JPH07326708A - マルチチップモジュール半導体装置 - Google Patents
マルチチップモジュール半導体装置Info
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- JPH07326708A JPH07326708A JP12008994A JP12008994A JPH07326708A JP H07326708 A JPH07326708 A JP H07326708A JP 12008994 A JP12008994 A JP 12008994A JP 12008994 A JP12008994 A JP 12008994A JP H07326708 A JPH07326708 A JP H07326708A
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- metal substrate
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積回路を複数実装するマルチチップモ
ジュール半導体装置において、金属基板を使用し、放熱
効果を高める。 【構成】金属基板に電着樹脂により絶縁層を形成し、そ
の絶縁層上の配線回路層を形成し、金属基板に半導体チ
ップを搭載する。
ジュール半導体装置において、金属基板を使用し、放熱
効果を高める。 【構成】金属基板に電着樹脂により絶縁層を形成し、そ
の絶縁層上の配線回路層を形成し、金属基板に半導体チ
ップを搭載する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路を複数
実装するマルチチップモジュール半導体装置に係り、特
に放熱効果を高めたマルチチップモジュール半導体装置
に関するものである。
実装するマルチチップモジュール半導体装置に係り、特
に放熱効果を高めたマルチチップモジュール半導体装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のマルチチップモジュール半導体装
置においては、図５に示すように、アイランド６ａとリ
ード６とからなるリードフレームの当該アイランド６ａ
上に、およそ１．５ｍｍの絶縁基板ａとその上に形成さ
れた導体パターン７と複数の半導体チップ５とからなる
プリント配線基板Ａが接着されている。
置においては、図５に示すように、アイランド６ａとリ
ード６とからなるリードフレームの当該アイランド６ａ
上に、およそ１．５ｍｍの絶縁基板ａとその上に形成さ
れた導体パターン７と複数の半導体チップ５とからなる
プリント配線基板Ａが接着されている。
【０００３】この場合、更にプリント配線基板の周囲に
リードフレームのリード６を配し、プリント配線基板Ａ
の配線回路層７とインナーリード６１とがワイヤーボン
ディング法によりワイヤー８で接続される。また、半導
体チップ５も配線回路層７とワイヤー８で接続され、全
体が樹脂モールドされている。
リードフレームのリード６を配し、プリント配線基板Ａ
の配線回路層７とインナーリード６１とがワイヤーボン
ディング法によりワイヤー８で接続される。また、半導
体チップ５も配線回路層７とワイヤー８で接続され、全
体が樹脂モールドされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マルチチップモジュール半導体装置においては、プリン
ト配線基板の絶縁性基板として熱伝導性が十分でないガ
ラスエポキシ基板やポリイミド基板を使用し、更に、こ
のようなプリント配線基板に半導体チップを直接実装し
ているので、半導体装置が発した熱を外部へ放熱しにく
いという問題があった。また、リードとプリント基板と
は細いワイヤーで接続されているだけなので、リードか
ら放熱する効率も非常に低い。特に、熱の発生源である
半導体チップを複数搭載するマルチチップモジュール半
導体装置においては、放熱性を向上させることが重大な
問題となっている。
マルチチップモジュール半導体装置においては、プリン
ト配線基板の絶縁性基板として熱伝導性が十分でないガ
ラスエポキシ基板やポリイミド基板を使用し、更に、こ
のようなプリント配線基板に半導体チップを直接実装し
ているので、半導体装置が発した熱を外部へ放熱しにく
いという問題があった。また、リードとプリント基板と
は細いワイヤーで接続されているだけなので、リードか
ら放熱する効率も非常に低い。特に、熱の発生源である
半導体チップを複数搭載するマルチチップモジュール半
導体装置においては、放熱性を向上させることが重大な
問題となっている。
【０００５】また、ガラスエポキシ基板やポリイミド基
板からなるプリント配線基板の熱膨張係数は、半導体チ
ップの熱膨張係数と大きく異なるため、プリント配線基
板と半導体チップとが膨張、収縮を繰り返すとことによ
り半導体チップがプリント配線基板から剥離したり、半
導体チップにクラックが生じたりするため、半導体装置
そのものの信頼性が低下するという問題があった。
板からなるプリント配線基板の熱膨張係数は、半導体チ
ップの熱膨張係数と大きく異なるため、プリント配線基
板と半導体チップとが膨張、収縮を繰り返すとことによ
り半導体チップがプリント配線基板から剥離したり、半
導体チップにクラックが生じたりするため、半導体装置
そのものの信頼性が低下するという問題があった。
【０００６】更に、近年の半導体装置は、半導体チップ
そのものの性能だけでなく、それを搭載するデバイスの
性能が半導体装置の性能を左右するようになってきてお
り、放熱性の他に、電気的特性を向上させることも課題
となっている。
そのものの性能だけでなく、それを搭載するデバイスの
性能が半導体装置の性能を左右するようになってきてお
り、放熱性の他に、電気的特性を向上させることも課題
となっている。
【０００７】本発明は、以上のような従来技術の問題点
を解決しようとするものであり、優れた放熱性、優れた
電気特性、高い信頼性とを有するマルチチップモジュー
ル半導体装置を提供することを目的とする。
を解決しようとするものであり、優れた放熱性、優れた
電気特性、高い信頼性とを有するマルチチップモジュー
ル半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】よって、本発明は、ガラ
スエポキシ基板やポリイミド基板からなる絶縁性基板を
リードフレームのアイランドに張り合わせるのではな
く、金属基板上に絶縁層を形成したものを使用し、半導
体チップをこの金属基板上に接着固定することにより上
述の目的を達成したものである。
スエポキシ基板やポリイミド基板からなる絶縁性基板を
リードフレームのアイランドに張り合わせるのではな
く、金属基板上に絶縁層を形成したものを使用し、半導
体チップをこの金属基板上に接着固定することにより上
述の目的を達成したものである。
【０００９】また、金属基板をグランド層として使用す
ることにより、電気特性を向上させ、更に、金属基板に
凹部を形成して半導体チップを埋め込むようにすれば、
より放熱効果を向上させることができる。
ることにより、電気特性を向上させ、更に、金属基板に
凹部を形成して半導体チップを埋め込むようにすれば、
より放熱効果を向上させることができる。
【００１０】そこで、請求項１に記載の発明は、金属基
板、絶縁層及び配線回路層が積層された配線回路板と、
配線回路層のターミナルに電気的に接続された外部接続
端子としてのリードとからなる半導体チップ搭載用配線
基板に複数の半導体チップが搭載され、前記絶縁層が電
着樹脂により形成されていることを特徴とするマルチチ
ップモジュール半導体装置である。請求項２に記載の発
明は、前記半導体チップと金属基板とを電気的に接続
し、金属基板をグランド層としたことを特徴とする請求
項１記載のマルチチップモジュール半導体装置である。
請求項３に記載の発明は、前記リードの少なくとも一部
が金属基板の絶縁層に接触している請求項１乃至請求項
２記載のマルチチップモジュール半導体装置である。請
求項４記載の発明は、上記金属基板に、半導体チップ搭
載用の凹部が形成されており、その凹部に半導体チップ
が搭載されていることを特徴とする請求項１乃至請求項
３記載のマルチチップモジュール半導体装置である。
板、絶縁層及び配線回路層が積層された配線回路板と、
配線回路層のターミナルに電気的に接続された外部接続
端子としてのリードとからなる半導体チップ搭載用配線
基板に複数の半導体チップが搭載され、前記絶縁層が電
着樹脂により形成されていることを特徴とするマルチチ
ップモジュール半導体装置である。請求項２に記載の発
明は、前記半導体チップと金属基板とを電気的に接続
し、金属基板をグランド層としたことを特徴とする請求
項１記載のマルチチップモジュール半導体装置である。
請求項３に記載の発明は、前記リードの少なくとも一部
が金属基板の絶縁層に接触している請求項１乃至請求項
２記載のマルチチップモジュール半導体装置である。請
求項４記載の発明は、上記金属基板に、半導体チップ搭
載用の凹部が形成されており、その凹部に半導体チップ
が搭載されていることを特徴とする請求項１乃至請求項
３記載のマルチチップモジュール半導体装置である。
【００１１】
【作用】本発明のマルチチップ半導体装置においては、
ガラスエポキシ基板やポリイミド基板等の絶縁性基板で
はなく金属基板が使用されており、半導体チップを直接
あるいは電着樹脂層を介して金属基板に搭載できる。こ
こで、金属基板は高い熱伝導率を有するので、この発明
の半導体装置は放熱性が著しく高まったものとなる。更
に、リードも絶縁層を介して金属基板上に配することが
可能となるのでリードからの放熱性も高いものとなる。
ガラスエポキシ基板やポリイミド基板等の絶縁性基板で
はなく金属基板が使用されており、半導体チップを直接
あるいは電着樹脂層を介して金属基板に搭載できる。こ
こで、金属基板は高い熱伝導率を有するので、この発明
の半導体装置は放熱性が著しく高まったものとなる。更
に、リードも絶縁層を介して金属基板上に配することが
可能となるのでリードからの放熱性も高いものとなる。
【００１２】そして、金属基板に凹部を設けて、半導体
チップを埋没させるように搭載することで、単に金属基
板に搭載する場合は、半導体チップの底面積しか金属基
板に接触していなかったのが、半導体チップの側面を金
属基板に接触させることができ、より、その放熱効果を
向上させることができる。また、金属基板をグランド層
として使用することにより電気特性を向上させることが
できる。
チップを埋没させるように搭載することで、単に金属基
板に搭載する場合は、半導体チップの底面積しか金属基
板に接触していなかったのが、半導体チップの側面を金
属基板に接触させることができ、より、その放熱効果を
向上させることができる。また、金属基板をグランド層
として使用することにより電気特性を向上させることが
できる。
【００１３】更に、金属基板は、ガラスエポキシやポリ
イミドなどに比べ半導体チップとの熱膨張係数の差が比
較的小さいために、膨張、収縮を繰り返しても半導体チ
ップの剥離などの問題が生じにくく、従ってマルチチッ
プ半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。
イミドなどに比べ半導体チップとの熱膨張係数の差が比
較的小さいために、膨張、収縮を繰り返しても半導体チ
ップの剥離などの問題が生じにくく、従ってマルチチッ
プ半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１４】以下、この発明を図面に基づいて説明す
る。なお、図において、同じ番号は同じまたは同等の構
成要素を示している。
る。なお、図において、同じ番号は同じまたは同等の構
成要素を示している。
【００１５】図１（ａ）は、本発明のマルチチップ半導
体装置の好ましい一実施例の平面図であり、図１（ｂ）
は、その概略断面図である。同図にあるように、本発明
のマルチチップモジュール半導体装置は、金属基板１と
その上に絶縁層４を介して形成された配線回路層７とか
らなる配線回路板と、金属基板１の周辺に絶縁性接着テ
ープ３により固定された外部接続端子となるリード６と
からなる半導体チップ搭載用配線基板に、複数の半導体
チップ５が搭載されている。また、リード６のインナー
リード６１は、配線回路層７のターミナルとワイヤボン
ディング法によりワイヤー８により接続されている。
体装置の好ましい一実施例の平面図であり、図１（ｂ）
は、その概略断面図である。同図にあるように、本発明
のマルチチップモジュール半導体装置は、金属基板１と
その上に絶縁層４を介して形成された配線回路層７とか
らなる配線回路板と、金属基板１の周辺に絶縁性接着テ
ープ３により固定された外部接続端子となるリード６と
からなる半導体チップ搭載用配線基板に、複数の半導体
チップ５が搭載されている。また、リード６のインナー
リード６１は、配線回路層７のターミナルとワイヤボン
ディング法によりワイヤー８により接続されている。
【００１６】本発明における金属基板１は、配線回路層
７や半導体チップ５などの支持部材であり、しかも半導
体装置の放熱性を向上させるためのものである。このよ
うな金属基板１としては、放熱性に優れ、半導体チップ
と熱膨張係数が近い金属、例えば、アルミニウム、アル
ミニウム合金、鉄系合金、銅系合金などを使用すること
ができる。更に、金属基板１をグランド層とすることで
半導体装置の配線の自由度が高まり、また、配線回路の
インダクタンスを低減させ、半導体装置内のノイズの発
生を抑制することができる。
７や半導体チップ５などの支持部材であり、しかも半導
体装置の放熱性を向上させるためのものである。このよ
うな金属基板１としては、放熱性に優れ、半導体チップ
と熱膨張係数が近い金属、例えば、アルミニウム、アル
ミニウム合金、鉄系合金、銅系合金などを使用すること
ができる。更に、金属基板１をグランド層とすることで
半導体装置の配線の自由度が高まり、また、配線回路の
インダクタンスを低減させ、半導体装置内のノイズの発
生を抑制することができる。
【００１７】このような、絶縁層４としては、金属基板
１の表面の樹脂を電着することにより形成される。電着
樹脂を半硬化状態（Ｂステージ）の時にチップを搭載す
れば、チップは通常のダイボンディングど同等の強度で
接着固定することができる。そして、ボンディングワイ
ヤー８に替わり、図２に示すようなＴＡＢ９によりリー
ド６と配線回路層７、及び配線回路層７と半導体チップ
５とを接続してもよい。更に、図２の場合には、インナ
ーリード６の一部、例えば先端を半導体チップ搭載用配
線基板Ｂの絶縁層４に直接接触させているので、リード
６からの放熱効率を高めることができる。
１の表面の樹脂を電着することにより形成される。電着
樹脂を半硬化状態（Ｂステージ）の時にチップを搭載す
れば、チップは通常のダイボンディングど同等の強度で
接着固定することができる。そして、ボンディングワイ
ヤー８に替わり、図２に示すようなＴＡＢ９によりリー
ド６と配線回路層７、及び配線回路層７と半導体チップ
５とを接続してもよい。更に、図２の場合には、インナ
ーリード６の一部、例えば先端を半導体チップ搭載用配
線基板Ｂの絶縁層４に直接接触させているので、リード
６からの放熱効率を高めることができる。
【００１８】
【実施例】本発明の第１の実施例を図３（１）から図３
（４）を用いて以下に述べる。尚、図において同じ番号
は同じ又は同等の構成要素を示している。まず、金属基
板として厚さ１ｍｍt の銅基板１に、縦横１０ｍｍで深
さが０．５ｍｍの凹部を機械により切削加工し、半導体
チップ搭載用の凹部２を形成する。
（４）を用いて以下に述べる。尚、図において同じ番号
は同じ又は同等の構成要素を示している。まず、金属基
板として厚さ１ｍｍt の銅基板１に、縦横１０ｍｍで深
さが０．５ｍｍの凹部を機械により切削加工し、半導体
チップ搭載用の凹部２を形成する。
【００１９】次に、図３（２）に示すように、半導体チ
ップと前記銅基板とを電気的に接続させる部位にマスキ
ングテープ３を接着してから、液温２５℃の日本石油化
学（株）製アクリル系電着液に銅基板１を浸漬し、１５
０Ｖで１分処理し、約１０μｍt の膜厚に樹脂４ａを電
着させる。その後、１００℃の温度下に５分おき、樹脂
４ａを半硬化状態にし、半導体チップ５を搭載し、銅基
板１にリード６を位置合わせして仮接着し、更に２００
℃の温度下で１０分処理すると、樹脂が本硬化し、図３
（３）に示すように、半導体チップ５及びリード６が銅
基板１に接着されるの同時に、樹脂電着膜による絶縁層
４が形成される。そして、前記マスキングテープ３を剥
離し、銅基板１を露出させる。
ップと前記銅基板とを電気的に接続させる部位にマスキ
ングテープ３を接着してから、液温２５℃の日本石油化
学（株）製アクリル系電着液に銅基板１を浸漬し、１５
０Ｖで１分処理し、約１０μｍt の膜厚に樹脂４ａを電
着させる。その後、１００℃の温度下に５分おき、樹脂
４ａを半硬化状態にし、半導体チップ５を搭載し、銅基
板１にリード６を位置合わせして仮接着し、更に２００
℃の温度下で１０分処理すると、樹脂が本硬化し、図３
（３）に示すように、半導体チップ５及びリード６が銅
基板１に接着されるの同時に、樹脂電着膜による絶縁層
４が形成される。そして、前記マスキングテープ３を剥
離し、銅基板１を露出させる。
【００２０】そして、絶縁層４上に配線回路層７を形成
するために銅ペーストをスンリーン印刷し、配線回路層
７を形成する。この時、半導体チップチップ５は、半導
体チップ搭載用の凹部２にはめ込まれ、表面が平らにな
り、スクリーン印刷が可能である。そしてマスキングテ
ープ剥離部にも銅ペーストが印刷され導通部７ｂが形成
され、銅基板１と配線回路層７のグランド配線回路層７
ａとが導通する。そして、ボンディングワイヤー８によ
り、信号リード６と信号用の配線回路層７、グランドリ
ード６２とグランド用の配線回路層７ａを接続し、各半
導体チップ５の電極と各々の配線回路層７とを接続す
る。
するために銅ペーストをスンリーン印刷し、配線回路層
７を形成する。この時、半導体チップチップ５は、半導
体チップ搭載用の凹部２にはめ込まれ、表面が平らにな
り、スクリーン印刷が可能である。そしてマスキングテ
ープ剥離部にも銅ペーストが印刷され導通部７ｂが形成
され、銅基板１と配線回路層７のグランド配線回路層７
ａとが導通する。そして、ボンディングワイヤー８によ
り、信号リード６と信号用の配線回路層７、グランドリ
ード６２とグランド用の配線回路層７ａを接続し、各半
導体チップ５の電極と各々の配線回路層７とを接続す
る。
【００２１】尚、上記の場合は、銅基板１をグランドに
するために、半導体チップ５と銅基板１、及び、銅基板
１とリード６とを接続するために、マスキングテープ剥
離部に銅ペーストをスンリーン印刷して導通部７ｂを形
成したが、図４のように、マスキングテープを剥離し、
銅基板を露出させたその、露出部１ａに直接ボンディン
グワイヤー８で半導体チップ５と銅基板１、及び、銅基
板１とリード６とを接続してもよい。
するために、半導体チップ５と銅基板１、及び、銅基板
１とリード６とを接続するために、マスキングテープ剥
離部に銅ペーストをスンリーン印刷して導通部７ｂを形
成したが、図４のように、マスキングテープを剥離し、
銅基板を露出させたその、露出部１ａに直接ボンディン
グワイヤー８で半導体チップ５と銅基板１、及び、銅基
板１とリード６とを接続してもよい。
【００２２】また、上記実施例は半導体チップ搭載部を
凹部にしているが、凹部を設けなくてもよい。しかし、
半導体チップの底面及び４側面が接触するように半導体
チップを凹部に搭載すると、半導体チップの半導体チッ
プ搭載用配線基板に接触する面積は、例えば上記実施例
の場合には、凹部を設けた場合では凹部を設けない場合
の３倍となり、放熱効果が著しく向上する。
凹部にしているが、凹部を設けなくてもよい。しかし、
半導体チップの底面及び４側面が接触するように半導体
チップを凹部に搭載すると、半導体チップの半導体チッ
プ搭載用配線基板に接触する面積は、例えば上記実施例
の場合には、凹部を設けた場合では凹部を設けない場合
の３倍となり、放熱効果が著しく向上する。
【００２３】前記実施例は、半導体チップを搭載する際
に、半硬化した樹脂に半導体チップを仮接着したのち樹
脂を本硬化させれば半導体チップを接着固定しているの
で接着剤は不要となる。一方、半導体チップ搭載部ある
いは半導体チップを搭載するための凹部内面に金属基板
を露出させ、例えば銀ペースト等の導電性の接着剤を使
用して接着固定する方法によれば、接着剤は必要になる
が放熱性が向上することになる。
に、半硬化した樹脂に半導体チップを仮接着したのち樹
脂を本硬化させれば半導体チップを接着固定しているの
で接着剤は不要となる。一方、半導体チップ搭載部ある
いは半導体チップを搭載するための凹部内面に金属基板
を露出させ、例えば銀ペースト等の導電性の接着剤を使
用して接着固定する方法によれば、接着剤は必要になる
が放熱性が向上することになる。
【００２４】次に、第２の実施例を以下に説明する。金
属基板として厚さ１ｍｍt の鉄とニッケルの４２合金基
板を液温２３℃の東亜合成化学（株）製アロンＥＤＲ−
４０００のアクリル／メラニン樹脂電着液に浸漬し、６
０Ｖで５分間処理し、約２０μｍt の膜厚の電着樹脂膜
を形成する。その後８０℃で５分間処処理して電着樹脂
膜を半硬化させ、その後更に、１５０℃で２０分加熱
し、電着樹脂膜を本硬化させ絶縁層を形成させる。その
電着樹脂の絶縁層上にスパッタリング法により、配線回
路を形成するための銅層を設け、レジストを塗布し、フ
ォトエッチングを行い配線回路層を形成すし、半導体チ
ップを接着剤により接着固定する。そしてリードフレー
ムのインナーリードと基板とを位置合わせを行い、絶縁
性の両面接着テープで接着固定し、つぎに半導体チップ
の電極と４２合金基板の配線回路層とをボンディングワ
イヤーにより接続し、配線回路層とインナーリードとを
ボンディングワイヤーにより接続する。
属基板として厚さ１ｍｍt の鉄とニッケルの４２合金基
板を液温２３℃の東亜合成化学（株）製アロンＥＤＲ−
４０００のアクリル／メラニン樹脂電着液に浸漬し、６
０Ｖで５分間処理し、約２０μｍt の膜厚の電着樹脂膜
を形成する。その後８０℃で５分間処処理して電着樹脂
膜を半硬化させ、その後更に、１５０℃で２０分加熱
し、電着樹脂膜を本硬化させ絶縁層を形成させる。その
電着樹脂の絶縁層上にスパッタリング法により、配線回
路を形成するための銅層を設け、レジストを塗布し、フ
ォトエッチングを行い配線回路層を形成すし、半導体チ
ップを接着剤により接着固定する。そしてリードフレー
ムのインナーリードと基板とを位置合わせを行い、絶縁
性の両面接着テープで接着固定し、つぎに半導体チップ
の電極と４２合金基板の配線回路層とをボンディングワ
イヤーにより接続し、配線回路層とインナーリードとを
ボンディングワイヤーにより接続する。
【００２５】
【発明の効果】本発明のマルチチップ半導体装置によれ
ば、絶縁基板を介さずに高い熱伝導率を有する金属基板
に直接的に半導体チップを搭載するので、優れた放熱性
を実現でき、また、リードも絶縁層を介して、金属基板
上に配することによりリードからの放熱効率も向上させ
ることができる。更に、金属基板に凹部を形成し、その
凹部にチップを実装することにより、放熱性は更に向上
し、半導体装置の厚さも半導体チップが埋没するぶんだ
け薄型化が図れる。また、使用する金属基板は半導体チ
ップとの熱膨張係数の差が比較的小さいために、半導体
チップの剥離などの問題が生じにくく、従って高い信頼
性を実現できる。更にまた、本発明は金属基板をグラン
ド層として使用することにより、放熱性だけではなく、
電気特性をも向上させることができる。
ば、絶縁基板を介さずに高い熱伝導率を有する金属基板
に直接的に半導体チップを搭載するので、優れた放熱性
を実現でき、また、リードも絶縁層を介して、金属基板
上に配することによりリードからの放熱効率も向上させ
ることができる。更に、金属基板に凹部を形成し、その
凹部にチップを実装することにより、放熱性は更に向上
し、半導体装置の厚さも半導体チップが埋没するぶんだ
け薄型化が図れる。また、使用する金属基板は半導体チ
ップとの熱膨張係数の差が比較的小さいために、半導体
チップの剥離などの問題が生じにくく、従って高い信頼
性を実現できる。更にまた、本発明は金属基板をグラン
ド層として使用することにより、放熱性だけではなく、
電気特性をも向上させることができる。
【図１】本発明のマルチチップモジュール半導体装置の
実施例を示す平面図（図１（ａ））と概略断面図（図１
（ｂ））である。
実施例を示す平面図（図１（ａ））と概略断面図（図１
（ｂ））である。
【図２】本発明のマルチチップモジュール半導体装置の
他の実施例を示す概略断面図である 。
他の実施例を示す概略断面図である 。
【図３】本発明のマルチチップモジュール半導体装置の
実施例の製造工程を示す断面図である。
実施例の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明のマルチチップモジュール半導体装置の
他の実施例を示す概略断面図である 。
他の実施例を示す概略断面図である 。
【図５】本発明に関する従来技術を示す概略断面図であ
る。
る。
１…金属基板 ２…半導体チップ搭載用凹部
３…絶縁性接着テープ ４…絶縁層 ５…半導体チップ
６…外部接続用リード ７…配線層 ８…ボンディングワイヤー
９…ＴＡＢ Ａ…絶縁基板 Ｂ…半導体チップ搭載用配線基板
３…絶縁性接着テープ ４…絶縁層 ５…半導体チップ
６…外部接続用リード ７…配線層 ８…ボンディングワイヤー
９…ＴＡＢ Ａ…絶縁基板 Ｂ…半導体チップ搭載用配線基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土岐 荘太郎 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】金属基板、絶縁層及び配線回路層が積層さ
れた配線回路板と、配線回路層のターミナルに電気的に
接続された外部接続端子としてのリードとからなる半導
体チップ搭載用配線基板に複数の半導体チップが搭載さ
れ、前記絶縁層が電着樹脂により形成されていることを
特徴とするマルチチップモジュール半導体装置。 - 【請求項２】前記半導体チップと金属基板とを電気的に
接続し、金属基板をグランド層としたことを特徴とする
請求項１記載のマルチチップモジュール半導体装置。 - 【請求項３】前記リードの一部が金属基板の絶縁層に接
触している請求項１乃至請求項２記載のマルチチップモ
ジュール半導体装置。 - 【請求項４】前記金属基板に、半導体チップ搭載用の凹
部が形成され、その凹部に半導体チップが搭載されてい
ることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のマルチ
チップモジュール半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12008994A JPH07326708A (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | マルチチップモジュール半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12008994A JPH07326708A (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | マルチチップモジュール半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326708A true JPH07326708A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14777642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12008994A Pending JPH07326708A (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | マルチチップモジュール半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326708A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999009595A1 (en) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Hitachi, Ltd. | Multichip module structure and method for manufacturing the same |
| JP2007273698A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| JP2008187144A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| JP2011142286A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子部品内蔵型プリント基板およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-01 JP JP12008994A patent/JPH07326708A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999009595A1 (en) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Hitachi, Ltd. | Multichip module structure and method for manufacturing the same |
| JP2007273698A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| JP2008187144A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| JP2011142286A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子部品内蔵型プリント基板およびその製造方法 |
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