JPH02138791A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JPH02138791A JPH02138791A JP20616789A JP20616789A JPH02138791A JP H02138791 A JPH02138791 A JP H02138791A JP 20616789 A JP20616789 A JP 20616789A JP 20616789 A JP20616789 A JP 20616789A JP H02138791 A JPH02138791 A JP H02138791A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は基板上に半導体素子等を用いて回路等が形成さ
れる回路基板に関し、特に基板の一部分に回路を形成し
ようとする場合に有利な回路基板に関する。
れる回路基板に関し、特に基板の一部分に回路を形成し
ようとする場合に有利な回路基板に関する。
(ロ)従来例
一般に厚膜集積回路等に於いて電力増幅用の半導体素子
を使用する場合、基板には良熱伝導性のアルミニウム基
板が用いられ、アルミニウム基板の表面は陽極酸化に依
って酸化アルミニウムの絶縁層が形成され、この絶縁層
上に銅箔に依って導電路が形成される構造が採用される
。この様な基板を作る場合、従来は第1図に示す如く、
−枚のアルミニウム基板(1)の表面に陽極酸化に依っ
て絶縁B(2)を形成し、絶縁層(2)上に接着樹脂層
(3)を介して銅箔(4)をプレス等で加圧して更に加
熱しながら接着していた。その後所望の大きさに切断し
て使用していた。
を使用する場合、基板には良熱伝導性のアルミニウム基
板が用いられ、アルミニウム基板の表面は陽極酸化に依
って酸化アルミニウムの絶縁層が形成され、この絶縁層
上に銅箔に依って導電路が形成される構造が採用される
。この様な基板を作る場合、従来は第1図に示す如く、
−枚のアルミニウム基板(1)の表面に陽極酸化に依っ
て絶縁B(2)を形成し、絶縁層(2)上に接着樹脂層
(3)を介して銅箔(4)をプレス等で加圧して更に加
熱しながら接着していた。その後所望の大きさに切断し
て使用していた。
(ハ)発明が解決しようとする課題
ところが銅箔(4)を接着する際にアルミニウム基板り
1)の端部では銅箔(4)の接着が完全でなく剥離して
この部分では基板として使用することができない。従っ
てアルミニウム基板の一部分だけに回路を形成する場合
あるいは半導体素子を固着する場合には、その一部分だ
けに銅箔を接着することができず、エツチング等に依っ
て他の部分の銅箔を除去しなければならない欠点があっ
た。
1)の端部では銅箔(4)の接着が完全でなく剥離して
この部分では基板として使用することができない。従っ
てアルミニウム基板の一部分だけに回路を形成する場合
あるいは半導体素子を固着する場合には、その一部分だ
けに銅箔を接着することができず、エツチング等に依っ
て他の部分の銅箔を除去しなければならない欠点があっ
た。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は上述した欠点に鑑みて為されたものであり、金
属基板上の全面あるいは少なくとも一部表面に銅箔の接
着されたポリイミドフィルムを熱可塑硬化性の樹脂接着
剤で加熱しながらローラーで圧延接着した後、前記鋼箔
をエツチングして所望形状の導電路を形成し、前記導電
路上に半導体素子等が固着され、前記導電路の形成され
なかった領域部分を放熱板として用いたことを特徴とす
る。
属基板上の全面あるいは少なくとも一部表面に銅箔の接
着されたポリイミドフィルムを熱可塑硬化性の樹脂接着
剤で加熱しながらローラーで圧延接着した後、前記鋼箔
をエツチングして所望形状の導電路を形成し、前記導電
路上に半導体素子等が固着され、前記導電路の形成され
なかった領域部分を放熱板として用いたことを特徴とす
る。
(ホ)作用
この様に本発明に依れば、基板上の一部分にボッイミド
フィルムベースの銅箔を接着し、他の部分を放熱板とし
て用いることにより、基板上の任意の位置に選択してパ
ワー素子を固着でき、且つ基板自体に放熱板を備えてい
る構造となり放熱効果が著しく向上するものである。
フィルムベースの銅箔を接着し、他の部分を放熱板とし
て用いることにより、基板上の任意の位置に選択してパ
ワー素子を固着でき、且つ基板自体に放熱板を備えてい
る構造となり放熱効果が著しく向上するものである。
(へ)実施例
以下図面を参照して本発明を詳述する。
第2図は本発明の実施例を示す断面図であり、(5)は
アルミニウム基板、(6)は接着層、(7)はボッイミ
ドフィルム、(8)は銅箔、(9)は銅片、(10)は
半導体素子である。
アルミニウム基板、(6)は接着層、(7)はボッイミ
ドフィルム、(8)は銅箔、(9)は銅片、(10)は
半導体素子である。
アルミニウム基板(5)は良熱伝導性を有しすでに所望
の大きさにブl〜ス等で切断されるが従来の様に表面に
絶縁層は形成されていない、アルミニウム基板(5)上
の一部には接着M(6)を介して絶縁物であるポリイミ
ドフィルム(7)が設けられ、このポリイミドフィルム
(7)は予じめ銅箔(8)が固着されており、その銅箔
(8)上にヒートシンクとなる銅片(9)が半田等に依
って固着され、銅片(9)上に半導体素子(10)が固
着される構造である。
の大きさにブl〜ス等で切断されるが従来の様に表面に
絶縁層は形成されていない、アルミニウム基板(5)上
の一部には接着M(6)を介して絶縁物であるポリイミ
ドフィルム(7)が設けられ、このポリイミドフィルム
(7)は予じめ銅箔(8)が固着されており、その銅箔
(8)上にヒートシンクとなる銅片(9)が半田等に依
って固着され、銅片(9)上に半導体素子(10)が固
着される構造である。
予じめ銅箔(8)が接着されたポリイミドフィルム(7
〉はすでにフレキシブル基板等で実用化されており、こ
の銅箔(8)を有するポリイミドフィルム(7)をアル
ミニウム基板(5)に接着する方法はボッイミドフィル
ム(7)の接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗布し、端部
から加熱しながらローラー等で圧延することに依ってア
ルミニウム基板(5)表面に密着した強固な接着層(6
)が形成され、この接着層(6)に依ってポリイミドフ
ィルムク7)が固着される。従って銅箔(8)はポリイ
ミドフィルム(7)に依ってアルミニウム基板(5)と
絶縁され固着される。
〉はすでにフレキシブル基板等で実用化されており、こ
の銅箔(8)を有するポリイミドフィルム(7)をアル
ミニウム基板(5)に接着する方法はボッイミドフィル
ム(7)の接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗布し、端部
から加熱しながらローラー等で圧延することに依ってア
ルミニウム基板(5)表面に密着した強固な接着層(6
)が形成され、この接着層(6)に依ってポリイミドフ
ィルムク7)が固着される。従って銅箔(8)はポリイ
ミドフィルム(7)に依ってアルミニウム基板(5)と
絶縁され固着される。
ヒートシンクとなる銅片(9)上に消費電力の大きい即
ち発熱量の多い半導体素子(10)を固着した場合にも
ポリイミドフィルム(7)は非常に薄く形成されるため
熱抵抗が増加することなく熱がアルミニウム基板(5)
に伝導される。一方アルミニウム基板(5)の他の部分
(11)即ち銅箔(8)が設けられなかった部分は半導
体素子(10)等を封止する際に露出しておき放熱板と
して用いることができ、またこの部分り11)に低消費
電力の回路を構成した基板等を固着することもできるも
のであり、更に基板が鉄の場合にはコイルを形成するこ
ともできるものであり、その他色々な目的に利用するこ
とができる。
ち発熱量の多い半導体素子(10)を固着した場合にも
ポリイミドフィルム(7)は非常に薄く形成されるため
熱抵抗が増加することなく熱がアルミニウム基板(5)
に伝導される。一方アルミニウム基板(5)の他の部分
(11)即ち銅箔(8)が設けられなかった部分は半導
体素子(10)等を封止する際に露出しておき放熱板と
して用いることができ、またこの部分り11)に低消費
電力の回路を構成した基板等を固着することもできるも
のであり、更に基板が鉄の場合にはコイルを形成するこ
ともできるものであり、その他色々な目的に利用するこ
とができる。
第3図は本発明の他の実施例を示す断面図であり、(1
2)はセラミック基板、(13)は接着層、(14)は
ポリイミドフィルム、り15)は銅箔である。
2)はセラミック基板、(13)は接着層、(14)は
ポリイミドフィルム、り15)は銅箔である。
セラミック基板(12)は予じめ所望の大きさに形成さ
れ、セラミック基板(12)の表面に接着層(13)を
介してポリイミドフィルムク14)が設けられ、ボッイ
ミドフィルム(14)の表面には鋼箔(15)が接着さ
れており、エツチング等に依って所望の形状の導電路が
形成される。
れ、セラミック基板(12)の表面に接着層(13)を
介してポリイミドフィルムク14)が設けられ、ボッイ
ミドフィルム(14)の表面には鋼箔(15)が接着さ
れており、エツチング等に依って所望の形状の導電路が
形成される。
銅箔(15)の接着されたポリイミドフィルム(14)
は接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗付し、端部から加熱
しながらローラー等で圧延することに依って接着できる
ので所望の部分に所望の大きさの銅箔(15)をセラミ
ック基板(12)が割れることもなく接着できる。また
従来の如くセラミック基板(12)内に導電路が形成さ
れていれば、更に多層の配線が可能となる。
は接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗付し、端部から加熱
しながらローラー等で圧延することに依って接着できる
ので所望の部分に所望の大きさの銅箔(15)をセラミ
ック基板(12)が割れることもなく接着できる。また
従来の如くセラミック基板(12)内に導電路が形成さ
れていれば、更に多層の配線が可能となる。
第4図は本発明の更に他の実施例を示す断面図であり、
(16)は基板、(17)は第1接着層、<18)は第
1ポリイミドフイルム、(19)は第1銅箔、(20)
は第2接着層、(21)は第2ポリイミドフイルム、(
22)は第2銅箔である。
(16)は基板、(17)は第1接着層、<18)は第
1ポリイミドフイルム、(19)は第1銅箔、(20)
は第2接着層、(21)は第2ポリイミドフイルム、(
22)は第2銅箔である。
基板(16)は金属あるいはセラミック等が用いられ、
その表面に第1接着層(17)を介して第1ポリイミド
フイルム(18)が接着され、第1ポリイミドフイルム
(18)の表面には第1銅箔(19)に依って導電路が
形成される。更に第1銅箔(19)の表面には第2接着
層(20)を介して第2ポリイミドフイルム(21)が
接着され、第2ポリイミドフイルム(21)上には第2
銅箔(22)により導電路が形成されるいわゆる多層配
線構造である。
その表面に第1接着層(17)を介して第1ポリイミド
フイルム(18)が接着され、第1ポリイミドフイルム
(18)の表面には第1銅箔(19)に依って導電路が
形成される。更に第1銅箔(19)の表面には第2接着
層(20)を介して第2ポリイミドフイルム(21)が
接着され、第2ポリイミドフイルム(21)上には第2
銅箔(22)により導電路が形成されるいわゆる多層配
線構造である。
第1ポリイミドフイルム(18)及び第2ポリイミドフ
イルム(21)の接着は前述した如く熱可塑硬化性の接
着樹脂に依って接着されるものである。この構造に於い
て第1銅箔(19)と第2銅箔(22)との電気的接続
は例えばスルーホール等に依って行なうことができる。
イルム(21)の接着は前述した如く熱可塑硬化性の接
着樹脂に依って接着されるものである。この構造に於い
て第1銅箔(19)と第2銅箔(22)との電気的接続
は例えばスルーホール等に依って行なうことができる。
(ト)発明の効果
上述の如く本発明に依れば金属あるいはセラミック等の
基板の一部又は全面に銅箔が固着できるものであり、特
に一部分のみに銅箔を固着する場合には極めて有利とな
り、工程の簡素化及び銅箔の節約にもなるものである。
基板の一部又は全面に銅箔が固着できるものであり、特
に一部分のみに銅箔を固着する場合には極めて有利とな
り、工程の簡素化及び銅箔の節約にもなるものである。
また多層配線構造も可能となり基板を立体的に使用でき
、また一部分のみに銅箔が固着きれているので銅箔がな
い他の領域部分の基板を放熱板として利用でき放熱作用
を向上することができるものである。
、また一部分のみに銅箔が固着きれているので銅箔がな
い他の領域部分の基板を放熱板として利用でき放熱作用
を向上することができるものである。
第1図は従来例を示す断面図、第2図は本発明の一実施
例も示す断面図、第3図は他の実施例を示す断面図、第
4図は更に他の実施例を示す断面図である。 (5)・・・アルミニウム基板、 〈6)・・・接M層
、(7)・・・ポリイミドフィルム、 (8〉・・・
銅箔、 (9)・・・銅片、 <10〉・・・半導体
素子、 (12)・・・セラミック基板、 り13)・
・・接着層、 (14)・・・ポリイミドフィルム、
(15)・・・銅箔、 (16)・・・基板、 (17
)・・・第1接着層、 (18)・・・第1ポリイミド
フイルム、 (19)・・・第1fIiiI箔、 (2
0)・・・第2接着層、(21)・・・第2ポリイミド
フイルム、 (22)・・・第2銅箔。
例も示す断面図、第3図は他の実施例を示す断面図、第
4図は更に他の実施例を示す断面図である。 (5)・・・アルミニウム基板、 〈6)・・・接M層
、(7)・・・ポリイミドフィルム、 (8〉・・・
銅箔、 (9)・・・銅片、 <10〉・・・半導体
素子、 (12)・・・セラミック基板、 り13)・
・・接着層、 (14)・・・ポリイミドフィルム、
(15)・・・銅箔、 (16)・・・基板、 (17
)・・・第1接着層、 (18)・・・第1ポリイミド
フイルム、 (19)・・・第1fIiiI箔、 (2
0)・・・第2接着層、(21)・・・第2ポリイミド
フイルム、 (22)・・・第2銅箔。
Claims (2)
- (1)金属基板上の全面あるいは少なくとも一部表面に
銅箔の接着されたポリイミドフィルムを熱可塑硬化性の
樹脂接着剤で加熱しながらローラーで圧延接着した後、
前記銅箔をエッチングして所望形状の導電路を形成し、
前記導電路上に半導体素子等が固着され、前記導電路の
形成されなかった領域部分を放熱板として用いたことを
特徴とする回路基板。 - (2)前記金属基板はアルミニウム基板を用いたことを
特徴とする請求項1記載の回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20616789A JPH02138791A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20616789A JPH02138791A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 回路基板 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP513480A Division JPS56101793A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Circuit board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02138791A true JPH02138791A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=16518921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20616789A Pending JPH02138791A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02138791A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5136569A (en) * | 1974-09-21 | 1976-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | Konseishusekikairo no seizohoho |
JPS56101793A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Sanyo Electric Co | Circuit board |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP20616789A patent/JPH02138791A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5136569A (en) * | 1974-09-21 | 1976-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | Konseishusekikairo no seizohoho |
JPS56101793A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Sanyo Electric Co | Circuit board |
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