JP3284969B2 - 多層配線基板 - Google Patents
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子装置等に使用
される高発熱半導体素子が搭載される多層配線基板に関
する。
される高発熱半導体素子が搭載される多層配線基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】特開平９−５５４５９号公報には、配線
基板の表面から裏面までを貫通する放熱用のビアホール
を設け、上記配線基板の表面に搭載された半導体素子の
熱を上記放熱用のビアホールを介して配線基板の裏面へ
逃がす多層配線基板が開示されている。また、特開平４
−３３４０９６号公報には、配線基板の表面および裏面
に大面積の電源層および接地層を形成し、配線基板の表
面に搭載された半導体素子の熱を該電源層および接地層
から放熱させる多層配線基板が開示されている。さら
に、特開平１−１９９４６０号公報には、熱伝導率が高
い材料（窒化アルミニウム等）で形成されてなる配線基
板を用いて、該配線基板の表面に搭載された半導体素子
の放熱を向上させる多層配線基板が開示されている。ま
た、この多層配線基板の上層には、半導体素子の高速動
作に適するように低誘電率樹脂が積層されている。
基板の表面から裏面までを貫通する放熱用のビアホール
を設け、上記配線基板の表面に搭載された半導体素子の
熱を上記放熱用のビアホールを介して配線基板の裏面へ
逃がす多層配線基板が開示されている。また、特開平４
−３３４０９６号公報には、配線基板の表面および裏面
に大面積の電源層および接地層を形成し、配線基板の表
面に搭載された半導体素子の熱を該電源層および接地層
から放熱させる多層配線基板が開示されている。さら
に、特開平１−１９９４６０号公報には、熱伝導率が高
い材料（窒化アルミニウム等）で形成されてなる配線基
板を用いて、該配線基板の表面に搭載された半導体素子
の放熱を向上させる多層配線基板が開示されている。ま
た、この多層配線基板の上層には、半導体素子の高速動
作に適するように低誘電率樹脂が積層されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
多層配線基板（特開平９−５５４５９号公報）において
は、ビアホールおよびその近傍に他の配線を通すことが
できないため配線密度が低下せざるを得ず、ひいては小
型化、高密度化することができないという欠点があっ
た。また、従来の多層配線基板（特開平４−３３４０９
６号公報）においては、配線基板の表面および裏面にお
ける配線領域が電源層および接地層として使用されるた
め、配線領域として内層を使用せざるを得ない。従っ
て、上記多層配線基板においては、高密度化を図るべ
く、信号線を配するための内層の層数が必然的に増えて
しまうため、高価であるという欠点があった。さらに、
従来の多層配線基板（特開平１−１９９４６０号公報）
においては、上層に高価な低誘電率樹脂が用いられてい
るため、必然的に高価であるという欠点があった。本発
明はこのような背景の下になされたもので、高冷却特性
を維持しつつ、高密度化、層数の低減を図ることがで
き、さらに安価にすることができる多層配線基板を提供
することを目的とする。
多層配線基板（特開平９−５５４５９号公報）において
は、ビアホールおよびその近傍に他の配線を通すことが
できないため配線密度が低下せざるを得ず、ひいては小
型化、高密度化することができないという欠点があっ
た。また、従来の多層配線基板（特開平４−３３４０９
６号公報）においては、配線基板の表面および裏面にお
ける配線領域が電源層および接地層として使用されるた
め、配線領域として内層を使用せざるを得ない。従っ
て、上記多層配線基板においては、高密度化を図るべ
く、信号線を配するための内層の層数が必然的に増えて
しまうため、高価であるという欠点があった。さらに、
従来の多層配線基板（特開平１−１９９４６０号公報）
においては、上層に高価な低誘電率樹脂が用いられてい
るため、必然的に高価であるという欠点があった。本発
明はこのような背景の下になされたもので、高冷却特性
を維持しつつ、高密度化、層数の低減を図ることがで
き、さらに安価にすることができる多層配線基板を提供
することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、積層形成された絶縁体と、前記絶縁体の表面に露出
する第１の層に形成され、半導体素子が搭載される半導
体素子搭載パターンおよび冷却手段が搭載される第１の
冷却パターンと、前記絶縁体における複数の層のうち、
表面に露出しない第２の層に形成され、熱伝導を行う第
２の冷却パターンと、前記半導体素子搭載パターンに接
続されて前記第１の層の厚さ方向へ熱を伝導する第１の
ビアホールと、前記第２の層に接続されて該第２の層の
厚さ方向へ熱を伝導する第２のビアホールと、前記第１
の冷却パターンと第２の冷却パターンとを接続する第３
のビアホールとを有し、前記第１および第２のビアホー
ルは、前記第１および第２の層の表面から裏面までを貫
通しておらず、かつ絶縁体の面方向へ位置をずらして配
置され、これら第１および第２のビアホールの間には、
これらの間で熱を伝導する第３の冷却パターンが設けら
れたことを特徴とする。また、請求項２に記載の発明
は、請求項１に記載の多層配線基板において、前記絶縁
体は、エポキシ樹脂からなり、前記冷却パターンならび
に前記第１のビアホールに配された第１の熱伝導性材料
および前記第２のビアホールに配された第２の熱伝導性
材料は、銅からなることを特徴とする。また、請求項３
に記載の発明は、請求項１に記載の多層配線基板におい
て、前記絶縁体は、複数のガラスエポキシ基板が積層さ
れてなり、前記冷却パターンならびに前記第１のビアホ
ールに配された第１の熱伝導性材料および前記第２のビ
アホールに配された第２の熱伝導性材料は、銅からなる
ことを特徴とする。
は、積層形成された絶縁体と、前記絶縁体の表面に露出
する第１の層に形成され、半導体素子が搭載される半導
体素子搭載パターンおよび冷却手段が搭載される第１の
冷却パターンと、前記絶縁体における複数の層のうち、
表面に露出しない第２の層に形成され、熱伝導を行う第
２の冷却パターンと、前記半導体素子搭載パターンに接
続されて前記第１の層の厚さ方向へ熱を伝導する第１の
ビアホールと、前記第２の層に接続されて該第２の層の
厚さ方向へ熱を伝導する第２のビアホールと、前記第１
の冷却パターンと第２の冷却パターンとを接続する第３
のビアホールとを有し、前記第１および第２のビアホー
ルは、前記第１および第２の層の表面から裏面までを貫
通しておらず、かつ絶縁体の面方向へ位置をずらして配
置され、これら第１および第２のビアホールの間には、
これらの間で熱を伝導する第３の冷却パターンが設けら
れたことを特徴とする。また、請求項２に記載の発明
は、請求項１に記載の多層配線基板において、前記絶縁
体は、エポキシ樹脂からなり、前記冷却パターンならび
に前記第１のビアホールに配された第１の熱伝導性材料
および前記第２のビアホールに配された第２の熱伝導性
材料は、銅からなることを特徴とする。また、請求項３
に記載の発明は、請求項１に記載の多層配線基板におい
て、前記絶縁体は、複数のガラスエポキシ基板が積層さ
れてなり、前記冷却パターンならびに前記第１のビアホ
ールに配された第１の熱伝導性材料および前記第２のビ
アホールに配された第２の熱伝導性材料は、銅からなる
ことを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に
よる多層配線基板の構成を示す断面図である。この図に
おいて、１００は、板状の基材であり、例えば、ガラス
エポキシ基板である。１〜４は、基板１００の表面に順
次積層形成された第１〜第４の絶縁層であり、感光性の
エポキシ樹脂からなる。ここで、第１の絶縁層１の表面
層を、銅メッキ等が施される第１の導体層１ａと称す
る。これと同様にして、第２の絶縁層２、第３の絶縁層
３および第４の絶縁層４の各表面層を、第２の導体層２
ａ、第３の絶縁層３ａおよび第４の導体層４ａと称す
る。
施形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に
よる多層配線基板の構成を示す断面図である。この図に
おいて、１００は、板状の基材であり、例えば、ガラス
エポキシ基板である。１〜４は、基板１００の表面に順
次積層形成された第１〜第４の絶縁層であり、感光性の
エポキシ樹脂からなる。ここで、第１の絶縁層１の表面
層を、銅メッキ等が施される第１の導体層１ａと称す
る。これと同様にして、第２の絶縁層２、第３の絶縁層
３および第４の絶縁層４の各表面層を、第２の導体層２
ａ、第３の絶縁層３ａおよび第４の導体層４ａと称す
る。
【０００６】５は、第１の絶縁層１の表面に銅が薄膜形
成されてなる第１の信号パターンであり、各種信号の伝
送路として用いられる。６は、第１の信号パターン５の
表面から第２の絶縁層２の表面までを貫通してなる第１
のビアホールであり、この第１のビアホール６には、無
電解メッキ手法により銅メッキが施されている。７は、
第１のビアホール６の直上であって、かつ第２の絶縁層
２の表面に銅が薄膜形成されてなる第２の信号パターン
である。この第２の信号パターン７は、第１のビアホー
ル６を介して第１の信号パターン５に電気的に接続され
ている。
成されてなる第１の信号パターンであり、各種信号の伝
送路として用いられる。６は、第１の信号パターン５の
表面から第２の絶縁層２の表面までを貫通してなる第１
のビアホールであり、この第１のビアホール６には、無
電解メッキ手法により銅メッキが施されている。７は、
第１のビアホール６の直上であって、かつ第２の絶縁層
２の表面に銅が薄膜形成されてなる第２の信号パターン
である。この第２の信号パターン７は、第１のビアホー
ル６を介して第１の信号パターン５に電気的に接続され
ている。
【０００７】８は、第１の信号パターン５の表面から第
４の絶縁層４の表面までを貫通してなる第２のビアホー
ルであり、この第２のビアホール８には、無電解メッキ
手法により銅メッキが施されている。９は、第４の絶縁
層４の第２のビアホール８の直上であって、かつ第４の
絶縁層４の表面に銅が薄膜形成されてなる第３の信号パ
ターンであり、第２のビアホール８を介して第１の信号
パターン５と電気的に接続されている。
４の絶縁層４の表面までを貫通してなる第２のビアホー
ルであり、この第２のビアホール８には、無電解メッキ
手法により銅メッキが施されている。９は、第４の絶縁
層４の第２のビアホール８の直上であって、かつ第４の
絶縁層４の表面に銅が薄膜形成されてなる第３の信号パ
ターンであり、第２のビアホール８を介して第１の信号
パターン５と電気的に接続されている。
【０００８】１０は、半導体素子であり、第４の絶縁層
４の表面に銅が薄膜形成されてなる半導体素子搭載パタ
ーン１３上に搭載されている。この半導体素子１０の半
導体チップは、リード線１２、１２を介して、第４の絶
縁層４の表面に形成された端子１１、１１に電気的に接
続されている。
４の表面に銅が薄膜形成されてなる半導体素子搭載パタ
ーン１３上に搭載されている。この半導体素子１０の半
導体チップは、リード線１２、１２を介して、第４の絶
縁層４の表面に形成された端子１１、１１に電気的に接
続されている。
【０００９】１４は、第２の絶縁層２の表面に銅が薄膜
形成されてなる第１の冷却パターンであり、半導体素子
１０の熱を後述するヒートシンク２０へ導く。ここで、
第１の冷却パターン１４と第２のビアホール８とは、立
体的に交差しており、物理的に接触していない。１５
は、第１の冷却パターン１４の表面から第３の絶縁層３
の表面までを貫通してなる第３のビアホールであり、こ
の第３のビアホール１５には、無電解メッキ手法により
銅メッキが施されている。１６は、第３のビアホール１
５の直上であって、かつ第３の絶縁層３の表面に銅が薄
膜形成されてなる第２の冷却パターンであり、第３のビ
アホール１５を介して第１の冷却パターン１４に熱的に
接続されている。
形成されてなる第１の冷却パターンであり、半導体素子
１０の熱を後述するヒートシンク２０へ導く。ここで、
第１の冷却パターン１４と第２のビアホール８とは、立
体的に交差しており、物理的に接触していない。１５
は、第１の冷却パターン１４の表面から第３の絶縁層３
の表面までを貫通してなる第３のビアホールであり、こ
の第３のビアホール１５には、無電解メッキ手法により
銅メッキが施されている。１６は、第３のビアホール１
５の直上であって、かつ第３の絶縁層３の表面に銅が薄
膜形成されてなる第２の冷却パターンであり、第３のビ
アホール１５を介して第１の冷却パターン１４に熱的に
接続されている。
【００１０】１７は、第２の冷却パターン１６の表面か
ら第４の絶縁層４の表面までを貫通してなる第４のビア
ホールであり、この第４のビアホール１７には、無電解
メッキ手法により、銅メッキが施されている。この第４
のビアホール１７は、半導体素子搭載パターン１３と第
２の冷却パターン１６とを熱的に接続している。１８
は、第１の冷却パターン１４の表面から第４の絶縁層４
の表面までを貫通してなる第５のビヤホールであり、こ
の第５のビヤホール１８には、無電解メッキ手法によ
り、銅メッキが施されている。
ら第４の絶縁層４の表面までを貫通してなる第４のビア
ホールであり、この第４のビアホール１７には、無電解
メッキ手法により、銅メッキが施されている。この第４
のビアホール１７は、半導体素子搭載パターン１３と第
２の冷却パターン１６とを熱的に接続している。１８
は、第１の冷却パターン１４の表面から第４の絶縁層４
の表面までを貫通してなる第５のビヤホールであり、こ
の第５のビヤホール１８には、無電解メッキ手法によ
り、銅メッキが施されている。
【００１１】１９は、第５のビヤホール１８の直上であ
って、かつ第４の絶縁層４の表面に銅が薄膜形成されて
なるヒートシンク搭載パターンである。このヒートシン
ク搭載パターン１９は、第５のビヤホール１８を介して
第１の冷却パターン１４と熱的に接続されている。ヒー
トシンク２０は、高い放熱作用を有しており、熱伝導性
のシリコーン接着剤を介してヒートシンク搭載パターン
１９に接着されている。
って、かつ第４の絶縁層４の表面に銅が薄膜形成されて
なるヒートシンク搭載パターンである。このヒートシン
ク搭載パターン１９は、第５のビヤホール１８を介して
第１の冷却パターン１４と熱的に接続されている。ヒー
トシンク２０は、高い放熱作用を有しており、熱伝導性
のシリコーン接着剤を介してヒートシンク搭載パターン
１９に接着されている。
【００１２】次に、上述した一実施形態による多層配線
基板の製造方法について説明する。図１において、第１
の過程では、基板１００の表面に第１の絶縁層１を形成
すべく、該表面全体に感光性のエポキシ樹脂が塗布され
る。次に、第２の過程では、エポキシ樹脂が塗布された
全面に対して紫外光が照射される。これにより、エポキ
シ樹脂の重合反応が進む。そして、第３の過程では、基
板１００全体が現像液に浸される。今の場合には、エポ
キシ樹脂の表面の全体に紫外光が照射されているので、
該表面全体が第１の絶縁層１として残る。
基板の製造方法について説明する。図１において、第１
の過程では、基板１００の表面に第１の絶縁層１を形成
すべく、該表面全体に感光性のエポキシ樹脂が塗布され
る。次に、第２の過程では、エポキシ樹脂が塗布された
全面に対して紫外光が照射される。これにより、エポキ
シ樹脂の重合反応が進む。そして、第３の過程では、基
板１００全体が現像液に浸される。今の場合には、エポ
キシ樹脂の表面の全体に紫外光が照射されているので、
該表面全体が第１の絶縁層１として残る。
【００１３】そして、第４の過程では、第１の信号パタ
ーン５を薄膜形成すべく、第１の絶縁層１の表面全体に
フォトレジストが塗布された後、第１の信号パターン５
を形成する領域にマスキングが施される。次いで、第５
の過程では、フォトレジストが塗布された第１の絶縁層
１の表面全体に紫外光が照射される。これにより、マス
キングが施された領域が露光されない一方、その他の領
域が露光される。そして、第６の過程では、基板１００
全体が現像液に浸される。これにより、マスキングが施
された未露光の部分が除去される。
ーン５を薄膜形成すべく、第１の絶縁層１の表面全体に
フォトレジストが塗布された後、第１の信号パターン５
を形成する領域にマスキングが施される。次いで、第５
の過程では、フォトレジストが塗布された第１の絶縁層
１の表面全体に紫外光が照射される。これにより、マス
キングが施された領域が露光されない一方、その他の領
域が露光される。そして、第６の過程では、基板１００
全体が現像液に浸される。これにより、マスキングが施
された未露光の部分が除去される。
【００１４】次に、第７の過程では、第１の信号パター
ン５に対応する部分に銅メッキが施されることにより、
第１の信号パターン５が第１の絶縁層１の表面に形成さ
れる。次に、第８の過程では、第１の過程と同様にし
て、第１の絶縁層１の表面に第２の絶縁層２を形成すべ
く、該表面全体に感光性のエポキシ樹脂が塗布される。
次に、第９の過程では、第１のビアホール６を形成すべ
き領域にマスキングが施された後、エポキシ樹脂が塗布
された全面に対して紫外光が照射される。これにより、
マスキングが施された領域では、エポキシ樹脂の重合反
応が進まない一方、該領域以外の領域では、重合反応が
進む。
ン５に対応する部分に銅メッキが施されることにより、
第１の信号パターン５が第１の絶縁層１の表面に形成さ
れる。次に、第８の過程では、第１の過程と同様にし
て、第１の絶縁層１の表面に第２の絶縁層２を形成すべ
く、該表面全体に感光性のエポキシ樹脂が塗布される。
次に、第９の過程では、第１のビアホール６を形成すべ
き領域にマスキングが施された後、エポキシ樹脂が塗布
された全面に対して紫外光が照射される。これにより、
マスキングが施された領域では、エポキシ樹脂の重合反
応が進まない一方、該領域以外の領域では、重合反応が
進む。
【００１５】そして、第１０の過程では、基板１００全
体が現像液に浸される。今の場合には、マスキングが施
された領域（未重合反応領域）のエポキシ樹脂のみが除
去される。これにより、第１のビアホール６が形成され
る。次に、第１１の過程では、第１のビアホール６に無
電解メッキ手法により銅メッキが施される。以下、上述
した過程が繰り返されることにより、第３の絶縁層３、
第４の絶縁層４、その他第２の信号パターン７等が順次
形成される。
体が現像液に浸される。今の場合には、マスキングが施
された領域（未重合反応領域）のエポキシ樹脂のみが除
去される。これにより、第１のビアホール６が形成され
る。次に、第１１の過程では、第１のビアホール６に無
電解メッキ手法により銅メッキが施される。以下、上述
した過程が繰り返されることにより、第３の絶縁層３、
第４の絶縁層４、その他第２の信号パターン７等が順次
形成される。
【００１６】上記構成において、半導体素子１０が駆動
されると、該半導体素子１０からは、熱が放出される。
この熱は、半導体素子搭載パターン１３→第４のビアホ
ール１７→第２の冷却パターン１６→第３のビアホール
１５→第１の冷却パターン１４→第５のビヤホール１８
→ヒートシンク搭載パターン１９という経路を経てヒー
トシンク２０へ伝導された後、ヒートシンク２０から放
熱される。
されると、該半導体素子１０からは、熱が放出される。
この熱は、半導体素子搭載パターン１３→第４のビアホ
ール１７→第２の冷却パターン１６→第３のビアホール
１５→第１の冷却パターン１４→第５のビヤホール１８
→ヒートシンク搭載パターン１９という経路を経てヒー
トシンク２０へ伝導された後、ヒートシンク２０から放
熱される。
【００１７】以上説明したように、上述した一実施形態
による多層配線基板によれば、従来の多層配線基板（特
開平９−５５４５９号公報）のように、表面から裏面ま
でを貫通してなるビアホールを用いていないため、放熱
用の第３のビアホール１５等の直下、直上に信号パター
ンを配することができ、ひいては高冷却特性を維持しつ
つ高密度化を図ることができる。また、上述した一実施
形態による多層配線基板によれば、従来の多層配線基板
（特開平４−３３４０９６号公報）のように冷却パター
ンが表面層および裏面層を占有することがないので、全
層を使用して効率的な信号パターンの形成が可能であ
り、結果的に層数の低減を図ることができる。さらに、
上述した一実施形態による多層配線基板によれば、材料
として安価なエポキシ樹脂や銅を用いているので、安価
にすることができる。
による多層配線基板によれば、従来の多層配線基板（特
開平９−５５４５９号公報）のように、表面から裏面ま
でを貫通してなるビアホールを用いていないため、放熱
用の第３のビアホール１５等の直下、直上に信号パター
ンを配することができ、ひいては高冷却特性を維持しつ
つ高密度化を図ることができる。また、上述した一実施
形態による多層配線基板によれば、従来の多層配線基板
（特開平４−３３４０９６号公報）のように冷却パター
ンが表面層および裏面層を占有することがないので、全
層を使用して効率的な信号パターンの形成が可能であ
り、結果的に層数の低減を図ることができる。さらに、
上述した一実施形態による多層配線基板によれば、材料
として安価なエポキシ樹脂や銅を用いているので、安価
にすることができる。
【００１８】以上、本発明の一実施形態による多層配線
基板について詳述してきたが、具体的な構成はこの一実
施形態に限られるものではなく本発明の要旨を逸脱しな
い範囲の設計変更等があっても本発明に含まれる。例え
ば、上述した一実施形態による多層配線基板において
は、ガラスエポキシ基板を基板１００としかつエポキシ
樹脂を第１の絶縁層１〜第４の絶縁層４とした例につい
て説明したが、全ての第１の絶縁層１〜第４の絶縁層４
をガラスエポキシ基板で構成してもよい。この場合に
は、エポキシ樹脂を用いた場合に比してさらに低価格に
することができる。
基板について詳述してきたが、具体的な構成はこの一実
施形態に限られるものではなく本発明の要旨を逸脱しな
い範囲の設計変更等があっても本発明に含まれる。例え
ば、上述した一実施形態による多層配線基板において
は、ガラスエポキシ基板を基板１００としかつエポキシ
樹脂を第１の絶縁層１〜第４の絶縁層４とした例につい
て説明したが、全ての第１の絶縁層１〜第４の絶縁層４
をガラスエポキシ基板で構成してもよい。この場合に
は、エポキシ樹脂を用いた場合に比してさらに低価格に
することができる。
【００１９】また、上述した一実施形態による多層配線
基板においては、基板１００の材料としてシリコン、セ
ラミック等を用いてもよくその材料の種類は問わない。
ここで、基板１００の材料としてシリコンを用いた場合
には、第１の信号パターン５等の導体としてアルミニウ
ム合金を用いればよく、一方、セラミックを用いた場合
には、上記導体として銅、モリブデン等を用いればよ
い。
基板においては、基板１００の材料としてシリコン、セ
ラミック等を用いてもよくその材料の種類は問わない。
ここで、基板１００の材料としてシリコンを用いた場合
には、第１の信号パターン５等の導体としてアルミニウ
ム合金を用いればよく、一方、セラミックを用いた場合
には、上記導体として銅、モリブデン等を用いればよ
い。
【００２０】さらに、上述した一実施形態による多層配
線基板においては、冷却（放熱）手段としてヒートシン
ク２０に代えて、小型ファン、ヒートパイプ、ペルチェ
素子等を用いてもよい。
線基板においては、冷却（放熱）手段としてヒートシン
ク２０に代えて、小型ファン、ヒートパイプ、ペルチェ
素子等を用いてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、従来の多層配線基板（特開平９−５５４
５９号公報）のように、表面から裏面までを貫通してな
るビアホールを用いていないため、第１および第２のビ
アホールの直下、直上に信号パターンを配することがで
き、ひいては高冷却特性を維持しつつ高密度化を図るこ
とができるという効果が得られる。また、請求項１に記
載の発明によれば、従来の多層配線基板（特開平４−３
３４０９６号公報）のように冷却パターンが表面層およ
び裏面層を占有することがないので、全層を使用して効
率的な信号パターンの形成が可能であり、結果的に層数
の低減を図ることができるという効果が得られる。さら
に、請求項２に記載の発明によれば、材料として安価な
エポキシ樹脂や銅を用いているので、安価にすることが
できるという効果が得られる。加えて、請求項３に記載
の発明によれば、エポキシ樹脂より安価なガラスエポキ
シ基板を用いているので、さらに安価にすることができ
るという効果が得られる。
発明によれば、従来の多層配線基板（特開平９−５５４
５９号公報）のように、表面から裏面までを貫通してな
るビアホールを用いていないため、第１および第２のビ
アホールの直下、直上に信号パターンを配することがで
き、ひいては高冷却特性を維持しつつ高密度化を図るこ
とができるという効果が得られる。また、請求項１に記
載の発明によれば、従来の多層配線基板（特開平４−３
３４０９６号公報）のように冷却パターンが表面層およ
び裏面層を占有することがないので、全層を使用して効
率的な信号パターンの形成が可能であり、結果的に層数
の低減を図ることができるという効果が得られる。さら
に、請求項２に記載の発明によれば、材料として安価な
エポキシ樹脂や銅を用いているので、安価にすることが
できるという効果が得られる。加えて、請求項３に記載
の発明によれば、エポキシ樹脂より安価なガラスエポキ
シ基板を用いているので、さらに安価にすることができ
るという効果が得られる。
【図１】 本発明の一実施形態による多層配線基板の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
１ 第１の絶縁層 ２ 第２の絶縁層 ３ 第３の絶縁層 ４ 第４の絶縁層 ５ 第１の信号パターン ６ 第１のビアホール ７ 第２の信号パターン ８ 第２のビアホール ９ 第３の信号パターン １０ 半導体素子 １３ 半導体素子搭載パターン １４ 第１の冷却パターン １５ 第３のビアホール １６ 第２の冷却パターン １７ 第４のビアホール １８ 第５のビヤホール １９ ヒートシンク搭載パターン ２０ ヒートシンク １００ 基材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ 23/36 Ｃ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/46 H01L 23/12 H01L 23/36
Claims (3)
- 【請求項１】 積層形成された絶縁体と、 前記絶縁体の表面に露出する第１の層に形成され、半導
体素子が搭載される半導体素子搭載パターンおよび冷却
手段が搭載される第１の冷却パターンと、 前記絶縁体における複数の層のうち、表面に露出しない
第２の層に形成され、熱伝導を行う第２の冷却パターン
と、 前記半導体素子搭載パターンに接続されて前記第１の層
の厚さ方向へ熱を伝導する第１のビアホールと、 前記第２の層に接続されて該第２の層の厚さ方向へ熱を
伝導する第２のビアホールと、 前記第１の冷却パターンと第２の冷却パターンとを接続
する第３のビアホールとを有し、 前記第１および第２のビアホールは、前記第１および第
２の層の表面から裏面までを貫通しておらず、かつ絶縁
体の面方向へ位置をずらして配置され、 これら第１および第２のビアホールの間には、これらの
間で熱を伝導する第３の冷却パターンが設けられた こと
を特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２】 前記絶縁体は、エポキシ樹脂からなり、 前記冷却パターンならびに前記第１のビアホールに配さ
れた第１の熱伝導性材料および前記第２のビアホールに
配された第２の熱伝導性材料は、銅からなることを特徴
とする請求項１に記載の多層配線基板。 - 【請求項３】 前記絶縁体は、複数のガラスエポキシ基
板が積層されてなり、 前記冷却パターンならびに前記第１のビアホールに配さ
れた第１の熱伝導性材料および前記第２のビアホールに
配された第２の熱伝導性材料は、銅からなることを特徴
とする請求項１に記載の多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12790498A JP3284969B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12790498A JP3284969B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330708A JPH11330708A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3284969B2 true JP3284969B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=14971545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12790498A Expired - Lifetime JP3284969B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3284969B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112004000007T5 (de) * | 2003-01-28 | 2005-08-11 | Cmk Corp. | Mehrschicht-Leiterplatte mit Metallkern |
| DE102005063281A1 (de) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Robert Bosch Gmbh | Integriertes elektronisches Bauteil sowie Kühlvorrichtung für ein integriertes elektronisches Bauteil |
| JP2012230937A (ja) | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Denso Corp | 回路基板 |
| JP5664527B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2015-02-04 | 株式会社デンソー | 配線基板 |
| JP6119111B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2017-04-26 | 富士通株式会社 | 回路基板、回路基板の製造方法、電子装置及び電子装置の製造方法 |
| US20140318758A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Composite laminae having thermal management features and thermal management apparatuses comprising the same |
| JP2015185597A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社Pfu | プリント基板およびプリント基板の製造方法 |
| JP6652443B2 (ja) * | 2016-05-06 | 2020-02-26 | 株式会社日本マイクロニクス | 多層配線基板及びこれを用いたプローブカード |
| US10163751B2 (en) | 2016-11-29 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Heat transfer structures and methods for IC packages |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP12790498A patent/JP3284969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11330708A (ja) | 1999-11-30 |
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