JPH0159755B2 - - Google Patents
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- JPH0159755B2 JPH0159755B2 JP55005134A JP513480A JPH0159755B2 JP H0159755 B2 JPH0159755 B2 JP H0159755B2 JP 55005134 A JP55005134 A JP 55005134A JP 513480 A JP513480 A JP 513480A JP H0159755 B2 JPH0159755 B2 JP H0159755B2
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- copper foil
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Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に半導体素子等を用いて回路等
が形成される回路基板に関し、特に基板の一部分
に回路を形成しようとする場合に有利な回路基板
に関する。
が形成される回路基板に関し、特に基板の一部分
に回路を形成しようとする場合に有利な回路基板
に関する。
一般に厚膜集積回路等に於いて電力増幅用の半
導体素子を使用する場合、基板には良熱伝導性の
アルミニウム基板が用いられ、アルミニウム基板
の表面は陽極酸化に依つて酸化アルミニウムの絶
縁層が形成され、この絶縁層上に銅箔に依つて導
電路が形成される構造が採用される。この様な基
板を作る場合、従来は第１図に示す如く、一枚の
アルミニウム基板１の表面に陽極酸化に依つて絶
縁層２を形成し、絶縁層２上に接着樹脂層３を介
して銅箔４をプレス等で加圧して更に加熱しなが
ら接着していた。その後所望の大きさに切断して
使用していた。ところが銅箔４を接着する際にア
ルミニウム基板１の端部では銅箔４の接着が完全
でなく剥離してこの部分では基板として使用する
ことができない。従つてアルミニウム基板の一部
分だけに回路を形成する場合あるいは半導体素子
を固着する場合には、その一部分だけに銅箔を接
着することができず、エツチング等に依つて他の
部分の銅箔を除去しなければならない欠点があつ
た。
導体素子を使用する場合、基板には良熱伝導性の
アルミニウム基板が用いられ、アルミニウム基板
の表面は陽極酸化に依つて酸化アルミニウムの絶
縁層が形成され、この絶縁層上に銅箔に依つて導
電路が形成される構造が採用される。この様な基
板を作る場合、従来は第１図に示す如く、一枚の
アルミニウム基板１の表面に陽極酸化に依つて絶
縁層２を形成し、絶縁層２上に接着樹脂層３を介
して銅箔４をプレス等で加圧して更に加熱しなが
ら接着していた。その後所望の大きさに切断して
使用していた。ところが銅箔４を接着する際にア
ルミニウム基板１の端部では銅箔４の接着が完全
でなく剥離してこの部分では基板として使用する
ことができない。従つてアルミニウム基板の一部
分だけに回路を形成する場合あるいは半導体素子
を固着する場合には、その一部分だけに銅箔を接
着することができず、エツチング等に依つて他の
部分の銅箔を除去しなければならない欠点があつ
た。
本発明は上述した欠点に鑑みて為されたもので
あり、一部分だけにも完全に銅箔を接着させた回
路基板を提供するものである。以下図面を参照し
て本発明を詳述する。
あり、一部分だけにも完全に銅箔を接着させた回
路基板を提供するものである。以下図面を参照し
て本発明を詳述する。
第２図は本発明の実施例を示す断面図であり、
５はアルミニウム基板、６は接着層、７はポリイ
シドフイルム、８は銅箔、９は銅片、１０は半導
体素子である。
５はアルミニウム基板、６は接着層、７はポリイ
シドフイルム、８は銅箔、９は銅片、１０は半導
体素子である。
アルミニウム基板５は良熱伝導性を有しすでに
所望の大きさにプレス等で切断されるが従来の様
に表面に絶縁層は形成されていない。アルミニウ
ム基板５上の一部には接着層６を介して絶縁物で
あるポリイミドフイルム７が設けられ、このポリ
イミドフイルム７は予じめ銅箔８が固着されてお
り、その銅箔８上にヒートシンクとなる銅片９が
半田等に依つて固着され、銅片９上に半導体素子
１０が固着される構造である。
所望の大きさにプレス等で切断されるが従来の様
に表面に絶縁層は形成されていない。アルミニウ
ム基板５上の一部には接着層６を介して絶縁物で
あるポリイミドフイルム７が設けられ、このポリ
イミドフイルム７は予じめ銅箔８が固着されてお
り、その銅箔８上にヒートシンクとなる銅片９が
半田等に依つて固着され、銅片９上に半導体素子
１０が固着される構造である。
予じめ銅箔８が接着されたポリイミドフイルム
７はすでにフレキシブル基板等で実用化されてお
り、この銅箔８を有するポリイミドフイルム７を
アルミニウム基板５に接着する方法はポリイミド
フイルム７の接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗付
し、端部から加熱しながらローラー等で圧延する
ことに依つてアルミニウム基板５表面に密着した
強固な接着層６が形成され、この接着層６に依つ
てポリイミドフイルム７が固着される。従つて銅
箔８はポリイミドフイルム７に依つてアルミニウ
ム基板５と絶縁され固着される。
７はすでにフレキシブル基板等で実用化されてお
り、この銅箔８を有するポリイミドフイルム７を
アルミニウム基板５に接着する方法はポリイミド
フイルム７の接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗付
し、端部から加熱しながらローラー等で圧延する
ことに依つてアルミニウム基板５表面に密着した
強固な接着層６が形成され、この接着層６に依つ
てポリイミドフイルム７が固着される。従つて銅
箔８はポリイミドフイルム７に依つてアルミニウ
ム基板５と絶縁され固着される。
ヒートシンクとなる銅片９上に消費電力の大き
い即ち発熱量の多い半導体素子１０を固着した場
合にもポリイミドフイルム７は非常に薄く形成さ
れるため熱抵抗が増加することなく熱がアルミニ
ウム基板５に伝導される。一方アルミニウム基板
５の他の部分１１即ち銅箔８が設けられなかつた
部分は半導体素子１０等を封止する際に露出して
おき放熱板として用いることができ、またこの部
分１１に低消費電力の回路を構成した基板等を固
着することもできるものであり、更に基板が鉄の
場合にはコイルを形成することもできるものであ
り、その他色々な目的に利用することができる。
い即ち発熱量の多い半導体素子１０を固着した場
合にもポリイミドフイルム７は非常に薄く形成さ
れるため熱抵抗が増加することなく熱がアルミニ
ウム基板５に伝導される。一方アルミニウム基板
５の他の部分１１即ち銅箔８が設けられなかつた
部分は半導体素子１０等を封止する際に露出して
おき放熱板として用いることができ、またこの部
分１１に低消費電力の回路を構成した基板等を固
着することもできるものであり、更に基板が鉄の
場合にはコイルを形成することもできるものであ
り、その他色々な目的に利用することができる。
第３図は本発明の他の実施例を示す断面図であ
り、１２はセラミツク基板、１３は接着層、１４
はポリイミドフイルム、１５は銅箔である。
り、１２はセラミツク基板、１３は接着層、１４
はポリイミドフイルム、１５は銅箔である。
セラミツク基板１２は予じめ所望の大きさに形
成され、セラミツク基板１２の表面に接着層１３
を介してポリイミドフイルム１４が設けられ、ポ
リイミドフイルム１４の表面には銅箔１５が接着
されており、エツチング等に依つて所望の形状の
導電路が形成される。
成され、セラミツク基板１２の表面に接着層１３
を介してポリイミドフイルム１４が設けられ、ポ
リイミドフイルム１４の表面には銅箔１５が接着
されており、エツチング等に依つて所望の形状の
導電路が形成される。
銅箔１５の接着されたポリイミドフイルム１４
は接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗付し、端部か
ら加熱しながらローラー等で圧延することに依つ
て接着できるので所望の部分に所望の大きさの銅
箔１５をセラミツク基板１２が割れることもなく
接着できる。また従来の如くセラミツク基板１２
内に導電路が形成されていれば、更に多層の配線
が可能となる。
は接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗付し、端部か
ら加熱しながらローラー等で圧延することに依つ
て接着できるので所望の部分に所望の大きさの銅
箔１５をセラミツク基板１２が割れることもなく
接着できる。また従来の如くセラミツク基板１２
内に導電路が形成されていれば、更に多層の配線
が可能となる。
第４図は本発明の更に他の実施例を示す断面図
であり、１６は基板、１７は第１接着層、１８は
第１ポリイミドフイルム、１９は第１銅箔、２０
は第２接着層、２１は第２ポリイミドフイルム、
２２は第２銅箔である。
であり、１６は基板、１７は第１接着層、１８は
第１ポリイミドフイルム、１９は第１銅箔、２０
は第２接着層、２１は第２ポリイミドフイルム、
２２は第２銅箔である。
基板１６は金属あるいはセラミツク等が用いら
れ、その表面に第１接着層１７を介して第１ポリ
イミドフイルム１８が接着され、第１ポリイミド
フイルム１８の表面には第１銅箔１９に依つて導
電路が形成される。更に第１銅箔１９の表面には
第２接着層２０を介して第２ポリイミドフイルム
２１が接着され、第２ポリイミドフイルム２１上
には第２銅箔２２により導電路が形成されるいわ
ゆる多層配線構造である。
れ、その表面に第１接着層１７を介して第１ポリ
イミドフイルム１８が接着され、第１ポリイミド
フイルム１８の表面には第１銅箔１９に依つて導
電路が形成される。更に第１銅箔１９の表面には
第２接着層２０を介して第２ポリイミドフイルム
２１が接着され、第２ポリイミドフイルム２１上
には第２銅箔２２により導電路が形成されるいわ
ゆる多層配線構造である。
第１ポリイミドフイルム１８及び第２ポリイミ
ドフイルム２１の接着は前述した如く熱可塑硬化
性の接着樹脂に依つて接着されるものである。こ
の構造に於いて第１銅箔１９と第２銅箔２２との
電気的接続は例えばスルーホール等に依つて行な
うことができる。
ドフイルム２１の接着は前述した如く熱可塑硬化
性の接着樹脂に依つて接着されるものである。こ
の構造に於いて第１銅箔１９と第２銅箔２２との
電気的接続は例えばスルーホール等に依つて行な
うことができる。
上述の如く本発明に依れば金属あるいはセラミ
ツク等の基板の一部又は全面に銅箔が固着できる
ものであり、特に一部分のみに銅箔を固着する場
合には極めて有利となり、工程の簡素化及び銅箔
の節約にもなるものである。また多層配線構造も
可能となり基板を立体的に使用でき、また一部分
のみにも銅泊を固着することができるので他の部
分の基板を他の目的に利用できるものである。
ツク等の基板の一部又は全面に銅箔が固着できる
ものであり、特に一部分のみに銅箔を固着する場
合には極めて有利となり、工程の簡素化及び銅箔
の節約にもなるものである。また多層配線構造も
可能となり基板を立体的に使用でき、また一部分
のみにも銅泊を固着することができるので他の部
分の基板を他の目的に利用できるものである。
第１図は従来例を示す断面図、第２図は本発明
の一実施例も示す断面図、第３図は他の実施例を
示す断面図、第４図は更に他の実施例を示す断面
図である。 ５…アルミニウム基板、６…接着層、７…ポリ
イミドフイルム、８…銅箔、９…銅片、１０…半
導体素子、１２…セラミツク基板、１３…接着
層、１４…ポリイミドフイルム、１５…銅箔、１
６…基板、１７…第１接着層、１８…第１ポリイ
ミドフイルム、１９…第１銅箔、２０…第２接着
層、２１…第２ポリイミドフイルム、２２…第２
銅箔。
の一実施例も示す断面図、第３図は他の実施例を
示す断面図、第４図は更に他の実施例を示す断面
図である。 ５…アルミニウム基板、６…接着層、７…ポリ
イミドフイルム、８…銅箔、９…銅片、１０…半
導体素子、１２…セラミツク基板、１３…接着
層、１４…ポリイミドフイルム、１５…銅箔、１
６…基板、１７…第１接着層、１８…第１ポリイ
ミドフイルム、１９…第１銅箔、２０…第２接着
層、２１…第２ポリイミドフイルム、２２…第２
銅箔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の全面あるいは少なくとも一部表面に
銅箔の接着されたポリイミドフイルムを熱可塑硬
化性の樹脂接着剤で加熱しながらローラーで圧延
接着した後、前記銅箔をエツチングして所望形状
の導電路を形成し、該導電路上に半導体素子等が
固着されることを特徴とする回路基板。 ２ 特許請求の範囲第１項に於いて、前記基板は
金属基板であることを特徴とする回路基板。 ３ 特許請求の範囲第１項に於いて、前記基板は
セラミツク基板であることを特徴とする回路基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP513480A JPS56101793A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP513480A JPS56101793A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Circuit board |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20616689A Division JPH02146789A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 回路基板 |
| JP20616789A Division JPH02138791A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 回路基板 |
| JP20616989A Division JPH02138792A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 回路基板 |
| JP1206168A Division JPH02209787A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56101793A JPS56101793A (en) | 1981-08-14 |
| JPH0159755B2 true JPH0159755B2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=11602832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP513480A Granted JPS56101793A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56101793A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2560437B1 (fr) * | 1984-02-28 | 1987-05-29 | Citroen Sa | Procede de report a plat d'elements de puissance sur un reseau conducteur par brasage de leurs connexions |
| JPH0195586A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Toray Ind Inc | 金属ベース回路基板 |
| JPH02146789A (ja) * | 1989-08-09 | 1990-06-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
| JPH02209787A (ja) * | 1989-08-09 | 1990-08-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
| JPH02138791A (ja) * | 1989-08-09 | 1990-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136569A (en) * | 1974-09-21 | 1976-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | Konseishusekikairo no seizohoho |
-
1980
- 1980-01-18 JP JP513480A patent/JPS56101793A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136569A (en) * | 1974-09-21 | 1976-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | Konseishusekikairo no seizohoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56101793A (en) | 1981-08-14 |
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