JP2011243626A - 半導体モジュールとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】片端が半導体素子に接続された端部が外部につながる第1の主電極2aおよび第3の主電極2cと、この第1、第3の主電極2a、2cに片端が接続された端が外部につながる第2の主電極2bとが設けられるとともに樹脂モールドされており、第3の主電極2cが第1の主電極2aの上部にクリアランスCを介して重なるように配置されており、樹脂モールド9の外に突出する第1、第3の主電極2a、2cの他端部が横に並ぶように配置されるとともに、第1の主電極2aの上面と第3の主電極2cの下面とが樹脂モールド9のパーティングライン9aと同一面となるよう設けられている。
【選択図】図3
Description
このような要請に対して、上記特許文献1に示された技術で対応しようとすると、次のような問題点がある。
1.装置の小型化は一般に知られているように、デザインルールの微細化、つまりパターン幅の微細化で対応可能である。ここで前記特許文献1の導電性支持板と回路素子とを接続する接続用導体板は、1枚のリードフレーム板の打ち抜き加工によって製作される。その打ち抜き加工の精度はリードフレームの板厚に依存し、前記支持板や導体板の最小幅や、打ち抜く溝の幅の最小値がリードフレームの板厚とほぼ同程度しかとりえないという加工上の限界であるという事実があり、板厚以下の支持板や導体板の寸法幅とすると、通電路の断面積が所望の値よりも小さくなるという不具合が発生し、パターン微細化にも上限ある。そこで小型化の要請に対して打ち抜く加工に代替して、例えば化学的、物理的エッチング加工等の採用が考えられるが、生産性上、コスト上、現時点においては到底実現可能な加工法ではない。従って前記特許文献1に示された技術でもって、パワー半導体モジュールの小型化を図ることは困難である。
2.小型化を図るにはパワー半導体モジュールの低耐電圧化が必須である。これは、例えば耐電圧を倍にすると、必要素子面積が約倍必要となるためである。それには回路のインダクタンスの低減化によるサージ電圧の低減化、つまり通電路である支持板や導体板の幅の縮小化による不必要な高耐電圧化の回避が必要だが、特許文献1の技術では前述した理由により対応可能なものではない。
ステップ1.導電性薄板を打ち抜きによって、第1、第2の主電極と制御電極ならびに支持部がパターニングされた第1のフレーム、および第3の主電極ならびに支持部がパターニングされた第2のフレームを形成するステップ。
ステップ2.第1のフレームの第1、第2の主電極上に半導体素子を含む所要の電子部品を搭載し、この電子部品と第1、第2の主電極および制御電極とをワイヤボンディングするステップ。
ステップ3.第1のフレームの第1の主電極の上部で第2のフレームの第3の主電極を重なる方向で、所定のクリアランスを介して設置するとともに接続部で接続して一体化、および電子部品と第3の主電極とをワイヤボンディングするステップ。
ステップ4.第1、第2のフレームを樹脂モールドするための上型、下型を準備するステップであって、下型には第1のフレームのパターンに対応して収納可能な溝が設けられているとともに、下型の端部において、第1のフレームのパターンにおける外部につながる他端部と同じ幅寸法で、かつ第1のフレームのパターン厚さと同じ寸法の深さを有する溝が設けられており、上型にも、第2のフレームのパターンに対応して収納可能な溝が設けられているとともに、上型の端部において、第2のフレームのパターンにおける外部につながる他端部と同じ幅寸法で、かつ第2のフレームのパターンの厚さと同じ寸法の深さを有する溝が設けられており、これら樹脂モールド用の型のうち、下型を成型装置にセットするステップ。
ステップ5.下型に一体化された第1、第2のフレームを設置後、下型の端部と上型の端部とが一致するよう装着後、樹脂をモールドするステップ。
ステップ6.モールド後、パワー半導体製品として不要な第1、第2のフレームの接続部および支持部を除去し、半導体モジュール製品として仕上げるステップ。
以下、この発明の実施の形態1を図に基づいて説明する。
図1は、実施の形態1による例えば、3相インバータシステムにおける1相分のブリッジ回路部分としてのパワー半導体モジュールの第1、第2の主電極2a、2b他の製造過程における配置を示す平面図である。説明を製造工程を追って行う。
図1(a)において、例えば0.5mm〜1mm厚さの導電性薄板である銅板を打ち抜き加工によって第1の主電極2a、ダイ搭載領域8を有する第2の主電極2b、複数の制御電極4及びこれらを後工程の樹脂モールド後まで仮に支持するための支持部5等のパターンを有する第1のフレーム1aを形成する。
図1(b)においても同様に、打ち抜き加工により第3の主電極2cのパターンを有する第2のフレーム1bを形成する。次工程において、図1(a)に示すように第1の主電極2aおよびダイ搭載領域8には電子部品であるパワー半導体素子3がそれぞれ搭載され、また第2の主電極2b上には、例えばコンデンサ等の電子部品7が接続され、さらに所要の電気回路を形成するようアルミワイヤ6で配線される。またさらに、パワー半導体モジュール3としては、ゲート動作用他の配線が必要であり、複数の制御電極4や電子部品7との間も、例えばアルミワイヤ6で接続(ワイヤボンディング)される。
なお、図1(a)、図1(b)に示す第1〜第3の主電極2a、2b、2cおよび制御電極4の後工程で示す樹脂モールド9から突出した部分は外部電極となる。また、図1(a)に示す第1の主電極2aには外部につながる他端部2a−1が、図1(b)に示す第3の主電極2cには外部につながる他端部2c−1を有する。
次に、図3に示すように一体化された第1のフレーム1a、第2のフレーム1bとを金型に装着し、例えばエポキシ系樹脂を用いてモールドし樹脂モールド9を形成する。
図3(a)は、樹脂モールド9の封止領域を示す平面図であり、図3(b)はパワー半導体モジュール20として完成した状態における概略斜視図であり、図1で示した制御電極4は垂直方向に折り曲げられた状態を示している。この場合、パワー半導体モジュール20の外部電極をなす第1の主電極2a、第2の主電極2b、第3の主電極2cおよび制御電極4やそれらにつながる電子部品7等を残し、例えば支持部5や後述する接続部11を含むパワー半導体製品として不要な部分の第1のフレーム1a、第2のフレーム1bは切断除去されている。
図4において、第3の主電極2cにはストレスリリーフ部10が設けられており、前記第1の主電極2aと第3の主電極2cとは図3で示した樹脂モールド9の封止部領域外の接続部11ではんだ接合されるとともにアルミワイヤ6で接続されており、その結果第1のフレーム1aと第2のフレーム1bとは一体化される。ストレスリリーフ部10を設ける理由は、樹脂を封止時に、モールド金型内に前記一体化された第1、第2のフレーム1a、1bを設置したとき、約180℃に加熱されるときの熱応力を緩和し、第1のフレーム1aと第2のフレーム1bに反りが発生するのを防止するためや、さらには後述するモールド用の金型を用いて樹脂を封止する際、第1のフレーム1a、第2のフレーム1bの寸法精度が十分に得られてないような状態が発生していたとしても、モールド用の金型を閉じたときに、不必要に第1のフレーム1a、第2のフレーム1bを押し上げ、押し下げるような力をストレスリリーフ部10で吸収することができ、アルミワイヤ6やその接続部などの断線発生を防止できる。
つまり第1の主電極2aの厚さ方向と、上面は下型の上面であって、上型の下面すなわちパーティングラインを形成する面と一致し、第3の主電極2cの厚さ方向の下面は上型の下面であって、下型の上面すなわち前記第1の主電極2aの厚さ方向の上面と一致するようにモールド用の金型に閉じられている。
次に実施の形態2を図6に基づいて説明する。
実施の形態1の図4で示した接続部11は、第1のフレーム1aと第2のフレーム1bとをはんだを介した例を示したが、この実施の形態2では、図6に示すように第1のフレーム1aと第2のフレーム1bとの接続部11における第2のフレーム1bに、貫通孔12を設けて、前記第1のフレーム1aと第2のフレーム1bとが、広い接触面11bを介して重ね合わされてはんだ付けされる。このような構成を採用することで第1のフレーム1aと第2のフレーム1bの重ね合わせの位置決めが確実となりかつ、広い面11bではんだ付けされるので、その後のハンドリングでもフレーム1a、1b間の相対位置が固定化され、かつモールド用の金型を閉じた時の不要な内部応力の発生を防止できる。
さらには図8に示すように、第1のフレーム1aの長手方向端部を折り返して第2のフレーム1bをかしめる構成としてもよい。この構成を採用することではんだやリベット等の副資材を用いることなく一体化が可能となり工程が簡素化され、さらに接続部11の接触抵抗が低減されるという効果がある。
また図9に示すように、バーリング加工を行い、第1のフレーム1aと第2のフレーム1bとを一体化してもよい。このようなバーリング加工による一体化加工は、第1のフレーム1aと第2のフレーム1bとの位置合わせが正確に行えるとともに、はんだやリベット等の副資材を用いる必要がなく、かつ工程が簡素化されるという効果がある。
2b 第2の主電極、2c 第3の主電極、3 半導体素子、6 アルミワイヤ、
7 電子部品、9 樹脂モールド、11 接続部、12 パーティングライン、
20 半導体モジュール、C クリアランス。
Claims (2)
- 半導体モジュールであって、この半導体モジュールには片端部が半導体素子に接続されるとともに、他端部が外部につながる第1および第3の主電極と、この第1、第3の主電極に接続され、外部につながる第2の主電極とが設けられているとともに、前記半導体素子、第1〜第3の主電極は樹脂モールドされており、前記第3の主電極は前記第1の主電極の上部で重なる方向で所定のクリアランスを介して配置されるとともに、前記樹脂モールドの外に突出する前記第1および第3の主電極の前記他端部が、横に並ぶように配置されるとともに、前記他端部における第1の主電極の上面と前記第3の主電極の下面とが、前記樹脂モールドのパーティングラインと同一面となるよう設けられていることを特徴とする半導体モジュール。
- 前記請求項1に記載の半導体モジュールが次のステップによって製造されていることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
ステップ1.導電性薄板を打ち抜きによって、第1、第2の主電極と制御電極ならびに支持部がパターニングされた第1のフレーム、および第3の主電極ならびに支持部がパターニングされた第2のフレームを形成するステップ。
ステップ2.前記第1のフレームの第1、第2の主電極上に半導体素子を含む所要の電子部品を搭載し、この電子部品と前記第1、第2の主電極および制御電極とをワイヤボンディングするステップ。
ステップ3.前記第1のフレームの第1の主電極の上部で前記第2のフレームの第3の主電極を重なる方向で、所定のクリアランスを介して設置するとともに接続部で接続して一体化、および電子部品と第3の主電極とをワイヤボンディングするステップ。
ステップ4.前記第1、第2のフレームを樹脂モールドするための上型、下型を準備するステップであって、前記下型には前記第1のフレームのパターンに対応して収納可能な溝が設けられているとともに、前記下型の端部において、前記第1のフレームのパターンにおける外部につながる他端部と同じ幅寸法で、かつ前記第1のフレームのパターン厚さと同じ寸法の深さを有する溝が設けられており、前記上型にも、前記第2のフレームのパターンに対応して収納可能な溝が設けられているとともに、前記上型の端部において、前記第2のフレームのパターンにおける外部につながる他端部と同じ幅寸法で、かつ前記第2のフレームのパターンの厚さと同じ寸法の深さを有する溝が設けられており、これら樹脂モールド用の型のうち、前記下型を成型装置にセットするステップ。
ステップ5.前記下型に前記一体化された第1、第2のフレームを設置後、前記下型の端部と前記上型の端部とが一致するよう装着後、樹脂をモールドするステップ。
ステップ6.モールド後、パワー半導体製品として不要な前記第1、第2のフレームの前記接続部および支持部を除去し、半導体モジュール製品として仕上げるステップ。
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