JP2005167075A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 主表面に温度センスダイオードを有する縦型パワー素子の表裏の主面に金属体を電気的・熱的に接続してなる樹脂モールドタイプの半導体装置において、半導体素子の主表面側と金属体とを接合する導電性接合部材にクラックが発生しても、温度センスダイオードの動作不良を極力防止する。
【解決手段】 主表面側に複数個のセルブロックを有する半導体チップ10の両主面には、それぞれ第1〜第3の導電性接合部材51、52、53を介して、第1、第2、第3の金属体20、30、40が接合され、これらが樹脂80でモールドされてなる半導体装置S1において、半導体チップ10の主表面に設けられた温度センスダイオード11は、半導体チップ10の主表面の中央部に配置されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 主表面側に複数個のセルブロックを有する半導体チップ10の両主面には、それぞれ第1〜第3の導電性接合部材51、52、53を介して、第1、第2、第3の金属体20、30、40が接合され、これらが樹脂80でモールドされてなる半導体装置S1において、半導体チップ10の主表面に設けられた温度センスダイオード11は、半導体チップ10の主表面の中央部に配置されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、主表面側および主裏面側に主電極を有する半導体素子の主裏面側に第1の金属体、主表面側に第2の金属体および第3の金属体を接合するとともに、半導体素子の主表面側に温度検出用の温度センスダイオードを備え、これらを樹脂でモールドしてなる半導体装置に関する。
図4は、この種の半導体装置の一般的な概略構成を示す図であって(a)は各部の平面的な配置を示す図、(b)は、(a)に示される半導体装置の概略断面構成を示す図である。
この図4に示されるような半導体装置としては、たとえば、特許文献1に記載されているような半導体装置が提案されている。
図4において、半導体素子10は、たとえばIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などの縦型パワー素子であり、上面側が素子形成面である主表面、下面側が主裏面である。
ここで、半導体素子10の主表面には、温度センスダイオード11が設けられている。この温度センスダイオード11は、一般的に設けられているもので、半導体製造技術を用いて形成されたポリシリコン等からなるダイオード素子である。
この温度センスダイオード11は温度によって電圧が変化するので、半導体素子10の温度を検出するのに用いられている。
この半導体素子10の主裏面側には、電極と放熱体とを兼ねる第1の金属体20が、はんだなどの第1の導電性接合部材51を介して電気的・熱的に接合されている。また、半導体素子10の主表面側には、第2の金属体40が、はんだなどの第2の導電性接合部材52を介して電気的・熱的に接合されている。
さらに、第2の金属体40における半導体素子10側の面とは反対側の面には、電極と放熱体とを兼ねる第3の金属体30が、はんだなどの第3の導電性接合部材53を介して電気的・熱的に接合されている。
また、半導体素子10の周囲には、各種の信号端子60が設けられており、半導体素子10の主表面と信号端子60とは、ボンディングワイヤ70を介して電気的に接続されている。そして、装置のほぼ全体が樹脂80によりモールドされ封止されている。
ここで、図4(a)中の5本の信号端子60のうち、右側の2本が温度センスダイオード11用の端子すなわち温度検出用端子であり、残りは半導体素子10の信号電極と導通する端子や基準端子となるものである。
特開2003−110064号公報
しかしながら、この種の半導体装置においては、装置の小型化にともなって、半導体素子10の実装密度が大きくなるなどにより、半導体素子10の発熱密度も大きくなってくる。
このようなことから、上記図4において、半導体素子10と第2の金属体40との間を接合する第2の導電性接合部材52にてクラックが発生しやすくなる。このクラックは、通常、第2の導電性接合部材52の外周側から発生する。つまり、半導体素子10の最外周部分にて、第2の導電性接合部材52が剥離する。
ここにおいて、従来では、図4に示されるように、半導体素子10の主表面において、温度センスダイオード11は、半導体素子10の外周部に配置されている。
そのため、上記したようなクラックの発生によって、半導体素子10の最外周部分にて、第2の導電性接合部材52が剥離すると、温度センスダイオード11の動作不良を生じさせる。
これは、半導体素子10の外周部に温度センスダイオード11が位置するため、発生したクラックの応力が温度センスダイオード11に集中して印加され、温度センスダイオード11を破壊することが一つの原因である。
また、半導体素子10の外周部にて発生するクラックによって第2の導電性接合部材52が剥離すると、その剥離部分の放熱経路が遮断される。すると、この放熱経路が遮断された部分に温度センスダイオード11が位置するため、温度センスダイオード11の部分の温度が上昇し、作動特性不良に至ることも原因の一つである。
そこで、本発明は上記問題に鑑み、主表面側および主裏面側に主電極を有する半導体素子の主裏面側に第1の金属体、主表面側に第2の金属体および第3の金属体を接合するとともに、半導体素子の主表面側に温度検出用の温度センスダイオードを備え、これらを樹脂でモールドしてなる半導体装置において、半導体素子の主表面側と第2の金属体とを接合する導電性接合部材にクラックが発生しても、温度センスダイオードの動作不良を極力防止することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有するとともに主表面側に温度検出用の温度センスダイオード(11)を有する半導体素子(10)と、半導体素子(10)の主裏面の主電極に第1の導電性接合部材(51)を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第1の金属体(20)と、半導体素子(10)の主表面の主電極に第2の導電性接合部材(52)を介して接合された第2の金属体(40)と、第2の金属体(40)における半導体素子(10)側の面とは反対側の面に第3の導電性接合部材(53)を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第3の金属体(30)と、を備え、装置のほぼ全体が樹脂(80)でモールドされてなる半導体装置において、温度センスダイオード(11)は、半導体素子(10)の主表面の中央部に配置されていることを特徴としている。
それによれば、第2の導電性接合部材(52)の外周部にクラックが発生しても、温度センスダイオード(11)は半導体素子(10)の主表面の中央部に配置されており、そのクラックの発生部以外の部位に位置するため、クラックの影響を受けにくくすることができる。
よって、本発明によれば、半導体素子(10)の主表面側と第2の金属体(40)とを接合する第2の導電性接合部材(52)にクラックが発生しても、温度センスダイオード(11)の動作不良を極力防止することができる。
ここで、温度センスダイオード(11)が配置される半導体素子(10)の主表面の中央部としては、請求項2や請求項3に記載の発明のような範囲や領域として定義することができる。
請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の半導体装置において、半導体素子(10)は矩形板状をなすものであり、温度センスダイオード(11)は、半導体素子(10)の主表面の中心点から半導体素子の縦の辺の長さの1/2以内且つ横の辺の長さの1/2以内の範囲に配置されていることを特徴としている。
請求項3に記載の発明では、請求項1に記載の半導体装置において、温度センスダイオード(11)は、半導体素子の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の1/4の面積にて囲まれる領域に配置されていることを特徴としている。
また、請求項4に記載の発明のように、請求項2または請求項3に記載の半導体装置において、半導体素子(10)が、その主表面に複数個のセルブロック(Tr)が一列に配列されたものであり、これら複数個のセルブロック(Tr)は偶数個である場合、温度センスダイオード(11)は、複数個のセルブロック(Tr)のうちの中央の2個のものの間に配置されているものにできる。
さらに、請求項5に記載の発明のように、請求項2または請求項3に記載の半導体装置において、半導体素子(10)が、その主表面に複数個のセルブロック(Tr)が一列に配列されたものであり、これら複数個のセルブロック(Tr)が奇数個である場合、温度センスダイオード(11)は、複数個のセルブロック(Tr)のうちの中央のものの両脇の少なくとも一方に配置されているものにできる。
また、請求項6に記載の発明では、請求項1〜請求項5に記載の半導体装置において、第1の導電性接合部材(51)、第2の導電性接合部材(52)および第3の導電性接合部材(53)は、Sn系はんだであることを特徴とする。
また、請求項7に記載の発明では、請求項1〜請求項6に記載の半導体装置において、半導体素子(10)の主表面において、温度センスダイオード(11)および温度センスダイオード(11)から引き出されている配線(11a)は、ポリイミドからなる厚さ2μm以上の保護膜(13)により被覆されていることを特徴としている。
それによれば、温度センスダイオード(11)および温度センスダイオード(11)から引き出されている配線(11a)の保護および電気的な絶縁を適切に実現することができ、好ましい。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体装置S1の一般的な概略構成を示す図であり、(a)は各部の平面的な配置を示す図、(b)は概略断面構成を示す図である。
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体装置S1の一般的な概略構成を示す図であり、(a)は各部の平面的な配置を示す図、(b)は概略断面構成を示す図である。
また、図2(a)は、図1中の半導体素子10をその主表面側から見たときの構成を模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)中のA−A一点鎖線に沿った概略断面図である。
図1および図2に示されるように、本実施形態における半導体装置S1は、半導体素子としての第1の半導体チップ10と、第1の金属体としての下側ヒートシンク20と、第3の金属体としての上側ヒートシンク30と、第2の金属体としてのヒートシンクブロック40と、これらの間に介在する各導電性接合部材51、52、53と、第1の半導体チップ10に設けられた温度センスダイオード11と、モールド樹脂80とを備えて構成されている。
ここで、本実施形態では、図1に示されるように、第1の半導体チップ10と並列に第2の半導体チップ18が設けられている。
この構成の場合、両半導体チップ10、18の下面と下側ヒートシンク20の上面との間は、第1の導電性接合部材51によって接合されている。
また、両半導体チップ10、18の上面とヒートシンクブロック40の下面との間は、第2の導電性接合部材52によって接合されている。
さらに、ヒートシンクブロック40の上面と上側ヒートシンク30の下面との間は、第3の導電性接合部材53によって接合されている。
ここで、これら第1、第2、第3の導電性接合部材51、52、53としては、はんだや導電性接着剤等を採用することができる。本例の半導体装置においては、これら第1、第2、第3の導電性接合部材51、52、53として、Sn(すず)系はんだを用いている。
これにより、上記した構成においては、第1および第2の半導体チップ10、18の上面では、第2の導電性接合部材52、ヒートシンクブロック40、第3の導電性接合部材53および上側ヒートシンク30を介して放熱が行われ、第1および第2の半導体チップ10、18の下面では、第1の導電性接合部材51から下側ヒートシンク20を介して放熱が行われる構成となっている。
ここで、半導体素子10すなわち第1の半導体チップ10としては、特に限定されるものではないが、本実施形態において半導体素子として用いられている上記第1の半導体チップ10は、たとえばIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)やサイリスタ等のパワー半導体素子から構成することができる。
また、第2の半導体チップ18は、たとえば、FWD(フリーホイールダイオード)等からなるものにできる。
具体的には、上記第1の半導体チップ10の形状は、たとえば矩形状の薄板状とすることができる。そして、図1(b)において、第1の半導体チップ10の上面側が素子形成面である主表面、下面側が主裏面である。
また、本実施形態の第1の半導体チップ10の主表面には、図2に示されるように、複数個のセルブロックTrが配列された形となっている。図示例では7個のセルブロックTrが配列している。個々のセルブロックTrは、たとえば複数個のトランジスタ等の素子の集合体として構成されている。
そして、図示しないが、各セルブロックTrの上には、主表面側における主電極が形成されている。また、図示しないが、第1の半導体チップ10の主裏面側にも主電極が形成されている。
ここで、第1の半導体チップ10の主電極としては、たとえば主表面側の主電極がエミッタ電極、主裏面側の主電極がコレクタ電極とすることができる。
また、図2に示されるように、第1の半導体チップ10の主表面には、温度センスダイオード11が設けられている。
この温度センスダイオード11は、上述したように、一般的に設けられているもので、半導体製造技術を用いて形成されたポリシリコン等からなるダイオード素子であり、温度によって電圧が変化するので、第1の半導体チップ10の温度を検出するのに用いられている。
ここで、図2に示されるように、第1の半導体チップ10の主表面において、温度センスダイオード11からは2本の配線11aが引き出されており、各配線11aは、第1の半導体チップ10の外周部に設けられたパッド12と導通している。
また、図2に示されるように、温度センスダイオード11は、第1の半導体チップ10の主表面の中央部に配置されている。
具体的には、本例のように第1の半導体チップ10が矩形板状をなすものである場合においては、温度センスダイオード11は、図2(a)中の破線で示す四角形で囲まれた範囲K1、すなわち、第1の半導体チップ10の主表面の中心点から第1の半導体チップ10の縦の辺の長さHの1/2以内且つ横の辺Wの長さの1/2以内の範囲K1に配置されている。
つまり、図2(a)中の破線で示す四角形の範囲K1は、縦辺の長さがH/2、横辺の長さがW/2の四角形の領域であり、温度センスダイオード11は、この領域内に配置されている。
また、上記した第1の半導体チップ10の各辺の長さと四角形状の範囲K1の各辺の長さとの関係から、温度センスダイオード11は、第1の半導体チップ10の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の1/4の面積にて囲まれる領域に配置されているとも言える。
なお、第1の半導体チップ10が矩形板状でない場合であっても、温度センスダイオード11を第1の半導体チップ10の主表面の中央部に配置するにあたっては、第1の半導体チップ10の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の1/4の面積にて囲まれる領域に配置するようにすればよい。
また、図2に示されるように、本実施形態では、第1の半導体チップ10は、その主表面に複数個のセルブロックTrが一列に配列されたものであるが、本例では、セルブロックTrは7個すなわち奇数個である。
この場合、温度センスダイオード11は、7個のセルブロックTrのうちの中央のセルブロックTrの両脇の一方に配置されることが好ましい。それによって、温度センスダイオード11を、第1の半導体チップ10の主表面の中央部に適切に配置することが実現できる。
なお、図2(a)では、温度センスダイオード11は、7個のセルブロックTrのうちの中央のセルブロックTrの左側に配置されているが、右側であってもよく、さらには、両側に配置されていてもよい。
また、図2(b)に示されるように、第1の半導体チップ10の主表面において、温度センスダイオード11および温度センスダイオード11から引き出されている配線11aは、ポリイミドからなる厚さ2μm以上の保護膜13により被覆されている。
このように、本実施形態においては、第1の半導体チップ10の主裏面側の主電極は、第1の金属体である下側ヒートシンク20に対して、第1の導電性接合部材51を介して電気的に接続され、第1の半導体チップ10の主表面側の主電極は、第2の導電性接合部材52を介して第2の金属体であるヒートシンクブロック40に対して、電気的に接続されている。
さらに、ヒートシンクブロック40における半導体チップ10、18側の面とは反対側の面にて、第3の導電性接合部材53を介して第3の金属体である上側ヒートシンク30とヒートシンクブロック40とが電気的に接続されている。
ここで、下側ヒートシンク20、上側ヒートシンク30およびヒートシンクブロック40は、たとえば、銅合金もしくはアルミ合金等の熱伝導性および電気伝導性の良い金属で構成されている。また、ヒートシンクブロック40としては、一般的な鉄合金を用いてもよい。
また、下側ヒートシンク20は、たとえば、全体としてほぼ長方形状の板材とすることができる。また、この下側ヒートシンク20には、端子部21が突設されているが、この端子部21は、半導体チップ10の主裏面側の主電極であるたとえばコレクタ電極の取り出し電極となっている。
また、ヒートシンクブロック40は、たとえば、半導体チップ10よりも1回り小さい程度の大きさの矩形状の板材とすることができる。
このヒートシンクブロック40は、半導体チップ10、18と上側ヒートシンク30との間に介在し、それぞれの半導体チップ10、18と上側ヒートシンク30とを熱的および電気的に接続するとともに、第1の半導体チップ10から後述するボンディングワイヤ70を引き出す際の当該ワイヤの高さを確保する等のために、第1の半導体チップ10と上側ヒートシンク30との間の高さを確保する役割を有している。
さらに、上側ヒートシンク30も、たとえば、全体としてほぼ長方形状の板材で構成することができる。また、この上側ヒートシンク30にも、端子部31が突設されているが、この端子部31は、半導体チップ10の主表面側の主電極であるたとえばエミッタ電極の取り出し電極となっている。
ここで、下側ヒートシンク20の端子部21および上側ヒートシンク30の端子部31は、それぞれ上述したように、半導体チップ10の主電極の取り出し電極であり、これら端子部21、31は、半導体装置S1において外部配線部材等との接続を行うために設けられているものである。
このように、下側ヒートシンク20および上側ヒートシンク30は、それぞれ、電極と放熱体とを兼ねる第1の金属体および第3の金属体として構成されており、半導体装置S1において半導体チップ10、18からの放熱を行う機能を有するとともに半導体チップ10の電極としての機能も有する。
また、第1の半導体チップ10の周囲には、リードフレーム等からなる信号端子60が設けられている。この信号端子60は、第1の半導体チップ10の主表面に設けられている信号電極(たとえばゲート電極)や上記した温度センスダイオード11などと導通する端子や基準端子となるものである。
たとえば、図1に示されるように、各信号端子60は、第1の半導体チップ10の外周部に設けられた各パッド12とワイヤ70によって結線され、電気的に接続されている。このワイヤ70はワイヤボンディング等により形成され、金やアルミ等からなるものである。
ここで、各パッド12は、温度センスダイオード11と導通するものや、第1の半導体チップ10の信号電極と導通するものである。
そして、図1(a)中の5本の信号端子60はそれぞれ各パッド12とワイヤ70を介して導通しているが、これら5本の信号端子60のうち、たとえば、下側の2本が温度センスダイオード11用の端子すなわち温度検出用端子であり、残りは半導体チップ10の信号電極と導通する端子や基準端子となっている。
さらに、本実施形態の半導体装置S1においては、装置S1のほぼ全体が樹脂80によりモールドされ封止されている。具体的には、図1に示されるように、一対のヒートシンク20、30の隙間、並びに、半導体チップ10、18およびヒートシンクブロック40の周囲部分には、樹脂80が充填封止されている。
この樹脂80は、たとえばエポキシ樹脂等の通常のモールド材料を採用することができる。また、ヒートシンク20、30等を樹脂80でモールドするにあたっては、上下型からなる成形型(図示しない)を使用し、トランスファーモールド法によって容易に行うことができる。
このように、本実施形態の半導体装置S1は、基本的には、縦型パワー素子である第1の半導体チップ10の表裏の主面に金属体20、30、40を導電性接着剤51〜53を介して電気的・熱的に接続してなるとともに、第1の半導体チップ10はその主表面に温度センスダイオード11を備えたものである樹脂モールドタイプの半導体装置として構成されている。
次に、上記した構成の半導体装置S1の製造方法について、図1を参照して、簡単に説明する。まず、下側ヒートシンク20の上面に、両半導体チップ10、18とヒートシンクブロック40をはんだ付けする工程を実行する。
この場合、下側ヒートシンク20の上面に、たとえばSn系はんだからなるはんだ箔を介して両半導体チップ10、18を積層するとともに、これら両半導体チップ10、18の上に、同じはんだ箔を介して、それぞれヒートシンクブロック40を積層する。
この後、加熱装置(リフロー装置)によって、はんだの融点以上に昇温することにより、上記はんだ箔を溶融させてから、硬化させる。
続いて、第1の半導体チップ10と信号端子60とをワイヤボンディングする工程を実行する。これにより、ワイヤ70によって第1の半導体チップ10と信号端子60とが結線され電気的に接続される。
次いで、各ヒートシンクブロック40の上に上側ヒートシンク30をはんだ付けする工程を実行する。この場合、ヒートシンクブロック40の上にはんだ箔を介して上側ヒートシンク30を載せる。そして、加熱装置によって上記はんだ箔を溶融させてから、硬化させる。
こうして、溶融した各々のはんだ箔が硬化すれば、硬化したはんだが、第1、第2、第3の導電性接合部材51、52、53として構成されることになる。
そして、これら導電性接合部材51〜53を介して、下側ヒートシンク20、両半導体チップ10、18、ヒートシンクブロック40、上側ヒートシンク30間の接合および電気的・熱的接続を実現することができる。
なお、第1、第2および第3の導電性接合部材51、52、53として導電性接着剤を用いた場合にも、上記工程において、はんだを導電性接着剤に置き換え、導電性接着剤の塗布や硬化を行うことにより、下側ヒートシンク20、両半導体チップ10、18、ヒートシンクブロック40、上側ヒートシンク30間の接合および電気的・熱的接続を実現することができる。
しかる後、図示しない成形型を使用して、ヒートシンク20、30の隙間及び外周部等に樹脂80を充填する工程を実行する。これにより、図1に示されるように、ヒートシンク20、30の隙間及び外周部等に、樹脂80が充填封止される。
そして、樹脂80が硬化した後、成形型内から半導体装置S1を取り出せば、半導体装置S1が完成する。
なお、半導体装置S1においては、上記構成の場合、下側ヒートシンク20の下面および上側ヒートシンク30の上面が、それぞれ露出するように樹脂モールドされている。これにより、ヒートシンク20、30の放熱性が高められている。
ところで、本実施形態によれば、主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有するとともに主表面側に温度検出用の温度センスダイオード11を有する半導体チップ10と、半導体チップ10の主裏面の主電極に第1の導電性接合部材51を介して接合された下側ヒートシンク20と、半導体チップ10の主表面の主電極に第2の導電性接合部材52を介して接合されたヒートシンクブロック40と、ヒートシンクブロック40における半導体チップ10側の面とは反対側の面に第3の導電性接合部材53を介して接合された上側ヒートシンク30と、を備え、装置のほぼ全体が樹脂80でモールドされてなる半導体装置において、温度センスダイオード11は、半導体チップ10の主表面の中央部に配置されていることを特徴とする半導体装置S1が提供される。
それによれば、第2の導電性接合部材52の外周部にクラックが発生しても、温度センスダイオード11は第1の半導体チップ10の主表面の中央部に配置されて、そのクラックの発生部以外の部位に位置することになる。
そのため、上記したようなクラックの影響、すなわち、クラックの応力の温度センスダイオード11への集中や、第2の導電性接合部材52の剥離による放熱経路の遮断といった影響を、温度センスダイオード11が受けにくくすることができる。
よって、本実施形態によれば、第1の半導体チップ10の主表面側と第2の金属体としてのヒートシンクブロック40とを接合する第2の導電性接合部材52にクラックが発生しても、温度センスダイオード11の動作不良を極力防止することができる。
その結果、第1の半導体チップ10における的確な最高温度の検出ができるようになるため、安定した温度保護制御が可能となる。
ここで、温度センスダイオード11が配置される第1の半導体チップ10の主表面の中央部とは、具体的に、上記図2(a)に示したような範囲であることが好ましい。
すなわち、第1の半導体チップ10が矩形板状をなすものである場合、温度センスダイオード11は、第1の半導体チップ10において、その主表面の中心点から縦辺の長さHの1/2以内且つ横辺の長さWの1/2以内の範囲に配置することが好ましい。
また、第1の半導体チップ10の形状に関わらず、温度センスダイオード11は、第1の半導体チップ10の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の1/4の面積にて囲まれる領域K1に配置されていることが好ましい。
また、図2(a)に示したように、第1の半導体チップ10の主表面に複数個のセルブロックTrが一列に配列されており、これら複数個のセルブロックTrが奇数個である場合、温度センスダイオード11は、複数個のセルブロックTrのうちの中央のものの両脇の少なくとも一方に配置されていることが好ましい。
また、上記図2(b)に示したように、第1の半導体チップ10の主表面において、温度センスダイオード11および温度センスダイオード11から引き出されている配線11aは、ポリイミドからなる厚さ2μm以上の保護膜13により被覆されている。
それによれば、温度センスダイオード11および温度センスダイオード11から引き出されている配線11aの保護および電気的な絶縁を適切に実現することができるため、好ましい。
(第2実施形態)
図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体素子としての第1の半導体チップ10の主表面側から見たときの平面構成を模式的に示す平面図である。
図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体素子としての第1の半導体チップ10の主表面側から見たときの平面構成を模式的に示す平面図である。
上記第1実施形態では、上記図2(a)に示したように、第1の半導体チップ10の主表面に複数個のセルブロックTrが一列に配列されており、これら複数個のセルブロックTrが奇数個であった。
本実施形態では、図3に示されるように、第1の半導体チップ10は、その主表面に複数個のセルブロックTrが一列に配列されたものであるが、上記第1実施形態との相違点として、これら複数個のセルブロックTrは偶数個である。図3では、8個のセルブロックTrが配列している。
この場合、図3に示されるように、温度センスダイオード11は、複数個のセルブロックTrのうちの中央の2個のセルブロックTrの間に配置されている。それにより、温度センスダイオード11を、第1の半導体チップ10の主表面の中央部に適切に配置することが実現できる。
そして、この相違点以外のところについては、本実施形態においても、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏する半導体装置が提供されることはもちろんである。
(他の実施形態)
なお、半導体素子としては、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)やサイリスタ等のパワー半導体素子に限定されるものではなく、主表面側および主裏面側に主電極を有するものであればよい。
なお、半導体素子としては、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)やサイリスタ等のパワー半導体素子に限定されるものではなく、主表面側および主裏面側に主電極を有するものであればよい。
要するに、本発明は、主表面側および主裏面側に主電極を有するとともに主表面側に温度検出用の温度センスダイオードを有する半導体素子の主裏面側に第1の金属体、主表面側に第2の金属体および第3の金属体を接合し、これらを樹脂でモールドしてなる半導体装置において、温度センスダイオードを半導体素子の主表面の中央部に配置したことを要部とするものである。そして、その他の細部については適宜設計変更が可能である。
10…半導体素子としての半導体チップ、11…温度センスダイオード、
11a…温度センスダイオードから引き出されている配線、13…保護膜、
20…第1の金属体としての下側ヒートシンク、
30…第2の金属体としての上側ヒートシンク、
40…第3の金属体としてのヒートシンクブロック、51…第1の導電性接着剤、
52…第2の導電性接着剤、53…第3の導電性接着剤、80…樹脂、
Tr…セルブロック。
11a…温度センスダイオードから引き出されている配線、13…保護膜、
20…第1の金属体としての下側ヒートシンク、
30…第2の金属体としての上側ヒートシンク、
40…第3の金属体としてのヒートシンクブロック、51…第1の導電性接着剤、
52…第2の導電性接着剤、53…第3の導電性接着剤、80…樹脂、
Tr…セルブロック。
Claims (7)
- 主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有するとともに前記主表面側に温度検出用の温度センスダイオード(11)を有する半導体素子(10)と、
前記半導体素子(10)の主裏面の主電極に第1の導電性接合部材(51)を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第1の金属体(20)と、
前記半導体素子(10)の主表面の主電極に第2の導電性接合部材(52)を介して接合された第2の金属体(40)と、
前記第2の金属体(40)における前記半導体素子(10)側の面とは反対側の面に第3の導電性接合部材(53)を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第3の金属体(30)と、を備え、
装置のほぼ全体が樹脂(80)でモールドされてなる半導体装置において、
前記温度センスダイオード(11)は、前記半導体素子(10)の主表面の中央部に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子(10)は矩形板状をなすものであり、
前記温度センスダイオード(11)は、前記半導体素子(10)の主表面の中心点から前記半導体素子の縦の辺の長さの1/2以内且つ横の辺の長さの1/2以内の範囲に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記温度センスダイオード(11)は、前記半導体素子の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の1/4の面積にて囲まれる領域に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子(10)は、その主表面に複数個のセルブロック(Tr)が一列に配列されたものであり、
これら複数個のセルブロック(Tr)は偶数個であり、
前記温度センスダイオード(11)は、複数個のセルブロック(Tr)のうちの中央の2個のものの間に配置されていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子(10)は、その主表面に複数個のセルブロック(Tr)が一列に配列されたものであり、
これら複数個のセルブロック(Tr)は奇数個であり、
前記温度センスダイオード(11)は、複数個のセルブロック(Tr)のうちの中央のものの両脇の少なくとも一方に配置されていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。 - 前記第1の導電性接合部材(51)、前記第2の導電性接合部材(52)および前記第3の導電性接合部材(53)は、Sn系はんだであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記半導体素子(10)の主表面において、前記温度センスダイオード(11)および前記温度センスダイオード(11)から引き出されている配線(11a)は、ポリイミドからなる厚さ2μm以上の保護膜(13)により被覆されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置。
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