JPH02138792A - 回路基板 - Google Patents

回路基板

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Publication number
JPH02138792A
JPH02138792A JP20616989A JP20616989A JPH02138792A JP H02138792 A JPH02138792 A JP H02138792A JP 20616989 A JP20616989 A JP 20616989A JP 20616989 A JP20616989 A JP 20616989A JP H02138792 A JPH02138792 A JP H02138792A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper foil
polyimide film
substrate
conductive path
board
Prior art date
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Pending
Application number
JP20616989A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Miura
三浦 敬男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP20616989A priority Critical patent/JPH02138792A/ja
Publication of JPH02138792A publication Critical patent/JPH02138792A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は基板上に半導体素子等を用いて回路等が形成さ
れる回路基板に関し、特に基板の一部分に回路を形成し
ようとする場合に有利な回路基板に関する。
く口)従来例 一般に厚膜集積回路等に於いて電力増幅用の半導体素子
を使用する場合、基板には良熱伝導性のアルミニウム基
板が用いられ、アルミニウム基板の表面は陽極酸化に依
って酸化アルミニウムの絶縁層が形成され、この絶縁層
上に銅箔に依って導電路が形成される構造が採用される
。この様な基板を作る場合、従来は第1図に示す如く、
−枚のアルミニウム基板(1)の表面に陽極酸化に依っ
て絶縁層(2)を形成し、絶縁層(2)上に接着樹脂層
(3)を介して銅箔(4)をプレス等で加圧して更に加
熱しながら接着していた。その後所望の大きさに切断し
て使用していた。
(ハ)発明が解決しようとする課題 ところが銅箔(4)を接着する際にアルミニウム基板(
1)の端部では銅箔(4〉の接着が完全でなく剥離して
この部分では基板として使用することができない。従っ
てアルミニウム基板の一部分だけに回路を形成する場合
あるいは半導体素子を固着する場合には、その一部分だ
けに銅箔を接着することができず、エツチング等に依っ
て他の部分の銅箔を除去しなければならない欠点があっ
た。
〈二)課題を解決するための手段 本発明は上述した欠点に鑑みて為されたものであり、基
板上の全面あるいは少なくとも一部表面に第1の銅箔の
接着された第1のポリイミドフィルムを熱可塑硬化性の
第1の樹脂接着剤で加熱しながらローラーで圧延接着し
た後、前記第1の銅箔をエツチングして所望形状の第1
の導電路を形成し、前記第1のポリイミドフィルム上に
第2の銅箔の接着された第2のポリイミドフィルムを熱
可塑硬化性の第2の樹脂接着剤で接着した後、前記第2
の銅箔をエツチングして所望形状の第2の導電路を形成
して多層構造としたことを特徴とする。
(ホ)作用 この様に本発明に依れば、第1および第2のボッイミド
フィルム部分的に重ねることにより、部分的に多層配線
構造を有した回路基板を提供することができるもである
(へ)実施例 以下図面を参照して本発明を詳述する。
第2図は本発明の実施例を示す断面図であり、(5)は
アルミニウム基板、(6)は接M居、(7)はボッイミ
ドフィルム、(8)は銅箔、〈9)はm片、(1o)は
半導体素子である。
アルミニウム基板(5)は良熱伝導性を有しすでに所望
の大きさにプレス等で切断されるが従来の様に表面に絶
縁層は形成きれていない。アルミニウム基板(5)上の
一部には接着層(6)を介して絶縁物であるポリイミド
フィルム(7)が設けられ、このポリイミドフィルム〈
7)は予じめ銅箔(8)が固着されており、その銅@(
8)上にヒートシンクとなる銅片(9)が半田等に依っ
て固着され、銅片(9)上に半導体素子<10)が固着
される構造である。
予じめ銅箔(8)が接着されたポリイミドフィルム<7
)はすでにフレキシブル基板等で実用化されており、こ
の@箔(8)を有するポリイミドフィルム(7)ヲアル
ミニウム基板(5)に接着する方法はボッイミドフィル
ム(7)の接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗布し、端部
から加熱しながらローラー等で圧延することに依ってア
ルミニウム基板(5)表面に密若した強固な接着層(6
)が形成され、この接着層(6)に依ってポリイミドフ
ィルム(7)が固着される。従って銅箔(8)はポリイ
ミドフィルム(7)に依ってアルミニウム基板(5)と
絶縁され固着される。
ヒートシンクとなる銅片(9)上に消費電力の大きい即
ち発熱量の多い半導体素子(10)を固着した場合にも
ポリイミドフィルム(7)は非常に薄く形成されるため
熱抵抗が増加することなく熱がアルミニウム基板(5)
に伝導される。一方アルミニウム基板(5〉の他の部分
(11)即ち銅箔(8)が設けられなかった部分は半導
体素子(10)等を封止する際に露出しておき放熱板と
して用いることができ、またこの部分(11)に低消費
電力の回路を構成した基板等を固着することもできるも
のであり、更に基板が鉄の場合にはコイルを形成するこ
ともできるものであり、その他色々な目的に利用するこ
とができる。
第3図は本発明の他の実施例を示す断面図であり、(1
2)はセラミック基板、(13)は接着層、(14)は
ポリイミドフィルム、(15)は銅箔である。
セラミック基板(12)は予じめ所望の大きさに形成さ
れ、セラミック基板(12)の表面に接着層(13)を
介してポリイミドフィルム(14)が設けられ、ボッイ
ミドフィルム(14)の表面には銅箔(15)が接着さ
れており、エツチング等に依って所望の形状の導電路が
形成される。
銅箔(15)の接着されたポリイミドフィルム(14)
は接着面に熱可塑硬化性の樹脂を塗付し、端部から加熱
しながらローラー等で圧延することに依って接着できる
ので所望の部分に所望の大きさの銅箔り15)をセラミ
ック基板(12〉が割れることもなく接着できる。また
従来の如くセラミック基板〈12)内に導電路が形成さ
れていれば、更に多層の配線が可能となる。
第4図は本発明の更に他の実施例を示す断面図であり、
(16〉は基板、(17)は第1接着層、(18)は第
1ポリイミドフイルム、(19〉は第1銅箔、(20)
は第2接着層、(21)は第2ポリイミドフイルム、(
22)は第2銀箔である。
基板(16)は金属あるいはセラミック等が用いられ、
その表面に第1接着層(17)を介して第1ポリイミド
フイルム(18)が接着され、第1ポリイミドフイルム
(18)の表面には第1銅箔(19)に依って導電路が
形成される。更に第1銅箔り19)の表面には第2接着
層(20)を介して第2ポリイミドフイルム(21)カ
接M dれ、第2ポリイミドフイルム(21)上には第
2銅箔(22)により導電路が形成されるいわゆる多層
配線構造である。
第1ポリイミドフイルム(18)及び第2ポリイミドフ
イルム(21)の接着は前述した如く熱可塑硬化性の接
着樹脂に依って接着されるものである。この構造に於い
て第1銅箔(19〉と第2銅箔(22)との電気的接続
は例えばスルーホール等に依って行すうことができる。
くト)発明の効果 上述の如く本発明に依れば金属あるいはセラミック等の
基板の一部又は全面に銅箔が固着できるものであり、特
に一部分のみに銅箔を固着する場合には極めて有利とな
り、工程の簡素化及び銅箔の節約にもなるものである。
また多層配線構造も可能となり基板を立体的に使用でき
、また一部分のみにも銅箔を固着することができるので
他の部分の基板を他の目的に利用できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示す断面図、第2図は本発明の一実施
例も示す断面図、第3図は他の実施例を示す断面図、第
4図は更に他の実施例を示す断面図である。 <5)・・・アルミニウム基板、 (6)・・・接着層
、 (7)・・・ポリイミドフィルム、(8)・・・銅
箔、 (9)・・・銅片、 (10)・・・半導体素子
、 (12〉・・・セラミック基板、 (13)・・・
接着層、 (14)・・・ポリイミドフィルム、 (1
5)・・・銅箔、 り16)・・・基板、 (17)・
・・第1接着層、 (18)・・・第1ポリイミドフイ
ルム、(19)・・・第1銅箔、 (20)・・・第2
接着層、 (21)・・・第2ポリイミドフイルム、 
(22)・・・第2銅箔。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上の全面あるいは少なくとも一部表面に第1
    の銅箔の接着された第1のポリイミドフィルムを熱可塑
    硬化性の第1の樹脂接着剤で加熱しながらローラーで圧
    延接着した後、前記第1の銅箔をエッチングして所望形
    状の第1の導電路を形成し、前記第1のポリイミドフィ
    ルム上に第2の銅箔の接着された第2のポリイミドフィ
    ルムを熱可塑硬化性の第2の樹脂接着剤で接着した後、
    前記第2の銅箔をエッチングして所望形状の第2の導電
    路を形成して多層構造としたことを特徴とする回路基板
  2. (2)前記基板は金属またはセラミック基板であること
    を特徴とする請求項1記載の回路基板。
JP20616989A 1989-08-09 1989-08-09 回路基板 Pending JPH02138792A (ja)

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JP20616989A JPH02138792A (ja) 1989-08-09 1989-08-09 回路基板

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JP20616989A JPH02138792A (ja) 1989-08-09 1989-08-09 回路基板

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JP513480A Division JPS56101793A (en) 1980-01-18 1980-01-18 Circuit board

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JPH02138792A true JPH02138792A (ja) 1990-05-28

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JP20616989A Pending JPH02138792A (ja) 1989-08-09 1989-08-09 回路基板

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136569A (en) * 1974-09-21 1976-03-27 Mitsubishi Electric Corp Konseishusekikairo no seizohoho

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136569A (en) * 1974-09-21 1976-03-27 Mitsubishi Electric Corp Konseishusekikairo no seizohoho

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