JP2007273698A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路基板の上面に混成集積回路が組み込まれる回路装置の実装密度を向上させて小型化する。
【解決手段】矩形の回路基板１１の表面には、絶縁層１２が形成されている。そして、所定の形状の導電パターン１３が、絶縁層１２の表面に形成されている。更に、導電パターン１３には、半田や導電性ペーストを介して、半導体素子１５Ａおよびチップ素子１５Ｂが電気的に接続されている。回路基板１１の表面に形成された導電パターン１３、半導体素子１５Ａおよびチップ素子１５Ｂは、封止樹脂１４により被覆されている。リード２５は、金属細線１７を介して基板上のパッド２７と接続され、その一端は回路基板１１と重畳している。
【選択図】図１
【解決手段】矩形の回路基板１１の表面には、絶縁層１２が形成されている。そして、所定の形状の導電パターン１３が、絶縁層１２の表面に形成されている。更に、導電パターン１３には、半田や導電性ペーストを介して、半導体素子１５Ａおよびチップ素子１５Ｂが電気的に接続されている。回路基板１１の表面に形成された導電パターン１３、半導体素子１５Ａおよびチップ素子１５Ｂは、封止樹脂１４により被覆されている。リード２５は、金属細線１７を介して基板上のパッド２７と接続され、その一端は回路基板１１と重畳している。
【選択図】図１
Description
本発明は回路装置およびその製造方法に関し、特に、回路基板の上面に導電パターンおよび回路素子から成る電気回路が形成された回路装置およびその製造方法に関するものである。
図６を参照して、従来の混成集積回路装置１００は、基板１０１の表面に電気回路が組み込まれた構成になっている（下記特許文献１を参照）。矩形の基板１０１の表面には、絶縁層１０２を介して導電パターン１０３が形成されている。絶縁層１０２の表面には、導電パターン１０３の所望の箇所に回路素子１０５が固着されて、所定の電気回路が形成される。ここでは、回路素子として半導体素子およびチップ素子が、導電パターン１０３に接続されている。リード１０４は、基板１０１の周辺部に形成された導電パターン１０３から成るパッド１０９に接続され、外部端子として機能している。封止樹脂１０８は、基板１０１の表面に形成された電気回路を封止する機能を有する。
上記構成の混成集積回路装置１００の製造方法は、先ず、基板１０１の上面に導電パターン１０３および回路素子１０５から成る電気回路を組み込む。次に、半田を介して、基板１０１の周辺部に位置するパッド１０９にリード１０４を固着する。この時、リード１０４は、複数のリード１０４が一体に連結されたリードフレームの状態で供給されている。次に、基板１０１およびリード１０４が被覆されるように封止樹脂１０８を形成する。
特開平５−１０２６４５号公報
しかしながら、上述した混成集積回路装置では、リード１０４の先端部を、基板１０１０の上面に形成されたパッド１０９に面的に固着していたので、両者の接合強度を向上させるために、面積の大きなパッド１０９が必要とされる問題があった。例えば、縦×横＝１ｍｍ×１ｍｍ程度以上の大きさのパッド１０９が多数必要とされ、このことが回路基板１０１の小型化を阻害していた。
更に、製法上では、多数のリード１０４が一体に連結されたリードフレームを用いていたので、リード１０４と回路基板１０１との接合部に熱応力が作用して、この接合部から両者が分離してしまう問題があった。
リード１０４の固着方法の詳細は、先ず、パッド１０９の上面に半田クリームを塗布して、更にホットプレートの上面に基板１０１を載置する。次に、ホットプレートを例えば２００℃程度に加熱して、パッド１０９上の半田クリームを溶融させる。更に、リードフレームの状態のリード１０４を、パッド１０９に載置した後に常温に戻して、基板１０１上のパッド１０９にリード１０４が固着される。
ここで、リード１０４の材料（例えば銅）と基板１０１の材料（例えばアルミニウム）が異なると、加熱時の膨張量が異なる。従って、フレームの状態のリード１０４と回路基板１０１が、膨張量が異なる状態で半田により結合されて常温に冷やされる。そして、両者はストレスが作用した状態で結合される。結果的に、基板１０１を搬送する際などに、リード１０４がパッド１０９から乖離してしまう問題が発生していた。
また、ホットプレートを用いて基板１０１を加熱することによりパッド１０９上の半田を溶融させると、半田溶融時の基板１０１の温度とリード１０４の温度が異なる。例えば、基板１０１の温度が２００℃程度になるのに対して、リード１０４の温度は１００℃程度である。この事項も、リード１０４を接続する際の、リードフレームと基板１０１との膨張量の差を大きくしていた。
更にまた、リード１０４と基板１０１の材料を同じ（例えば銅）にしても、上述したように半田溶融時の両者の温度が異なる。従って、リード１０４を接続する際の、リードフレームと基板１０１の膨張量が異なり、上記した熱ストレスの問題は解決されなかった。
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、回路基板の小型化を実現する回路装置を提供することにある。更に、本発明の他の目的は、リードと基板との接続部の接続信頼性を向上させた回路装置の製造方法を提供することにある。
本発明の回路装置は、導電パターン、前記導電パターンから成るパッドおよび前記導電パターンと接続された回路素子が表面に形成された回路基板と、前記パッドと金属細線を介して接続されたリードと、少なくとも前記回路基板の表面および前記リードの一部分を被覆する封止樹脂とを具備し、前記リードの一端は、前記回路基板と重畳することを特徴とする。
本発明の回路装置の製造方法は、回路基板が配置される載置領域の内部まで端部が延在する複数のリードが一体に連結されたリードフレームを用意する工程と、前記回路基板を前記載置領域に配置して、前記回路基板と前記リードとを重ね合わせて両者をスポット溶接により接合する工程とを具備することを特徴とする。
更に、本発明の回路装置の製造方法は、回路基板が配置される載置領域の内部まで端部が延在する複数のリードが一体に連結されたリードフレームを用意する工程と、前記回路基板を前記載置領域に配置して、スポット溶接により、少なくとも１つの前記リードと前記回路基板とを接合する工程と、前記回路基板の表面に設けられたパッドと前記リードとを金属細線を介して接続する工程とを具備することを特徴とする。
本発明の回路装置に依れば、回路基板上のパッドとリードとを金属細線を用いて接続したので、背景技術と比較するとパッド自体の大きさを小型化できる。従って、リードと電気的に接続される多数のパッドを回路基板の表面に設けた場合でも、パッドが占有する面積は小さいので、回路基板を小型化することができる。
更に、リードの端部を、回路基板と重畳する位置まで延在させたので、リードと金属細線の接続部を回路基板の上方に設けることができる。従って、回路基板の外側にリードと金属細線の接続部を設ける必要が無いので、回路装置の平面的なサイズを小さくすることができる。
更にまた、リードの下方に位置する回路基板の表面に導電パターンを延在させることが可能となり、回路基板の表面に多数の導電パターンを設けることがでできる。
更に、本発明の回路装置の製造方法に依れば、リードフレームのリードと回路基板とを、スポット溶接により接合するので、この接合を常温下に於いて行うことが可能となり、両者は熱ストレスが低減された状態で接合される。従って、製造途中で、熱ストレスよりリードフレームのリードが回路基板から剥離してしまう問題が抑制される。
＜第１の実施の形態＞
本形態では、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構造を説明する。
本形態では、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構造を説明する。
図１を参照して、本形態の混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０を斜め上方から見た斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図１（Ｃ）は回路基板１１を上方から見た平面図である。
矩形の回路基板１１の上面全域は、絶縁層１２により被覆されている。そして、所定の形状の導電パターン１３が、絶縁層１２の表面に形成されている。更に、導電パターン１３の所定の箇所には、半田や導電性ペーストを介して、半導体素子１５Ａおよびチップ素子１５Ｂが電気的に接続されている。回路基板１１の表面に形成された導電パターン１３、半導体素子１５Ａ、チップ素子１５Ｂおよびリード２５の一部は、封止樹脂１４により被覆されている。
回路基板１１は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属を主材料とする金属基板である。回路基板１１の具体的な大きさは、例えば、縦×横×厚さ＝３０ｍｍ×１５ｍｍ×０．５ｍｍ程度である。回路基板１１の材料としては銅が好適である。銅を主材料とする回路基板１１は、厚みが０．５ｍｍ程度に薄くても、温度変化等による反りが小さく、且つ機械的強度も十分である。更に、アルミニウムと比較すると銅は熱伝導性に優れた材料であるので、銅を主材料とする金属を回路基板１１の材料にすることで、装置全体の放熱性を向上させることができる。
更に、詳細は後述するが、回路基板１１の材料として銅を主材料とする金属を採用すると、後述のリードフレームと回路基板１１とが同一の材料となる。従って、温度変化が生じても両者の膨張量が等しいので、両者の接合箇所に作用する熱応力を低減される。
更にまた、回路基板１１の材料として銅を採用することにより、回路基板１１上に形成された導電パターン１３の表面に、金メッキ膜や銀メッキ膜を容易に形成することができる。この理由は、導電パターン１３の表面に金メッキ膜や銀メッキ膜を形成するために、メッキ処理を行う電解溶液中に回路基板１１を浸漬しても、銅から成る回路基板１１は溶解しないからである。一方、アルミニウムから成る基板を、金メッキ処理を行う電解溶液に浸漬すると、アルミニウムが電解溶液中に溶解して、電解溶液を汚染してしまう恐れがある。従って、アルミニウムから成る回路基板１１に、金メッキ処理を行う場合には、アルミニウムの露出面を樹脂膜等により保護する必要がある。
また、回路基板１１としてアルミニウムより成る基板を採用した場合は、回路基板１１の両主面はアルマイト処理される。
絶縁層１２は、回路基板１１の上面全域を覆うように形成されている。絶縁層１２は、ＡＬ２Ｏ３等のフィラーが高充填されたエポキシ樹脂等から成る。このことにより、絶縁層１２の熱抵抗が低減され、内蔵される回路素子から発生した熱を、回路基板１１を介して積極的に外部に放出することができる。絶縁層１２の具体的な厚みは、例えば５０μｍ程度である。この厚みの絶縁層１２により、４ＫＶの耐圧（絶縁破壊耐圧）を確保することができる。
導電パターン１３は銅等の金属から成り、所定の電気回路が実現されるように絶縁層１２の上面に形成される。また、リード２５が導出する辺に、導電パターン１３から成るパッド２７が形成される。なお、ここでは単層の導電パターン１３が図示されているが、絶縁層を介して積層された多層の導電パターン１３が回路基板１１の上面に形成されても良い。
パッド２７は、回路基板１１の周辺部に複数個が配置されて、その上面には径が３０μｍ程度の金属細線１７がワイヤボンディングされている。パッド２７は、対向する回路基板１１の２つの側辺に沿って、周縁部から若干離間されて複数個が配置されている。パッド２７の平面的な大きさは、金属細線１７がワイヤボンディング可能な大きさであれば良く、例えば２００μｍ×２００μｍ程度である。また、金（Ａｕ）から成る金属細線１７のワイヤボンディングを行うために、パッド２７の上面は金（Ａｕ）から成るメッキ膜２４により被覆されている。このように本形態では、パッド２７の平面的な大きさを背景技術よりも小さくすることができるので、より多数個のパッド２７を回路基板１１上に形成することが可能となる。
半導体素子１５Ａおよびチップ素子１５Ｂの回路素子は、導電パターン１３の所定の箇所に固着されている。半導体素子１５Ａとしては、トランジスタ、ＬＳＩチップ、ダイオード等が採用される。ここでは、半導体素子１５Ａと導電パターン１３とは、金属細線１７を介して接続される。チップ素子１５Ｂとしては、チップ抵抗やチップコンデンサ等が採用される。更に、チップ素子１５Ｂとしては、インダクタンス、サーミスタ、アンテナ、発振器など、両端に電極部を有する素子が採用される。更にまた、樹脂封止型のパッケージ等も、回路素子として導電パターン１３に固着することができる。
リード２５は、一端が回路基板１１上のパッド２７と電気的に接続され、他端が封止樹脂１４から外部に導出している。リード２５は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）またはＦｅ−Ｎｉの合金等などを主成分とした金属から成る。回路基板１１の上面に形成されたパッド２７とリード２５とは、径が３０μｍ程度の金（Ａｕ）等から成る金属細線１７により接続される。また、金属細線１７が接続されるリード２５の表面は、金（Ａｕ）から成るメッキ膜１９が形成されている。
ここでは、回路基板１１の対向する２つの側辺に沿って設けたパッド２７にリード２５を接続している。しかしながら、回路基板１１の１つの側辺または４つの側辺に沿ってパッド２７を設けて、このパッド２７にリード２５を接続しても良い。
本形態では、リード２５の端部を、回路基板１１の上方まで延在させている。このことにより、金属細線１７とリード２５との接続部を、回路基板１１の上方に設けることができる。従って、金属細線１７とリード２５との接続部を回路基板１１の側方に設ける必要がないので、混成集積回路装置１０の平面的な大きさを小さくすることができる。更に、封止樹脂１４に埋め込まれる部分のリード２５を長くすることができるので、リード２５と封止樹脂１４との結合する強度を向上させることもできる。また、回路基板１１上の導電パターン１３は被覆樹脂２０により被覆されるので、回路基板１１上の導電パターン１３とリード２５とのショートは防止されている。
封止樹脂１４は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたは熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールドにより形成される。図１（Ｂ）を参照すると、封止樹脂１４により、導電パターン１３、半導体素子１５Ａ、チップ素子１５Ｂ、金属細線１７、リード２５が封止されている。更に、回路基板１１の上面、側面および裏面が封止樹脂１４により被覆されている。ここでは、回路基板１１の裏面も封止樹脂１４により被覆されているが、回路基板１１の裏面を封止樹脂１４から外部に露出させて放熱性を向上させることもできる。
図１（Ｃ）を参照して、リード２５の下方に対応する回路基板１１には、導電パターン１３から成る配線２８が形成されている。ここで配線２８とは、回路基板１１に配置される回路素子同士を接続するために形成された導電パターン１３である。ここでは、回路基板１１の右側に設けられた半導体素子１５Ａと、左側に配置された半導体素子１５Ａとを接続するように配線は延在している。
また、リード２５の先端部付近には、リード２５を厚み方向に貫通する孔部２１が設けられている。孔部２１に封止樹脂１４が充填されることにより、リード２５の封止樹脂１４からの抜けを防止することができる。
＜第２の実施の形態＞
本形態では、図２から図５を参照して、混成集積回路装置の製造方法を説明する。
本形態では、図２から図５を参照して、混成集積回路装置の製造方法を説明する。
図２を参照して、先ず、多数のリードから成るユニット４６が複数個設けられたリードフレーム４０を用意する。図２（Ａ）は、リードフレーム４０に設けられる１つのユニット４６を示す平面図であり、図２（Ｂ）はリードフレーム４０の全体を示す平面図である。図２（Ａ）では、回路基板が載置される領域である載置領域２６を点線にて図示している。
図２（Ａ）を参照して、ユニット４６には、多数の第１リード２５Ａおよび第２リード２５Ｂが設けられている。第１リード２５Ａは、紙面上では、左右両方向から回路基板が載置される領域に向かって延在している。また、第１リード２５Ａは、タイバー４４により互いに連結されることで、変形が防止されている。そして、後の工程にて金属細線が接続される部分の第１リード２５Ａの上面には、メッキ膜が形成されている。第１リード２５Ａは、本形態により製造される回路装置の外部接続手段として機能する。
第２リード２５Ｂは、外枠４１から載置領域２６の内部まで延在している。ここでは、上側の外枠４１から、２つの第２リード２５Ｂが載置領域２６の内部まで延在している。更に、下側の外枠４１からも２つの第２リード２５Ｂが載置領域２６の内部まで延在している。この第２リード２５Ｂは、回路基板を機械的にリードフレームに固定するために用いられる。
図２（Ｂ）を参照して、短冊状のリードフレーム４０には、上述したような構成のユニット４６が、複数個離間して配置される。本形態では、リードフレーム４０に複数個のユニット４６を設けて混成集積回路装置を製造することにより、ワイヤボンディングおよびモールド工程等を一括して行い、生産性を向上させている。
図３を参照して、次に、スポット溶接により回路基板１１をリードフレーム４０に連結する。図３（Ａ）はリードフレーム４０を部分的に拡大した平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図であり、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
図３（Ａ）を参照して、本工程では、各ユニット４６に１つの回路基板１１が載置されている。この図では、図示を省略しているが、回路基板１１の上面には導電パターンおよび回路素子から成る電気回路が構成されている。半導体素子等の回路素子の回路基板１１への実装は、本工程に先行して予め行われても良いし、回路基板１１をリードフレーム４０に固定してから行っても良い。
回路基板１１の表面には、パッド２９およびパッド２７が設けられている。パッド２９は、回路基板１１の短手方向の側辺（紙面上では、上下側辺）付近に設けられており、第２リード２５Ｂが固着される。パッド２９の大きさは、たとえば縦×横＝１．０ｍｍ×１．０ｍｍ程度である。また、パッド２９は、回路素子等と接続されないダミーパッドでも良い。
パッド２７は、回路基板１１の長手方向の側辺（紙面上では左右側辺）に沿って設けられている。また、パッド２７は、回路基板１１の長手方向の終端部から離間して配置されており、パッド２７の外側には不図示の配線が配置されている。これらのパッド２７は、後の工程にて、細い金属細線により第１リード２５Ａと電気的に接続される。従って、第１リード２５Ａは機械的に回路基板１１を支持する機能を有さないので、本形態では第２リード２５Ｂにより回路基板１１をリードフレーム４０に機械的に固定している。
図３（Ｂ）を参照して、本形態では、電極３０を用いたスポット溶接により、回路基板１１上のパッド２９に、第２リード２５Ｂを固着している。具体的な方法は、先ず、パッド２９の上面に第２リード２５Ｂの下面を当接させる。次にスポット溶接機の電極３０を第２リード２５Ｂの上面に当接させて、例えば２００Ｖ程度の高い電圧を印可する。このことにより、パッド２９と第２リード２５Ｂが部分的に溶けて両者が固着される。
本工程では、パッド２９と第２リード２５Ｂとの接続部は、例えば数百℃程度に発熱するが、溶接自体が０．２秒程度で瞬間的に終了するため、回路基板１１の温度は殆ど上昇しない。同様の理由により、リードフレーム４０も加熱されない。従って、本工程では、回路基板１１およびリードフレーム４０の加熱による膨張を殆ど伴わずに、両者を結合させることができる。このことから、本工程が終了した後も、パッド２９と第２リード２５Ｂとの接合部には熱応力は殆ど作用せず、製造工程の途中でこの接合部の乖離が抑制されている。
更に、本工程は、常温下（加熱も冷却もしていない雰囲気下）に於いて行われる。従って、リードフレーム４０および回路基板１１の熱膨張が殆ど発生しないので、両者の接続箇所に熱応力が発生しない。また、回路基板１１およびリードフレーム４０（第２リード２５Ｂ）を同一の材料（例えば銅を主材料とする金属）で構成すると、例え温度変化が生じても、温度上昇に伴う膨張量が等しいので、上記した熱応力を低減して接続信頼性を確保することができる。
ここで、パッド２９を回路素子と接続して、第２リード２５Ｂを外部接続端子として用いることもできる。更に、第２リード２５Ｂは必ずしもパッド２９に固着される必要はない。即ち、絶縁層１２を部分的に除去して回路基板１１の一部分を露出させて、露出する部分の回路基板１１に第２リード２５Ｂをスポット溶接しても良い。この場合は、第２リード２５Ｂを介して、回路基板１１を固定電位（例えば接地電位や電源電位）に接続することもできる。更にまた、第１リード２５Ａも、上述したようにスポット溶接によりパッド２７に接合することもできる。このことにより、熱ストレスを排除した第１リード２５Ａの固着が行われる。
図３（Ｃ）の断面図を参照して、第１リード２５Ａの先端部は、回路基板１１の上方に位置している。そして、第１リード２５Ａの下方には、配線２８が回路基板１１上に設けられている。
図４を参照して、次に、回路基板１１上のパッド２７と第１リード２５Ａとを、金属細線１７を用いて接続する。図４（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
図４（Ａ）を参照して、例えば径が３０μｍ程度の金から成る金属細線１７を用いて、回路基板１１の上面に配置されたパッド２７と、第１リード２５Ａとを電気的に接続する。ここで、回路基板１１の上面に配置された半導体素子１５Ａの上面の電極と第１リード２５Ａとをダイレクトに金属細線１７にて接続しても良い。
図４（Ｂ）を参照して、本工程では、第１リード２５Ａをクランパー３１により上方から押圧して、第１リード２５Ａの下面を回路基板１１の上面に当接させた状態で、ワイヤボンディングを行っている。回路基板１１に押しつけられることにより第１リード２５Ａの位置が固定される。従って、不図示のボンディング装置にて第１リード２５Ａに超音波エネルギーを印加しても、その超音波エネルギーは分散しない。このことから、金属細線１７を良好に第１リード２５Ａの表面に接続することができる。
図５を参照して、次に、回路基板１１が被覆されるように封止樹脂を形成する。図５（Ａ）は金型を用いて回路基板１１をモールドする本工程を示す断面図であり、図５（Ｂ）はモールドを行った後のリードフレーム４０を示す平面図である。ここでは、リードフレーム４０に多数個の回路基板１１が連結された状態で樹脂封止が行われるが、本工程の前に各回路基板１１をリードフレームから分離しても良い。
図５（Ａ）を参照して、先ず、上金型２２Ａと下金型２２Ｂとを当接させることにより、キャビティ２３の内部に回路基板１１を収納させる。更に、金型に設けたゲート（不図示）からキャビティ２３に樹脂を注入して、回路基板１１を封止する。本工程では、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールドまたは、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドが行われる。本形態では、キャビティ２３内部に於ける回路基板１１の位置は、リードフレーム４０に設けた第２リード２５Ｂにより固定されている。従って、注入される樹脂の圧力が回路基板１１に作用しても、キャビティ２３内部に於いて回路基板１１は移動しない。また、第１リード２５Ａに形成された孔部２１には、封止樹脂が充填され、第１リード２５Ａと封止樹脂との密着強度が向上されている。
図５（Ｂ）を参照して、上述したモールド工程が終了した後に、各ユニット４６の回路基板１１を、リードフレーム４０から分離する。具体的には、第２リード２５Ｂを外枠４１から分離する。更に、タイバー４４が設けられた箇所にて第１リード２５Ａを分離し、図１に示すような混成集積回路装置をリードフレーム４０から分離する。
１０ 混成集積回路装置
１１ 回路基板
１２ 絶縁層
１３ 導電パターン
１４ 封止樹脂
１５Ａ 半導体素子
１５Ｂ チップ素子
１７ 金属細線
１９ メッキ膜
２０ 被覆樹脂
２１ 孔部
２２Ａ 上金型
２２Ｂ 下金型
２３ キャビティ
２４ メッキ膜
２５Ａ 第１リード
２５Ｂ 第２リード
２６ 載置領域
２７ パッド
２８ 配線
２９ パッド
３０ 電極
３１ クランパー
４０ リードフレーム
４１ 外枠
４４ タイバー
４６ ユニット
１１ 回路基板
１２ 絶縁層
１３ 導電パターン
１４ 封止樹脂
１５Ａ 半導体素子
１５Ｂ チップ素子
１７ 金属細線
１９ メッキ膜
２０ 被覆樹脂
２１ 孔部
２２Ａ 上金型
２２Ｂ 下金型
２３ キャビティ
２４ メッキ膜
２５Ａ 第１リード
２５Ｂ 第２リード
２６ 載置領域
２７ パッド
２８ 配線
２９ パッド
３０ 電極
３１ クランパー
４０ リードフレーム
４１ 外枠
４４ タイバー
４６ ユニット
Claims (10)
- 導電パターン、前記導電パターンから成るパッドおよび前記導電パターンと接続された回路素子が表面に形成された回路基板と、
前記パッドと金属細線を介して接続されたリードと、
少なくとも前記回路基板の表面および前記リードの一部分を被覆する封止樹脂とを具備し、
前記リードの一端は、前記回路基板と重畳することを特徴とする回路装置。 - 前記パッドよりも外側の前記回路基板の表面に、前記導電パターンから成る配線を配置することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
- 前記リードの前記封止樹脂に埋め込まれる部分に、前記リードを厚み方向に貫通する孔部を設けることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
- 回路基板が配置される載置領域の内部まで端部が延在する複数のリードが一体に連結されたリードフレームを用意する工程と、
前記回路基板を前記載置領域に配置して、前記回路基板と前記リードとを重ね合わせて両者をスポット溶接により接合する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 回路基板が配置される載置領域の内部まで端部が延在する複数のリードが一体に連結されたリードフレームを用意する工程と、
前記回路基板を前記載置領域に配置して、スポット溶接により、少なくとも１つの前記リードと前記回路基板とを接合する工程と、
前記回路基板の表面に設けられたパッドと前記リードとを金属細線を介して接続する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 少なくとも前記回路基板の表面および前記リードを部分的に封止樹脂により被覆する工程を具備することを特徴とする請求項４または請求項５記載の回路装置の製造方法。
- 前記金属細線を介して接続する工程では、前記リードを前記回路基板の表面に当接させることを特徴とする請求項５記載の回路装置の製造方法。
- 前記リードと前記回路基板とを接合する工程は、常温下で行うことを特徴とする請求項４または請求項５記載の回路装置の製造方法。
- 前記リードフレームと前記回路基板は、同じ金属材料から成ることを特徴とする請求項４または請求項５記載の回路装置の製造方法。
- 前記リードフレームおよび前記回路基板は、銅を主材料とする金属から成ることを特徴とする請求項４または請求項５記載の回路装置の製造方法。
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