパッケージを例示している。イン
ターポーザ基板12はフレキシブルな絶縁シートから成
り、IC11との貼り合せ面となる該基板内表面に密着
された、IC11との接続に供される配線パターン14
を有する。
点変換構造を持つICパッケージを例示している。イン
ターポーザ基板12はフレキシブルな絶縁シートから成
り、IC11との貼り合せ面となる該基板内表面に密着
された、IC11との接続に供される配線パターン14
を有する。
【0019】上記インターポーザ基板12はその内表面
にのみ配線パターン14を有する片面配線インターポー
ザ基板である。
にのみ配線パターン14を有する片面配線インターポー
ザ基板である。
【0020】上記インターポーザ基板12を上記配線パ
ターン14を施した側の表面を以ってIC11の一方の
表面、例えば電極16を配した側の表面と反対側の表面
に接着剤13を介し貼り合せる。このインターポーザ基
板12とIC11の貼り合せ面を内表面と称し、貼り合
せ面と反対側の表面を外表面と称する。
ターン14を施した側の表面を以ってIC11の一方の
表面、例えば電極16を配した側の表面と反対側の表面
に接着剤13を介し貼り合せる。このインターポーザ基
板12とIC11の貼り合せ面を内表面と称し、貼り合
せ面と反対側の表面を外表面と称する。
【0021】上記配線パターン14をカバーコート15
で覆う場合、インターポーザ基板12は該カバーコート
15を施した内表面を以ってIC11の内表面に貼り合
せる。
で覆う場合、インターポーザ基板12は該カバーコート
15を施した内表面を以ってIC11の内表面に貼り合
せる。
【0022】インターポーザ基板12はその端縁部をI
C11の端縁部より張り出し、この張り出し部の内表面
において配線パターン14の端部をカバーコート15か
ら露出させ、接続用パッド14aを形成する。この接続
用パッド14aは上記張り出し部の内表面に沿って多数
列配置されている。同様にIC11の電極16はIC1
1の端縁部外表面に沿って多数列配置されている。
C11の端縁部より張り出し、この張り出し部の内表面
において配線パターン14の端部をカバーコート15か
ら露出させ、接続用パッド14aを形成する。この接続
用パッド14aは上記張り出し部の内表面に沿って多数
列配置されている。同様にIC11の電極16はIC1
1の端縁部外表面に沿って多数列配置されている。
【0023】該IC11の電極16と接続用パッド14
a間をワイヤーボンディング法を用い微細配線17によ
り接続する。斯くしてIC11とインターポーザ基板1
2とは微細配線17と配線パターン14を介して接続さ
れる。
a間をワイヤーボンディング法を用い微細配線17によ
り接続する。斯くしてIC11とインターポーザ基板1
2とは微細配線17と配線パターン14を介して接続さ
れる。
【0024】そして上記インターポーザ基板12を形成
するフレキシブル絶縁シートの母材内に多数の粒状の導
電子20aを多点配置する。上記導電子20aはインタ
ーポーザ基板12を形成する上記絶縁シートを熱軟化状
態にして同シート母材内へ圧入し保持せしめる。
するフレキシブル絶縁シートの母材内に多数の粒状の導
電子20aを多点配置する。上記導電子20aはインタ
ーポーザ基板12を形成する上記絶縁シートを熱軟化状
態にして同シート母材内へ圧入し保持せしめる。
【0025】即ち上記導電子20aはインターポーザ基
板12を形成する絶縁シートに非穿孔状態で、同基板1
2の母材内へ圧入保持され母材内導電路を形成する。各
導電子20aはインターポーザ基板12の母材内へ熱軟
化状態で圧入することにより、母材内保持力が確実に高
められ、自己穿孔不良を生じない。
板12を形成する絶縁シートに非穿孔状態で、同基板1
2の母材内へ圧入保持され母材内導電路を形成する。各
導電子20aはインターポーザ基板12の母材内へ熱軟
化状態で圧入することにより、母材内保持力が確実に高
められ、自己穿孔不良を生じない。
【0026】上記各導電子20aの上記インターポーザ
基板内表面側の内端部に上記IC11と接続するための
内部接点部20bを形成し、各導電子20aの上記イン
ターポーザ基板外表面側の外端部に外部接点部20cを
形成する。
基板内表面側の内端部に上記IC11と接続するための
内部接点部20bを形成し、各導電子20aの上記イン
ターポーザ基板外表面側の外端部に外部接点部20cを
形成する。
【0027】各導電子20aはインターポーザ基板12
への圧入によってその内端部(内部接点部)を配線パタ
ーン14の内面に強く押しつけ圧着接続を果す。又は導
電子20aを配線パターン14の内面に接着接続する。
これら圧着接続及び接着接続構造を含めた導電子20a
の具体構造例に関しては後述の図7乃至図12に基いて
更に詳述する。
への圧入によってその内端部(内部接点部)を配線パタ
ーン14の内面に強く押しつけ圧着接続を果す。又は導
電子20aを配線パターン14の内面に接着接続する。
これら圧着接続及び接着接続構造を含めた導電子20a
の具体構造例に関しては後述の図7乃至図12に基いて
更に詳述する。
【0028】他方導電子20aの外端部は図3に示すよ
うに、導電子自身の一部をインターポーザ基板12の外
表面から突出させ、この突出部20c′で外部接点部2
0cを形成する。この突出部20c′の外表面には接点
としての適性を付与する導電金属によるメッキ層10d
を施すことができる。
うに、導電子自身の一部をインターポーザ基板12の外
表面から突出させ、この突出部20c′で外部接点部2
0cを形成する。この突出部20c′の外表面には接点
としての適性を付与する導電金属によるメッキ層10d
を施すことができる。
【0029】又図4に示すように、外部接点部20cの
他例として、導電子20aの外端面をインターポーザ基
板12の外表面と略同一平面となるように配置し、この
導電子外端面に基板外表面から突出する導電パッド10
eを層着する。
他例として、導電子20aの外端面をインターポーザ基
板12の外表面と略同一平面となるように配置し、この
導電子外端面に基板外表面から突出する導電パッド10
eを層着する。
【0030】この導電パッド10eは図3と同様メッキ
により形成でき、図3と同様接点としての適性を付与す
る機能の他、配線回路基板の電極や、ICソケットの接
点部材に対する加圧点を確保するための、図3における
突出部20c′と同様の機能を持つ。
により形成でき、図3と同様接点としての適性を付与す
る機能の他、配線回路基板の電極や、ICソケットの接
点部材に対する加圧点を確保するための、図3における
突出部20c′と同様の機能を持つ。
【0031】又図5に示すように、上記導電子20aの
外端面に半田ボール又はNi/Auメッキ層を表面にコ
ートした銅ボール等の導電ボール20fを融着し又は圧
着し外部接点部20cとする。上記ICパッケージは上
記各例に示す外部接点部20cを以って配線回路基板の
配線回路パターンの電極又はICソケットの接点部材に
接続される。
外端面に半田ボール又はNi/Auメッキ層を表面にコ
ートした銅ボール等の導電ボール20fを融着し又は圧
着し外部接点部20cとする。上記ICパッケージは上
記各例に示す外部接点部20cを以って配線回路基板の
配線回路パターンの電極又はICソケットの接点部材に
接続される。
【0032】図6に示すように、上記インターポーザ基
板12を形成する絶縁シートの母材内へ熱軟化下で圧入
された各導電子20aには、上記母材内で母材を押しの
ける膨出部20gを形成することができる。各導電子2
0aはこの膨出部20gによって基板12の母材内に確
固に保持し、又これによって形成される母材内導電路の
導電断面横を増加する。上記膨出部20gは図2乃至図
6に示す各導電子20aに実施できることは勿論であ
る。
板12を形成する絶縁シートの母材内へ熱軟化下で圧入
された各導電子20aには、上記母材内で母材を押しの
ける膨出部20gを形成することができる。各導電子2
0aはこの膨出部20gによって基板12の母材内に確
固に保持し、又これによって形成される母材内導電路の
導電断面横を増加する。上記膨出部20gは図2乃至図
6に示す各導電子20aに実施できることは勿論であ
る。
【0033】又図2に示すICパッケージは電極16を
配置した側と反対側の表面を、上記インターポーザ基板
12の配線パターン14を施した側の表面に貼り合せた
場合を示したが、本発明はICパッケージをその電極1
6を配置した側の表面を以ってインターポーザ基板12
の配線パターン14を施した側の表面に貼り合せて電極
16を配線パターン14の外表面に接続すると共に、図
2乃至図6の説明に従い導電子20aをインターポーザ
基板12の母材内へ圧入し保持せしめ、前記内部接点部
20bと外部接点部20cを形成する。18はIC11
及び配線17を埋設して保護する樹脂モールドである。
配置した側と反対側の表面を、上記インターポーザ基板
12の配線パターン14を施した側の表面に貼り合せた
場合を示したが、本発明はICパッケージをその電極1
6を配置した側の表面を以ってインターポーザ基板12
の配線パターン14を施した側の表面に貼り合せて電極
16を配線パターン14の外表面に接続すると共に、図
2乃至図6の説明に従い導電子20aをインターポーザ
基板12の母材内へ圧入し保持せしめ、前記内部接点部
20bと外部接点部20cを形成する。18はIC11
及び配線17を埋設して保護する樹脂モールドである。
【0034】上記インターポーザ基板12はガラスクロ
ス入り合成樹脂等、通常の回路基板に使用する熱硬化性
樹脂(プリプレーグ)或いは熱可塑性ポリイミド樹脂が
使用され得るが、適性材として液晶ポリマーシートの単
層基板又は液晶ポリマーシートと他の絶縁合成樹脂シー
トとの複層基板を用いる。前記の通り液晶ポリマーはI
C11に有害な吸湿性が極端に少なく、又接点配置に悪
影響を与える熱伸縮性が殆どなく、加えてフレキシブル
性に富む。本発明はこの適性を活用し、ICパッケージ
の接点変換構造の機能向上を図ったものである。
ス入り合成樹脂等、通常の回路基板に使用する熱硬化性
樹脂(プリプレーグ)或いは熱可塑性ポリイミド樹脂が
使用され得るが、適性材として液晶ポリマーシートの単
層基板又は液晶ポリマーシートと他の絶縁合成樹脂シー
トとの複層基板を用いる。前記の通り液晶ポリマーはI
C11に有害な吸湿性が極端に少なく、又接点配置に悪
影響を与える熱伸縮性が殆どなく、加えてフレキシブル
性に富む。本発明はこの適性を活用し、ICパッケージ
の接点変換構造の機能向上を図ったものである。
【0035】次に図7乃至図12に基き上記ICパッケ
ージのインターポーザ基板12の製法について説明し、
その構造、殊に導電子とその接点構造について更に詳述
する。
ージのインターポーザ基板12の製法について説明し、
その構造、殊に導電子とその接点構造について更に詳述
する。
【0036】〈図7A,B、図8に示す製法〉図7Aに
示すように、銅箔14′の表面の所定位置に導電ペース
トによるバンプ20a′を印刷法により盛り上げ、この
導電バンプ20a′を持つ銅箔14′とインターポーザ
基板12を形成する絶縁シート12′を重ねて同シート
12′と導電バンプ20a′を対向させ、絶縁シート1
2′を熱雰囲気中で軟化状態に加熱しながら、熱プレス
盤21により熱プレスする。
示すように、銅箔14′の表面の所定位置に導電ペース
トによるバンプ20a′を印刷法により盛り上げ、この
導電バンプ20a′を持つ銅箔14′とインターポーザ
基板12を形成する絶縁シート12′を重ねて同シート
12′と導電バンプ20a′を対向させ、絶縁シート1
2′を熱雰囲気中で軟化状態に加熱しながら、熱プレス
盤21により熱プレスする。
【0037】図7Bに示すように、この熱プレスにより
絶縁シート12′に導電バンプ20a′を貫挿すると同
時に、絶縁シート12′に銅箔14′を圧着しつつ導電
バンプ20aを圧縮し、その両端面を絶縁シート12′
の表面と略同一平面にする。上記熱軟化とは絶縁シート
12′の表面を溶融状態にする場合を含む。
絶縁シート12′に導電バンプ20a′を貫挿すると同
時に、絶縁シート12′に銅箔14′を圧着しつつ導電
バンプ20aを圧縮し、その両端面を絶縁シート12′
の表面と略同一平面にする。上記熱軟化とは絶縁シート
12′の表面を溶融状態にする場合を含む。
【0038】上記導電バンプ20a′は上記絶縁シート
12′の厚みより高くし、同シート12′を貫いた時に
導電バンプ20a′の先端部が同シート12′の表面よ
り突出し、この突出せるバンプ先端部を同シート12′
の母材内へ押し込みつつ圧縮を行なう。
12′の厚みより高くし、同シート12′を貫いた時に
導電バンプ20a′の先端部が同シート12′の表面よ
り突出し、この突出せるバンプ先端部を同シート12′
の母材内へ押し込みつつ圧縮を行なう。
【0039】斯くして導電ペーストから成る導電バンプ
20a′により前記導電子20aが形成される。この導
電子20aは上記熱プレスによる圧縮により絶縁シート
12′の母材内で同母材を押しのけつつ膨らみを生じ、
前記図6に示す膨出部20gが与えられる。
20a′により前記導電子20aが形成される。この導
電子20aは上記熱プレスによる圧縮により絶縁シート
12′の母材内で同母材を押しのけつつ膨らみを生じ、
前記図6に示す膨出部20gが与えられる。
【0040】次に図7Cに示すように、上記銅箔14′
をエッチング等によりパターンニングし、配線パターン
14を形成する。
をエッチング等によりパターンニングし、配線パターン
14を形成する。
【0041】次に図7Dに示すように上記導電子20a
の上記配線パターン14とは反対側の外端面に導電金属
によるメッキ層を施して図4に示す導電パッド20eを
形成する。又上記配線パターン14の表面にはカバーコ
ート15を施す。
の上記配線パターン14とは反対側の外端面に導電金属
によるメッキ層を施して図4に示す導電パッド20eを
形成する。又上記配線パターン14の表面にはカバーコ
ート15を施す。
【0042】上記により導電子14はインターポーザ基
板12の母材内へその熱軟化下において圧入保持され、
該導電子のインターポーザ基板内表面側の内端部に配線
パターン14と接続する内部接点部20bが形成され、
同基板外表面側の外端部に配線回路基板やICソケット
と接続するための外部接点部20cが形成される。上記
導電パッド20eに代えて導電ボール20fを取り付け
て外部接点部を形成できることは図5に基き説明した通
りである。
板12の母材内へその熱軟化下において圧入保持され、
該導電子のインターポーザ基板内表面側の内端部に配線
パターン14と接続する内部接点部20bが形成され、
同基板外表面側の外端部に配線回路基板やICソケット
と接続するための外部接点部20cが形成される。上記
導電パッド20eに代えて導電ボール20fを取り付け
て外部接点部を形成できることは図5に基き説明した通
りである。
【0043】又図7Aの熱プレスにおいて、プレス盤2
1の加圧面と絶縁シート12′間に軟質のシートを介在
する等して熱プレスを施すことにより絶縁シート12′
から突き出たバンプ20a′の先端部が上記軟質シート
に喰い込みつつインターポーザ基板の外表面から突出さ
れ、よって導電子20aの外端部に突出部20c′を形
成できることは図3に基いて説明した通りである。
1の加圧面と絶縁シート12′間に軟質のシートを介在
する等して熱プレスを施すことにより絶縁シート12′
から突き出たバンプ20a′の先端部が上記軟質シート
に喰い込みつつインターポーザ基板の外表面から突出さ
れ、よって導電子20aの外端部に突出部20c′を形
成できることは図3に基いて説明した通りである。
【0044】上記導電バンプ20a′を形成する導電ペ
ーストは微細な金属粒子と合成樹脂との混練物であり、
この場合に用いる金属粒子としてはインターポーザ基板
12を熱軟化する熱では溶融しないニッケル合金等の比
較的硬質の金属粒子20hを用いる。
ーストは微細な金属粒子と合成樹脂との混練物であり、
この場合に用いる金属粒子としてはインターポーザ基板
12を熱軟化する熱では溶融しないニッケル合金等の比
較的硬質の金属粒子20hを用いる。
【0045】図8に示すように、上記導電ペーストから
成る導電バンプ20a′をインターポーザ基板12を形
成する絶縁シート12′内へ熱軟化下で圧入することに
より、上記個々の金属粒子20hの局部が配線パターン
14内へ喰い込み活性な電気的接続を果す。
成る導電バンプ20a′をインターポーザ基板12を形
成する絶縁シート12′内へ熱軟化下で圧入することに
より、上記個々の金属粒子20hの局部が配線パターン
14内へ喰い込み活性な電気的接続を果す。
【0046】又は半田粒子等のインターポーザ基板12
を形成する絶縁シート12′の熱軟化温度で軟化する
が、尚絶縁シートの熱軟化より硬度を有する導電ペース
トを用い、熱プレスにより導電ペーストを圧入した後、
半田粒子の溶融温度以上で半田粒子を溶かして配線パタ
ーン14の内面に融着接続せしめる。
を形成する絶縁シート12′の熱軟化温度で軟化する
が、尚絶縁シートの熱軟化より硬度を有する導電ペース
トを用い、熱プレスにより導電ペーストを圧入した後、
半田粒子の溶融温度以上で半田粒子を溶かして配線パタ
ーン14の内面に融着接続せしめる。
【0047】又は後述する如く単一の粒体から成る導電
子20aをインターポーザ基板12の熱軟化下で圧入し
配線パターン14に圧着接続するか、又は融着接続せし
める。〈図9、図8に示す製法〉図9Aに示すように、
インターポーザ基板12を形成する絶縁シート12′の
一方の表面の所定位置に半田ペーストを用いて多数の導
電バンプ20a′を印刷により盛り上げたものを準備
し、他方銅箔14′の一方の表面に上記導電バンプ20
a′と対応する多数の導電ペースト等から成る導電接着
材22を点状に配置し、そして絶縁シート12′のバン
プ形成面と反対側の表面が銅箔14′の導電接着材22
を施した側の表面と対向するように重ね、次で熱プレス
盤21により絶縁シート12′を熱軟化状態にしつつ熱
プレスを施す。
子20aをインターポーザ基板12の熱軟化下で圧入し
配線パターン14に圧着接続するか、又は融着接続せし
める。〈図9、図8に示す製法〉図9Aに示すように、
インターポーザ基板12を形成する絶縁シート12′の
一方の表面の所定位置に半田ペーストを用いて多数の導
電バンプ20a′を印刷により盛り上げたものを準備
し、他方銅箔14′の一方の表面に上記導電バンプ20
a′と対応する多数の導電ペースト等から成る導電接着
材22を点状に配置し、そして絶縁シート12′のバン
プ形成面と反対側の表面が銅箔14′の導電接着材22
を施した側の表面と対向するように重ね、次で熱プレス
盤21により絶縁シート12′を熱軟化状態にしつつ熱
プレスを施す。
【0048】この熱プレスにより導電バンプ20a′が
絶縁シート12′の母材内へ圧縮されつつ圧入され、反
対側に存する導電接着材22を介して銅箔14′に融着
接続又は図8の原理で圧着接続される。従って、この銅
箔14′をパターニングして得られた配線パターン14
に接続される。斯くして導電バンプ20a′により前記
導電子20aが得られる。
絶縁シート12′の母材内へ圧縮されつつ圧入され、反
対側に存する導電接着材22を介して銅箔14′に融着
接続又は図8の原理で圧着接続される。従って、この銅
箔14′をパターニングして得られた配線パターン14
に接続される。斯くして導電バンプ20a′により前記
導電子20aが得られる。
【0049】図9Bの工程後の工程は図7C,Dに基い
て説明した通りである。又図9の例示においても導電子
20aの外部接点部20cの構造を図3乃至図6におい
て説明した構造にすることができる。
て説明した通りである。又図9の例示においても導電子
20aの外部接点部20cの構造を図3乃至図6におい
て説明した構造にすることができる。
【0050】又図7の例示において説明したように、上
記図9に示す導電バンプ20′を形成する導電ペースト
は、その金属粒子20hとして、ニッケルの如きインタ
ーポーザ基板12の軟化温度より高い軟化温度を保つ硬
質金属粒子を用いて図8に示す如き圧着接続構造を持つ
内部接点部20bを形成することができる。
記図9に示す導電バンプ20′を形成する導電ペースト
は、その金属粒子20hとして、ニッケルの如きインタ
ーポーザ基板12の軟化温度より高い軟化温度を保つ硬
質金属粒子を用いて図8に示す如き圧着接続構造を持つ
内部接点部20bを形成することができる。
【0051】又図9に示す導電バンプ20a′を半田粒
子等の低融点金属粒子から成る導電ペーストにて形成
し、銅箔14′に融着接続できる。この場合には導電接
着材22は不要である。 〈図10に示す製法〉上記のように、導電子20aは導
電ペーストを用いて形成できる他、導電性の単粒体をイ
ンターポーザ基板12の母材内へその熱軟化下において
圧入し保持させて前記導電子20aを形成することがで
きる。図10はその代表例としてボール形の導電子20
aを用いている。
子等の低融点金属粒子から成る導電ペーストにて形成
し、銅箔14′に融着接続できる。この場合には導電接
着材22は不要である。 〈図10に示す製法〉上記のように、導電子20aは導
電ペーストを用いて形成できる他、導電性の単粒体をイ
ンターポーザ基板12の母材内へその熱軟化下において
圧入し保持させて前記導電子20aを形成することがで
きる。図10はその代表例としてボール形の導電子20
aを用いている。
【0052】このボール形導電子20aは例えば半田ボ
ール又は表面をNi/Auメッキ層でコートした銅ボー
ル、その他の導電ボール20a″であり、図10Aに示
すようにこの導電ボール20a″を熱プレス盤21の加
圧面の所定位置に開口させた多数のバキューム口23に
吸着保持させ、これをインターポーザ基板12を形成す
る絶縁シート12′の母材内へ圧入する。
ール又は表面をNi/Auメッキ層でコートした銅ボー
ル、その他の導電ボール20a″であり、図10Aに示
すようにこの導電ボール20a″を熱プレス盤21の加
圧面の所定位置に開口させた多数のバキューム口23に
吸着保持させ、これをインターポーザ基板12を形成す
る絶縁シート12′の母材内へ圧入する。
【0053】この圧入側と反対側のシート表面には銅箔
14′が貼り合せられており、この貼り合せ界面側の銅
箔内表面には半田ペースト又はニッケルペースト等の導
電ペーストから成る導電接着材22が上記導電ボール2
0a″と対応して点状に配置されており、導電ボール2
0a″はその内端部を上記熱プレス盤21により絶縁シ
ート12′の母材内へ圧入して銅箔14′に接着材22
を介して融着接続又は圧着接続すると共に、同外端部を
絶縁シート12′の外表面から突出する。
14′が貼り合せられており、この貼り合せ界面側の銅
箔内表面には半田ペースト又はニッケルペースト等の導
電ペーストから成る導電接着材22が上記導電ボール2
0a″と対応して点状に配置されており、導電ボール2
0a″はその内端部を上記熱プレス盤21により絶縁シ
ート12′の母材内へ圧入して銅箔14′に接着材22
を介して融着接続又は圧着接続すると共に、同外端部を
絶縁シート12′の外表面から突出する。
【0054】この突出部20c′にて半球状の外部接点
部20cを形成し、上記内端部にて銅箔14′と接続す
る内部接点部20bを形成する。銅箔14′は後工程で
パターンニングされ配線パターン14を形成する。 〈図11に示す製法〉図11A,Bにおいては図10と
同様の導電ボール20a″と銅箔張り絶縁シート12′
を用い、上記熱プレス盤21のバキューム口23に保持
された導電ボール20a″を、熱プレス盤21によりイ
ンターポーザ基板12を形成する絶縁シート12′の母
材内へ圧入し、導電ボール20a″の略全体をシート母
材内で圧縮変形し、その外端面と内端面が絶縁シート1
2′の表面と略同一平面となるようにして導電子20a
を形成した場合を示す。
部20cを形成し、上記内端部にて銅箔14′と接続す
る内部接点部20bを形成する。銅箔14′は後工程で
パターンニングされ配線パターン14を形成する。 〈図11に示す製法〉図11A,Bにおいては図10と
同様の導電ボール20a″と銅箔張り絶縁シート12′
を用い、上記熱プレス盤21のバキューム口23に保持
された導電ボール20a″を、熱プレス盤21によりイ
ンターポーザ基板12を形成する絶縁シート12′の母
材内へ圧入し、導電ボール20a″の略全体をシート母
材内で圧縮変形し、その外端面と内端面が絶縁シート1
2′の表面と略同一平面となるようにして導電子20a
を形成した場合を示す。
【0055】導電子20aは上記圧入によってその内端
部を導電接着材22を介しシート内表面に張り合せられ
た銅箔14′に融着接続又は圧着接続される。
部を導電接着材22を介しシート内表面に張り合せられ
た銅箔14′に融着接続又は圧着接続される。
【0056】この場合には図6において説明した膨出部
20gがより顕著に形成できる。導電ボール20a″が
半田ボールの場合は、前述した如く半田ボールの融点以
下の温度で熱プレスしシート母材内に圧入した後半田ボ
ールを溶融して銅箔14′との融着を確実にすることが
できる。
20gがより顕著に形成できる。導電ボール20a″が
半田ボールの場合は、前述した如く半田ボールの融点以
下の温度で熱プレスしシート母材内に圧入した後半田ボ
ールを溶融して銅箔14′との融着を確実にすることが
できる。
【0057】図11A,Bの工程後の工程は図7C,D
に基いて説明した通りである。 〈図12に示す製法〉図12Aに示すように、フレキシ
ブル性を有する転写シート24の表面の所定位置に導電
ペーストによる導電バンプを印刷により多点配置にし、
該転写シート24と銅箔14′との間にインターポーザ
基板12を形成する絶縁シート12′を介在し、三者2
4,12′,14′を該絶縁シート12′と上記導電バ
ンプ20a′が対向するように重ね、前記熱プレス盤に
より熱プレスした後、転写シート24を剥離する。
に基いて説明した通りである。 〈図12に示す製法〉図12Aに示すように、フレキシ
ブル性を有する転写シート24の表面の所定位置に導電
ペーストによる導電バンプを印刷により多点配置にし、
該転写シート24と銅箔14′との間にインターポーザ
基板12を形成する絶縁シート12′を介在し、三者2
4,12′,14′を該絶縁シート12′と上記導電バ
ンプ20a′が対向するように重ね、前記熱プレス盤に
より熱プレスした後、転写シート24を剥離する。
【0058】図12Bに示すように、上記導電バンプ2
0a′は上記熱プレスにより熱軟化状態にされた絶縁シ
ート12′の母材内へ圧縮されつつ圧入されて導電子2
0aを形成し、その内端部の内部接点部20bが銅箔1
4′の内表面に圧着接続又は融着接続される。又転写シ
ートの剥離により上記導電子20aの外端部が露出され
外部接点部20cを形成する。
0a′は上記熱プレスにより熱軟化状態にされた絶縁シ
ート12′の母材内へ圧縮されつつ圧入されて導電子2
0aを形成し、その内端部の内部接点部20bが銅箔1
4′の内表面に圧着接続又は融着接続される。又転写シ
ートの剥離により上記導電子20aの外端部が露出され
外部接点部20cを形成する。
【0059】上記製法において転写シート24として軟
質の合成樹脂シートを用いることにより外部接点部20
cを絶縁シート12′の外表面から突出させることがで
きる。即ち、上記熱プレスにより導電バンプ20a′の
転写シート24に対する接着端が上記転写シート24内
へ喰い込み、上記突出部20c′を形成でき、これを外
部接点部20cとする。
質の合成樹脂シートを用いることにより外部接点部20
cを絶縁シート12′の外表面から突出させることがで
きる。即ち、上記熱プレスにより導電バンプ20a′の
転写シート24に対する接着端が上記転写シート24内
へ喰い込み、上記突出部20c′を形成でき、これを外
部接点部20cとする。
【0060】この製法における導電ペーストの選択は図
7に基いて説明した通りであり、又外部接点部の構造は
図3乃至図6に基いて説明した通りである。
7に基いて説明した通りであり、又外部接点部の構造は
図3乃至図6に基いて説明した通りである。
【0061】上記図7乃至図12に示す上記インターポ
ーザ基板12を形成する絶縁シート12′の適性材とし
て液晶ポリマーシートの単層基板又は液晶ポリマーシー
トと他の絶縁合成樹脂シートとの複層基板を用いられる
ことは前記の通りである。
ーザ基板12を形成する絶縁シート12′の適性材とし
て液晶ポリマーシートの単層基板又は液晶ポリマーシー
トと他の絶縁合成樹脂シートとの複層基板を用いられる
ことは前記の通りである。
【0062】更に各実施例では銅箔14′のパターニン
グを導電子20aのインターポーザ基板12を形成する
絶縁シート12′の母材内への圧入後に行なったが、絶
縁シート12′と銅箔14′とが圧着された一体物状態
で銅箔14′をパターンニングした後導電子14をイン
ターポーザ基板12の母材内(絶縁シート内)に圧入し
ても良い。
グを導電子20aのインターポーザ基板12を形成する
絶縁シート12′の母材内への圧入後に行なったが、絶
縁シート12′と銅箔14′とが圧着された一体物状態
で銅箔14′をパターンニングした後導電子14をイン
ターポーザ基板12の母材内(絶縁シート内)に圧入し
ても良い。
【0063】
【発明の効果】上記インターポーザ基板はその内表面側
に搭載されたICの電極を同外表面側においてピッチ変
換又は形状変換する場合に不可欠となる、該インターポ
ーザ基板の内外表面間の母材内導電路の形成手段とし
て、導電子を同基板母材の熱軟化下で同母材内へ圧入保
持せしめることにより上記母材内導電路が適性に形成で
きる。
に搭載されたICの電極を同外表面側においてピッチ変
換又は形状変換する場合に不可欠となる、該インターポ
ーザ基板の内外表面間の母材内導電路の形成手段とし
て、導電子を同基板母材の熱軟化下で同母材内へ圧入保
持せしめることにより上記母材内導電路が適性に形成で
きる。
【0064】即ち、導電子をインターポーザ基板に非穿
孔状態で、同基板の熱軟化下で圧入保持せしめることに
より母材内導電路及び内外接点部を形成することがで
き、インターポーザ基板への穿孔加工を要せずに、接点
変換構造に不可欠な母材内導電路を適切に形成できる。
孔状態で、同基板の熱軟化下で圧入保持せしめることに
より母材内導電路及び内外接点部を形成することがで
き、インターポーザ基板への穿孔加工を要せずに、接点
変換構造に不可欠な母材内導電路を適切に形成できる。
【0065】又インターポーザ基板の熱軟化下で導電子
を圧入するだけの非常に簡潔な方法で目的が達成でき、
又インターポーザ基板の内表面に既に存在する配線パタ
ーンの接続部位に向けて導電子を圧入できるから、母材
内導電路を高精度に形成できる。上記各導電子には導電
子自身が上記インターポーザ基板の母材内で膨出して母
材を押しのけている膨出部を具有せしめ、各導電子を母
材内に確実に保持する。
を圧入するだけの非常に簡潔な方法で目的が達成でき、
又インターポーザ基板の内表面に既に存在する配線パタ
ーンの接続部位に向けて導電子を圧入できるから、母材
内導電路を高精度に形成できる。上記各導電子には導電
子自身が上記インターポーザ基板の母材内で膨出して母
材を押しのけている膨出部を具有せしめ、各導電子を母
材内に確実に保持する。
【図1】従来の接点変換構造を持つICパッケージの断
面図である。
面図である。
【図2】本発明の一実施形態例を示す接点変換構造を持
つICパッケージの断面図である。
つICパッケージの断面図である。
【図3】上記ICパッケージにおける外部接点部の他例
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図4】上記ICパッケージにおける外部接点部の更に
他例を示す要部断面図である。
他例を示す要部断面図である。
【図5】上記ICパッケージにおける外部接点部の更に
他例を示す要部断面図である。
他例を示す要部断面図である。
【図6】上記ICパッケージにおける外部接点部の更に
他例を示す要部断面図である。
他例を示す要部断面図である。
【図7】A乃至Dは上記ICパッケージの第1製法例を
工程順に説明する断面図である。
工程順に説明する断面図である。
【図8】上記ICパッケージにおける内部接点部の圧着
接続構造を示す要部断面図である。
接続構造を示す要部断面図である。
【図9】A,Bは上記ICパッケージの第1製法例を工
程順に説明する断面図である。
程順に説明する断面図である。
【図10】A,Bは上記ICパッケージの第2製法例を
工程順に説明する断面図である。
工程順に説明する断面図である。
【図11】A,Bは上記ICパッケージの第3製法例を
工程順に説明する断面図である。
工程順に説明する断面図である。
【図12】A,Bは上記ICパッケージの第4製法例を
工程順に説明する断面図である。
工程順に説明する断面図である。
11 IC 12 インターポーザ基板 12′ 絶縁シート 14 配線パターン 20a 導電子 20b 内部接点部 20c 外部接点部 20c′ 突設部 20e 導電パッド 20g 膨出部
Claims (4)
- 【請求項1】ICパッケージにおけるICの接点変換構
造であって、ICに貼り合せられたインターポーザ基板
の母材内に多数の導電子が多点配置され、各導電子がイ
ンターポーザ基板の母材を押しのけつつ圧入して保持さ
れており、各導電子の上記インターポーザ基板内表面側
の内端部に上記ICと接続するための内部接点部が形成
され、各導電子の上記インターポーザ基板外表面側の外
端部に配線回路基板等と接続するための外部接点部が形
成されていることを特徴とするICパッケージ。 - 【請求項2】上記インターポーザ基板が液晶ポリマーシ
ートの単層基板又は液晶ポリマーシートと他の絶縁シー
トとの複層基板から成ることを特徴とする請求項1記載
のICパッケージ。 - 【請求項3】上記各導電子の外端部がインターポーザ基
板の外表面から突出しており、該突出部で上記外部接点
部を形成したことを特徴とする請求項1又は2記載のI
Cパッケージ。 - 【請求項4】上記各導電子が上記インターポーザ基板の
母材内で母材を押しのける膨出部を有することを特徴と
する請求項1又は2又は3記載のICパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30474697A JPH11145325A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Icパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30474697A JPH11145325A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Icパッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11145325A true JPH11145325A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17936729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30474697A Pending JPH11145325A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Icパッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11145325A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002017502A1 (fr) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Hitachi, Ltd. | Dispositif radio emetteur/recepteur |
WO2003021668A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Hitachi Chemical Co.,Ltd. | Tableau de connexions, dispositif a semi-conducteur et leur procede de production |
-
1997
- 1997-11-06 JP JP30474697A patent/JPH11145325A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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