JPS635251Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS635251Y2 JPS635251Y2 JP1982041123U JP4112382U JPS635251Y2 JP S635251 Y2 JPS635251 Y2 JP S635251Y2 JP 1982041123 U JP1982041123 U JP 1982041123U JP 4112382 U JP4112382 U JP 4112382U JP S635251 Y2 JPS635251 Y2 JP S635251Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- leads
- lead frame
- lead
- semiconductor
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案はセラミツク基板にリードフレームをガ
ラス接着し、ガラス封止する構造をもつ半導体容
器の構造改善に関する。
ラス接着し、ガラス封止する構造をもつ半導体容
器の構造改善に関する。
(b) 従来技術と問題点
半導体チツプを収納する半導体容器（パツケー
ジ）には、多くの種類があるが、セラミツク容器
を使用すれば、プラスチツク容器を使用する場合
より高価となる。そのためリードフレームとセラ
ミツク基板をガラスを溶融して封止する容器が知
られている。通称、サーデツプ（Cerdip）と呼
ばれているが、この方式はメタライズ層を設け
て、メタル封止する多層セラミツクパツケージに
比べて安価に作成され、しかも信頼性が比較的高
いため、64KRAMなどのLSIにも良く用いられ
ている容器である。
ジ）には、多くの種類があるが、セラミツク容器
を使用すれば、プラスチツク容器を使用する場合
より高価となる。そのためリードフレームとセラ
ミツク基板をガラスを溶融して封止する容器が知
られている。通称、サーデツプ（Cerdip）と呼
ばれているが、この方式はメタライズ層を設け
て、メタル封止する多層セラミツクパツケージに
比べて安価に作成され、しかも信頼性が比較的高
いため、64KRAMなどのLSIにも良く用いられ
ている容器である。
第１図は従来の半導体装置の一例を示す平面図
である。
である。
中央部にダイステージ１があり、周囲に16個の
リードからなるリードフレーム２がセラミツク基
板３にガラスで接着されており、このリードは外
郭部（図示していない）で連結された構造となつ
ていて、本実施例は外部リード部２−１をセラミ
ツク基板３の両側で垂直方向に曲げられたDIP型
式である。
リードからなるリードフレーム２がセラミツク基
板３にガラスで接着されており、このリードは外
郭部（図示していない）で連結された構造となつ
ていて、本実施例は外部リード部２−１をセラミ
ツク基板３の両側で垂直方向に曲げられたDIP型
式である。
なお、上記外郭部は垂直に折り曲げたリード先
端部分を連結しているものである。
端部分を連結しているものである。
このような構造の容器を使用し、ダイステージ
１に半導体チツプを接着して、リードパツド２−
２との間にワイヤーをボンデイングした後、キヤ
ツプを低融点ガラスにより封止する。その際、ダ
イステージ１は凹形となつており、またキヤツプ
も中央がへこんだ凹形状で、封止すると半導体チ
ツプとワイヤーとが空間域に存在するような構造
であるから、キヤツプとセラミツク基板とをガラ
ス溶融して封止する部分は図の点線外側周囲部と
なる。したがつて、第１図に示す従来例では図の
上下方向は封止部の幅が特に狭い。
１に半導体チツプを接着して、リードパツド２−
２との間にワイヤーをボンデイングした後、キヤ
ツプを低融点ガラスにより封止する。その際、ダ
イステージ１は凹形となつており、またキヤツプ
も中央がへこんだ凹形状で、封止すると半導体チ
ツプとワイヤーとが空間域に存在するような構造
であるから、キヤツプとセラミツク基板とをガラ
ス溶融して封止する部分は図の点線外側周囲部と
なる。したがつて、第１図に示す従来例では図の
上下方向は封止部の幅が特に狭い。
且つ、図のＡ部分ではリードを挾持していない
から、封止時に高温度にするとガラスが流れ易
く、封止後この部分で孔ができ、リーク（洩漏）
が起る危険性が大きい。特に、メモリ素子には放
射性元素によるソフトエラーを避けるためポリイ
ミドなどの有機樹脂を半導体チツプに被覆する
が、その場合高温融着時にガスが発生しやすく
て、そのため内部空間域は圧力が上昇し、これが
Ａ部分においてガラスが外側に押し出されること
になり、この封止部が極めてせまくなる。又極端
な場合ガスが噴出し、リーク孔を形成する。この
ような有機樹脂は予め高温で充分キユアーさせて
もガス発生を防ぐことは難しく、また有機樹脂が
なくても内部空間域は空気が高温度で膨張するた
めに同様のリーク孔を形成し易い。
から、封止時に高温度にするとガラスが流れ易
く、封止後この部分で孔ができ、リーク（洩漏）
が起る危険性が大きい。特に、メモリ素子には放
射性元素によるソフトエラーを避けるためポリイ
ミドなどの有機樹脂を半導体チツプに被覆する
が、その場合高温融着時にガスが発生しやすく
て、そのため内部空間域は圧力が上昇し、これが
Ａ部分においてガラスが外側に押し出されること
になり、この封止部が極めてせまくなる。又極端
な場合ガスが噴出し、リーク孔を形成する。この
ような有機樹脂は予め高温で充分キユアーさせて
もガス発生を防ぐことは難しく、また有機樹脂が
なくても内部空間域は空気が高温度で膨張するた
めに同様のリーク孔を形成し易い。
(c) 考案の目的
本考案はこのようなガラス押し出されによる封
止部の劣化及びリーク発生をなくす構造をもつた
半導体装置を提案るものである。
止部の劣化及びリーク発生をなくす構造をもつた
半導体装置を提案るものである。
(d) 考案の構成
その目的は、相互に交錯する接着補強リードを
設けたリードを配置し、ガラス封止部においてす
べてのリード間の間隙が曲折路で構成されている
リードフレームを具備している半導体装置によつ
て達成させることができ、以下実施例によつて詳
しく説明する。
設けたリードを配置し、ガラス封止部においてす
べてのリード間の間隙が曲折路で構成されている
リードフレームを具備している半導体装置によつ
て達成させることができ、以下実施例によつて詳
しく説明する。
(e) 考案の実施例
ところで、リードフレームは通常厚さ0.25mm
で、低融点ガラスとの接着性はよく、これを挾持
する封止間隙は１mm程度である。したがつて、リ
ードを挾持すれば、封止時に400〜450℃の高温度
でガラスが溶融しても、表面張力のためガラスは
流出しにくくなる。一方、リードが挾持されない
部分では当然、ガラスが流れ出し易い。
で、低融点ガラスとの接着性はよく、これを挾持
する封止間隙は１mm程度である。したがつて、リ
ードを挾持すれば、封止時に400〜450℃の高温度
でガラスが溶融しても、表面張力のためガラスは
流出しにくくなる。一方、リードが挾持されない
部分では当然、ガラスが流れ出し易い。
また、第１図のＡ部分に示すリード端部は、従
来より電気的接続に必須の部分ではなく、リード
とセラミツク基板との接着力を強めるための接着
補強リード２−３である。
来より電気的接続に必須の部分ではなく、リード
とセラミツク基板との接着力を強めるための接着
補強リード２−３である。
したがつて、内部のダイステージ１側から見て
リードフレームの各リードで完全に囲まれる構造
となるように接着補強リードの形状を変更すれば
よい。第２図は第１図のＡ部分を改善した形状
で、このように接着補強リード２−３を交錯した
形状とし、ガラス溶融の封止時に流出が少ないよ
うに曲折路を設けると封止部の劣化及びリーク孔
の発生が防がれる。
リードフレームの各リードで完全に囲まれる構造
となるように接着補強リードの形状を変更すれば
よい。第２図は第１図のＡ部分を改善した形状
で、このように接着補強リード２−３を交錯した
形状とし、ガラス溶融の封止時に流出が少ないよ
うに曲折路を設けると封止部の劣化及びリーク孔
の発生が防がれる。
第３図はこのようにして改良したリードフレー
ム形状を示しており、Ａ部分はＢ部分のような形
状とし、またＣ部分でも交錯した接着補強リード
にする。Ｃ部分ではガラス封止の幅が広いため、
余り問題ではないが、同様の形状とする方が好ま
しい。
ム形状を示しており、Ａ部分はＢ部分のような形
状とし、またＣ部分でも交錯した接着補強リード
にする。Ｃ部分ではガラス封止の幅が広いため、
余り問題ではないが、同様の形状とする方が好ま
しい。
(f) 考案の効果
以上の実施例から明らかなように、本考案は接
着補強リードを交錯形状とし、ダイステージのあ
る内部空間域からみて、封止間隙部分が完全にリ
ードフレームで囲まれた形状にする。かようにし
て、リードフレームに付着するガラスの表面張力
によりガラスの流出を組み、リーク発生を防止す
るもので、半導体装置の高信頼化に極めて有効で
ある。
着補強リードを交錯形状とし、ダイステージのあ
る内部空間域からみて、封止間隙部分が完全にリ
ードフレームで囲まれた形状にする。かようにし
て、リードフレームに付着するガラスの表面張力
によりガラスの流出を組み、リーク発生を防止す
るもので、半導体装置の高信頼化に極めて有効で
ある。
第１図は従来の半導体装置の平面図、第２図は
本考案にかかる半導体装置の部分平面図、第３図
は本考案にかかる半導体装置の平面図である。 図中、１はダイステージ、２はリードフレー
ム、３はセラミツク基板、２−３は接着補強リー
ドを示す。
本考案にかかる半導体装置の部分平面図、第３図
は本考案にかかる半導体装置の平面図である。 図中、１はダイステージ、２はリードフレー
ム、３はセラミツク基板、２−３は接着補強リー
ドを示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 中央空間に半導体素子が載置され、該半導体素
子からの導出線としてのリードフレームがガラス
接着されて、該リードフレーム上にキヤツプをガ
ラス封止する構造の半導体装置であつて、 相互に交錯する接着補強リードを設けたリードを
配置し、ガラス封止部においてすべてのリード間
の間隙が曲折路で構成されているリードフレーム
を具備してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4112382U JPS58144849U (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4112382U JPS58144849U (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144849U JPS58144849U (ja) | 1983-09-29 |
| JPS635251Y2 true JPS635251Y2 (ja) | 1988-02-12 |
Family
ID=30052312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4112382U Granted JPS58144849U (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144849U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50128466A (ja) * | 1974-03-27 | 1975-10-09 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665665U (ja) * | 1979-10-25 | 1981-06-01 |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP4112382U patent/JPS58144849U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50128466A (ja) * | 1974-03-27 | 1975-10-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58144849U (ja) | 1983-09-29 |
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